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本发明在于提供一种具有较高AgO含量的AgOx薄膜的制备技术,采用化学沉积法实现。反应物采用硝酸银和三乙醇胺,通过调整反应液中的银离子浓度和前后两次的三乙醇胺滴加量以及相应的工艺参数来控制薄膜中AgO含量,制备的AgOx薄膜中AgO含量最高可达到54wt.。该方法制备工艺流程简单,不需要苛刻的反应设备和条件,且容易实现较高AgO含量的AgOx薄膜制备,对于较高AgO含量的AgOx薄膜在液体抗菌领域。