金属残留物的清洗方法 【技术领域】
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种金属残留物的清洗方法。
背景技术
随着对超大规模集成电路高集成度和高性能的需求逐渐增加，半导体技术向着65nm甚至更小特征尺寸的技术节点发展，而芯片的运算速度明显受到金属导线所造成的电阻电容延迟(Resistance Capacitance Delay Time，RC DelayTime)的影响。为减小RC延时的影响，可以采用具有较低电阻率的金属硅化物材料，例如硅化钛、硅化钴、硅化镍等作为金属导线与有源区之间的欧姆接触(Contact)。
NiPtSix也是一种电阻率较低的金属硅化物，它具有形成温度低、热稳定性好的特点，因而在特征尺寸在65nm及其以下的半导体制造技术中通常被用作栅极的欧姆接触材料。NiPtSix采用常见的硅化物自对准工艺(Salicides)制备：提供半导体基底，所述半导体基底上具有源、漏、栅极和覆盖于源、漏、栅极上的介质层，所述介质层上具有用于形成欧姆接触的接触孔，所述接触孔分别对着源、漏、栅极；沉积NiPt合金的金属层，经过快速热退火工艺后，所述接触孔内金属层与下层的源、漏、栅极中的Si反应生成金属硅化物NiPtSix，然后进行湿法清洗，去除覆盖于接触孔外的介质层上未反应金属层的金属残留物NiPt，从而形成金属硅化物NiPtSix欧姆接触。
在传统技术中上述的湿法清洗工艺，先用硫酸和双氧水的混合溶液(Mixture of Sulfuric Acid Solution and Hydrogen Peroxide，SPM)对晶片进行酸洗，然后用氨水和双氧水的混合溶液(Mixture of Ammonium and HydrogenPeroxide，APM)对晶片进行碱洗，由于源、漏、栅区表面已形成的金属硅化物化学性质稳定，SPM溶液和APM溶液均不能将其腐蚀，从而仅去除介质层上未反应的金属层的金属残留物。
授权公告号为1326638C的中国专利公开了一种去除硅化物形成过程中金属残留物的方法，该方法在SPM溶液和APM溶液湿法清洗时通入一定量的臭氧，或者直接用臭氧代替SPM溶液和APM溶液中的双氧水组分，臭氧相对于双氧水而言，氧化性更强、不易分解而且成本较低，能够提高湿法清洗的效果并且降低生产成本。
然而问题在于，随着半导体器件特征尺寸发展到65nm及其以下，欧姆接触材料也更多的采用NiPtSix替代硅化钛、硅化钴，传统的湿法清洗工艺去除形成金属硅化物NiPtSix过程中的金属残余物NiPt时，实际效果并不理想，会有部分的Pt不能够完全去除，残留在介质层表面、接触孔侧壁或栅区侧墙上，对器件的可靠性产生严重危害。
同样的，在半导体制造的其他工艺过程中也有可能存在含Pt的金属残留物，而上述传统的SPM溶液和APM溶液组合清洗的方法不能完全去除金属残留物中的Pt，将对器件的电学性能产生不良影响。
【发明内容】
本发明解决的问题是提供一种金属残留物的清洗方法，能够较充分的去除残留的金属Pt，提高器件的可靠性。
为解决上述问题，本发明提供了一种金属残留物的去除方法，包括：
提供具有半导体结构的晶片，所述半导体结构上具有含Pt的金属残留物；
先采用盐酸和双氧水的混合溶液(Mixture of Hydrogen Chlorine andHydrogen Peroxide，HPM)湿法清洗所述晶片，然后采用APM溶液湿法清洗所述晶片，从而去除所述的金属残留物。
此外，在采用HPM溶液湿法清洗所述晶片之前还可以包括：采用第一SPM溶液湿法清洗所述晶片。
此外，在采用APM溶液湿法清洗所述晶片之前还可以包括：采用第二SPM溶液湿法清洗所述晶片。
所述HPM溶液中HCl和H2O2的体积比浓度值可以为2至4。
所述第一SPM或第二SPM溶液中H2SO4和H2O2的体积比浓度值可以为3至5。
可选的，所述采用HPM溶液湿法清洗晶片的时间可以为90秒至630秒，所述HPM溶液的温度可以为40℃至70℃。
可选的，所述采用第一SPM溶液湿法清洗晶片地时间可以为360秒，所述第一SPM溶液的温度可以为80℃至99℃。
可选的，所述采用第二SPM溶液湿法清洗晶片的时间为180秒，所述第二SPM溶液的温度可以为80℃至99℃。
可选的，所述采用APM溶液湿法清洗晶片的时间为300秒，所述APM溶液温度为30℃至35℃。
优选的，所述湿法清洗采用喷雾清洗技术。
与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：
采用HPM溶液替换传统方法中SPM溶液的清洗方法能够获得更好的清洗效果，这是由于金属Pt的化学性质较金属Ni更加稳定，SPM溶液几乎不能与Pt发生反应，因而无法很好的去除金属残留物，然而HPM溶液可以与金属Pt发生的反应，而将金属残留物中的金属Pt转化成含Pt可溶性化合物H2PtCl6，然后经去离子水清洗后可以从基底表面去除，并且HPM溶液也可以洗去金属残留物中的金属Ni，再用APM溶液清洗去除残留的污染物并中和残留的HPM溶液，从而充分的去除含Pt的金属残留物。
此外，采用HPM溶液清洗晶片之前和之后均采用SPM溶液进行清洗，能够充分去除金属残留物，因为首先采用第一SPM溶液去除金属残留物中的金属Ni，这时，可能有部分与金属Pt化学或物理结合的金属Ni未被去除，而后采用HPM溶液去除金属残留物中的金属Pt，然后采用第二SPM溶液进一步去除晶片表面残留的部分金属颗粒，例如，第一SPM溶液未能洗去的与金属Pt化学或物理结合的金属Ni。
【附图说明】
通过附图所示，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1为实施例一中金属残留物的去除方法的流程图；
图2至图5为实施例一中金属硅化物的制作过程的示意图；
图6为实施例一中湿法清洗后晶片的光学照片；
图7为实施例二中金属残留物的去除方法的流程图；
图8为实施例三中金属残留物的去除方法的流程图；
图9为实施例三中湿法清洗后的晶片的光学照片。
【具体实施方式】
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
集成电路制造过程中，先在基底上形成半导体器件，接着在半导体器件上形成多层金属导线，用来将基底上多个半导体器件电连接；多层金属导线之间、以及第一层金属导线与半导体器件的源、漏、栅极之间通过金属塞电连接。所述金属塞与半导体器件的源、漏、栅极之间具有欧姆接触，该欧姆接触采用较低电阻率的金属硅化物材料制作，以降低金属塞与半导体器件之间的串联电阻，并且防止金属塞中的金属向下层扩散。
欧姆接触通常采用硅化物自对准工艺(Salicides)制备：提供半导体基底，所述半导体基底上具有源、漏、栅区和覆盖于源、漏、栅区上的介质层，所述介质层上具有用于形成欧姆接触的接触孔，所述接触孔分别对着源、漏、栅区；沉积金属层，经过快速热退火工艺后，所述接触孔内的金属层与下层的源、漏、栅区中的Si反应生成金属硅化物，然后进行湿法清洗，去除覆盖于接触孔外的介质层上未反应金属层的金属残留物，从而形成由金属硅化物组成的欧姆接触。
在特征尺寸为90nm的半导体制造技术中，金属硅化物主要为硅化钴，相应的金属残留物为钴，传统的湿法清洗工艺，先用SPM溶液进行酸洗，然后用APM溶液进行碱洗，由于源、漏、栅区表面已形成的硅化钴化学性质稳定，SPM溶液和APM溶液均不能将其腐蚀，从而仅去除介质层上未反应的金属残留物钴。
当半导体制造技术发展到特征尺寸为65nm及其以下时，欧姆接触材料也更多的采用NiPtSix替代硅化钛、硅化钴，传统的湿法清洗工艺去除形成金属硅化物NiPtSix过程中的金属残余物NiPt时，实际效果并不理想，会有部分的Pt不能够完全去除，残留在介质层表面、接触孔侧壁或栅区侧墙上，对器件的可靠性产生严重危害。
发明人认为，产生上述问题的原因在于，SPM溶液中的硫酸(H2SO4)能够与金属残余物NiPt中的Ni反应，将其转化成可溶性物质而从基底上去除，但是金属残余物NiPt中的Pt化学性质较Ni更加稳定，一般条件下不易与硫酸反应，而残留在基底上。
因此，本发明的实施例提供一种金属残留物的去除方法，包括：提供具有半导体结构的晶片，所述半导体结构上具有含Pt的金属残留物；先采用HPM溶液湿法清洗所述晶片，然后采用APM溶液湿法清洗所述晶片，从而去除所述的金属残留物。
此外，在采用HPM溶液湿法清洗所述晶片之前还可以包括：采用第一SPM溶液湿法清洗所述晶片。
此外，在采用APM溶液湿法清洗所述晶片之前还可以包括：采用第二SPM溶液湿法清洗所述晶片。
所述HPM溶液中HCl和H2O2的体积比浓度值可以为2至4。
所述第一SPM或第二SPM溶液中H2SO4和H2O2的体积比浓度值可以为3至5。
可选的，所述采用HPM溶液湿法清洗晶片的时间可以为90秒至630秒，所述HPM溶液的温度可以为40℃至70℃。
可选的，所述采用第一SPM溶液湿法清洗晶片的时间可以为360秒，所述第一SPM溶液的温度可以为80℃至99℃。
可选的，所述采用第二SPM溶液湿法清洗晶片的时间为180秒，所述第二SPM溶液的温度可以为80℃至99℃。
可选的，所述采用APM溶液湿法清洗晶片的时间为300秒，所述APM溶液温度为30℃至35℃。
优选的，所述湿法清洗采用喷雾清洗技术。
实施例一
以金属硅化物的制作过程为背景详细说明所述的金属残留物的去除方法的优选实施例。图1为所述金属残留物的去除方法的流程图。
步骤S1：提供具有半导体结构的晶片，所述半导体结构上具有含Pt的金属残留物。
具体的，如图2所示，提供基底100，该基底100可以为单晶硅的晶片。基底100中具有半导体器件，例如所述半导体器件为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，图2中仅示出两个MOS晶体管，两个MOS晶体管具有浅沟槽隔离区(STI)109，以使不同的半导体器件隔离绝缘。
所述金属氧化物半导体晶体管包括源极102、漏极104和栅极106，在衬底100和栅极106之间具有栅极氧化层108。在所述栅极106侧壁还具有栅极侧墙层107。
如图3所示，在所述MOS晶体管上形成金属层110，用于晶片中的硅反应形成金属硅化物，作为MOS晶体管与后续形成的金属导线层之间的欧姆接触。在本实施例中金属层110为NiPt合金，采用物理气相沉积法(PhysicalChemical Deposition，PVD)制备，所述物理气相沉积法可以为磁控溅射技术，金属层110将所述MOS晶体管的源极102、漏极104和栅极106覆盖，并且也将所述栅极侧墙层107、浅沟槽隔离区109覆盖，该金属层110的厚度约为30nm至500nm。
如图4所示，将上述基底100上具有MOS晶体管的晶片置于退火设备中进行快速热退火工艺，使金属层110与其下面的源极102、漏极104和栅极106中的硅反应，从而形成金属硅化物112，例如，金属层110为NiPt合金，NiPt合金与硅反应形成生成金属硅化物NiPtSix。而栅极侧墙层107、浅沟槽隔离区109由氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等介质材料组成，金属层110不与所述介质材料反应，当形成金属硅化物112之后，覆盖在栅极侧墙层107、浅沟槽隔离区109上的金属层110a、以及与源极102、漏极104和栅极106反应剩余的金属层110b均残留在所述MOS晶体管的表面，在此共称为金属残留物111。
如图5所示，去除金属残留物111(见图4)，从而将此前形成的金属硅化物112露出，以便使金属硅化物112与后端工艺的金属导线层电性连接。
所述去除金属残留物111的步骤在喷雾清洗装置中进行，清洗时，用于湿法清洗的清洗液被雾化后喷射到置于密封腔室内的晶片上，晶片放置在腔室内可旋转的晶片架中。喷雾清洗装置的优点在于能够持续供给预先调配好的清洗液并喷射到晶片，当喷射出的清洗液的小液滴以很高的流量冲击到晶片表面时，将对晶片表面产生一个物理冲量，可以有效增强清洗的效果，此外，清洗液以雾化状态喷出，能够合理控制清洗液的用量，有利于节约成本，提高清洗效率。
具体过程如图1所示，参照步骤S2：采用HPM溶液湿法清洗所述基底100上具有MOS晶体管的晶片。所述HPM溶液为盐酸(HCl)与双氧水(H2O2)的混合溶液，其体积比浓度为HCl∶H2O2＝(2-4)∶1，清洗时，将预先配置好的HPM溶液雾化后喷射至晶片表面，其中HPM溶液的温度控制在40℃至70℃的范围，例如45℃、50℃、60℃，在此温度范围内，HPM溶液能够充分的与合金NiPt反应，将其转化为可溶性化合物；采用HPM溶液清洗的时间为90秒至630秒，例如120秒、180秒、320秒，优选的清洗时间为180秒，清洗时间过短将与金属残余物的反应不充分，清洗时间过长则可能损伤其他氧化物介质层，例如栅极侧墙层107、浅沟槽隔离区109等；然后去离子水清洗液被喷射到晶片表面，从而将所述可溶性的化合物洗去。
优选的，HPM溶液体积比浓度为HCl∶H2O2＝3.17∶1，HPM溶液的温度50℃，清洗时间为180秒的条件下，HPM溶液对晶片上的栅极侧墙层107、浅沟槽隔离区109具有较高的刻蚀选择比，不仅可以充分清洗去除金属残留物111，而且不损伤栅极侧墙层107、浅沟槽隔离区109等其他结构。
然后参照步骤S3：采用APM溶液湿法清洗所述晶片，以去除残留的污染物并且中和残留的HPM溶液。所述APM溶液即为氨水(NH4OH)和双氧水(H2O2)的混合溶液，其体积比为NH4OH∶H2O2∶H2O＝1∶2∶50。该步骤S3清洗时间为300秒，清洗时，将预先配置好的APM溶液雾化后喷射至基底100表面，APM溶液的温度控制在30℃至35℃的范围，接着采用去离子水清洗。
完成清洗和清洗后检测之后，喷射清洗装置的密封腔室通入加热的氮气洗涤，并旋转晶片使其甩干。
相对于传统的金属残留物的去除方法，即先采用SPM溶液再采用APM溶液清洗的方法，上述先采用HPM溶液替换传统方法中SPM溶液的清洗方法能够获得更好的清洗效果，这是由于金属Pt的化学性质较金属Ni更加稳定，SPM溶液几乎不能与Pt发生反应，因而无法很好的去除金属残留物111，然而HPM溶液可以与金属Pt发生如以下公式(1)的反应，从而将金属残留物111中的金属Pt转化成含Pt可溶性化合物H2PtCl6，然后用去离子水清洗去除。
Pt+2HCl+2Cl2＝H2PtCl6 (1)
图6为清洗后的晶片的光学照片，其中，右图为采用传统的清洗方法清洗的晶片，左图为采用本实施例中所述的清洗方法清洗的晶片，黑色圆点表示残余在晶片表面上的金属残留物颗粒，可见，本实施例中所述的金属残留物的去除方法相比传统方法能够更好的去除金属残留物。
除此以外，在采用HPM溶液清洗晶片之前还可以先用SPM溶液进行清洗，可以获得更好的清洗效果，具体在以下实施例中详细说明。
实施例二
图7为本实施例所述金属残留物的去除方法的流程图。
参照步骤A1：提供具有半导体结构的晶片，所述半导体结构上具有含Pt的金属残留物。该步骤A1与实施例一的步骤S1相同，具体可参照图2至图5，在此不再赘述。
参照步骤A2：采用SPM溶液湿法清洗所述的基底100上具有MOS晶体管的晶片，以去除金属残留物111中的金属Ni。所述SPM溶液为硫酸(H2SO4)与双氧水(H2O2)的混合溶液，其体积比浓度为H2SO4∶H2O2＝(3-5)∶1，清洗时，将预先配置好的SPM溶液雾化后喷射至晶片表面，所述SPM溶液的温度控制在80℃至99℃的范围，例如，85℃、90℃、95℃，在此温度范围内，SPM溶液能够充分的与金属Ni反应，将其转化为含Ni的可溶性化合物，优选的，所述SPM溶液温度为95℃，温度低于此，SPM溶液的化学反应活性较低，不利于去除金属残留物，而温度高于此，将接近SPM溶液的沸点，不利于形成喷雾；采用SPM溶液清洗的时间为360秒，然后喷射去离子水清洗液到晶片表面，从而将上述含Ni的可溶性的化合物从晶片表面去除。
接着参照步骤A3：采用HPM溶液湿法清洗所述的基底100上具有MOS晶体管的晶片，以去除金属残留物111中的金属Pt。该步骤A3与实施例一的步骤S2类似，所述HPM溶液为盐酸(HCl)与双氧水的混合溶液，其体积比浓度为HCl∶H2O2＝(2-4)∶1，清洗时，将预先配置好的HPM溶液雾化后喷射至基底100表面，HPM溶液的温度控制在40℃至70℃的范围，例如45℃、50℃、60℃，在此温度范围内，HPM溶液能够充分的与金属Pt反应，将其转化为含Pt的可溶性化合物；采用HPM溶液清洗的时间为90秒至630秒，例如120秒、180秒、320秒，然后去离子水清洗液被喷射到晶片表面，从而将上述含Pt的可溶性的化合物从晶片表面去除。
然后参照步骤A4：采用APM溶液湿法清洗所述晶片，以去除残留的污染物并且中和残留的SPM溶液或HPM溶液。所述APM溶液即为氨水(NH4OH)和双氧水(H2O2)的混合溶液，其体积比为NH4OH∶H2O2∶H2O＝1∶2∶50。该步骤S3清洗时间为300秒，清洗时，将预先配置好的APM溶液雾化后喷射至基底100表面，其中APM溶液的温度控制在30℃至35℃的范围，接着采用去离子水清洗。
完成清洗和清洗后检测后，喷射清洗装置的密封腔室通入加热的氮气洗涤，并旋转晶片使其甩干。
发明人研究发现，湿法清洗时，先采用的SPM溶液对金属残留物111中的Ni去除效果明显，而不能够去除化学性质更稳定的金属Pt，在SPM溶液清洗之后，再采用HPM溶液清洗晶片即可去除未和SPM溶液反应的金属Pt，达到更好的清洗效果。
另外，也可以在采用HPM溶液清洗晶片之后采用SPM溶液进行清洗，而后再用APM溶液清洗，也能够实现同样的清洗效果。
除此以外，也可以在采用HPM溶液清洗之前和之后均采用SPM溶液进行清洗，具体在以下实施例中详细说明。
实施例三
图8为本实施例所述金属残留物的去除方法的流程图。
参照步骤B1：提供具有半导体结构的晶片，所述半导体结构上具有含Pt的金属残留物。该步骤B1与实施例一的步骤S1相同，具体可参照图2至图5，在此不再赘述。
参照步骤B2：采用第一SPM溶液湿法清洗基底100，以去除金属残留物111中的金属Ni。所述第一SPM溶液为硫酸(H2SO4)与双氧水(H2O2)的混合溶液，其体积比浓度为H2SO4∶H2O2＝(3-5)∶1，清洗时，将预先配置好的第一SPM溶液雾化后喷射至晶片表面，第一SPM溶液的温度控制在80℃至99℃的范围，例如，85℃、90℃、95℃，在此温度范围内，第一SPM溶液能够充分的与金属Ni反应，将其转化为含Ni的可溶性化合物，优选的，第一SPM溶液温度为95℃，温度低于此，第一SPM溶液的化学反应活性较低，不利于去除金属残留物，而温度高于此，将接近第一SPM溶液的沸点，不利于形成喷雾；采用第一SPM溶液清洗的时间为360秒，然后喷射去离子水清洗液到晶片表面，从而将上述含Ni的可溶性的化合物去除。
接着参照步骤B3：采用HPM溶液湿法清洗所述晶片，以去除金属残留物111中的金属Pt。该步骤B3与实施例一的步骤S2类似，所述HPM溶液为盐酸(HCl)与双氧水的混合溶液，其体积比浓度为HCl∶H2O2＝(2-4)∶1，清洗时，将预先配置好的HPM溶液雾化后喷射至晶片表面，所述HPM溶液的温度控制在40℃至70℃的范围，例如45℃、50℃、60℃，在此温度范围内，HPM溶液能够充分的与金属Pt反应，将其转化为含Pt的可溶性化合物，优选的，HPM溶液的温度为50℃，温度高于此，可能导致HCl的挥发，而温度低于此，HPM溶液的化学反应活性较低，不利于去除金属残留物；采用HPM溶液清洗的时间为90秒至630秒，例如120秒、180秒、320秒，然后去离子水清洗液被喷射到晶片表面，从而将上述含Pt的可溶性的化合物去除。
优选的，HPM溶液体积比浓度为HCl∶H2O2＝3.17∶1、HPM溶液温度50℃、清洗时间为180秒的条件下，HPM溶液对晶片上的栅极侧墙层107、浅沟槽隔离区109具有较高的刻蚀选择比，而且与金属残留物反应速率较快，不仅可以充分清洗去除金属残留物111，而且不损伤栅极侧墙层107、浅沟槽隔离区109等其他结构。
然后参照步骤B4：采用第二SPM溶液湿法清洗所述晶片，从而进一步去除基底100表面残留的部分金属颗粒。其中，所述第二SPM溶液与步骤S2中所述第一SPM溶液同样为硫酸(H2SO4)与双氧水(H2O2)的混合溶液，其体积比浓度也为H2SO4∶H2O2＝(3-5)∶1(这里的“第一”和“第二”仅表示清洗顺序的不同)，该步骤S4清洗时间为180秒，清洗时，第二SPM溶液的温度也控制在80℃至99℃的范围，例如，85℃、90℃、95℃；接着采用去离子水的清洗第二SPM溶液与金属残留物111反应生成的可溶性化合物。
最后参照步骤B5：采用APM溶液湿法清洗所述晶片，以去除残留的污染物并且中和残留的SPM溶液或HPM溶液。所述APM溶液即为氨水(NH4OH)和双氧水(H2O2)的混合溶液，其体积比为NH4OH∶H2O2∶H2O＝1∶2∶50。该步骤S5清洗时间为300秒，清洗时，将预先配置好的APM溶液雾化后喷射至基底100表面，其中APM溶液的温度控制在30℃至35℃的范围，接着采用去离子水清洗。该步骤B5与实施例一中的步骤S3类似，在此不再赘述。
完成清洗和清洗后检测后，喷射清洗装置的密封腔室通入加热的氮气洗涤，并旋转晶片使其甩干。
本实施例中采用HPM溶液清洗之前和之后均采用SPM溶液进行清洗，能够充分去除金属残留物，因为首先采用第一SPM溶液去除金属残留物111中的金属Ni，这时，可能有部分与金属Pt化学或物理结合的金属Ni未被去除，而后采用HPM溶液去除金属残留物111中的金属Pt，然后采用第二SPM溶液进一步去除基底100表面残留的部分金属颗粒，例如，第一SPM溶液未能洗去的与金属Pt化学或物理结合的金属Ni。
图9为清洗后的晶片的光学照片，其中，右图为采用传统的清洗方法清洗的晶片，左图为采用本实施例中所述的清洗方法清洗的晶片，黑色圆点表示残余在晶片表面上的金属残留物颗粒，可见，本实施例中所述的金属残留物的去除方法相比传统方法能够更好的去除金属残留物，晶片上几乎没有金属残留物的颗粒。
上实施例中湿法清洗均采用喷雾清洗技术，除此以外也可以采用其他的湿法清洗技术，例如，兆声清洗(Megasonics)、溢流清洗等均在本发明的保护范围之内。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。
虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。