CN85100062
1985.04.01
CN85100062A
1986.08.06
终止
无权
|||授权|||审定|||公开|||
C23C14/54
清华大学
许知止; 李春茂; 周炳琨
北京市海淀区清华园
清华大学专利事务所
廖元秋
真空镀膜采用致冷器冷却方法是用在被镀工件必须冷却的真空镀膜技术中。由于采用致冷器冷却,和原有的水或液氮冷却系统相比,具有体积小,结构简单,操作简便,装卸容易,效率高,成本低等优点。它特别适用于易受热损坏的镀件的真空镀膜工艺中。
1: 一种真空镀膜的冷却方法,其特征在于采用一个以上的致冷器[1]冷却被镀工件[2]。2: 按照权利要求1所述的冷却方法,其特征在于将致冷器〔1〕的冷端与被镀工件相连,两端由耐高温导线〔3〕直接引至镀膜机原有的一对电极〔4〕上,再由电极在罩外接出两根导线〔5〕至一个直流稳压电源上。3: 按照权利要求1、2所述的冷却方法,其特征是用于砷化镓半导体激光器解理面镀单层介质膜,采用三个串联的半导体致冷器〔1〕冷却该激光器,其中一个致冷器的冷端用低熔点焊锡与激光器的热沉相粘连,其它两个致冷器分别置于激光器的两侧。
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真空镀膜采用致冷器冷却方法是用在被镀工件必须冷却的真空镀膜技术中。由于采用致冷器冷却,和原有的水或液氮冷却系统相比,具有体积小,结构简单,操作简便,装卸容易,效率高,成本低等优点。它特别适用于易受热损坏的镀件的真空镀膜工艺中。 。
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