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本发明涉及能耐受跳回的集成电路,其中提供一种用于防止MOS集成电路的NMOS晶体管中的跳回电流的方法和电路。实例性实施例可包括防止电路中的跳回电流,所述电路包括具有相关联的寄生双极晶体管的第一NMOS晶体管。第二NMOS晶体管可与所述第一NMOS晶体管串联连接。所述第二NMOS晶体管的栅极节点可耦合到偏压节点,使得所述第二NMOS晶体管处于传导(接通)状态。耦合到所述第一NMOS晶体管的源极节点的。