一种喷嘴的清洁方法.pdf

本发明提出了一种喷嘴的清洁方法，针对现有E2/E3喷嘴都是通过人工清洁从而导致极易对喷头造成损伤，或是由于手脏污或是无尘布脏污造成导致清洁不彻底的问题而发明。本发明提出了一种喷嘴的清洁方法，充分利用了E2/E3喷嘴接触式的特点，通过在晶片表面喷去离子水，并通过去离子水的表面张力使E2/E3喷嘴浸泡在去离子水中，通过晶片表面的去离子水清洁E2/E3喷嘴。本发明提出的喷嘴清洁方法能够有效的清洁E2/E3喷嘴，并能够解决现有技术中人工清洁喷嘴带来的易损坏、清洁不彻底等问题。

1.  一种喷嘴的清洁方法，包括：
在晶片表面喷去离子水，并将喷嘴移动到晶片表面，使喷嘴与所述去离子水接触以清洁喷嘴。

2、  根据权利要求1所述的喷嘴的清洁方法，其特征在于，所述方法具体为：
步骤1、在晶片表面喷去离子水，并使去离子水均匀覆盖在晶片表面；
步骤2、将喷嘴移动到晶片表面，并使喷嘴与晶片表面的去离子水接触。

3、  根据权利要求1所述的喷嘴的清洁方法，其特征在于，所述步骤1具体为：
步骤11、清洁臂移动到晶片表面，喷去离子水以清洁晶片表面；
步骤12、晶片静止，清洁臂将去离子水喷在静止的晶片表面；
步骤13、将晶片旋转，以使去离子水在晶片表面均匀覆盖。

4、  根据权利要求1所述的喷嘴的清洁方法，其特征在于，所述步骤2具体为：
步骤21、将喷嘴移动到晶片表面，并使喷嘴与晶片表面的去离子水接触；
步骤22、晶片每隔一预设时间转动，以中和去离子水中的杂质。

一种喷嘴的清洁方法
技术领域
本发明涉及一种喷嘴的清洁方法。
背景技术
接触式，在ACT-8机台上的显影液是通过E2/E3喷头喷洒在晶片表面，然后通过晶片的转动帮助显影液更好的将曝光的光阻去除。由于E2/E3喷头在喷洒显影液时距离晶片的距离0.9～1mm，因此喷头会通过喷出的显影液接触到晶片，因此这种方式称为接触式。
这种方式有一个常见的问题，由于喷头长时间通过接触晶片，使喷头表面会出现碳酸盐结晶，这些结晶会在后续的制程中会污染晶片。
现有技术中是通过人工方式清洗，即人工使用无尘布沾着去离子水来擦拭喷头表面。这种人工方式极易对喷头造成损伤，或是由于手脏污或是无尘布脏污造成导致清洁不彻底。
发明内容
针对现有技术中存在的缺陷和不足，本发明的目的是提出一种喷嘴的清洁方法，能够自动对喷头进行清洗，较人工清洗更安全可靠。
为了达到上述目的，本发明提出了一种喷嘴的清洁方法，包括：
在晶片表面喷去离子水，并将喷嘴移动到晶片表面以使喷嘴与所述去离子水接触。
作为上述技术方案的优选，所述方法具体为：
步骤1、在晶片表面喷去离子水，并使去离子水均匀覆盖在晶片表面；
步骤2、将喷嘴移动到晶片表面，并使喷嘴与晶片表面的去离子水接触。
作为上述技术方案的优选，所述步骤1具体为：
步骤11、清洁臂移动到晶片表面，喷去离子水以清洁晶片表面；
步骤12、晶片静止，清洁臂将去离子水喷在静止的晶片表面；
步骤13、将晶片旋转，以使去离子水在晶片表面均匀覆盖。
作为上述技术方案的优选，所述步骤2体为：
步骤21、将喷嘴移动到晶片表面，并使喷嘴与晶片表面的去离子水接触；
步骤22、晶片每隔一预设时间转动，以中和去离子水中的杂质。
本发明提出了一种喷嘴的清洁方法，针对现有E2/E3喷嘴都是通过人工清洁从而导致极易对喷头造成损伤，或是由于手脏污或是无尘布脏污造成导致清洁不彻底的问题而发明。本发明提出了一种喷嘴的清洁方法，充分利用了E2/E3喷嘴接触式的特点，通过在晶片表面喷去离子水，并通过去离子水的表面张力使E2/E3喷嘴浸泡在去离子水中，通过晶片表面的去离子水清洁E2/E3喷嘴。本发明提出的喷嘴清洁方法能够有效的清洁E2/E3喷嘴，并能够解决现有技术中人工清洁喷嘴带来的易损坏、清洁不彻底等问题。
附图说明
图1为本发明第一优选实施例流程图；
图2为本发明第一优选实施例流程图。
具体实施方式
下面对本发明做出进一步说明。
本发明第一优选实施例如图1所示，包括：
步骤A、将清洁臂、喷嘴臂都设置于初始位置；
步骤B、清洁臂移动到晶片表面，以2000转/分的转速喷去离子水以清洁晶片表面；
步骤C、晶片静止，清洁臂将去离子水喷在静止的晶片表面；
步骤D、晶片旋转180度，以使去离子水在晶片表面均匀覆盖；
步骤D中晶片旋转是为了让去离子水在晶片表面均匀覆盖，旋转晶片以及晶片的旋转角度只是实现让去离子水在晶片表面均匀覆盖的一种方式，本领域内技术人员可以理解还可以采用其他方式，也应在本发明的保护范围之内；
步骤E、将喷嘴臂移动到晶片表面以使喷嘴与晶片表面的去离子水接触，晶片每隔30秒旋转180度，以中和去离子水中的杂质；
步骤E中晶片旋转是为了让去离子水在晶片表面移动，以中和与E2/E3喷嘴接触部分的去离子水中的杂质；旋转晶片、旋转的间隔时间、晶片的旋转角度只是实现中和去离子水中杂质的一种方式，本领域内技术人员可以理解还可以采用其他方式，也应在本发明的保护范围之内；
步骤F、喷嘴臂移动回初始位置；
步骤G、清洁臂移动到晶片中心位置，对晶片表面进行清洁，然后回到初始位置。
由于现有的晶片制程都已是流水线化，因此本发明提出的第二优选实施例，其流程如图2所示，包括：
步骤a、将清洁臂、喷嘴臂都设置于初始位置；
步骤b、清洁臂移动到晶片表面，以2000转/分的转速喷去离子水以清洁晶片表面；
步骤c、晶片静止，清洁臂将去离子水喷在静止的晶片表面；
步骤d、晶片旋转180度，以使去离子水在晶片表面均匀覆盖；喷嘴臂的E2/E3喷嘴在初始位置喷显影液；
步骤e、将喷嘴臂移动到晶片表面以使喷嘴与晶片表面的去离子水接触，晶片每隔30秒旋转180度，以中和去离子水中的杂质；
步骤f、喷嘴臂移动回初始位置；
步骤g、清洁臂移动到晶片中心位置，再次对晶片表面进行清洁，然后回到初始位置。
在上述第二优选实施例中，是适合流水线制造的流程。具体的说，在步骤d中，喷嘴E2/E3首先在令一个晶片表面喷显影液，然后回到本发明步骤中的晶片表面进行清洗喷嘴E2/E3。本领域内技术人员可以理解，在后续步骤中可以重复上述步骤，即可持续完成清洗晶片表面、喷显影液、再次清洗这一流程。
虽然，本发明已通过以上实施例及其附图而清楚说明，然而在不背离本发明精神及其实质的情况下，所属技术领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的变化和修正，但这些相应的变化和修正都应属于本发明的权利要求的保护范围。