电子元件 【技术领域】
本发明涉及电子元件， 详细地说， 涉及具备内部电极及包含 Ag 的外部电极的电子元件。 背景技术
近几年来， 人们正在将许多陶瓷电子元件等电子元件安装到电子机器内部搭载的 布线基板上。在现有技术中， 为了将这些电子元件安装到布线基板上， 通常使用包含 Pd 的 软钎焊料。可是， 为了减轻环境负担， 人们正在积极地试图不使用 Pd 地安装电子元件。
作为不使用 Pb 地安装电子元件的方法， 例如使用向环氧树脂类热硬化性树脂等 热硬化性树脂中添加金属填充物等导电性微粒的导电性粘接剂及无 Pb 软钎焊料安装电子 元件的方法， 已经广为人知， 例如在下述的专利文献 1、 2 等中， 公开了适合于该方法的各种 方案。 例如在专利文献 1 中， 作为宜于使用无 Pb 软钎焊料进行安装的电子元件， 公开了 一种层叠陶瓷电子元件。该层叠陶瓷电子元件在层叠陶瓷元件坯体 ( 该层叠陶瓷元件坯体 在内部配置了由 Ni 或 Ni 合金构成的内部电极 ) 的两端形成外部电极， 外部电极由将 Cu 或 Cu 合金作为主要成分的基底电极层和将 Ag 或 Ag 合金作为主要成分的最外部电极层的层叠 体形成。
如专利文献 1 所述， 在外部电极的最外部电极层采用包含 Ag 的电极层的电子元 件， 适合于使用导电性粘接剂进行安装。在外部电极的最外部电极层采用包含 Ag 的电极层 后， 能够提高外部电极和导电性粘接剂的亲和性， 能够提高电子元件的安装强度。
专利文献 1 ： JP 特开 2002-158137 号公报
专利文献 2 ： JP 特开 2002-203737 号公报
可是， 在专利文献 1 所述的层叠陶瓷电子元件中， 起因于 Ag 的迁移， 有可能产生外 部电极之间的短路不良。特别是在汽车的发动机控制组件 (ECU) 的内部或 ECU 的附近使用 等时， 如果电子元件周围的包围气的温度例如成为 150℃以上的高温， 使用专利文献 1 所述 的层叠陶瓷电子元件后， 就很容易产生起因于 Ag 的电气迁移的短路不良。
发明内容 本发明就是针对上述情况研制的， 其目的在于提供能够使用导电性粘接剂进行安 装而且不容易产生短路不良的电子元件。
本发明涉及的第 1 电子元件， 具备长方体状的电子元件主体、 第 1 外部电极、 第2 外部电极、 第 1 内部电极、 第 2 内部电极。电子元件主体， 具有第 1 及第 2 主面、 第 1 及第 2 侧面、 第 1 及第 2 端面。第 1 及第 2 主面， 沿着宽度方向及长度方向延伸。第 1 及第 2 侧面， 沿着长度方向及高度方向延伸。第 1 及第 2 端面， 沿着宽度方向及高度方向延伸。覆盖第 1 端面、 第 1 主面的一部分和第 1 及第 2 侧面各自的一部分地形成第 1 外部电极。在第 2 端 面上形成第 2 外部电极。在电子元件主体的内部， 配置第 1 内部电极。第 1 内部电极与第 1
外部电极连接。在电子元件主体的内部， 配置第 2 内部电极。第 2 内部电极与第 2 外部电 极连接。第 1 外部电极， 具有第 1 导电层和第 2 导电层。覆盖第 1 端面、 第 1 主面的一部分 和第 1 及第 2 侧面各自的一部分地形成第 1 导电层。第 1 导电层不包含 Ag。位于最外层地 在第 1 导电层上层叠第 2 导电层。第 2 导电包含 Ag。第 2 导电层具有与第 1 主面接触的第 1 接触部。第 2 导电层不与第 1 及第 2 侧面接触。第 1 及第 2 内部电极中， 位于最靠近第 1 接触部的内部电极是第 2 内部电极， 本发明涉及的第 1 电子元件进而具备位于以最短距离 连接该第 2 内部电极和第 1 接触部的假想直线上的第 1 内部导体。第 1 内部导体只与第 1 及第 2 外部电极中的第 1 外部电极连接， 或者不与第 1 及第 2 外部电极中的任何一个连接。
本发明涉及的第 1 电子元件在某个特定的情况下， 覆盖第 2 端面、 第 1 主面的一部 分和第 1 及第 2 侧面各自的一部分地形成第 2 外部电极， 覆盖第 2 端面和第 1 主面的一部 分、 第 1 及第 2 侧面各自的一部分地形成第 2 外部电极， 第 2 外部电极具有不包含 Ag 的第 1 导电层和位于最外层地在第 1 导电层上层叠、 包含 Ag 的第 2 导电层 ； 第 2 外部电极的第 2 导电层一方面具有与第 1 主面接触的第 2 接触部， 另一方面不与第 1 及第 2 侧面接触地在 以最短距离连接最靠近第 2 接触部的内部电极和第 2 接触部的假想直线上设置第 2 内部导 体， 或者使第 2 内部电极位于在以最短距离连接最靠近第 2 接触部的第 1 内部电极和第 2 接 触部的假想直线上 ； 第 2 内部导体， 只与第 1 及第 2 外部电极中的第 2 外部电极连接， 或者 不与第 1 及第 2 外部电极中的任何一个连接。采用该结构后， 能够有效地抑制来自第 2 接 触部的 Ag 的迁移。其结果， 能够有效地抑制第 1 及第 2 外部电极之间产生的短路不良。
本发明涉及的第 1 电子元件在其他的特定的情况下， 第 2 导电层不覆盖第 1 导电 层的位于第 1 及第 2 侧面上的部分。采用该结构后， 由于能够更加有效地抑制来自第 2 导 电层的 Ag 的迁移， 所以能够更加有效地抑制产生的短路不良。
本发明涉及的第 1 电子元件在别的特定的情况下， 第 2 导电层只覆盖第 1 导电层 的位于第 1 及第 2 侧面上的部分的各自的除了长度方向中的前端部以外的部分的至少一部 分。采用该结构后， 由于能够更加有效地抑制来自第 2 导电层的 Ag 的迁移， 所以能够更加 有效地抑制产生的短路不良。
本发明涉及的第 1 电子元件在另一个其它的特定的情况下， 设置多个第 1 导电体。 采用该结构后， 由于能够更加有效地抑制来自第 1 接触部的 Ag 的迁移， 所以能够更加有效 地抑制产生的短路不良。
本发明涉及的第 2 电子元件， 具备长方体状的电子元件主体、 第 1 外部电极、 第2 外部电极、 第 1 内部电极、 第 2 内部电极。电子元件主体， 具有第 1 及第 2 主面、 第 1 及第 2 侧面、 第 1 及第 2 端面。第 1 及第 2 主面， 沿着宽度方向及长度方向延伸。第 1 及第 2 侧面， 沿着长度方向及高度方向延伸。第 1 及第 2 端面， 沿着宽度方向及高度方向延伸。覆盖第 1 端面、 第 1 主面的一部分和第 1 及第 2 侧面的一部分地形成第 1 外部电极。覆盖第 2 端 面、 第 1 主面的一部分和第 1 及第 2 侧面的一部分地形成第 2 外部电极。在电子元件主体 的内部， 配置第 1 内部电极。第 1 内部电极与第 1 外部电极连接。在电子元件主体的内部， 配置第 2 内部电极。第 2 内部电极与第 2 外部电极连接。第 1 及第 2 外部电极， 分别具有 第 1 导电层和第 2 导电层。覆盖第 1 端面、 第 1 主面的一部分和第 1 及第 2 侧面各自的一 部分地形成第 1 导电层。第 1 导电层不包含 Ag。位于最外层地在第 1 导电层上层叠第 2 导 电层。第 2 导电包含 Ag。第 1 及第 2 外部导电层各自的第 2 导电层， 只位于第 1 导电层之上， 不与第 1 及第 2 主面和第 1 及第 2 侧面直接接触。
本发明涉及的第 1 及第 2 电子元件在某个特定的情况下， 第 2 导电层作为主成分， 包含 Ag 或 Ag-Pd 合金。采用该结构后， 能够很容易地使用导电性粘接剂进行安装。
本发明涉及的第 1 及第 2 电子元件在其它的特定的情况下， 电子元件主体是用陶 瓷制造。
在本发明涉及的第 1 及第 2 电子元件中， 第 1 及第 2 外部电极的各自的最外层， 由 包含 Ag 的第 2 导电层构成， 所以能够很容易地使用导电性粘接剂进行安装。
另外， 在本发明涉及的第 1 电子元件中， 在以最短距离连接第 1 及第 2 内部电极中 最靠近第 1 接触部的内部电极——第 2 内部电极和第 1 接触部的假想直线上设置第 1 内部 导体 ； 第 1 内部导体， 只与第 1 及第 2 外部电极中的第 1 外部电极连接， 或者不与第 1 及第 2 外部电极中的任何一个连接。所以能够有效地抑制来自第 1 接触部的 Ag 的迁移， 不容易 产生短路不良。
另外， 在本发明涉及的第 2 电子元件中， 第 2 导电层只位于第 1 导电层之上， 不与 第 1 及第 2 主面和第 1 及第 2 侧面直接接触。所以能够有效地抑制来自第 2 导电层的 Ag 的迁移， 不容易产生短路不良。 附图说明
图 1 是第 1 实施方式涉及的电子元件的简要的立体图。 图 2 是第 1 实施方式涉及的电子元件的简要的平面图。 图 3 是从图 2 中的箭头Ⅲ观察时的电子元件的简要的侧面图。 图 4 是从图 2 中的箭头Ⅳ观察时的电子元件的简要的主视图。 图 5 是图 2 中的Ⅴ - Ⅴ线的简要的剖面图。 图 6 是图 3 中的Ⅵ - Ⅵ线的简要的剖面图。 图 7 是图 5 中的Ⅻ - Ⅻ线的简要的剖面图。 图 8 是图 5 中的Ⅷ - Ⅷ线的简要的剖面图。 图 9 是图 5 中的Ⅸ - Ⅸ线的简要的剖面图。 图 10 是图 5 中的Ⅹ - Ⅹ线的简要的剖面图。 图 11 是表示形成第 2 导电层的第 1 部分的工序的示意图。 图 12 是表示形成第 2 导电层的第 2 部分的工序的示意图。 图 13 是表示形成第 2 导电层的第 2 部分的工序的示意图。 图 14 是第 2 实施方式涉及的电子元件的简要的剖面图。 图 15 是第 3 实施方式涉及的电子元件的简要的剖面图。 图 16 是第 4 实施方式涉及的电子元件的简要的立体图。 图 17 是第 5 实施方式涉及的电子元件的简要的剖面图。 图 18 是第 7 实施方式涉及的电子元件的简要的平面图。 图 19 是从图 18 中的箭头Ⅺ观察时的电子元件的简要的主视图。 图 20 是图 18 中的ⅩⅩ - ⅩⅩ线的简要的剖面图。 图 21 是图 18 中的ⅩⅪ - ⅩⅪ线的简要的剖面图。 图中 ：1、 2... 电子元件 10... 电子元件主体 10a... 电子元件主体的第 1 主面 10b... 电子元件主体的第 2 主面 10c... 电子元件主体的第 1 侧面 10d... 电子元件主体的第 2 侧面 10e... 电子元件主体的第 1 端面、 10f... 电子元件主体的第 2 端面 10g... 陶瓷层 10j、 10k... 间隙 11... 第 1 内部电极 12... 第 2 内部电极 13a... 第 1 内部导体 13b... 第 3 内部导体 14a... 第 2 内部导体 14b... 第 4 内部导体 15... 第 1 外部电极 18... 第 2 外部电极 16、 19... 第 1 导电层 16a、 19a... 第 1 导电层的第 1 部分 16b、 19b... 第 1 导电层的第 2 部分 16c、 19c... 第 1 导电层的第 3 部分 16d、 19d... 第 1 导电层的第 4 部分 16e、 19e... 第 1 导电层的第 5 部分 17、 20... 第 2 导电层 17a、 20a... 第 2 导电层的第 1 部分 17b、 20b... 第 2 导电层的第 2 部分 17c、 20c... 第 2 导电层的第 3 部分 17d、 20d... 第 2 导电层的第 4 部分 17e、 20e... 第 2 导电层的第 5 部分 17b1... 第 1 接触部 20b1... 第 2 接触部 17c1... 第 3 接触部 20c1... 第 4 接触部 30... 导电性膏 L1 ～ L4... 假想直线具体实施方式
下面， 参照附图， 讲述本发明的具体的实施方式， 从而阐明本发明。( 第 1 实施方式 )
图 1 是本实施方式涉及的电子元件的简要的立体图。图 2 是本实施方式涉及的电 子元件的简要的平面图。图 3 是本实施方式涉及的电子元件的简要的侧面图。图 4 是本实 施方式涉及的电子元件的简要的主视图。图 5 是图 2 中的Ⅴ - Ⅴ线的简要的剖面图。图 6 是图 3 中的Ⅵ - Ⅵ线的简要的剖面图。图 7 是图 5 中的Ⅻ - Ⅻ线的简要的剖面图。图 8 是 图 5 中的Ⅷ - Ⅷ线的简要的剖面图。图 9 是图 5 中的Ⅸ - Ⅸ线的简要的剖面图。图 10 是 图 5 中的Ⅹ - Ⅹ线的简要的剖面图。
( 电子元件主体 10)
如图 1 ～图 3 所示， 电子元件 1 具备长方体状的电子元件主体 10。如图 3 所示， 电 子元件主体 10 具有沿着长度方向 L 及宽度方向 W 延伸的第 1 及第 2 主面 10a、 10b。如图 2 所示， 电子元件主体 10 具有沿着高度方向 H 及长度方向 L 延伸的第 1 及第 2 侧面 10c、 10d。 还如图 5 所示， 具有沿着高度方向 H 及宽度方向 W 延伸的第 1 及第 2 端面 10e、 10f。
此外， 在本说明书中， “长方体状” 包含角部及棱线部为倒角状或倒圆角状的长方 体。就是说， 所谓 “长方体状” 的元件， 是指具有第 1 及第 2 主面、 第 1 及第 2 侧面和第 1 及 第 2 端面的元件整体。另外， 可以在一部分主面、 侧面、 端面或所有的主面、 侧面、 端面上形 成凹凸等。 对于电子元件主体 10 的尺寸没有特别的限定， 例如可以使电子元件主体 10 的高 度尺寸、 长度尺寸及宽度尺寸分别为 0.5mm ～ 2.5mm、 1.0mm ～ 3.2mm、 0.5mm ～ 2.5mm 左右。
电子元件主体 10 只要是由具有一定程度以上的绝缘性的材料形成的即可， 没有 特别的限定。在本实施方式中， 电子元件主体 10 由陶瓷形成。具体地说， 电子元件主体 10 由在高度方向 H 上层叠多个陶瓷层的陶瓷层层叠体构成。因此， 更详细地说， 本实施方式的 电子元件 1 是层叠陶瓷电子元件。
形成电子元件主体 10 的陶瓷的种类， 没有特别的限定， 可以按照所需的电子元件 1 的特性适当选择。
例如电子元件 1 是电容器时， 可以由介电体陶瓷形成电子元件主体 10。作为介电 体陶瓷的具体例子， 例如可以列举 BaTiO3、 CaTiO3、 SrTiO3、 CaZrO3 等。此外， 除了所述介电 体陶瓷以外， 还可以按照所需的电子元件 1 的特性， 适当地向电子元件主体 10 中添加 Mn 化 合物、 Fe 化合物、 Cr 化合物、 Co 化合物、 Ni 化合物等副成分。
例如电子元件 1 是陶瓷压电元件时， 可以由压电陶瓷形成电子元件主体 10。作为 压电陶瓷的具体例子， 例如可以列举 PZT( 钛酸锆酸铅 ) 类陶瓷等。
例如电子元件 1 是热敏电阻元件时， 可以由半导体陶瓷形成电子元件主体 10。作 为半导体陶瓷的具体例子， 例如可以列举尖晶石类陶瓷等。
例如电子元件 1 是电感元件时， 可以由磁性体陶瓷形成电子元件主体 10。作为磁 性体陶瓷的具体例子， 例如可以列举铁氧体陶瓷等。
( 第 1 及第 2 内部电极 11、 12)
如图 5 及图 6 所示， 在电子元件主体 10 的内部， 沿着高度方向等间隔地交替配置 多个大致为矩形的第 1 及第 2 内部电极 11、 12。第 1 及第 2 内部电极 11、 12， 分别平行于第 1 及第 2 主面 10a、 10b。第 1 及第 2 内部电极 11、 12 在高度方向 H 中， 通过陶瓷层 10g 作媒 介， 互相相对。此外， 陶瓷层 10g 的厚度， 没有特别的限定， 例如可以为 0.5μm ～ 10μm 左
右。 第 1 及第 2 内部电极 11、 12 各自的厚度， 也没有特别的限定， 例如可以为 0.3μm ～ 2.0μm 左右。
第 1 及第 2 内部电极 11、 12 分别只在第 1 端面 10e 及第 2 端面 10f 中的某一个上 露出。详细地说， 如图 5 及图 9 所示， 第 1 内部电极 11 在第 1 端面 10e 上露出。如图 6 及 图 9 所示， 第 1 内部电极 11 不在第 2 端面 10f、 第 1 及第 2 主面 10a、 10b 和第 1 及第 2 侧面 10c、 10d 上露出。
如图 5 及图 8 所示， 第 2 内部电极 12 在第 2 端面 10f 上露出。如图 6 及图 8 所示， 第 2 内部电极 12 不在第 1 端面 10e、 第 1 及第 2 主面 10a、 10b 和第 1 及第 2 侧面 10c、 10d 上露出。
因此， 如图 6、 图 8 及图 9 所示， 在电子元件主体 10 的宽度方向 W 的两端部， 形成没 有配置第 1 及第 2 内部电极 11、 12 的间隙 10j、 10k。此外， 沿着间隙 10j、 10k 的宽度方向 W 的尺寸， 没有特别的限定， 例如可以为 30μm ～ 300μm 左右。
第 1 及第 2 内部电极 11、 12 将适当的导电材料作为主成分包含。第 1 及第 2 内部 电极 11、 12 例如最好包含 Ni、 Cu、 Ag、 Pd 及 Au 中的一种以上的金属。第 1 及第 2 内部电极 11、 12 例如可以由 Ag-Pd 等合金构成。
( 第 1 及第 2 外部电极 15、 18)
如图 1 所示， 电子元件 1 具备第 1 及第 2 外部电极 15、 18。第 1 外部电极 15， 如图 5 及图 9 所示， 与第 1 内部电极 11 连接。另一方面， 第 2 外部电极 18， 如图 5 及图 8 所示， 与第 2 内部电极 12 连接。
如图 1 ～图 5、 图 8 及图 9 所示， 第 1 及第 2 外部电极 15、 18 分别从两端面 10e、 10f 到第 1 及第 2 主面 10a、 10b 和第 1 及第 2 侧面 10c、 10d 地形成。就是说， 第 1 外部电极 15 覆盖第 1 端面 10e、 第 1 及第 2 主面 10a、 10b 的一部分和第 1 及第 2 侧面 10c、 10d 的一部分 地形成。第 2 外部电极 18 覆盖第 2 端面 10f、 第 1 及第 2 主面 10a、 10b 的一部分和第 1 及 第 2 侧面 10c、 10d 的一部分地形成。
如图 5 所示， 第 1 及第 2 外部电极 15、 18 的位于第 1 及第 2 主面 10a、 10b 之上的 部分的各自的至少一部分， 在高度方向 H 上， 与第 1 及第 2 内部电极 11、 12 的各自的至少一 部分重叠。
第 1 及第 2 外部电极 15、 18， 分别由包含第 1 导电层 16、 19 和第 2 导电层 17、 20 在 内的层叠体构成。具体地说， 在本实施方式中， 第 1 及第 2 外部电极 15、 18 分别由第 1 导电 层 16、 19 和第 2 导电层 17、 20 的层叠体构成。
第 1 导电层 16、 19， 在电子元件主体 10 的表面的正上方形成。就是说， 第 1 导电层 16、 19 与电子元件主体 10 相接地形成。第 1 导电层 16、 19， 从第 1 或第 2 端面 10e、 10f 到 第 1 及第 2 主面 10a、 10b 和第 1 及第 2 侧面 10c、 10d 地形成。
具体地说， 如图 1 ～图 5 所示， 构成第 1 外部电极 15 的一部分的第 1 导电层 16， 具有覆盖第 1 端面 10e 的第 1 部分 16a、 覆盖第 1 主面 10a 的一部分的第 2 部分 16b、 覆盖 第 2 主面 10b 的一部分的第 3 部分 16c、 覆盖第 1 侧面 10c 的一部分的第 4 部分 16d、 覆盖 第 2 侧面 10d 的一部分的第 5 部分 16e。另外， 构成第 2 外部电极 18 的一部分的第 1 导电 层 19， 具有覆盖第 2 端面 10f 的第 1 部分 19a、 覆盖第 1 主面 10a 的一部分的第 2 部分 19b、
覆盖第 2 主面 10b 的一部分的第 3 部分 19c、 覆盖第 1 侧面 10c 的一部分的第 4 部分 19d、 覆盖第 2 侧面 10d 的一部分的第 5 部分 19e。
如图 5 所示， 第 2 导电层 17、 20 构成第 1 或第 2 外部电极 15、 18 的最外层。换言 之， 第 2 导电层 17、 20 位于最外层地被层叠在第 1 导电层 16、 19 之上。就是说， 不在第 2 导 电层 17、 20 之上形成电镀层等。
在本实施方式中， 第 2 导电层 17、 20 只在第 1 及第 2 端面 10e、 10f 和第 1 及第 2 主面 10a、 10b 之上形成， 而不在第 1 及第 2 侧面 10c、 10d 之上形成。因此， 第 2 导电层 17、 20 不直接接触第 1 及第 2 侧面 10c、 10d。
具体地说， 构成第 1 外部电极 15 的一部分的第 2 导电层 17， 具有覆盖第 1 导电层 16 的第 1 部分 16a 的第 1 部分 17a、 覆盖第 2 部分 16b 的第 2 部分 17b、 覆盖第 3 部分 16c 之上的第 3 部分 17c。另外， 构成第 2 外部电极 18 的一部分的第 2 导电层 20， 具有覆盖第 1 导电层 19 的第 1 部分 19a 的第 1 部分 20a、 覆盖第 2 部分 19b 的第 2 部分 20b、 覆盖第 3 部分 19c 的第 3 部分 20c。
如图 3 及图 5 所示， 第 2 导电层 17、 20 的第 2 部分 17b、 20b 各自的前端部， 与第 1 主面 10a 直接接触。另外， 第 2 导电层 17、 20 的第 3 部分 17c、 20c 各自的前端部， 与第 2 主 面 10b 直接接触。具体地说， 第 2 导电层 17 的第 2 部分 17b 的前端部， 构成与第 1 主面 10a 直接接触的第 1 接触部 17b1。第 2 导电层 20 的第 2 部分 20b 的前端部， 构成与第 1 主面 10a 直接接触的第 2 接触部 20b1。第 2 导电层 17 的第 3 部分 17c 的前端部， 构成与第 2 主 面 10b 直接接触的第 3 接触部 17c1。第 2 导电层 20 的第 3 部分 20c 的前端部， 构成与第 2 主面 10b 直接接触的第 4 接触部 20c1。 第 1 导电层 16、 19， 不包含 Ag。在这里， 所谓 “不包含 Ag” 是指实质上不包含 Ag， 而不局限于 Ag 的含有量是 0 重量％的情况。具体地说， 所谓 “不包含 Ag” 是指在构成第 1 导电层 16、 19 的整个成分中， Ag 的含有量是 0.1 重量％以下的情况。
对于构成第 1 导电层 16、 19 的导电材料没有特别限定， 例如可以使用将 Au、 Pd 等 的贵金属、 Cu、 Ni 等的贱金属或这些金属中的至少一种作为主成分包含的合金。此外， 第1 及第 2 内部电极 11、 12 包含 Ni 等的贱金属时， 从提高第 1、 第 2 外部电极 15、 18 和第 1、 第 2 内部电极 11、 12 的连接可靠性的观点上说， 优选使第 1 导电层 16、 19 也包含 Ni 等的贱金 属。另外， 还可以向第 1 导电层 16、 19 添加玻璃成分等导电材料以外的成分。在构成第 1 导电层 16、 19 的整个成分中， 导电材料最好包含 80 重量％以上。
另一方面， 第 2 导电层 17、 20 包含 Ag。构成第 2 导电层 17、 20 的导电材料， 作为主 成分， 优选包含 Ag 或 Ag-Pd 合金， 最好实质上只由 Ag 或 Ag-Pd 合金构成。此外， 构成第 2 导电层 17、 20 的导电材料也可以包含 Au 等 Ag 以外的贵金属及 Cu 等的贱金属。在构成第 2 导电层 17、 20 的整个成分中， Ag 最好包含 50 重量％以上。另外， 还可以向第 2 导电层 17、 20 添加玻璃成分等导电材料以外的成分。在构成第 2 导电层 17、 20 的整个成分中， 导电材 料最好包含 80 重量％以上。
此外， 对于第 1 导电层 16、 19 和第 2 导电层 17、 20 各自的厚度没有特别的限定， 例 如可以为 10μm ～ 50μm 左右。
( 第 1 ～第 4 内部导体 13a、 13b、 14a、 14b)
主要如图 5 所示， 在本实施方式中， 在电子元件主体 10 内形成第 1 ～第 4 内部导
体 13a、 13b、 14a、 14b。第 1 ～第 4 内部导体 13a、 13b、 14a、 14b 被配置在第 2 导电层 17、 20 的第 2 部分 17b、 20b 各自的接触部 17b1、 20b1 或第 2 导电层 17、 20 的第 3 部分 17c、 20c 各 自的接触部 17c1、 20c1 和第 1、 第 2 内部电极 11、 12 之间。
具体地说， 在以最短距离连接多个第 1 及第 2 内部电极 11、 12 中的最靠近第 1 接触 部 17b1 的第 2 内部电极 12a 和第 1 接触部 17b1 的假想直线 LI 上， 第 1 内部导体 13a 位于 第 2 内部电极 12a 和第 1 接触部 17b1 之间。第 1 内部导体 13a 与第 1 外部电极 15 连接。 如图 7 所示， 第 1 内部导体 13a 大致为矩形， 从第 1 端面 10e 朝着第 2 端面 10f 一侧延伸。 在宽度方向 W 中， 在整个第 2 内部电极 12a 之上配置第 1 内部导体 13a。换言之， 在宽度方 向 W 中， 第 2 内部电极 12a 的整个上方都被第 1 内部导体 13a 覆盖。此外， 可以使第 1 内部 导体 13a 的宽度方向尺寸大于第 2 内部电极 12a。
如图 5 所示， 在以最短距离连接多个第 1 及第 2 内部电极 11、 12 中的最靠近第 3 接 触部 20b1 的第 1 内部电极 11a 和第 2 接触部 20b1 的假想直线 L2 上， 第 2 内部导体 14a 位 于第 1 内部电极 11a 和第 2 接触部 20b1 之间。第 2 内部导体 14a 与第 2 外部电极 18 连接。 如图 7 所示， 第 2 内部导体 14a 大致为矩形， 从第 2 端面 10f 朝着第 1 端面 10e 一侧延伸。 如图 6 所示， 在宽度方向 W 中， 在整个第 1 内部电极 11a 之上配置第 2 内部导体 14a。换言 之， 在宽度方向 W 中， 第 1 内部电极 11a 的整个上方都被第 2 内部导体 14a 覆盖。此外， 可 以使第 2 内部导体 14a 的宽度方向尺寸大于第 1 内部电极 11a。 此外， 在本实施方式中， 在高度方向 H 中的相同位置， 形成第 2 内部导体 14a 和第 1 内部导体 13a。但是， 也可以在高度方向 H 中的不同位置， 形成第 2 内部导体 14a 和第 1 内 部导体 13a。
如图 5 所示， 在以最短距离连接多个第 1 及第 2 内部电极 11、 12 中的最靠近第 3 接触部 17c1 的第 2 内部电极 12b 和第 3 接触部 17c1 的假想直线 L3 上， 第 3 内部导体 13b 位于第 2 内部电极 12b 和第 3 接触部 17c1 之间。第 3 内部导体 13b 与第 1 外部电极 15 连 接。如图 10 所示， 第 3 内部导体 13b 大致为矩形， 从第 1 端面 10e 朝着第 2 端面 10f 一侧 延伸。在宽度方向 W 中， 在整个第 2 内部电极 12b 之上配置第 3 内部导体 13b。换言之， 在 宽度方向 W 中， 第 2 内部电极 12b 的整个上方都被第 3 内部导体 13b 覆盖。此外， 可以使第 3 内部导体 13b 的宽度方向尺寸大于第 2 内部电极 12b。
如图 5 所示， 在以最短距离连接多个第 1 及第 2 内部电极 11、 12 中的最靠近第 4 接触部 20c1 的第 1 内部电极 11b 和第 4 接触部 20c1 的假想直线 L4 上， 第 4 内部导体 14b 位于第 1 内部电极 11b 和第 4 接触部 20c1 之间。第 4 内部导体 14b 与第 2 外部电极 18 连 接。如图 10 所示， 第 2 内部导体 14a 大致为矩形， 从第 2 端面 10f 朝着第 1 端面 10e 一侧 延伸。如图 6 所示， 在宽度方向 W 中， 在整个第 1 内部电极 11b 之上配置第 4 内部导体 14b。 换言之， 在宽度方向 W 中， 第 1 内部电极 11b 的整个上方都被第 4 内部导体 14b 覆盖。 此外， 可以使第 4 内部导体 14b 的宽度方向尺寸大于第 1 内部电极 11b。
此外， 在本实施方式中， 在高度方向 H 中的相同位置， 形成第 4 内部导体 14b 和第 3 内部导体 13b。但是， 也可以在高度方向 H 中的不同位置， 形成第 4 内部导体 14b 和第 3 内 部导体 13b。
第 1 ～第 4 内部导体 13a、 13b、 14a、 14b， 和第 1 及第 2 内部电极 11、 12 同样， 作为 主成分包含适当的导电材料。第 1 ～第 4 内部导体 13a、 13b、 14a、 14b， 例如最好将 Ni、 Cu、
Ag、 Pd 及 Au 中的一种以上的金属作为主成分包含。第 1 ～第 4 内部导体 13a、 13b、 14a、 14b 例如可以由 Ag-Pd 等合金形成。
对于第 1 ～第 4 内部导体 13a、 13b、 14a、 14b 的厚度没有特别的限定， 例如可以为 0.3μm ～ 2.0μm 左右。
综上所述， 在本实施方式中， 构成第 1 及第 2 外部电极 15、 18 的最外层的第 2 导电 层 17、 20， 包含 Ag。因此， 本实施方式的电子元件 1 能够使用导电性粘接剂进行安装。特别 是在本实施方式中， 由于第 2 导电层 17、 20 作为主成分包含 Ag 或 Ag-Pd 合金， 所以本实施 方式的电子元件 1 更加宜于使用导电性粘接剂进行安装。
可是， 象本实施方式这样， 使包含 Ag 的第 2 导电层 17 和电子元件主体 10 的表面 直接接触时， Ag 就从第 2 导电层 17 向电子元件主体 10 内迁移， 第 1 及第 2 外部电极 15、 18 之间有可能短路。特别是第 2 导电层 17 作为主成分包含 Ag 或 Ag-Pd 合金时， 容易产生 Ag 的迁移， 所以存在更容易产生短路不良的倾向。
与此不同， 在本实施方式中， 在接触部 17b1、 17c1 和第 2 内部电极 12a、 12b 之间， 配置与第 1 外部电极 15 接触的第 1 及第 3 内部导体 13a、 13b。因此， 能够抑制电场集中于 包含 Ag 的接触部 17b1 及接触部 17c1。从而能够抑制来自第 2 导电层 17 的接触部 17b1 及 接触部 17c1 的 Ag 的迁移。同样， 在接触部 20b1、 20c1 和第 1 内部电极 11a、 11b 之间， 配置 与第 2 外部电极 18 接触的第 2 及第 4 内部导体 14a、 14b。因此， 能够抑制来自第 2 导电层 20 的接触部 20b1、 20c1 的 Ag 的迁移。这样， 能够有效地抑制起因于 Ag 的迁移而产生的短 路不良。 进而， 在本实施方式中， 第 2 导电层 17、 20 不在第 1 及第 2 侧面 10c、 10d 之上形成， 不与第 1 及第 2 侧面 10c、 10d 直接接触。所以能够抑制来自位于第 1 及第 2 外部电极 15、 18 的第 1 及第 2 侧面 10c、 10d 之上的部分的 Ag 的迁移。这样， 就能够更加有效地抑制起因 于 Ag 的迁移而产生的短路不良。
此外， 还可以考虑在间隙 10j、 10k 部分也设置内部导体， 从而抑制 Ag 的迁移。可 是这时， 需要沿着高度方向 H 和长度方向 L 设置内部导体。就是说， 需要设置沿着与陶瓷层 10g 垂直的方向延伸的内部导体。因此， 给层叠陶瓷电子元件的制造增加了困难。与此不 同， 如果象本实施方式这样， 不在第 1 及第 2 侧面 10c、 10d 之上形成第 2 导电层 17、 20， 从而 抑制 Ag 的迁移， 就不需要设置沿着高度方向 H 和长度方向 L 的内部导体， 能够很容易地制 造电子元件 1。
从抑制来自第 2 导电层 17、 20 的 Ag 的迁移的观点上说， 还可以考虑不在第 1 导电 层 16、 19 的第 2 及第 3 部分 16b、 19b、 16c、 19c 之上形成第 2 导电层 17、 20。或者还可以考 虑使接触部 17b1、 17c1、 20b1、 20c1 和第 2 主面 10a、 10b 不接触。 可是这时， 就不存在第 2 导 电层 17、 20 和电子元件主体 10 直接接合的部分。因此， 存在着向第 2 导电层 17、 20 施加外 力时， 第 2 导电层 17、 20 容易剥离的倾向。与此不同， 在本实施方式中， 接触部 17b1、 17c1、 20b1、 20c1 和第 2 主面 10a、 10b 直接接合。因此， 能够提高第 2 导电层 17、 20 对于电子元件 主体 10 而言的粘合力， 从而能够有效地抑制第 2 导电层 17、 20 从电子元件主体 10 中剥离。
此外， 如果接触部 17b1、 17c1 和接触部 20b1、 20c1 之间的距离变短， 就存在着使电 场集中于接触部 17b1、 17c1 和接触部 20b1、 20c1 之间的倾向。因此， 最好使接触部 17b1、 17c1 和接触部 20b1、 20c1 的距离在不会导致第 2 导电层 17、 20 对于电子元件主体 10 而言
的粘合力过低的范围内。具体地说， 接触部 17b1、 17c1 和接触部 20b1、 20c1 之间的距离， 最 好是电子元件 1 的长度方向 L 的 0.5 倍以上。
( 电子元件 1 的制造方法 )
对于本实施方式涉及的电子元件 1 的制造方法虽然没有特别的限定， 但是例如可 以按照以下要领制造。
首先， 准备陶瓷印刷电路基板、 内部电极形成用导电性膏、 内部导体形成用膏、 外 部电极形成用导电性膏。 此外， 内部电极形成用导电性膏和内部导体形成用膏可以相同。 陶 瓷印刷电路基板及各导电性膏， 包含粘接剂及溶剂。 作为粘接剂及溶剂， 可以使用众所周知 的粘接剂及溶剂。外部电极形成用导电性膏， 可以包含玻璃成分
接着， 采用网版印刷法等众所周知的印刷法， 在陶瓷印刷电路基板上涂敷内部电 极形成用导电性膏及内部导体形成用膏， 形成内部电极形成用图案及内部导体形成用图 案。
再接着， 层叠多枚没有形成内部电极形成用图案及内部导体形成用图案的陶瓷印 刷电路基板， 在其上依次层叠形成内部电极形成用图案的陶瓷印刷电路基板、 形成内部导 体形成用图案的陶瓷印刷电路基板、 形成内部电极形成用图案的陶瓷印刷电路基板和没有 形成内部电极形成用图案及内部导体形成用图案的陶瓷印刷电路基板， 从而形成母层叠 体。根据需要， 可以利用静液压式压力机等， 朝着层叠方向挤压母层叠体， 压接层叠的陶瓷 印刷电路基板。
然后， 将原始的母层叠体切断成为规定的尺寸， 形成原始的陶瓷层叠体。 可以根据 需要， 对原始的陶瓷层叠体实施滚磨等后， 再对角部及棱线部进行倒角或倒圆角。
接着， 烧成原始的陶瓷层叠体。按照使用的陶瓷的种类， 适当设定烧成温度。例如 可以使原始的陶瓷层叠体的烧成温度为 900℃～ 1300℃左右。烧成时的保护气， 既可以是 大气保护气， 也可以是氮气保护气、 包含水蒸气的氮气保护气等。
再接着， 在烧成后的陶瓷层叠体的端面上涂敷导电性膏， 烘干后分别形成第 1 及 第 2 导电层， 从而完成电子元件 1 的制造。此外， 烘干温度例如可以为 700℃～ 900℃左右。
第 2 导电层的形成， 具体地说， 例如可以按照以下要领进行。首先， 如图 11 所示， 采用浸透法， 在形成第 1 导电层的陶瓷元件体 ( 电子元件主体 10) 的两端面上， 涂敷导电性 膏 30。具体地说， 将陶瓷元件体浸渍到导电性膏 30 之中， 从而在陶瓷元件体的两端面上涂 敷导电性膏 30。接着， 如图 12 所示， 采用浸透法， 在陶瓷元件体的第 1 侧面上形成的第 1 导 电层上涂敷导电性膏 30。具体地说， 将在陶瓷元件体的第 1 侧面上形成的第 1 导电层浸渍 到导电性膏 30 之中， 从而涂敷导电性膏 30。这样， 如图 13 所示， 在陶瓷元件体的两端面及 第 1 侧面上涂敷导电性膏 30。 进而同样， 采用浸透法， 向位于陶瓷元件体的第 2 侧面上的第 1 导电层的部分涂敷导电性膏。然后， 通过烧成， 从而完成第 2 导电层。
此外， 第 1 及第 2 导电层， 都可以在烧成陶瓷元件体的时候， 同时烧成。
下面， 讲述实施本发明的理想的形态的其它的例子。但是， 在以下的实施方式的 讲述中， 对于和上述第 1 实施方式具有实质上相同的功能的元件， 赋予相同的符号， 不再赘 述。
( 第 2 实施方式 )
在上述第 1 实施方式中， 讲述了使第 1 ～第 4 内部导体 13a、 13b、 14a、 14b 分别与第 1 及第 2 外部电极 15、 18 连接的例子。但是本发明并不局限于这种结构。例如可以如图 14 所示， 使第 1 ～第 4 内部导体 13a、 13b、 14a、 14b 的每一个都不与第 1 及第 2 外部电极 15、 18 的任何一个连接。这时， 也和上述第 1 实施方式同样， 能够抑制 Ag 的迁移。从而能够抑 制产生的短路不良。
( 第 3 实施方式 )
在上述第 1 实施方式中， 讲述了使第 1 ～第 4 内部导体 13a、 13b、 14a、 14b 的每一 个各形成一层的例子。但是本发明并不局限于这种结构。可以沿着高度方向， 分别设置多 个第 1 ～第 4 内部导体 13a、 13b、 14a、 14b。例如如图 15 所示， 可以沿着高度方向， 分别各设 置 2 个第 1 ～第 4 内部导体 13a、 13b、 14a、 14b。这样， 沿着高度方向分别设置多个第 1 ～第 4 内部导体 13a、 13b、 14a、 14b 后， 能够更加有效地抑制 Ag 的迁移。
此外， 分别设置多个第 1 ～第 4 内部导体 13a、 13b、 14a、 14b 时， 也如图 15 所示， 既可以使第 1 ～第 4 内部导体 13a、 13b、 14a、 14b 的每一个与第 1 或第 2 外部电极 15、 18 连 接， 也可以使第 1 ～第 4 内部导体 13a、 13b、 14a、 14b 的每一个都不与第 1 及第 2 外部电极 15、 18 的任何一个连接。
( 第 4 实施方式 )
在上述第 1 实施方式中， 讲述了使电子元件主体 10 的第 1 及第 2 侧面 10c、 10d 的 一部分被第 1 导电层 16、 19 覆盖的例子。但是本发明并不局限于这种结构。例如可以如图 16 所示， 不在第 1 及第 2 侧面 10c、 10d 之上形成第 1 导电层 16、 19。具体地说， 可以采用不 设置覆盖第 1 导电层 16、 19 的第 1 及第 2 侧面 10c、 10d 的一部分的第 4 及第 5 部分 16d、 16e、 19d、 19e( 参照图 2) 地只由第 1 ～第 3 部分 16a、 16b、 16c、 19a、 19b、 19c 构成第 1 导电 层 16、 19 的结构。
( 第 5 实施方式 )
在上述第 1 实施方式中， 讲述了和第 1 及第 3 内部导体 13a、 13b、 一起设置第 2 及 第 4 内部导体 14a、 14b 的例子。 但是如图 17 所示， 位于最靠近第 2 接触部 20b1 的内部电极 是与第 2 外部电极 18 连接的第 2 内部电极 12a 时， 就未必需要第 2 内部导体 14a。另外， 位 于最靠近第 4 接触部 20c1 的内部电极是与第 2 外部电极 18 连接的第 2 内部电极 12b 时， 就未必需要第 4 内部导体 14b。
( 第 6 实施方式 )
在上述第 1 实施方式中， 讲述了不在第 1 导电层 16、 19 的位于电子元件主体 10 的 第 1 及第 2 侧面 10c、 10d 之上的第 4 及第 5 部分 16d、 16e、 19d、 19e 之上形成第 2 导电层 17、 20 的例子。但是本发明并不局限于这种结构。例如可以在第 1 导电层 16、 19 的第 4 及第 5 部分 16d、 16e、 19d、 19e 之上形成第 2 导电层 17、 20。但是这时， 从抑制 Ag 的迁移的观点上 说， 最好使第 2 导电层 17、 20 不与第 1 及第 2 侧面 10c、 10d 直接接触。具体地说， 最好使第 2 导电层 17、 20 只覆盖第 4 及第 5 部分 16d、 16e、 19d、 19e 中除了第 4 及第 5 部分 16d、 16e、 19d、 19e 的前端部以外的至少一部分。换言之， 最好使第 2 导电层 17、 20 不覆盖第 4 及第 5 部分 16d、 16e、 19d、 19e 的前端部。
( 第 7 实施方式 )
图 18 ～图 21 所示的本实施方式的电子元件 2， 在不设置第 1 ～第 4 内部导体 13a、 13b、 14a、 14b 的这一点上， 只在第 2 导电层 17、 20 的结构上， 和上述第 1 实施方式涉及的电子元件 1 不同。
在本实施方式中， 如图 18 ～图 21 所示， 第 2 导电层 17、 20 只位于第 1 导电层 16、 19 之上， 不与电子元件主体 10 的第 1 及第 2 主面 10a、 10b 和第 1 及第 2 侧面 10c、 10d 直接 接触。
具体地说， 构成第 1 外部电极 15 的一部分的第 2 导电层 17， 具有第 1 部分 17a( 参 照图 18 ～图 20)、 第 2 部分 17b( 参照图 20)、 第 3 部分 17c( 参照图 20)、 第 4 部分 17d( 参 照图 18)、 第 5 部分 17e( 参照图 18)。如图 18 ～图 20 所示， 第 1 部分 17a 位于第 1 导电层 16 的位于第 1 端面 10e 之上的第 1 部分 16a 之上。第 1 部分 17a 覆盖除了第 1 部分 16a 的 前端部以外的部分。如图 20 所示， 第 2 部分 17b 位于第 1 导电层 16 的位于第 1 主面 10a 之 上的第 2 部分 16b 之上。第 2 部分 17b 覆盖除了第 2 部分 16b 的前端部以外的部分。第 3 部分 17c 位于第 1 导电层 16 的位于第 2 主面 10b 之上的第 3 部分 16c 之上。第 3 部分 17c 覆盖除了第 3 部分 16c 的前端部以外的部分。第 4 部分 17d 位于第 1 导电层 16 的位于第 1 侧面 10c 之上的第 4 部分 16d 之上。第 4 部分 17d 覆盖除了第 4 部分 16d 的前端部以外 的部分。第 5 部分 17e 位于第 2 侧面 10d 之上的第 5 部分 16e 之上。第 5 部分 17e 覆盖除 了第 5 部分 16e 的前端部以外的部分。 另外， 构成第 2 外部电极 18 的一部分的第 2 导电层 20， 具有第 1 部分 20a( 参照 图 18 ～图 20)、 第 2 部分 20b( 参照图 20)、 第 3 部分 20c( 参照图 20)、 第 4 部分 20d( 参照 图 21)、 第 5 部分 20e( 参照图 21)。如图 18 ～图 20 所示， 第 1 部分 20a 位于第 1 导电层 19 的位于第 2 端面 10f 之上的第 1 部分 19a 之上。第 1 部分 20a 覆盖除了第 1 部分 19a 的前 端部以外的部分。如图 20 所示， 第 2 部分 20b 位于第 1 导电层 19 的位于第 1 主面 10a 之 上的第 2 部分 19b 之上。第 2 部分 20b 覆盖除了第 2 部分 19b 的前端部以外的部分。第 3 部分 20c 位于第 1 导电层 19 的位于第 2 主面 10b 之上的第 3 部分 19c 之上。第 3 部分 20c 覆盖除了第 3 部分 19c 的前端部以外的部分。如图 21 所示， 第 4 部分 20d 位于第 1 导电层 19 的位于第 1 侧面 10c 之上的第 4 部分 19d 之上。第 4 部分 20d 覆盖除了第 4 部分 19d 的 前端部以外的部分。第 5 部分 20e 位于第 1 导电层 19 的位于第 2 侧面 10d 之上的第 5 部 分 19e 之上。第 5 部分 20e 覆盖除了第 5 部分 19e 的前端部以外的部分。
这样， 在本实施方式中， 因为第 2 导电层 17、 20 不与电子元件主体 10 的表面直接 接触， 所以即使不设置第 1 ～第 4 内部导体 13a、 13b、 14a、 14b， 也能够有效地抑制 Ag 从第 2 导电层 17、 20 向电子元件主体 10 内的迁移。从而能够有效地抑制产生的短路不良。
另外， 在本实施方式中， 因为不必设置第 1 ～第 4 内部导体 13a、 13b、 14a、 14b， 所以 能够减少电子元件 2 的制造工序， 还能够缩小电子元件 2 的高度尺寸。
( 试验例 1)
按照下述条件， 制造 200 个具有和上述第 1 实施方式同样的方式的电子元件 ( 试 料组 A)。此外， 按照下述要领形成第 1 及第 2 外部电极。在烧成后的陶瓷元件体的两端部， 涂敷厚度为 60μm 的 Cu 膏， 干燥后在还原性保护气中烧成， 形成第 1 导电层。然后， 在第 1 导电层上涂敷厚度为 80μm 的 Ag-Pd 膏， 进而使用平板夹具补充 Ag-Pd 膏， 使溶剂干燥后， 在氧化性保护气中烧成， 从而形成第 2 导电层。此外， 在试料组 A 中， 第 2 导电层不与第 1 及第 2 侧面中的任何一个直接接触。
电子元件的尺寸 ： 长度 3.2mm× 宽度 1.6mm× 高度 1.6mm
陶瓷层的厚度 ： 15μm
陶瓷层 ： BaTiO3
从最近第 1 主面的内部电极到第 1 主面的距离及从最近第 2 主面的内部电极到第 2 主面的距离 ： 100μm
内部电极的尺寸 ： 长度 2.6mm× 宽度 1.0mm× 厚度 1.2μm
内部电极 ： Ni
另外， 还制造 200 个除了利用第 2 导电层完全覆盖第 1 导电层、 第 2 导电层的一部 分和第 1 及第 2 侧面直接相接以外， 都和上述试料组 A 同样的试料组 B。
接着， 使用导电性粘接剂， 将试料组 A、 B 安装到具有 JISC6429 推荐的尺寸的岛的 铝基板上。具体地说， 将合计 200 个的试料组 A 中的 100 个 ( 试料组 A1) 的第 1 主面作为 安装面， 安装到铝基板上， 将剩下的 100 个 ( 试料组 A2) 的第 1 侧面作为安装面， 安装到铝 基板上。同样， 对于合计 200 个的试料组 B 中的 100 个 ( 试料组 B1)， 也将其第 1 主面作为 安装面， 安装到铝基板上， 对于剩下的 100 个 ( 试料组 B2)， 则将其第 1 侧面作为安装面， 安 装到铝基板上。
然后， 在 175℃的高温下外加 75V 的直流电压的状态中， 将上述安装到铝基板上的 试料组 A1、 A2、 B1、 B2 放置 500 小时。然后， 通过肉眼观察确认外部电极之间是否产生迁移。 表 1 列出其结果。
【表 1】由表 1 可知 ： 在配置第 1 ～第 4 内部导体、 第 2 导电层不与第 1 及第 2 侧面接触的 试料组 A1、 A2 中， 无论哪个样品都没有发生 Ag 的迁移。另一方面， 在尽管配置了第 1 ～第 4 内部导体但是第 2 导电层与第 1 及第 2 侧面接触的试料组 B 1、 B2 中， 却存在着发生 Ag 的 迁移的样品。根据这个结果可知 ： 配置第 1 ～第 4 内部导体、 使第 2 导电层不与第 1 及第 2 侧面接触后， 可以有效地抑制 Ag 的迁移。
另外， 即使在试料组 B 1、 B2 中， 也没有在第 1 及第 2 主面中看到 Ag 的迁移。根据 这个结果也可知 ： 配置第 1 ～第 4 内部导体后， 可以有效地抑制第 1 及第 2 主面中的 Ag 的 迁移。
在试料组 B 1、 B2 中， 之所以看到第 1 及第 2 侧面中的 Ag 的迁移， 可以认为是由于 电场集中于第 1 及第 2 外部电极的与第 1 及第 2 侧面接触的部分和第 1 及第 2 内部电极之 间， 所以 Ag 从第 1 及第 2 外部电极的与第 1 及第 2 侧面接触的部分迁移的缘故。
另外， 在第 1 及第 2 侧面中看到产生 Ag 迁移的样品数， 试料组 B2 多于试料组 B 1。 根据这个结果也可知 ： 第 1 及第 2 侧面中的 Ag 的迁移， 在将第 1 侧面作为安装面时特别容 易产生。尤其是在试料组 B2 中， 由于在第 1 侧面中看到产生 Ag 迁移的样品数较多， 所以可 知电场集中于安装面后特别容易产生 Ag 的迁移。
( 试验例 2)
按照下述条件， 制造 200 个具有和上述第 7 实施方式同样的方式的电子元件 ( 试 料组 C)。此外， 按照下述要领形成第 1 及第 2 外部电极。在烧成后的陶瓷元件体的两端部， 涂敷厚度为 60μm 的 Cu 膏， 干燥后在还原性保护气中烧成， 形成第 1 导电层。然后， 在第 1 导电层上涂敷厚度为 80μm 的 Ag-Pd 膏， 进而使溶剂干燥后， 在氧化性保护气中烧成， 从而 形成第 2 导电层。此外， 在试料组 C 中， 第 2 导电层不与第 1 及第 2 主面和第 1 及第 2 侧面 中的任何一个直接接触。
电子元件的尺寸 ： 长度 3.2mm× 宽度 1.6mm× 高度 1.6mm
陶瓷层的厚度 ： 15μm
陶瓷层 ： BaTiO3
从最近第 1 主面的内部电极到第 1 主面的距离及从最近第 2 主面的内部电极到第 2 主面的距离 ： 100μm
内部电极的尺寸 ： 长度 2.6mm× 宽度 1.0mm× 厚度 1.2μm
内部电极 ： Ni
另外， 还制造 200 个除了利用第 2 导电层完全覆盖第 1 导电层、 第 2 导电层的一部 分与第 1 及第 2 主面和第 1 及第 2 侧面直接相接以外， 都和上述试料组 C 同样的试料组 D。
接着， 使用导电性粘接剂， 将试料组 C、 D 安装到具有 JISC6429 推荐的尺寸的岛的 铝基板上。具体地说， 将合计 200 个的试料组 C 中的 100 个 ( 试料组 C1) 的第 1 主面作为 安装面， 安装到铝基板上， 将剩下的 100 个 (- 试料组 C2) 的第 1 侧面作为安装面， 安装到铝 基板上。同样， 对于合计 200 个的试料组 D 中的 100 个 ( 试料组 D1)， 也将其第 1 主面作为 安装面， 安装到铝基板上， 剩下的 100 个 ( 试料组 D2)， 则将其第 1 侧面作为安装面， 安装到 铝基板上。
然后， 在 175℃的高温下外加 75V 的直流电压的状态中， 将上述安装到铝基板上试 料组 C1、 C2、 D1、 D2 放置 500 小时。然后， 通过肉眼观察确认外部电极之间是否产生迁移。 表 2 列出其结果。
【表 2】
由表 2 可知 ： 在第 2 导电层不与第 1 及第 2 主面和第 1 及第 2 侧面直接接触的试 料组 C1、 C2 中， 无论哪个样品都没有看到 Ag 的迁移。与此不同， 在第 2 导电层与第 1 及第 2 主面和第 1 及第 2 侧面直接接触的试料组 D1、 D2 中， 却看到了 Ag 的迁移。根据这个结果 可知 ： 使第 2 导电层不与第 1 及第 2 主面和第 1 及第 2 侧面接触后， 可以有效地抑制 Ag 的 迁移。
另外， 比较表 1 所示的试料组 A1、 A2、 B 1、 B2 的结果和表 2 所示的试料组 C1、 C2、 D1、 D2 的结果， 可知 ： 即使第 2 导电层与第 1 及第 2 主面直接接触， 设置第 1 ～第 4 内部导 体后， 也可以有效地抑制第 1 及第 2 主面中的 Ag 的迁移。
在试料组 D1 中， 第 1 及第 2 主面中产生的 Ag 的迁移较多， 尤其在第 1 主面中产生 的 Ag 的迁移特别多。试料组 D2 也和试料组 D1 一样， 在第 1 及第 2 主面中产生的 Ag 的迁 移较多， 尤其在第 1 主面中产生的 Ag 的迁移特别多。可以认为这是由于第 2 导电层与第 1 及第 2 主面直接接触的部分与内部电极相对的面积， 大于第 2 导电层与第 1 及第 2 侧面直 接接触的部分与内部电极相对的面积， 所以产生了电场集中于第 1 及第 2 主面的部分的缘 故。另外， 在第 1 主面中产生的 Ag 的迁移多于在第 2 主面中产生的 Ag 的迁移的理由， 可以 认为是由于第 1 主面是安装面， 所以第 1 主面侧被外加较强的电场的缘故。
另外， 在第 1 侧面中看到产生 Ag 迁移的样品数， 试料组 D2 多于试料组 D1 的理由，
可以认为是由于在将第 1 侧面作为安装面的试料组 D2 中， 第 1 侧面侧被外加较强的电场的 缘故。