一种高磁导率 MnZn 铁氧体材料的烧结方法 技术领域 本发明涉及 MnZn 铁氧体材料的烧结技术，具体地，涉及一种高磁导率 MnZn 铁 氧体材料及其烧结方法。
背景技术 目前，随着电子技术的发展，电子产品、整机等都在往小型化、绿色化得方向 发展，对高磁导率材料的要求也越来越高 ；例如，对电感参数的要求相同的变压器，磁 性材料的磁导率越高时，变压器的体积可以越小。 可见，在电子技术领域，高磁导率的 磁性材料的应用和需求较广泛。
在现有技术中，如图 1 所示，在 MnZn 铁氧体材料的烧结方法中，以 50-300℃ / h 的升温速度进行升温，在 1300-1450 ℃的高温区，恒温保持 3-8 小时后，进入降温阶 段。
按 照 上 述 烧 结 方 法， 所 得 MnZn 铁 氧 体 材 料 的 初 始 磁 导 率 较 低， 通 常 在 9000-11000H/m。 但是，为了迎合电子技术的发展趋势，需要进一步提高 MnZn 铁氧体 材料的初始磁导率，以进一步缩小电子产品和整机的体积。
发明内容 本发明的目的在于，针对上述问题，提出一种高磁导率 MnZn 铁氧体材料的烧 结方法，以实现磁导率高的优点。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是 ：一种高磁导率 MnZn 铁氧体材料 的烧结方法，包括如下步骤 ：a、以 50-300℃ /h 的升温速度，对 MnZn 铁氧体材料进行加 热，当所述 MnZn 铁氧体材料的温度升至 1300-1450℃时，进行一次恒温保温 ；b、一次 恒温保温 2-4h 后，对所述 MnZn 铁氧体材料进行降温，当所述 MnZn 铁氧体材料的温度 降至 1150-1300℃时，进行二次恒温保温 ；c、二次恒温保温 10-60min 后，对所述 MnZn 铁氧体材料进行升温，当所述 MnZn 铁氧体材料的温度升至 1300-1450℃时，进行三次恒 温保温 ；d、三次恒温保温 1-4h 后，对所述 MnZn 铁氧体材料进行降温处理。
进一步地，在步骤 c 中，所述三次恒温保温的温度比一次恒温保温的温度高 0-100℃。
进一步地，当频率为 10KHz 时，由上述烧结方法所得 MnZn 铁氧体材料的初始 磁导率至少为 15000H/m。
优选地，所述 MnZn 铁氧体材料的初始磁导率为 18000-28000H/m。
本发明各实施例的高磁导率 MnZn 铁氧体材料及其烧结方法，其中，该方法包 括如下步骤 ：以 50-300℃ /h 的升温速度，对 MnZn 铁氧体材料进行加热，当 MnZn 铁氧 体材料的温度升至 1300-1450℃时，进行一次恒温保温 2-4h 后，对 MnZn 铁氧体材料进行 降温，当 MnZn 铁氧体材料的温度降至 1150-1300℃时，进行二次恒温保温 10-60min 后， 对 MnZn 铁氧体材料进行升温，当 MnZn 铁氧体材料的温度升至 1300-1450℃时，进行三
次恒温保温 1-4h 后，对 MnZn 铁氧体材料进行降温处理 ；由于在升温后，采用三段恒温 保温，三段恒温保温后，再进行降温处理 ；也就是说，通过烧结工艺曲线的改进，特别 是在高温区采用二段式保温的方式，可以达到匀化、并增大 MnZn 铁氧体材料内部晶粒 的效果，有利于提高 MnZn 铁氧体材料的磁导率 ；并且，在此过程中，烧结气氛中的氧 含量可以根据平衡氧分压理论进行调整 ；从而可以克服现有技术中磁导率低的缺陷，以 实现磁导率高的优点。 这里，氧分压理论为常规处理，可以按氧分压公式计算得到 ；氧 分压公式为 ：LogPO2 ＝ -C1/(T+273.15)+C2，其中 ：T 为烧结温度 ；C1、 C2 为烧结常 数。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中 变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。 本发明的目的和其他优点可通过在所写的 说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。 附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的 实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。 在附图中 ： 图 1 为根据现有技术中高磁导率 MnZn 铁氧体材料的烧结方法的烧结曲线示意 图 2 为根据本发明高磁导率 MnZn 铁氧体材料的烧结方法的烧结曲线示意图。图；
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选 实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
高磁导率 MnZn 铁氧体材料的烧结方法实施例
实施例一
根据本发明实施例，提供了一种高磁导率 MnZn 铁氧体材料的烧结方法。 在本 实施例中，高磁导率 MnZn 铁氧体材料的烧结方法包括如下步骤 ：
步骤 101 ：以 100℃ /h 的升温速率，对 MnZn 铁氧体材料进行加热，当 MnZn 铁 氧体材料的温度升至 1300℃时，进行一次恒温保温 ；
步骤 102 ：一次恒温保温 4h 后，对 MnZn 铁氧体材料进行降温，当 MnZn 铁氧 体材料的温度降至 1150℃时，进行二次恒温保温 ；
步骤 103 ：二次恒温保温 60min 后，对 MnZn 铁氧体材料进行升温，当 MnZn 铁 氧体材料的温度升至 1400℃时，进行三次恒温保温 ；
步骤 104 ：三次恒温保温 1h 后，对 MnZn 铁氧体材料进行降温处理。
经上述步骤 101- 步骤 104，可以完成 MnZn 铁氧体材料的烧结。 其中，在步骤 103 中三次恒温保温的温度比步骤 101 中一次恒温保温的温度高 100℃。
实施例二
与上述实施例不同的是，在本实施例中，高磁导率 MnZn 铁氧体材料的烧结方 法包括如下步骤 ：步骤 101 ：以 175℃ /h 的升温速率，对 MnZn 铁氧体材料进行加热，当 MnZn 铁 氧体材料的温度升至 1400℃时，进行一次恒温保温 ；
步骤 102 ：一次恒温保温 3h 后，对 MnZn 铁氧体材料进行降温，当 MnZn 铁氧 体材料的温度降至 1225℃时，进行二次恒温保温 ；
步骤 103 ：二次恒温保温 35min 后，对 MnZn 铁氧体材料进行升温，当 MnZn 铁 氧体材料的温度升至 1450℃时，进行三次恒温保温 ；
步骤 104 ：三次恒温保温 2.5h 后，对 MnZn 铁氧体材料进行降温处理。
经上述步骤 101- 步骤 104，可以完成 MnZn 铁氧体材料的烧结。 其中，在步骤 103 中三次恒温保温的温度比步骤 101 中一次恒温保温的温度高 50℃。
实施例三
与上述实施例不同的是，在本实施例中，高磁导率 MnZn 铁氧体材料的烧结方 法包括如下步骤 ：
步骤 101 ：以 300℃ /h 的升温速率，对 MnZn 铁氧体材料进行加热，当 MnZn 铁 氧体材料的温度升至 1450℃时，进行一次恒温保温 ；
步骤 102 ：一次恒温保温 2h 后，对 MnZn 铁氧体材料进行降温，当 MnZn 铁氧 体材料的温度降至 1300℃时，进行二次恒温保温 ；
步骤 103 ：二次恒温保温 10min 后，对 MnZn 铁氧体材料进行升温，当 MnZn 铁 氧体材料的温度升至 1450℃时，进行三次恒温保温 ；
步骤 104 ：三次恒温保温 4h 后，对 MnZn 铁氧体材料进行降温处理。
经上述步骤 101- 步骤 104，可以完成 MnZn 铁氧体材料的烧结。 其中，在步骤 103 中三次恒温保温的温度与步骤 101 中一次恒温保温的温度相同。
在上述实施例一至实施例三中，高磁导率 MnZn 铁氧体材料的烧结方法的烧结 曲线可参考图 2。
在上述实施例一至实施例三中，当频率为 10KHz 时，烧结所得 MnZn 铁氧体材 料的初始磁导率至少为 15000H/m ；优选地， MnZn 铁氧体材料的初始磁导率可以达到 18000-28000H/m。
另外，在上述实施例一至实施例三中，高磁导率 MnZn 铁氧体材料的主要组分 和摩尔百分比含量可以包括 ：Fe2O3 ：50-58mol％ ；ZnO ：17-30mol％ ；MnO ：余量。
进 一 步 地， 上 述 高 磁 导 率 MnZn 铁 氧 体 材 料 的 次 要 组 分 还 包 括 CaO、 SiO2、 Bi2O3、 MoO3、 Nb2O5 和 Co2O3， 其 中， 各 次 要 组 分 的 体 积 浓 度 分 别 为 ：0 ＜ CaO ≤ 1000 PPm ；0 ≤ SiO 2≤ 100 PPm ；0 ＜ Bi 2O 3≤ 1000 PPm ；0 ≤ MoO 3≤ 1000 PPm ； 0≤Nb2O5≤300PPm ；0≤Co2O3≤500PPm。
综上所述，本发明各实施例的高磁导率 MnZn 铁氧体材料及其烧结方法，其 中，该方法包括如下步骤 ：以 50-300 ℃ /h 的升温速度，对 MnZn 铁氧体材料进行加 热，当 MnZn 铁氧体材料的温度升至 1300-1450 ℃时，进行一次恒温保温 2-4h 后，对 MnZn 铁氧体材料进行降温，当 MnZn 铁氧体材料的温度降至 1150-1300℃时，进行二次 恒温保温 10-60min 后，对 MnZn 铁氧体材料进行升温，当 MnZn 铁氧体材料的温度升至 1300-1450℃时，进行三次恒温保温 1-4h 后，对 MnZn 铁氧体材料进行降温处理 ；通过在 高温区采用二段式保温的方式，可以达到匀化、并增大 MnZn 铁氧体材料内部晶粒，有利于提高 MnZn 铁氧体材料的磁导率 ；由该烧结方法烧结得到的 MnZn 铁氧体材料，在频 率为 10KHz 时，初始磁导率可以达到 18000-28000H/m ；并且，在此过程中，烧结气氛 中的氧含量可以根据平衡氧分压理论进行调整 ；从而可以克服现有技术中磁导率低的缺 陷，以实现磁导率高的优点。
最后应说明的是 ：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发 明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其 依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等 同替换。 凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包 含在本发明的保护范围之内。