一种近红外光致发光薄膜及其制备方法.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 102140348 A (43)申请公布日 2011.08.03 CN 102140348 A *CN102140348A* (21)申请号 201010621929.8 (22)申请日 2010.12.27 C09K 11/88(2006.01) H01L 31/0296(2006.01) C08L 29/04(2006.01) C08L 39/06(2006.01) C08L 33/12(2006.01) (71)申请人 中国科学院化学研究所 地址 100190 北京市海淀区中关村北一街 2 号 (72)发明人 姚建年 詹传郎 曾怡 (74)专利代理机构 北京纪凯。

2、知识产权代理有限 公司 11245 代理人 关畅 (54) 发明名称 一种近红外光致发光薄膜及其制备方法 (57) 摘要 本发明公开了一种用于单晶硅太阳能电池的 光致发光薄膜及其制备方法。该薄膜包括半导体 纳米材料， 所述半导体纳米材料为 MxAyB1-y纳米晶 或由 MxAyB1-y纳米晶形成的核壳微粒， 其中， M 为 Cd、 Zn、 Ag 或 Pb， A 和 B 均为 S、 Se 或 Te， x 为 1 或 2， y为0或1。 本发明还提供了上述薄膜的两种制 备方法， 既可直接将半导体纳米材料通过制膜技 术制备成光致发光薄膜， 也可将半导体纳米材料 的前体所对应的氧化物和金属单质制备成膜。

3、， 再 通过原位煅烧制备成光致发光薄膜。本发明制备 的光致发光薄膜可以将 350-700nm 的可见光转换 为 500-1500nm 的近红外光， 可较大幅度地增强单 晶硅太阳能电池的光电转换效率。 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 6 页 附图 2 页 CN 102140353 A1/1 页 2 1. 一种光致发光薄膜， 其特征在于 ： 所述薄膜包括半导体纳米材料， 所述半导体纳米 材料为 MxAyB1-y纳米晶或由 MxAyB1-y纳米晶形成的核壳微粒， 其中， M 为 Cd、 Zn、 Ag 或 Pb， A 和 。

4、B 均为 S、 Se 或 Te， x 为 1 或 2， 0 y 1。 2. 根据权利要求 1 所述的薄膜， 其特征在于 ： 所述半导体纳米材料为纳米颗粒、 纳米棒 或纳米线 ； 所述纳米颗粒的粒径为 1nm-500nm ； 所述纳米棒和纳米线的长度和直径分别为 1nm-500nm 和 1nm-200nm ； 所述薄膜的厚度为 1nm-100nm。 3. 根据权利要求 1 或 2 所述的薄膜， 其特征在于 ： 所述薄膜还包括共成膜剂， 所述共成 膜剂为高分子聚合物、 二氧化硅和无机盐中任一种。 4. 根据权利要求 3 所述的薄膜， 其特征在于 ： 所述薄膜为下述 1)-3) 薄膜中任一种 ： 1。

5、) 由半导体纳米材料和高分子聚合物组成， 所述半导体纳米材料与高分子聚合物的质 量份数比为 (0.001-0.01) 1 ； 2) 由半导体纳米材料和二氧化硅组成， 所述半导体纳米材料二氧化硅的质量份数比为 (0.001-0.01) 1 ； 3) 由半导体纳米材料和无机盐组成， 所述半导体纳米材料与无机盐的质量份数比为 (0.001-0.01) 1。 5. 根据权利要求 3 或 4 所述的薄膜， 其特征在于 ： 所述高分子聚合物为聚乙烯醇、 聚乙 烯吡咯烷酮或聚甲基丙烯酸甲酯 ； 所述无机盐为硅酸盐、 铝酸盐或硼酸盐 ； 所述硅酸盐为 硅酸钠或硅酸钾 ； 所述铝酸盐为铝酸钠或铝酸钾， 所述硼酸。

6、盐为硼酸钠或硼酸钾。 6. 权利要求 1-5 中任一所述薄膜的制备方法， 包括如下步骤 ： 将所述半导体纳米材料 或所述半导体纳米材料和共成膜剂的混合物分散于水中得水溶液， 然后将所述水溶液制备 成膜即得所述薄膜。 7. 根据权利要求 6 所述的方法， 其特征在于 ： 所述水溶液中所述半导体纳米材料的质 量百分含量为 0.1 -10。 8. 权利要求 1-5 中任一所述薄膜的制备方法， 包括如下步骤 ： 将 MxO 与 S、 Se 和 Te 中 至少一种的混合物或所述共成膜剂、 MxO 与 S、 Se 和 Te 中至少一种的混合物分散于水中得 水溶液， 然后将所述水溶液制备成膜， 所述膜经干燥。

7、和煅烧后即得所述薄膜 ； 其中， M 为 Cd、 Zn、 Ag 或 Pb， x 为 1 或 2。 9.根据权利要求8所述的方法， 其特征在于 ： 所述水溶液中所述MxO的质量百分含量为 2 -10； 所述水溶液中所述 S、 Se 和 Te 中任两种物质的质量百分含量均 0.04 -3.0； 所述 MxO、 S、 Se 和 Te 的粒径为 50nm-200nm， 其中， M 为 Cd、 Zn、 Ag 或 Pb， x 为 1 或 2。 10. 根据权利要求 1-5 中任一所述光致发光薄膜在提高单晶硅太阳能电池的光电转化 效率方面的应用。 权 利 要 求 书 CN 102140348 A CN 10。

8、2140353 A1/6 页 3 一种近红外光致发光薄膜及其制备方法 技术领域 0001 本发明涉及一种光致发光薄膜及其制备方法， 特别涉及一种近红外光致发光薄膜 及其制备方法。 背景技术 0002 太阳能光伏发电是未来能源供应的主体， 有可能替代传统能源成为新型能源的主 要组成部分。 目前， 晶体硅太阳能电池是开发得最快的一种太阳能电池， 而其中单晶硅太阳 能电池光电转换效率最高， 可达到 25 -30。但是单晶硅材料只对处于 900nm 附近的近 红外光有较强的吸收， 对其它波段的光吸收率较低。 但是由于到达地球表面的太阳光中， 近 红外区域的光仅占很小比例， 使得单晶硅对太阳光的利用非常。

9、有限。与近红外光所占比例 形成鲜明对比的是， 在到达地球表面的太阳光中， 可见光占据了约 51.9的比例， 如果能有 效地利用可见光则可以较大程度地增加单晶硅太阳能电池的光电转换效率。因此， 需要寻 找一种将可见光转换为近红外光的方法以提高单晶硅太阳能电池的光电转换效率。 0003 半导体纳米晶具有吸收光能并将其转化为一定波长光波的能力， 通过调控纳米晶 的尺寸， 形貌， 结构， 及其所处的化学环境， 可进一步调控其吸收与发射波长。 将纳米晶铺展 在玻璃表面， 可形成具有实用价值的光致发光薄膜。 发明内容 0004 本发明的目的是提供一种用于单晶硅太阳能电池的近红外光致发光薄膜及其制 备方法。。

10、 0005 本发明提供的一种光致发光薄膜， 包括半导体纳米材料， 所述半导体纳米材料为 MxAyB1-y纳米晶或由 MxAyB1-y纳米晶形成的核壳微粒， 其中， M 为 Cd、 Zn、 Ag 或 Pb， A 和 B 均为 S、 Se 或 Te， x 为 1 或 2， 0 y 1。 0006 上述薄膜中， 所述半导体纳米材料可为纳米颗粒、 纳米棒或纳米线 ； 所述纳米 颗粒的粒径可为 1nm-500nm ； 所述纳米棒或纳米线的长度和直径分别为 1nm-500nm 和 1nm-200nm。 0007 上述薄膜的厚度可为 1nm-100nm， 具体可为 30-50nm、 30nm、 35nm、 。

11、40nm 或 50nm。 0008 上述薄膜还可包括共成膜剂， 所述共成膜剂可为高分子聚合物、 二氧化硅和无机 盐中任一种。 0009 上述薄膜具体可为下述 1)-3) 薄膜中任一种 ： 0010 1) 由半导体纳米材料和高分子聚合物组成， 所述半导体纳米材料与高分子聚合 物的质量份数比为 (0.001-0.01) 1， 具体可为 0.006 1、 0.007 1、 0.008 1 或 0.01 1 ； 0011 2) 由半导体纳米材料和二氧化硅组成， 所述半导体纳米材料与二氧化硅的质量份 数比为 (0.001-0.01) 1， 具体可为 0.006 1、 0.007 1、 0.008 1 或。

12、 0.01 1 ； 0012 3) 由半导体纳米材料和无机盐组成， 所述半导体纳米材料与无机盐的质量份数比 说 明 书 CN 102140348 A CN 102140353 A2/6 页 4 为 (0.001-0.01) 1， 具体可为 0.006 1、 0.007 1、 0.008 1 或 0.01 1。 0013 上述薄膜中， 所述高分子聚合物可为聚乙烯醇、 聚乙烯吡咯烷酮或聚甲基丙烯酸 甲酯 ； 所述无机盐可为硅酸盐、 铝酸盐或硼酸盐 ； 所述硅酸盐可为硅酸钠或硅酸钾， 所述铝 酸盐可为铝酸钠或铝酸钾 ； 所述硼酸盐可为硼酸钠或硼酸钾。 0014 本发明提供的上述薄膜的制备方法， 包括。

13、如下步骤 ： 将所述半导体纳米材料或所 述半导体纳米材料和共成膜剂的混合物分散于水中得水溶液， 然后将所述水溶液制备成膜 即得所述薄膜。 0015 上述制备方法可采用提拉法或旋涂法制膜。 0016 上述制备方法中， 所述水溶液中所述半导体纳米材料的质量百分含量为 0.1 -10， 具体可为 0.14 -7.33、 0.14、 1.19、 2.39或 7.33。 0017 本发明还提供了上述薄膜的另一种制备方法， 包括如下步骤 ： 将 MxO 与 S、 Se 和 Te 中至少一种的混合物或所述共成膜剂、 MxO与S、 Se和Te中至少一种的混合物分散于水中得 水溶液， 然后将所述水溶液制备成膜，。

14、 所述膜经干燥和煅烧后即得所述薄膜 ； 其中， M 为 Cd、 Zn、 Ag 或 Pb， x 为 1 或 2。 0018 上述制备方法可采用提拉法或旋涂法制膜。 0019 上述制备方法中， 所述水溶液中所述 MxO 的质量百分含量为 2 -10， 具体可为 3.24 -9.28、 3.24、 4.78、 5.12、 8.92或 9.28 ； 所述水溶液中 S、 Se 和 Te 中任 两种物质的质量百分含量均为 0.04 -3.0， 具体可为 0.04 -2.44、 0.04、 0.08、 0.12、 0.6、 0.74、 1.48或 2.44 ； 所述 MxO、 S、 Se 和 Te 的粒径为。

15、 50-200nm， 其中， M 为 Cd、 Zn、 Ag 或 Pb， x 为 1 或 2。 0020 上述制备方法中， 所述煅烧的温度为 300 -600， 如 300、 400、 500或 600 ； 所述煅烧的时间为 1 小时 -100 小时， 如 4 小时 -84 小时、 4 小时、 10 小时、 48 小时、 84 小时或 96 小时。 0021 本发明提供还提供了上述的光致发光波薄膜在提高单晶硅太阳能电池的光电转 化效率方面的应用。 0022 本发明具有如下优点 ： 0023 1) 本发明所提供的方法简单易行， 既可直接将半导体纳米材料通过制膜技术制备 成光致发光薄膜， 也可将半导。

16、体纳米材料的前体所对应的氧化物和金属单质制备成膜， 再 通过原位煅烧制备成光致发光薄膜。 0024 2) 可以通过简单更换半导体纳米材料的前体， 得到不同吸收波长和发光波长的光 致发光薄膜 ； 可以通过简单更换共成膜剂， 得到不同表面性质的复合光致发光薄膜。 0025 3) 可以通过调控煅烧时间与温度， 得到由不同形貌的结构单元组成的光致发光薄 膜 ； 可以通过调控反应前体的浓度， 得到不同厚度的薄膜。 特定的结构单元以及膜厚对近红 外光具有减反增透的效果。 0026 4) 本发明制备的光致发光薄膜可以将 350-700nm 的可见光转换为 500-1500nm 的 近红外光， 同时保持对太阳。

17、光谱中的近红外光有较高的透过率。 附图说明 0027 图 1 为实施例 1 制备的 CdS0.95Se0.05薄膜的吸收 - 发射光谱谱图。 说 明 书 CN 102140348 A CN 102140353 A3/6 页 5 0028 图 2 为实施例 2 制备的 ZnSe0.95Te0.05薄膜的吸收 - 发射光谱谱图。 0029 图 3 为实施例 3 制备的 Ag2Te0.95S0.05薄膜的吸收 - 发射光谱谱图。 0030 图 4 为实施例 4 制备的 PbS0.95Te0.05薄膜的吸收 - 发射光谱谱图。 0031 图 5 为实施例 5 制备的 CdSeCdS 薄膜的吸收 - 发。

18、射光谱谱图。 0032 图 6 为实施例 6 制备的 CdSeCdTe 薄膜的吸收 - 发射光谱谱图。 0033 图 7 为实施例 7 制备的 CdSe0.95S0.05与 PVA 复合薄膜的吸收 - 发射光谱谱图。 0034 图 8 为实施例 10 制备的 CdS0.95Te0.05与 SiO2复合薄膜的吸收 - 发射光谱谱图。 0035 图 9 为实施例 15 制备的 CdSe0.95S0.05与铝酸钠复合薄膜的吸收 - 发射光谱谱图。 具体实施方式 0036 下述实施例中所使用的实验方法如无特殊说明， 均为常规方法。 0037 下述实施例中所用的材料、 试剂等， 如无特殊说明， 均可从商。

19、业途径得到。 0038 本发明下述实施例的CdSe0.95S0.05、 CdTe0.95Se0.05和CdS0.95Se0.05为纳米颗粒， 其粒径 为 3nm-20nm， 均自行合成。CdSe0.95S0.05、 CdTe0.95Se0.05和 CdS0.95Se0.05合成方法如下 ： 0.0128g CdO， 分散于2.1g油酸， 80g十八碳烯， 加热到300， 使其溶解， 然后快速加入含有相应比例 的 Se、 S 或 Te 粉 ( 例如制备 CdSe0.95S0.05则需加入 0.0037g Se 粉和 0.0001gS 粉 ) 的十八 碳烯 18g， 冷却至 250， 反应 30m。

20、in。反应结束后， 用甲醇和氯仿的混合溶液 ( 体积份数比 1 1) 洗涤 5-8 次。 0039 本发明下述实施例的 CdSeCdS 和 CdSeCdTe 核壳微粒， 其直径为 5nm-10nm， 均自 行合成。例如 CdSeCdS 合成方法如下 ： 0.0128g CdO， 分散于 2.1g 油酸， 80g 十八碳烯， 加 热到300， 使其溶解， 然后快速加入含有0.0020g Se粉的十八碳烯9g， 冷却至250， 反应 2min， 再加入含有 0.0008gS 粉 ( 制备 CdSeCdS) 或者 0.0064gTe 粉 ( 制备 CdSeCdTe) 的 十八碳烯溶液 9g， 反应 。

21、30min。反应结束后， 用甲醇和氯仿的混合溶液 ( 体积份数比 1 1) 洗涤 5-8 次。 0040 本发明下述实施例的CdO、 ZnO、 PbO、 Ag2O、 S粉、 Se粉和Te粉的粒径为50nm-200nm， 均购买于 Aldrich 公司。 0041 实施例 1、 CdS0.95Se0.05光致发光薄膜的制备 0042 将 CdO 0.0128g、 S 粉 0.0015g 和 Se 粉 0.0002g 分散到水中得水溶液 ( 其中， 该水 溶液中 CdO、 S 粉和 Se 粉的质量百分含量分别为 5.12， 0.60， 0.08 )， 用提拉法将该溶 液制成膜， 然后将该膜置于恒定。

22、湿度与温度的干燥箱 ( 湿度为 30， 温度为 40 ) 中干燥 6h后， 再放入Ar气保护的煅烧炉中进行煅烧4h， 其中煅烧的温度为300， 得到CdS0.95Se0.05 光致发光薄膜， 该薄膜的厚度为 30nm。 0043 本实施例制备的薄膜的吸收 - 发射光谱谱图如图 1 所示。 0044 实施例 2、 ZnSe0.95Te0.05光致发光薄膜的制备 0045 将 ZnO 0.0081g、 Se 粉 0.0037g 和 Te 粉 0.0003g 分散到水中得水溶液 ( 其中， 该 水溶液中 ZnO、 Se 粉和 Te 粉的质量百分含量分别为 3.24， 1.48， 0.12 )， 用旋。

23、涂法 将该溶液制成膜， 然后将该膜置于恒定湿度与温度的干燥箱 ( 湿度为 30， 温度为 40 ) 中干燥 6h 后， 再放入 Ar 气保护的煅烧炉中进行煅烧 10h， 其中煅烧的温度为 600， 得到 ZnSe0.95Te0.05光致发光薄膜， 该薄膜的厚度为 35nm。 说 明 书 CN 102140348 A CN 102140353 A4/6 页 6 0046 本实施例制备的薄膜的吸收 - 发射光谱谱图如图 2 所示。 0047 实施例 3、 Ag2Te0.95S0.05光致发光薄膜的制备 0048 将 Ag2O 0.0232g、 Te 粉 0.0061g 和 S 粉 0.0001g 。

24、分散到水中得水溶液 ( 其中， 该 水溶液中 Ag2O、 Te 粉和 S 粉的质量百分含量分别为 9.28， 2.44， 0.04 )， 用旋涂法 将该溶液制成膜， 然后将该膜置于恒定湿度与温度的干燥箱 ( 湿度为 30， 温度为 40 ) 中干燥 6h 后， 再放入 Ar 气保护的煅烧炉中进行煅烧 21h， 其中煅烧的温度为 400， 得到 Ag2Te0.95S0.05光致发光薄膜， 该薄膜的厚度为 40nm。 0049 本实施例制备的薄膜的吸收 - 发射光谱谱图如图 3 所示。 0050 实施例 4、 PbS0.95Te0.05光致发光薄膜的制备 0051 将 PbO 0.0223g、 S。

25、 粉 0.0015g 和 Te 粉 0.0003g 分散到水中得水溶液 ( 其中， 该 水溶液中 PbO、 S 粉和 Te 粉的质量百分含量分别为 8.92， 0.60， 0.12 )， 用旋涂法将 该溶液制成膜， 然后将该膜置于恒定湿度与温度的干燥箱 ( 湿度为 30， 温度为 40 ) 中干燥 6h 后， 再放入 Ar 气保护的煅烧炉中进行煅烧 36h， 其中煅烧的温度为 500， 得到 PbS0.95Te0.05光致发光薄膜， 该薄膜的厚度为 30nm。 0052 本实施例制备的薄膜的吸收 - 发射光谱谱图如图 4 所示。 0053 实施例 5、 CdSeCdS 核壳微粒光致发光薄膜的制。

26、备 0054 将CdSeCdS核壳微粒0.0190g分散到水中得水溶液(该水溶液中， CdSeCdS核壳 微粒的质量百分含量为 7.33 )， 用提拉法将该溶液制成膜， 将该膜置于恒定湿度与温度 的干燥箱 ( 湿度为 30， 温度为 40 ) 中干燥 6h 得到 CdSeCdS 核壳微粒光致发光薄膜， 该薄膜的厚度为 30nm。 0055 由于 CdS 拥有比 CdSe 更宽的带隙， 对 CdSe 进行包覆后， 对 CdSe 表面具有钝化保 护作用， 减少 CdSe 表面的缺陷， 使得光生电子与空穴发生非辐射复合的几率大大减少， 从 而提高量子点的发光效率。 0056 本实施例制备的薄膜的吸收。

27、 - 发射光谱谱图如图 5 所示。 0057 实施例 6、 CdSeCdTe 核壳微粒光致发光薄膜的制备 0058 将CdSeCdTe核壳微粒0.0190g分散到水中得水溶液(该水溶液中， CdSeCdTe核 壳微粒的质量百分含量为 7.33 )， 用提拉法将该溶液制成膜， 将该膜置于恒定湿度与温 度的干燥箱 ( 湿度为 30， 温度为 40 ) 中干燥 6h 得到 CdSeCdTe 核壳微粒光致发光薄 膜， 该薄膜的厚度为 30nm。 0059 这类具有交错能带结构的核壳结构可以形成更窄的有效带宽， 使得发光波长红 移， 构建该类型的核壳结构可以获得单一无机半导体材料难以得到的发光波长。 0。

28、060 本实施例制备的薄膜的吸收 - 发射光谱谱图如图 6 所示。 0061 实施例 7、 CdSe0.95S0.05与 PVA 复合光致发光薄膜制备 0062 将 3g 聚乙烯醇 (PVA， 重均分子量为 5800g/mol) 溶于水中得到 PVA 的质量百分含 量为 3的水溶液， 然后升温至 90溶解得到清澈透明的溶液， 将 0.0190g CdSe0.95S0.05分 散于上述 PVA 溶液 105ml 中得到混合溶液 ( 该混合溶液中， CdSe0.95S0.05纳米颗粒的质量百 分含量为 1.19 )， 用提拉法将该混合溶液制成膜， 将该膜置于恒定湿度与温度的干燥箱 ( 湿度为 30。

29、， 温度为 40 ) 中干燥 6h 得到 CdSe0.95S0.05与 PVA 复合光致发光薄膜， 其中， CdSe0.95S0.05与 PVA 的质量比为 0.006， 该薄膜的厚度为 35nm。 说 明 书 CN 102140348 A CN 102140353 A5/6 页 7 0063 本实施例制备的薄膜的吸收 - 发射光谱谱图如图 7 所示。 0064 实施例 8、 CdTe0.95Se0.05与 PVP 复合光致发光薄膜制备 0065 将 4g 聚乙烯吡咯烷酮 (PVP， 重均分子量为 3000g/mol) 溶于水中得到 PVP 的质量百分含量为 4的水溶液， 然后升温至 90溶解。

30、得到清澈透明的溶液， 将 0.0239gCdTe0.95Se0.05分 散 于 上 述 PVP 溶 液 99ml 中 得 到 混 合 溶 液 ( 该 混 合 溶 液 中， CdTe0.95Se0.05纳米颗粒的质量百分含量为 2.39 )， 用提拉法将该混合溶液制成膜， 将该膜 置于恒定湿度与温度的干燥箱(湿度为30， 温度为40)中干燥6h得到CdTe0.95Se0.05与 PVP复合光致发光薄膜， 其中， CdTe0.95Se0.05与PVP的质量比为0.006， 该薄膜的厚度为40nm。 0066 实施例 9、 CdS0.95Se0.05与 PMMA 复合光致发光薄膜制备 0067 将 。

31、5g 聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA， 重均分子量为 142000g/mol) 溶于水中得到 PMMA 的质量百分含量为 5的水溶液， 然后升温至 90溶解得到清澈透明的溶液， 将 0.0016g CdS0.95Se0.05分散于上述溶液 107ml 中得到混合溶液 ( 该混合溶液中， CdS0.95Se0.05纳米颗粒 的质量百分含量为 0.14 )， 用提拉法将该混合溶液制成膜， 将该膜置于恒定湿度与温度 的干燥箱 ( 湿度为 30， 温度为 40 ) 中干燥 6h 得到 CdS0.95Se0.05与 PMMA 复合光致发光 薄膜， 其中， CdS0.95Se0.05与 PMMA 的质量比为。

32、 0.007， 该薄膜的厚度为 50nm。 0068 实施例 10、 CdS0.95Te0.05与 SiO2复合光致发光薄膜制备 0069 将 0.0128g CdO、 0.0015g S 粉和 0.0003gTe 粉加入到 Spin-On-Glass(SOG) 溶液 中 ( 其中， 该溶液中 CdO、 S 粉和 Te 粉的质量百分含量为 4.87， 0.60， 0.12 )， 分散均 匀， 用旋涂法将该溶液制成膜， 然后将该膜置于恒定湿度与温度的干燥箱 ( 湿度为 30， 温 度为 40 ) 中干燥 6h 后， 再放入 Ar 气保护的煅烧炉中进行煅烧 48h， 其中煅烧的温度为 500， 得。

33、到 CdS0.95Te0.05与 SiO2复合光致发光薄膜， 其中， CdS0.95Te0.05与 SiO2的质量比为 0.01， 该薄膜的厚度为 40nm。 0070 本实施例制备的薄膜的吸收 - 发射光谱谱图如图 8 所示。 0071 实施例 11、 ZnSe0.95S0.05与 SiO2复合光致发光薄膜制备 0072 将 0.0081g ZnO、 0.0037g Se 粉和 0.0001g S 粉加入到 Spin-On-Glass(SOG) 溶 液中 ( 其中， 该溶液中 ZnO、 Se 粉和 S 粉的质量百分含量为 3.24， 1.48， 0.04 )， 分散均 匀， 用旋涂法将该溶液。

34、制成膜， 然后将该膜置于恒定湿度与温度的干燥箱 ( 湿度为 30， 温 度为 40 ) 中干燥 6h 后， 再放入 Ar 气保护的煅烧炉中进行煅烧 72h， 其中煅烧的温度为 600， 得到 ZnSe0.95S0.05与 SiO2复合光致发光薄膜， 其中， ZnSe0.95S0.05与 SiO2的质量比为 0.008， 该薄膜的厚度为 40nm。 0073 实施例 12、 Ag2Te0.95Se0.05与 SiO2复合光致发光薄膜制备 0074 将 0.0232g Ag2O、 0.0061g Te 粉和 0.0002g Se 粉加入到 Spin-On-Glass(SOG) 溶 液中(其中， 该。

35、溶液中Ag2O、 Te粉和Se粉的质量百分含量为9.28， 2.44， 0.08)， 分散 均匀， 用旋涂法将该溶液制成膜， 然后将该膜置于恒定湿度与温度的干燥箱 ( 湿度为 30， 温度为 40 ) 中干燥 6h 后， 再放入 Ar 气保护的煅烧炉中进行煅烧 84h， 其中煅烧的温度为 300， 得到 Ag2Te0.95Se0.05与 SiO2复合光致发光薄膜， 其中， Ag2Te0.95Se0.05与 SiO2的质量比 为 0.007， 该薄膜的厚度为 40nm。 0075 实施例 13、 PbTe0.95S0.05与 SiO2复合光致发光薄膜制备 0076 将 0.0223g PbO、 。

36、0.0061g Te 粉和 0.0001g S 粉加入到 Spin-On-Glass(SOG) 溶液 说 明 书 CN 102140348 A CN 102140353 A6/6 页 8 中 ( 其中， 该溶液中 PbO、 Te 粉和 S 粉的质量百分含量为 8.92， 2.44， 0.04 )， 分散均 匀， 用旋涂法将该溶液制成膜， 然后将该膜置于恒定湿度与温度的干燥箱 ( 湿度为 40， 温 度为 40 ) 中干燥 6h 后， 再放入 Ar 气保护的煅烧炉中进行煅烧 92h， 其中煅烧的温度为 300， 得到 PbTe0.95S0.05与 SiO2复合光致发光薄膜， 其中， PbTe0.。

37、95S0.05与 SiO2的质量比为 0.01， 该薄膜的厚度为 40nm。 0077 实施例 14、 CdS0.95Te0.05与硅酸钠复合光致发光薄膜制备 0078 将 0.0128g CdO、 0.0015gS 粉和 0.0003gTe 粉加入到硅酸钠溶液中， 其中， 硅酸钠 的质量百分含量为 3， CdO、 S 粉和 Te 粉的质量百分含量为 5.12、 0.6和 0.12， 分散 均匀， 用旋涂法将该溶液制成膜， 然后将该膜置于恒定湿度与温度的干燥箱 ( 湿度为 30， 温度为 40 ) 中干燥 6h 后， 再放入 Ar 气保护的煅烧炉中进行煅烧 4h， 其中煅烧的温度为 300， 。

38、得到 CdS0.95Te0.05与硅酸钠复合光致发光薄膜， 其中， CdS0.95Te0.05与硅酸钠的质量比 为 0.006， 该薄膜的厚度为 40nm。 0079 实施例 15、 CdSe0.95S0.05与铝酸钠复合光致发光薄膜制备 0080 将0.0128g CdO、 0.0037g Se粉和0.0001gS粉加入到铝酸钠溶液中， 其中， 铝酸钠 的质量百分含量为 4， CdO、 Se 粉和 S 粉的质量百分含量为 5.12， 0.74， 0.04， 分散 均匀， 用旋涂法将该溶液制成膜， 然后将该膜置于恒定湿度与温度的干燥箱 ( 湿度为 30， 温度为 40 ) 中干燥 6h 后， 。

39、再放入 Ar 气保护的煅烧炉中进行煅烧 96h， 其中煅烧的温度为 400， 得到 CdSe0.95S0.05与铝酸钠复合光致发光薄膜， 其中， CdSe0.95S0.05与铝酸钠的质量比 为 0.008， 该薄膜的厚度为 40nm。 0081 本实施例制备的薄膜的吸收 - 发射光谱谱图如图 9 所示。 0082 实施例 16、 CdTe0.95S0.05与硼酸钠复合光致发光薄膜制备 0083 将0.0128g CdO、 0.0061g Te粉和0.0001g S粉加入到硼酸钠溶液中， 其中， 硼酸钠 的质量百分含量为 5， CdO、 Te 粉和 S 粉的质量百分含量为 5.12、 2.44和。

40、 0.04， 分散 均匀， 用旋涂法将该溶液制成膜， 然后将该膜置于恒定湿度与温度的干燥箱 ( 湿度为 30， 温度为 40 ) 中干燥 6h 后， 再放入 Ar 气保护的煅烧炉中进行煅烧 96h， 其中煅烧的温度为 600， 得到 CdTe0.95S0.05与硼酸钠复合光致发光薄膜， 其中， CdTe0.95S0.05与硼酸钠的质量比 为 0.01， 该薄膜的厚度为 40nm。 说 明 书 CN 102140348 A CN 102140353 A1/2 页 9 图 1图 2 图 3 图 4 图 5图 6 说 明 书 附 图 CN 102140348 A CN 102140353 A2/2 页 10 图 7 图 8 图 9 说 明 书 附 图 CN 102140348 A 。