增加钽圈使用寿命的处理方法.pdf

本发明提出一种集成电路制造工艺涂覆制程中增加钽圈使用寿命的处理方法，将使用后的钽圈放入到氮气柜内隔离，将上述钽圈取出放入烘烤箱内进行烘烤，然后对上述冷却后的钽圈进行重组装，再对上述钽圈进行预烧处理以及溅镀处理，这样处理后的钽圈又可被再次使用，有效的增加了钽圈的使用寿命以及钽圈再次利用的次数，从而降低了涂覆制程中使用钽圈的运行成本。

1.  一种集成电路制造工艺涂覆制程中增加钽圈使用寿命的处理方法，其特征在于包括下列步骤：
将使用后的钽圈放入到氮气柜内；
将上述钽圈放入烘烤箱内进行烘烤；
对上述冷却后的钽圈进行重组装；以及
对上述钽圈进行预烧处理以及溅镀处理。

2.  根据权利要求1所述的增加钽圈使用寿命的处理方法，其特征在于其中上述钽圈放入氮气柜前暴露在空气中的时间小于30分钟。

3.  根据权利要求1所述的增加钽圈使用寿命的处理方法，其特征在于其中对上述钽圈进行烘烤步骤的开始时间为对上述钽圈进行重组装步骤之前的3小时。

4.  根据权利要求1所述的增加钽圈使用寿命的处理方法，其特征在于其中上述烘烤箱内的温度为100-200摄氏度。

5.  根据权利要求1所述的增加钽圈使用寿命的处理方法，其特征在于其中将上述钽圈放入烘烤箱内进行烘烤的时间为30-60分钟。

6.  根据权利要求1所述的增加钽圈使用寿命的处理方法，其特征在于其中对上述钽圈进行溅镀处理为使用射频溅镀系统或直流溅镀系统。

增加钽圈使用寿命的处理方法
技术领域
本发明涉及一种集成电路工艺涂覆制程中钽圈的处理方法，且特别涉及一种增加钽圈使用寿命的处理方法。
背景技术
金属被用于制造集成电路内部连接各个元件的电路。铝是常用的金属材料之一，因为它廉价，而且性能不差。而现今主流的集成电路大都使用了铜来代替铝，因为铝的电迁移性太大，已经无法满足当前飞速发展的集成电路制造工艺的需要。所谓电迁移，是指金属的个别原子在特定条件下(例如高电压)从原有的地方迁出。铜互连(Copper Interconnect)技术能够明显的减少电迁移现象，同时还能比铝工艺制造的电路更小，这也是在纳米级制造工艺中不可忽视的一个问题。不仅仅如此，铜比铝的电阻还要小得多。种种优势让铜互连工艺迅速取代了铝的位置，成为集成电路制造的主流之选。
在高级设计中，铜互连线作为可在芯片中传导电流的极其精细的金属线，使用频率的日益增加；钽对于半导体制造业已变得日益重要。制造商将钽金属用作阻挡层，防止铜有害地扩散进周边材料。将钽金属应用于芯片生产的最常见的方法之一是利用钽物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)制程，溅镀靶材(Sputtering Targets)中的钽金属作为一层薄膜在芯片上蒸发和沉积。在铜互连的钽金属涂覆制程中，钽圈的使用在不同的双镶嵌(dual damascene)结构特别是130nm以下复杂的技术节点中可以更加灵活的调整侧边以及底部的涂层步骤。
然而钽圈在涂覆制程中的多次的沉积和蚀刻工序会使得钽圈的表面堆积有复杂的薄膜层，当该薄膜层变得越来越厚时其可能成为潜在的粒子源。为了确保涂覆钽金属的腔室内具有良好的粒子状况，钽圈具有限定的使用寿命，而且两个线圈需要匹配一个靶材的使用寿命是当今工业的基准。高纯度的钽圈的单位价格相当于钽金属靶材单位价格的70％，因此钽圈具有高价格低寿命的特点，涂覆钽金属制程也具有较高的运行成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种集成电路制造工艺涂覆制程中增加钽圈使用寿命的处理方法，该方法可有效增加钽圈的使用寿命，能够增加钽圈再次利用的次数，从而降低涂覆制程中使用钽圈的运行成本。
为了实现上述目的，本发明提出一种集成电路制造工艺涂覆制程中增加钽圈使用寿命的处理方法，其包括下列步骤：将使用后的钽圈放入到氮气柜内；将上述钽圈放入烘烤箱内进行烘烤；对上述冷却后的钽圈进行重组装；以及对上述钽圈进行预烧处理以及溅镀处理。
进一步的，其中上述钽圈放入氮气柜前暴露在空气中的时间小于30分钟。
进一步的，其中对上述钽圈进行烘烤步骤的开始时间为对上述钽圈进行重组装步骤之前的3小时。
进一步的，其中上述烘烤箱内的温度为100-200摄氏度。
进一步的，其中将上述钽圈放入烘烤箱内进行烘烤的时间为30-60分钟。
进一步的，其中对上述钽圈进行溅镀处理为使用射频溅镀系统或直流溅镀系统。
本发明提出的集成电路制造工艺涂覆制程中增加钽圈使用寿命的处理方法，将使用后的钽圈放入到氮气柜内隔离，将上述钽圈取出放入烘烤箱内进行烘烤，然后对上述冷却后的钽圈进行重组装，再对上述钽圈进行预烧处理以及溅镀处理，这样处理后的钽圈又可被再次使用，有效的增加了钽圈的使用寿命以及钽圈再次利用的次数，从而降低了涂覆制程中使用钽圈的运行成本。
附图说明
图1所示为本发明一较佳实施例的钽圈的处理流程图。
具体实施方式
为了更了解本发明的技术内容，特举较佳具体实施例并配合所附图式说明如下。
请参考图1，图1所示为本发明一较佳实施例的钽圈的处理流程图。本发明提出的集成电路制造工艺涂覆制程中增加钽圈使用寿命的处理方法，其包括下列步骤：步骤100：将使用后的钽圈放入到氮气柜内；步骤110：将上述钽圈放入烘烤箱内进行烘烤；步骤120：对上述冷却后的钽圈进行重组装；以及步骤130：对上述钽圈进行预烧处理以及溅镀处理。
根据本发明一较佳实施例，当使用后的钽圈被从腔室内取出后，其被放入到氮气柜内部进行隔离处理步骤100，而该钽圈从腔室内取出到放入到氮气柜内之间会暴露在空气之中，而这个时间应当小于30分钟，因为长时间暴露在空气之中会有湿气以及其他有机污染破坏钽圈的纯度以及干燥度。之后对于该钽圈进行烘烤处理步骤110，而对上述钽圈进行烘烤步骤110的开始时间为对上述钽圈进行重组装步骤120之前的3小时，使用中等温度例如100-200摄氏度进行烘烤30-60分钟的处理，这样就能够有效地去除钽圈所吸收的湿气或者其他有机污染，而因为氮气具有惰性的特点，其也能阻碍钽圈在烘烤处理时氧化情况的发生。当上述经过烘烤后的钽圈被冷却至室温之后，其会被送到另一腔室内进行重组装步骤120。在重组装处理步骤120之后，对上述钽圈进行预烧处理以及溅镀处理130，如此能够更加有效的清洁上述钽圈，而对上述钽圈进行溅镀处理为使用射频溅镀系统或直流溅镀系统。
综上所述，本发明提出的集成电路制造工艺涂覆制程中增加钽圈使用寿命的处理方法，将使用后的钽圈放入到氮气柜内隔离，将上述钽圈取出放入烘烤箱内进行烘烤，然后对上述冷却后的钽圈进行重组装，再对上述钽圈进行预烧处理以及溅镀处理，这样处理后的钽圈又可被再次使用，有效的增加了钽圈的使用寿命以及钽圈再次利用的次数，从而降低了涂覆制程中使用钽圈的运行成本。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。