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1、(10)授权公告号 CN 101300317 B (45)授权公告日 2012.02.01 CN 101300317 B *CN101300317B* (21)申请号 200680041245.2 (22)申请日 2006.10.13 11/284,358 2005.11.21 US C09D 129/00(2006.01) G03F 7/00(2006.01) C09D 131/04(2006.01) (73)专利权人 国际商业机器公司 地址 美国纽约 (72)发明人 PJ布罗克 J查 D吉尔 CE拉尔森 LK森德伯格 G沃尔拉夫 (74)专利代理机构 中国国际贸易促进委员会专 利商标事务所。
2、 11038 代理人 王健 US 5273862 A,1993.12.28, CN 1322967 A,2001.11.21, CN 1690098 A,2005.11.02, CN 1267000 A,2000.09.20, (54) 发明名称 用于 193nm 沉浸平版印刷的水可浇铸 - 水可 剥离的面涂层 (57) 摘要 公开了涂覆在光致抗蚀剂材料上面的面 涂层材料。该面涂层材料包含在 25或更 低的温度下微溶或不溶于水但在 60或更 高的温度下可溶于水的聚合物。该聚合物 包含具有以下聚合物结构的聚乙烯醇单体单 元和聚乙酸乙烯酯或聚乙烯基醚单体单元 ： 其 中 R 是 脂 族或脂环族基团。
3、 ； m 和 n 独立地是整数， 并且是相 同或不同的 ； p 是 0 或 1。该面涂层材料可以用于 平版印刷方法， 其中将该面涂层材料涂覆在光致 抗蚀剂层上。该面涂层材料尤其可用于使用水作 为成像介质的沉浸平版印刷技术。本发明的面涂 层材料还可用于使用有机液体作为浸渍介质的沉 浸平版印刷。 (30)优先权数据 (85)PCT申请进入国家阶段日 2008.05.04 (86)PCT申请的申请数据 PCT/EP2006/067371 2006.10.13 (87)PCT申请的公布数据 WO2007/057263 EN 2007.05.24 (51)Int.Cl. (56)对比文件 审查员 于佳 。
4、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 权利要求书 2 页 说明书 6 页 附图 1 页 CN 101300317 B1/2 页 2 1. 涂覆在光致抗蚀剂材料上面的面涂层材料， 包含在 25或更低的温度下微溶或不 溶于水但在 60或更高的温度下可溶于水的聚合物， 其中 “微溶” 表示不到 1wt且大于 0.1wt聚合物溶于溶剂，“不溶” 表示小于 “微溶” 的溶解性，“可溶” 表示大于 5wt聚合物 将溶于溶剂， 其中该聚合物包含具有以下聚合物结构的聚乙烯醇单体单元和聚乙酸乙烯酯或聚乙 烯基醚单体单元 ： 其中 R 是脂族或脂环族基团 ； m 和 n 独立地是整数， 并且是相。
5、同或不同的 ； p 是 0 或 1。 2. 权利要求 1 的面涂层材料， 其中该聚合物具有 1.2-1.8 的折射指数。 3. 权利要求 1 的面涂层材料， 其中该聚合物具有 10K 道尔顿 -250K 道尔顿的可调分子 量。 4. 在基材上形成图案化材料层的方法， 该方法包括 ： 提供在其表面上具有材料层的基材 ； 在基材上沉积光致抗蚀剂组合物以在该材料层上形成光致抗蚀剂层 ； 在该光致抗蚀剂层上涂覆面涂层材料， 从而形成涂层基材， 该面涂层材料包含在 25 或更低的温度下微溶或不溶于水但在 60或更高的温度下可溶于水的聚合物， 其中 “微溶” 表示不到 1wt且大于 0.1wt聚合物溶于溶。
6、剂，“不溶” 表示小于 “微溶” 的溶解性，“可溶” 表示大于 5wt聚合物将溶于溶剂， 该聚合物含有具有以下聚合物结构的聚乙烯醇单体单 元和聚乙酸乙烯酯或聚乙烯基醚单体单元 ： 其中 R 是脂族或脂环族基团 ； m 和 n 独立地是整数， 并且是相同或不同的 ； p 是 0 或 1 ； 将该涂层基材图案化曝光在成像辐射下 ； 使该涂层基材与在 60或更高的温度下的水接触， 其中从该涂层基材上除去该面涂层 材料 ； 使该涂层基材与含水碱性溶液接触， 其中从该涂层基材上除去该光致抗蚀剂层的曝光 部分， 从而在该材料层上形成图案化光致抗蚀剂层 ； 和 将该光致抗蚀剂层中的图案转移到该材料层上。 5。
7、. 权利要求 4 的方法， 其中该聚合物具有 1.2-1.8 的折射指数， 或者该聚合物具有 10K 道尔顿 -250K 道尔顿的可调分子量。 6. 权利要求 4 的方法， 其中该材料层选自电介质、 金属和半导体层。 权 利 要 求 书 CN 101300317 B2/2 页 3 7. 权利要求 4 的方法， 其中该材料层选自陶瓷。 8. 权利要求 4 的方法， 其中该成像辐射是 193nm 辐射、 157nm 辐射或 248nm 辐射之一。 9. 权利要求 4 的方法， 还包括在将该涂层基材图案化曝光在成像辐射下之前， 将成像 介质施加到该涂层基材上的步骤。 10. 权利要求 9 的方法， 。
8、其中该成像介质是水。 11. 权利要求 9 的方法， 其中该成像介质是有机液体。 12. 权利要求 9 的方法， 其中该成像介质是脂环烃液体。 13. 权利要求 4 的方法， 其中通过除去该材料层的没有被图案化光致抗蚀剂层覆盖的 部分而将该光致抗蚀剂层中的图案转移至该材料层。 14. 权利要求 4 的方法， 其中该含水碱性溶液是氢氧化四甲基铵的水溶液。 15. 权利要求 13 的方法， 其中通过在没有被该图案化光致抗蚀剂层覆盖的区域蚀刻该 材料层而除去该材料层的部分。 16. 权利要求 13 的方法， 其中使用反应性离子蚀刻除去该材料层的部分。 权 利 要 求 书 CN 101300317 B。
9、1/6 页 4 用于 193nm 沉浸平版印刷的水可浇铸 - 水可剥离的面涂层 技术领域 0001 本发明涉及面涂层材料和它们在平版印刷方法中的用途。更具体地说， 本发明涉 及包含在约 25或更低的温度下微溶或不溶于水但在约 60或更高的温度下可溶于水的 聚合物的面涂层材料。本发明的面涂层材料尤其可用于沉浸平版印刷， 其中使用液体例如 水作为在曝光工具的透镜夹具和光致抗蚀剂涂覆的晶片之间的曝光介质。 本发明的面涂层 材料还可用于使用除水以外的浸渍介质的沉浸平版印刷。 背景技术 0002 对印刷用于高级电子设备制造的较小结构的持续推进力要求使用较高分辨率的 光学平版印刷工具。沉浸平版印刷通过有效。
10、地改进对于给定光学数值孔径 (NA) 的焦深加 工范围而提供将当前193nm氩气氟化物基技术扩展到45nm临界尺寸(半孔距DRAM)并超越 该尺寸的可能性。 该方法要求用超纯水填充曝光工具的最后透镜元件和抗蚀剂涂覆的基材 间的间隙。使用折射指数比空气更高的介质导致更大的数值孔径 (NA)， 并因此允许印刷更 小的特征。参见由 ICK 于 2003 年 5 月 28 日在 出版的 “Technology Backgrounder ： Immersion Lithography” 。还参见 L.Geppert，“Chip Making s Wet New World” ， IEEE Spectru。
11、m， Vol.41， 第 5 期， 2004 年 5 月， pp.29-33 ； 和 M.Slezak，“Exploringt he needsand tradeoffs for immersion resist topeoating” ， Solid StateTechnology， Vol.47， 第 7 期， 2004 年 7 月。此外， 沉浸平版印刷导致光学扫描 器的增加的分辨率， 因为它能够实现 NA 大于 1.0 的透镜设计。参见 A.Hand，“Tricks With Water and Light ： 193nmExtension” ， Semiconductor Intern。
12、ational， Vol.27， 第2期， 2004 年 2 月。 0003 面对液体沉浸平版印刷的技术挑战之一是光致抗蚀剂组分和浸渍介质间的扩散。 即， 在沉浸平版印刷方法期间， 光致抗蚀剂组分浸出到浸渍介质中并且该浸渍介质渗透到 光致抗蚀剂薄膜中。此种扩散对光致抗蚀剂性能有害并且可能导致 40 百万美元平版印刷 工具中的灾难性透镜损伤或污染。为了降低或消除光致抗蚀剂薄膜和曝光介质间的扩散， 可以将面涂层材料涂覆在光致抗蚀剂层上面。 0004 传统上， 面涂层材料用于光刻法作为光致抗蚀剂顶部上的抗反射膜。面部抗反射 涂层 (TARC) 材料可防止曝光期间在光致抗蚀剂层内发生的光的多次干扰。结。
13、果， 可以最小 化由光致抗蚀剂膜的厚度变化引起的光致抗蚀剂图案的几何特性的临界尺寸 (CD) 变化。 为完全利用面涂层的抗反射效果， 面涂层材料的折射指数 (nt) 应当是大约曝光介质的折射 指数 (nm) 和下面的光致抗蚀剂的折射指数 (nr) 的乘积的平方根。如果曝光介质是空气， 如 在 “干燥” 平版印刷的情况下， 面涂层材料的最佳折射指数 (nt) 应当是大约下面的光致抗蚀 剂的折射指数 (nr) 的平方根， 这是由于空气的折光率大致是 1。 0005 为了加工的容易， 典型的 TARC 材料设计为可溶于水和含水碱显影剂两者， 使得可 以将它们直接从水溶液施加和随后在显影阶段期间由含水。
14、碱显影剂脱除。 0006 已经开发许多面涂层材料以满足最佳折射指数和溶解度的这两个要求。例如， 美 说 明 书 CN 101300317 B2/6 页 5 国专利号 5,744,537 和 6,057,080 公开了含水可溶性 TARC 材料， 该材料包括聚合物粘结剂 和氟烃化合物， 且具有几乎理想的大约为 1.3-1.4 的折射指数。美国专利号 5,879,853 也 公开了可由湿工艺脱除的 TARC 材料。美国专利号 5,595,861 相似地公开了包含部分氟化 化合物的 TARC， 也可以是水溶性的。美国专利号 6,274,295 公开了包含吸光化合物的 TARC 材料， 该吸光化合物的。
15、最大吸收波长高于用于使光致抗蚀剂曝光的曝光波长。此 TARC 也可 是水溶性的。最后， 美国专利号 5,240,812 公开了用作酸催化的抗蚀剂组合物的外涂层膜 的保护材料， 以防止有机和无机碱的蒸气的污染。 虽然没有具体公开为TARC， 外涂层也可是 水溶性的。 0007 因为水在第一代浸渍工具中用作 193nm 沉浸平版印刷的曝光介质， 所以典型的水 溶性 TARC 材料例如上述的那些不能用作此种技术的面涂层。目前使用的 193nm 沉浸平版 印刷的水不溶性保护性面涂层使用有机浇铸溶剂， 该浇铸溶剂在含水碱性显影剂或有机剥 离溶剂中剥离。 一些有机浇铸溶剂是可燃的， 因此不适合于大规模生产。
16、， 例如半导体制造中 的大规模生产。 此外， 使用有机浇铸溶剂可能导致面涂层和抗蚀剂薄膜的掺合， 从而导致光 致抗蚀剂的降解。此外， 使用这些溶剂为集成电路 (IC) 制造增加了相当大的工艺复杂性和 成本。 现有的其它商业材料要求与半导体制造生产线不相容的溶剂或影响光致抗蚀剂的平 版印刷性能。因此， 高度希望的是将目前用于 “干” 平版印刷的标准水可浇铸面涂层加工技 术扩展到与水或备选浸渍流体一起使用的 193nm 沉浸平版印刷。 0008 因此， 仍需要水可浇铸、 水可剥离、 与光致抗蚀剂相容的面涂层材料。 理想地， 面涂 层材料还具有所需的光学性能以致它也可以用作TARC。 使用水可加工的。
17、面涂层材料避免使 用有机浇铸溶剂并实现简化的抗蚀剂加工和更低的生产成本。 发明内容 0009 本发明的面涂层材料是水可浇铸、 水可剥离的并可用于 193nm 沉浸平版印刷。本 发明的面涂层材料还可用于使用除水以外的浸渍介质的沉浸平版印刷。 此种浸渍介质包括 由烃或取代的烃组成的有机液体。 0010 因此， 本发明涉及用于涂覆在光致抗蚀剂材料上面的面涂层材料。本发明的面涂 层材料包含在约 25或更低的温度下微溶或不溶于水但在约 60或更高的温度下可溶于 水的聚合物。 本发明的聚合物包含具有以下聚合物结构的聚乙烯醇单体单元和聚乙酸乙烯 酯或聚乙烯基醚单体单元 ： 0011 0012 其中R是脂族或。
18、脂环族基团 ； m和n独立地是整数， 并且是相同或不同的 ； p是0或 1。 0013 在另一个方面中， 本发明涉及在基材上形成图案化材料层的方法， 该方法包括 ： 0014 提供在其表面上具有材料层的基材 ； 说 明 书 CN 101300317 B3/6 页 6 0015 在基材上沉积光致抗蚀剂组合物以在该材料上形成光致抗蚀剂层 ； 在该光致抗蚀 剂层上涂覆上述面涂层材料， 从而形成涂层基材 ； 0016 将该涂层基材图案化曝光在成像辐射下 ； 0017 使该涂层基材与水在大约 60或更高的温度下接触， 其中从该涂层基材上除去该 面涂层材料 ； 0018 使该涂层基材与含水碱性溶液接触， 。
19、其中从该涂层基材上选择性地除去该光致抗 蚀剂层的曝光部分， 从而在该材料层上形成图案化光致抗蚀剂层 ； 0019 将该光致抗蚀剂层中的图案转移到该材料层上。 0020 在本发明的方法中， 通过除去该材料层的没有被图案化光致抗蚀剂层覆盖的部分 而将该光致抗蚀剂层中的图案转移至该材料层。 0021 在本发明的方法中， 该含水碱性溶液是氢氧化四甲基铵的水溶液。 0022 在本发明的方法中， 通过在没有被该图案化光致抗蚀剂层覆盖的区域蚀刻该材料 层而除去该材料层的部分。 0023 在本发明的方法中， 使用反应性离子蚀刻除去该材料层的部分。附图说明 0024 唯一的附图(图1)是绘制吸光率(nm)对波长。
20、(sec)的曲线图， 举例说明了193nm 光致抗蚀剂和在顶部上具有聚乙烯醇 (PVA) 面涂层的 193nm 光致抗蚀剂的吸光率。 0025 发明详述 0026 本发明涉及包含在约 25或更低的温度下微溶或不溶于水但在约 60或更高的 温度下可溶于水的聚合物的面涂层材料。 该聚合物包含其中具有聚乙烯醇结构部分和聚乙 酸乙烯酯或聚乙烯基醚结构部分的重复单元。本文所使用的术语 “微溶” 表示不到 1wt且 大于 0.1wt聚合物溶于溶剂。本文所使用的术语 “不溶” 表示小于 “微溶” 的溶解性。本 文所使用的术语 “可溶” 表示大于 5wt聚合物将溶于溶剂。 0027 本发明的面涂料优选在大约 。
21、60或更高的温度下可溶于水， 但是在室温下微溶或 不溶于水以致它可以用于 193nm 沉浸平版印刷。所谓的 “室温” 是指大约 20 - 大约 25 的温度。此外， 本发明的面涂层材料可以经调节充当 TARC 以致可以实现图像形成的改进的 工艺控制。对于使用水作为曝光介质的 193nm 沉浸平版印刷， TARC 材料的最佳折射指数为 大约 1.5- 大约 1.7。 0028 本发明还涉及包含聚合物的面涂层材料， 该聚合物包含具有以下聚合物结构的聚 乙烯醇单体单元和聚乙酸乙烯酯或聚乙烯基醚单体单元 ： 0029 0030 其中R是脂族或脂环族基团 ； m和n独立地是整数， 并且是相同或不同的 ；。
22、 p是0或 1。当 p 是 0 时， R 经由共价键直接地与氧原子连接。本文所使用的术语 “脂族” 表示具有在 开链中连接的碳原子的烃基。本文所使用的术语 “脂环族” 表示包含环但不是芳族的烃基。 本文所使用的术语 “烃” 表示仅含碳和氢的有机化合物。R 基团的典型实例包括但不限于 ： 甲基、 乙基、 丙基、 异丙基、 丁基、 异丁基、 环丁基、 戊基、 环戊基和己基。 优选地， R是含1-6个 说 明 书 CN 101300317 B4/6 页 7 碳原子的脂族或脂环族基。 0031 上述聚合物在水中具有有用的溶解性。即， 该聚合物在水中的溶解性由于在该聚 合物内产生的氢键而减小并且由于该聚。
23、合物和水间的氢键而增加。因此， 该聚合物的性能 可以通过分子量和骨架组成进行调节。更具体地说， 更高的聚合物分子量导致更低的溶解 性并且更大的酯化度导致更高的溶解性。 另外， 取决于分子量和骨架组成， 上述聚合物在室 温下是微溶或不溶于水的， 但是在高温下， 例如大约 60或更高的温度下是高度可溶于水 的。优选所得的聚合物溶液在室温下是稳定的。所谓的 “稳定” 是指当溶液在室温下静置 时， 该聚合物不从该溶液中沉淀出来。上述聚合物的溶解性能和水渗透性在本领域中是为 人熟知的， 因此据本领域技术人员理解， 这类聚合物的溶解性能和水渗透性可以经由改变 聚合物组成， 调节聚合物分子量和使用交联剂加以。
24、 “调节” 。 0032 涂覆本发明的面涂层材料到具有大约 20nm- 大约 100nm， 优选大约 50nm- 大约 80nm 的厚度。上述聚合物是可溶于热水的， 以致可以在抗蚀剂显影步骤期间用热水剥离该 面涂层材料。所谓的 “热水” 是指具有大约 60或更高的温度的水。优选地， 可以通过热水 在标准显影时间内完全地剥离该面涂层材料。 0033 此外， 上述聚合物优选对合适的用于下面的光致抗蚀剂材料的曝光辐射是基本上 光学透明的， 以允许该光致抗蚀剂材料的构图。 对于在涂层中的使用， 本发明的聚合物最优 选在 193nm 下是基本上光学透明的。 0034 优选上述聚合物具有大约 1.2- 大。
25、约 1.8 的折射指数。对于使用水作为曝光介质 的 193nm 沉浸平版印刷， 该聚合物的折射指数最优选为大约 1.5- 大约 1.7。 0035 还优选本发明的聚合物具有大约10K-大约250K道尔顿的可调的聚合物分子量以 能够配制具有足够粘度的高固体含量可旋转浇铸的溶液。 因为涂层的机械寿命在增加聚合 物分子量时改进， 所以尤其优选该聚合物对于在涂层中的使用具有大约 80K- 大约 200K 道 尔顿的高聚合物分子量。 也可以添加共聚单体以制备具有改进的机械寿命的共聚物材料和 调节涂层的折射指数。这些共聚单体单元的实例包括但不限于 ： 丙烯酸系脂族或脂环族酯 和脂族或脂环族乙烯基醚， 例如。
26、乙酸乙烯酯、 丁酸乙烯酯、 丙酸乙烯酯、 甲基乙烯基醚、 乙基 乙烯基醚和卤乙烯。 0036 在一个示例性实施方案中， 面涂层聚合物是具有 98.4-99.8水解的 70-62 等级 Dupont它是非常低成本的商业聚合物。在搅拌下以 1-10的固体含量将该 Dupont添加到具有大约 70 - 大约 100的温度的水中， 从而形成混合物。所 得的混合物的热过滤产生在室温下稳定的透明溶液， 即在室温下静置时没有聚合物沉淀。 当在 130或更高的温度下涂覆后烘烤时， 将所得的透明溶液涂覆在硅基材上以形成厚度 为大约 20-100nm 的面涂层薄膜。所得的面涂层薄膜不溶于冷水， 即在室温下的水， 。
27、但是可 溶于在 60或更高的温度下的水。可以使用化学交联剂例如乙二醛来降低为了使面涂层 薄膜不溶解和使该面涂层薄膜和在下面的抗蚀剂薄膜间的相互作用最小化所要求的涂覆 后烘烤温度。上述面涂层薄膜的光学性能非常适合用于浸渍应用。图 1( 本申请的唯一附 图 ) 示出了 193nm 光致抗蚀剂和在顶上具有 PVA 面涂层的 193nm 光致抗蚀剂的吸光率。应 指出， 对于许多波长， 193nm 光致抗蚀剂和在顶上具有 PVA 面涂层的 193nm 光致抗蚀剂的吸 光率几乎相同， 这证实该面涂层薄膜具有用于浸渍应用中的理想的透明质量。 说 明 书 CN 101300317 B5/6 页 8 0037 。
28、在本发明的另一方面， 该面涂层材料可以用于在基材上形成图案化材料层的方 法。 该材料层可以是， 例如陶瓷、 电介质、 金属或半导体层， 如用于制造高性能集成电路器件 和相关芯片载体包的那些。本文还考虑这些材料的多层。 0038 在本发明的方法中， 首先由已知措施将光致抗蚀剂组合物在基材上沉积， 以在该 材料上形成光致抗蚀剂层。然后烘烤 ( 涂覆后烘烤， 此后称 “PAB” ) 具有该光致抗蚀剂层 的基材以从光致抗蚀剂组合物中除去任何溶剂和改进光致抗蚀剂层的内聚性。典型的 PAB 烘烤温度为大约 80- 大约 150。典型的光致抗蚀剂厚度为大约 100- 大约 500nm。可以使 用任何适合的抗。
29、蚀剂组合物， 例如美国专利号 6,534,239 和 6,635,401B2， 和 2003 年 9 月 16 日提交的美国专利申请系列号 10/663,553 中公开的抗蚀剂组合物， 这些文献的公开内 容在此引入作为参考。 0039 接下来， 将本发明的面涂层材料涂覆在光致抗蚀剂层上， 从而形成涂层基材。 对于 1.0-5.0wt聚合物溶液， 2-5K RPM 的旋转速度可以获得 50-200nm 厚的涂层。对于 125mm 晶片， 分配体积在室温下可以为 1-10 毫升。然后可以烘烤 ( 涂覆后烘烤 ) 该涂层基材以 从该面涂层材料中除去水和改进该涂层的内聚性。典型的软烘烤温度为大约 10。
30、0 - 大 约 150。典型的涂覆后焙烤时间为大约 60 秒。在涂覆后烘烤之后， 旋转浇铸薄膜在大约 25或更低的温度下是微溶或不溶于水的。 然后经由图案化掩模将该涂层基材暴露于合适 的辐射源下。在一个示例性实施方案中， 成像辐射是 193nm 辐射。在另一个实施方案中， 成 像辐射是 157nm 辐射。在另一个实施方案中， 成像辐射是 248nm 辐射。还可以将该涂层基 材暴露于使用沉浸平版印刷的那种成像辐射下， 其中在曝光之前将成像介质施用到涂层基 材上。在一个优选的实施方案中， 成像介质是水。在另一个实施方案中， 成像介质是有机液 体。优选地， 有机液体是烃或取代的烃。最优选地， 有机液。
31、体是脂环烃。有机液体的典型实 例包括但不限于环辛烷。然后可以烘烤 ( 曝光后烘烤 ) 该曝光的基材以改进光致抗蚀剂和 涂层的内聚性。典型的曝光后烘烤温度通过光致抗蚀剂的性能确定。本领域普通技术人员 可以在不进行过度实验的情况下确定必要的条件。 0040 然后使曝光基材与热水接触， 即温度为 60或更高的水， 从而从涂层基材除去面 涂层材料。接下来， 使曝光基材与含水碱性溶液 ( 显影剂 ) 接触， 从而除去该光致抗蚀剂层 的曝光部分。 优选的含水碱性溶液是碱性水溶液， 其中更优选氢氧化四甲基铵的水溶液。 在 本发明的一个实施方案中， 使用 0.2N 的氢氧化四甲基铵水溶液除去光致抗蚀剂层的曝光。
32、 部分。与含水碱性溶液的接触在材料层上形成图案化的光致抗蚀剂层。 0041 然后可以将光致抗蚀剂层中的图案转移到下面基材上的材料层。典型地， 转移由 反应性离子蚀刻或一些其它蚀刻技术达到。本发明的方法可用于产生图案化材料层结构 如金属接线， 触点或通路的孔、 绝缘区段 ( 例如， 波纹沟或浅沟隔离部分 )、 电容器结构的沟 等， 它们可以用于集成电路装置的设计中。 0042 制造这些(陶瓷、 电介质、 金属或半导体)特征的方法通常包括提供要形成图案的 基材的材料层或区段， 在该材料层或区段上施加光致抗蚀剂层， 在光致抗蚀剂层上涂覆面 涂层， 将该面涂层和光致抗蚀剂层成图案化曝光于辐射下， 将曝。
33、光的抗蚀剂曝光后烘烤， 通 过曝光的面涂层和光致抗蚀剂与显影剂接触显影图案， 在图案中的间隔下蚀刻光致抗蚀剂 层下面的层， 藉此形成图案化的材料层或基材， 和从基材除去任何剩余的光致抗蚀剂。 在一 些情况下， 硬掩模可以在光致抗蚀剂层下面使用以促进图案到进一步下面的材料层或区段 说 明 书 CN 101300317 B6/6 页 9 的转移。应当理解本发明不限于任何特定的平版印刷技术或器件结构。 0043 实施例 1 ： 0044 用商业光致抗蚀剂 (JSR ARF AR237J-27) 涂覆涂有常规 193nm 抗反射层 (AR 40) 的硅晶片， 进行 130的涂覆后烘烤 60 秒。 00。
34、45 涂覆 5wt聚 ( 乙烯醇 )(99水解， 平均 Mw 124,000-186,000) 在去离子水中的 溶液以在140的涂覆后烘烤60秒之后产生230nm的涂层厚度。 用20的水冲洗基本上没 有引起该聚 ( 乙烯醇 ) 涂层的厚度损失。在 193nm 步进器中曝光该晶片并在 130下曝光 后烘烤 60 秒。通过用水在 70下处理 60 秒而剥离该聚 ( 乙烯醇 ) 面涂层。最后， 用 0.26N TMAH显影剂处理成像的晶片以显影曝光的抗蚀剂。 具有该聚(乙烯醇)面涂层的光致抗蚀 剂的对比曲线和曝光剂量要求与从没有面涂层的抗蚀剂获得的基本上无变化。 0046 实施例 2 ： 0047 使用实施例 1 中描述的方法， JSR ARF AR414J-28 产生基本上相同的结果， 具有聚 ( 乙烯醇 ) 面涂层的对比曲线或曝光剂量几乎没有改变或没有改变。 0048 虽然已经参照本发明优选的实施方案特别显示和描述了本发明， 但是本领域技术 人员应当理解， 上述和其它可在形式上改变。在不脱离本发明的精神和范围的情况下可以 作出任何细节。因此希望本发明不限于描述和举例说明的具体形式和细节， 而是落在所附 权利要求书的范围内。 说 明 书 CN 101300317 B1/1 页 10 图 1 说 明 书 附 图 。