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发光装置、 打印头以及图像形成设备
    【技术领域】
     本发明涉及发光装置、自扫描发光元件阵列的驱动方法、打印头以及图像形成设备。 背景技术
     在电子照相图像形成设备 ( 诸如打印机、复印机或传真机 ) 中，以如下方式在 记录纸张上形成图像。 首先，通过使得光学记录单元发光从而把图像信息转移到感光体 上来在均匀充电的感光体上形成静电潜像。 随后，通过采用调色剂显影使得静电潜像可 见。 最后，把调色剂图像转印并定影到记录纸张上。 除了通过使用激光束在第一扫描方 向上进行激光扫描执行曝光的光学扫描记录单元之外，近些年已采用使用下面的 LED 打 印头 (LPH) 的记录装置作为这种光学记录单元以适应减小设备尺寸的需要。 这种 LPH 包 括在第一扫描方向上排列的大量发光二极管 (LED)，这些发光二极管作为发光元件。 日本专利申请公开 No.2004-181741 描述了一种自扫描发光元件阵列 (SLED ： 自扫描发光装置 ) 芯片，其中移位部分和发光部分彼此分离，并且该芯片具有二极管耦 合。 在这种结构的 SLED 芯片中，移位部分中的晶闸管并不具有与其相连的对应发光晶 闸管，以便实现多重发光并且中断进行中的数据写入。
     在使用具有 SLED 的 LPH 的记录装置中，使用实现多重发光的 SLED 芯片造成 功耗增加。
     本发明的目的在于提供一种抑制功耗增加的使用实现多重发光的自扫描发光元 件阵列的发光装置、自扫描发光元件阵列的驱动方法、打印头以及图像形成设备。
     发明内容 根据本发明的第一方面，提供了一种发光装置，包括 ：自扫描发光元件阵列 ； 以及点亮控制器，所述自扫描发光元件阵列包括 ：直线排列的多个发光元件 ；多个存储 器元件，其设置为与各个发光元件相对应并且电连接到各个发光元件，每一个存储器元 件都被设定在导通状态和关断状态中的任一个状态，与被设定在关断状态的情况相比， 在被设定在导通状态的情况下，所述多个存储器元件使得各个发光元件容易被设定在导 通状态 ；以及多个开关元件，其设置为与各个存储器元件相对应并且电连接到各个存储 器元件，每个开关元件都被设定在导通状态和关断状态中的任一个状态，所述多个开关 元件被设定成允许导通状态从一端侧顺序移动到另一端侧，与关断状态的情况相比，在 被设定在导通状态的情况下，所述多个开关元件使得各个存储器元件容易被设定在导通 状态 ；所述点亮控制器包括 ：转移信号生成单元，其把转移信号提供到所述多个开关元 件，所述转移信号设定所述多个开关元件从而允许导通状态从一端侧顺序移动到另一端 侧 ；存储器信号生成单元，其把存储器信号提供到与所述多个发光元件被分成的多个组 中的一组的多个发光元件相对应的多个存储器元件，在与形成所述组的发光元件相对应 的开关元件被设定在导通状态的情况下，如果想要点亮与所述开关元件相对应的发光元
     件，则所述存储器信号使得与设定在导通状态的开关元件相对应的存储器元件临时从关 断状态变成导通状态，并且如果不想点亮与所述开关元件相对应的发光元件，则所述存 储器信号使得与设定在导通状态的开关元件相对应的存储器元件保持在关断状态，并且 随后使得已经被临时变成导通状态的存储器元件再次临时设定在导通状态 ；以及点亮信 号生成单元，其针对每一组把点亮信号提供到所述多个发光元件，在使得与想要点亮的 发光元件相对应的存储器元件设定在导通状态之后，所述点亮信号使得所述想要点亮的 发光元件设定在导通状态。
     根据本发明的第二方面，在发光装置的第一方面，所述自扫描发光元件阵列还 包括多个消除元件，所述多个消除元件设定为与各个存储器元件相对应并且电连接到各 个存储器元件，并且所述点亮控制器还包括消除信号生成单元，所述消除信号生成单元 把消除信号提供 到所述多个消除元件，在所述组中想要点亮的发光元件被设定在导通状 态之后，所述消除信号防止与所述想要点亮的发光元件相对应的存储器元件设定在导通 状态。
     根据本发明的第三方面，在发光装置的第一和第二方面中任一方面，所述自扫 描发光元件阵列还包括多个保持元件，所述多个保持元件设置在各个发光元件和各个存 储器元件之间从而与各个发光元件和各个存储器元件相对应，并且电连接到各个发光元 件和各个存储器元件，与关断状态的情况相比，在各个存储器元件被设定在导通状态的 情况下，所述多个保持元件使得各个发光元件容易点亮，并且所述点亮控制器还包括保 持信号生成单元，所述保持信号生成单元把保持信号提供到所述多个保持元件，在使得 与所述组中想要点亮的发光元件相对应的存储器元件设定在导通状态之后，所述保持信 号使得与处于导通状态的存储器元件相对应的保持元件设定在导通状态。 根据本发明的第四方面，提供了一种发光装置，包括 ：自扫描发光元件阵列 ； 以及点亮控制器，所述自扫描发光元件阵列包括 ：基板 ；多个发光晶闸管，其形成在 所述基板上并且直线排列 ；多个存储器晶闸管，其形成在所述基板上并且设置为与各个 发光晶闸管相对应，并且电连接到各个发光晶闸管，每一个存储器晶闸管都被设定在导 通状态和关断状态中的任一个状态，所述多个存储器晶闸管把所述多个发光晶闸管的各 个阈值电压变成这样的值 ：与被设定在关断状态的情况相比，在被设定在导通状态的情 况下，所述值使得各个发光晶闸管容易被设定在导通状态 ；以及多个转移晶闸管，其形 成在所述基板上并且设置为与各个存储器晶闸管相对应，并且电连接到各个存储器晶闸 管，每一个转移晶闸管都被设定在导通状态和关断状态中的任一个状态，所述多个转移 晶闸管被设定成允许导通状态从一端侧顺序移动到另一端侧，并且把所述多个存储器晶 闸管的各个阈值电压变成这样的值 ：与关断状态的情况相比，在被设定在导通状态的情 况下，所述值使得各个存储器晶闸管容易被设定在导通状态 ；所述点亮控制器包括 ：转 移信号生成单元，其把转移信号提供到所述多个转移晶闸管，所述转移信号设定所述多 个转移晶闸管从而允许导通状态从一端 侧顺序移动到另一端侧 ；存储器信号生成单元， 其把存储器信号提供到与所述多个发光晶闸管被分成的多个组中的一组的多个发光晶闸 管相对应的多个存储器晶闸管，在与形成所述组的发光晶闸管相对应的转移晶闸管被设 定在导通状态的情况下，如果想要点亮与所述转移晶闸管相对应的发光晶闸管，则所述 存储器信号使得与设定在导通状态的转移晶闸管相对应的存储器晶闸管临时从关断状态
     变成导通状态，并且如果不想点亮与所述转移晶闸管相对应的发光晶闸管，则所述存储 器信号使得与设定在导通状态的转移晶闸管相对应的存储器晶闸管保持在关断状态，并 且随后使得已经被临时变成导通状态的存储器晶闸管再次临时设定在导通状态 ；以及点 亮信号生成单元，其针对每一组把点亮信号提供到所述多个发光晶闸管，在使得与想要 点亮的发光晶闸管相对应的存储器晶闸管设定在导通状态之后，所述点亮信号使得所述 想要点亮的发光晶闸管设定在导通状态。
     根据本发明的第五方面，在发光装置的第四方面，所述自扫描发光元件阵列还 包括多个消除二极管，所述多个消除二极管设置为与各个存储器晶闸管相对应并且电连 接到各个存储器晶闸管，并且所述点亮控制器还包括消除信号生成单元，所述消除信号 生成单元把消除信号提供到所述多个消除二极管，在所述组中想要点亮的发光晶闸管被 设定在导通状态之后，所述消除信号防止与所述想要点亮的发光晶闸管相对应的存储器 晶闸管设定在导通状态。
     根据本发明的第六方面，在发光装置的第五方面，所述自扫描发光元件阵列的 消除二极管是肖特基二极管。
     根据本发明的第七方面，在发光装置的第四到第六方面中的任一方面，所述自 扫描发光元件阵列还包括多个保持晶闸管，所述多个保持晶闸管形成在所述基板上，并 且设置在各个发光晶闸管和各个存储器晶闸管之间从而与各个发光晶闸管和各个存储器 晶闸管相对应，并且电连接到各个发光晶闸管和各个存储器晶闸管，所述多个保持晶闸 管把所述多个发光晶闸管的各个阈值电压变成这样的值 ：与关断状态的情况相比，在所 述多个存储器晶闸管被设定在导通状态的情况下，所述值使得各个发光晶闸管容易被设 定在导通状态，并且所述点 亮控制器还包括保持信号生成单元，所述保持信号生成单元 把保持信号提供到所述多个保持晶闸管，在使得与所述组中想要点亮的发光晶闸管相对 应的存储器晶闸管设定在导通状态之后，所述保持信号使得与处于导通状态的存储器晶 闸管相对应的保持晶闸管设定在导通状态。
     根据本发明的第八方面，提供了一种自扫描发光元件阵列的驱动方法，所述自 扫描发光元件阵列包括 ：直线排列的多个发光元件 ；多个存储器元件，其设置为与各 个发光元件相对应并且电连接到各个发光元件，每一个存储器元件都被设定在导通状态 和关断状态中的任一个状态，与设定在关断状态的情况相比，在设定在导通状态的情 况下，所述多个存储器元件使得各个发光元件容易设定在导通状态 ；以及多个开关元 件，其设置为与各个存储器元件相对应并且电连接到各个存储器元件，每一个开关元件 都被设定在导通状态和关断状态中的任一个状态，所述多个开关元件被设定成允许导通 状态从一端侧顺序移动到另一端侧，与关断状态的情况相比，在被设定在导通状态的情 况下，所述多个开关元件使得各个存储器元件容易被设定在导通状态，所述驱动方法包 括 ：把转移信号提供到所述多个开关元件，使得所述多个开关元件的导通状态从一端侧 顺序移动到另一端侧 ；把存储器信号提供到与所述多个发光元件被分成的多个组中的一 组的多个发光元件相对应的多个存储器元件，在与形成所述组的发光元件相对应的开关 元件被设定在导通状态的情况下，如果想要点亮与所述开关元件相对应的发光元件，则 所述存储器信号使得与设定在导通状态的开关元件相对应的存储器元件临时从关断状态 变成导通状态，并且如果不想点亮与所述开关元件相对应的发光元件，则所述存储器信号使得与设定在导通状态的开关元件相对应的存储器元件保持在关断状态，并且随后使 得已经被临时变成导通状态的存储器元件再次临时设定在导通状态 ；以及针对每一组把 点亮信号提供到所述多个发光元件，在使得与想要点亮的发光元件相对应的存储器元件 设定在导通状态之后，所述点亮信号使得所述想要点亮的发光元件设定在导通状态。
     根据本发明的第九方面，在自扫描发光元件阵列的驱动方法的第八方面，所述 自扫描发光元件阵列还包括多个消除元件，所述多个消除元件设置为与各个存储器元件 相对应并且电连接到各个存储器元件，并且所述驱动方法还包括 ：把消除信号提供到所 述多个消除元件，在所述组中想要点亮的发光元件被设定在导通状态之后，所述消除信 号防止与所述想要点亮的发光元件相对应的存储器元件设定在导通状态。
     根据本发明的第十方面，在自扫描发光元件阵列的驱动方法的第八到第十方面 中的任一方面，所述自扫描发光元件阵列还包括多个保持元件，所述多个保持元件设置 在各个发光元件和各个存储器元件之间从而与各个发光元件和各个存储器元件相对应， 并且电连接到各个发光元件和各个存储器元件，与关断状态的情况相比，在各个存储器 元件被设定在导通状态的情况下，所述多个保持元件使得各个发光元件容易点亮，并且 所述驱动方法还包括 ：把保持信号提供到所述多个保持元件，在使得与所述组中想要点 亮的发光元件相对应的存储器元件设定在导通状态之后，所述保持信号使得与处于导通 状态的存储器元件相对应的保持元件设定在导通状态。 根据本发明的第十一方面，提供了一种打印头，包括 ：曝光单元 ；以及光学单 元，所述曝光单元对图像载体进行曝光并且包括 ：自扫描发光元件阵列 ；以及点亮控制 器，所述自扫描发光元件阵列包括 ：直线排列的多个发光元件 ；多个存储器元件，其设 置为与各个发光元件相对应并且电连接到各个发光元件，每一个存储器元都被设定在导 通状态和关断状态中的任一个状态，与被设定在关断状态的情况相比，在被设定在导通 状态的情况下，所述多个存储器元件使得各个发光元件容易被设定在导通状态 ；以及多 个开关元件，其设置为与各个存储器元件相对应并且电连接到各个存储器元件，每一个 开关元件都被设定在导通状态和关断状态中的任一个状态，所述多个开关元件被设定成 允许导通状态从一端侧顺序移动到另一端侧，与关断状态的情况相比，在被设定在导通 状态的情况下，所述多个开关元件使得各个存储器元件容易被设定在导通状态 ；所述点 亮控制器包括 ：转移信号 生成单元，其把转移信号提供到所述多个开关元件，所述转移 信号设定所述多个开关元件从而允许导通状态从一端侧顺序移动到另一端侧 ；存储器信 号生成单元，其把存储器信号提供到与所述多个发光元件被分成的多个组中的一组的多 个发光元件相对应的多个存储器元件，在与形成所述组的发光元件相对应的开关元件被 设定在导通状态的情况下，如果想要点亮与所述开关元件相对应的发光元件，则所述存 储器信号使得与设定在导通状态的开关元件相对应的存储器元件临时从关断状态变成导 通状态，并且如果不想点亮与所述开关元件相对应的发光元件，则所述存储器信号使得 与设定在导通状态的开关元件相对应的存储器元件保持在关断状态，并且随后使得已经 被临时变成导通状态的存储器元件再次临时设定在导通状态 ；以及点亮信号生成单元， 其针对每一组把点亮信号提供到所述多个发光元件，在使得与想要点亮的发光元件相对 应的存储器元件设定在导通状态之后，所述点亮信号使得想要点亮的发光元件设定在导 通状态 ；所述光学单元使得从所述曝光单元发出的光会聚到所述图像载体上。
     根据本发明的第十二方面，提供了一种图像形成设备，包括 ：充电单元，其对 图像载体进行充电 ；曝光单元 ；光学单元 ；显影单元 ；以及转印单元，所述曝光单元对 所述图像载体进行曝光并且包括自扫描发光元件阵列以及点亮控制器，所述自扫描发光 元件阵列包括 ：直线排列的多个发光元件 ；多个存储器元件，其设置为与各个发光元件 相对应并且电连接到各个发光元件，每一个存储器元都被设定在导通状态和关断状态中 的任一个状态，与被设定在关断状态的情况相比，在被设定在导通状态的情况下，所述 多个存储器元件使得各个发光元件容易被设定在导通状态 ；以及多个开关元件，其设置 为与各个存储器元件相对应并且电连接到各个存储器元件，每一个开关元件都被设定在 导通状态和关断状态中的任一个状态，所述多个开关元件被设定成允许导通状态从一端 侧顺序移动到另一端侧，与关断状态的情况相比，在被设定在导通状态的情况下，所述 多个开关元件使得各个存储器元件容易被设定在导通状态 ；所述点亮控制器包括 ：转移 信号生成单元，其把转移信号提供到所述多个开关元件，所述转移信号设定所 述多个开 关元件从而允许导通状态从一端侧顺序移动到另一端侧 ；存储器信号生成单元，其把存 储器信号提供到与所述多个发光元件被分成的多个组中的一组的多个发光元件相对应的 多个存储器元件，在与形成所述组的发光元件相对应的开关元件被设定在导通状态的情 况下，如果想要点亮与所述开关元件相对应的发光元件，则所述存储器信号使得与设定 在导通状态的开关元件相对应的存储器元件临时从关断状态变成导通状态，并且如果不 想点亮与所述开关元件相对应的发光元件，则所述存储器信号使得与设定在导通状态的 开关元件相对应的存储器元件保持在关断状态，并且随后使得已经被临时变成导通状态 的存储器元件再次临时设定在导通状态 ；以及点亮信号生成单元，其针对每一组把点亮 信号提供到所述多个发光元件，在使得与想要点亮的发光元件相对应的存储器元件设定 在导通状态之后，所述点亮信号使得想要点亮的发光元件设定在导通状态 ；所述光学单 元使得从所述曝光单元发出的光会聚到所述图像载体上 ；所述显影单元对形成在所述图 像载体上的静电潜像进行显影 ；所述转印单元将所述图像载体上显影出的图像转印到被 转印体上。
     根据本发明的第一方面，与没有采用本结构的情况相比，可以使用实现多重发 光的自扫描发光元件阵列抑制发光装置的功耗增加。
     根据本发明的第二方面，与没有采用本结构的情况相比，可以增大发光占空比 ( 发光效率 )。
     根据本发明的第三方面，与没有采用本结构的情况相比，可以进一步增大发光 占空比。
     根据本发明的第四方面，与没有采用本结构的情况相比，可以使用实现多重发 光的自扫描发光元件阵列抑制发光装置的功耗增加。
     根据本发明的第五方面，与没有采用本结构的情况相比，可以增大发光占空 比。
     根据本发明的第六方面，与没有采用本结构的情况相比，可以抑制寄生晶闸管 运行。
     根据本发明的第七方面，与没有采用本结构的情况相比，可以进一步增大发光 占空比。根据本发明的第八方面，与没有采用本结构的情况相比，可以使用实现多重发 光的自扫描发光元件阵列抑制发光装置的功耗增加。
     根据本发明的第九方面，与没有采用本结构的情况相比，可以增大发光占空 比。
     根据本发明的第十方面，与没有采用本结构的情况相比，可以进一步增大发光 占空比。
     根据本发明的第十一方面，与没有采用本结构的情况相比，可以抑制功耗的增 加，同时减小打印头的尺寸。
     根据本发明的第十二方面，与没有采用本结构的情况相比，可以抑制功耗的增 加，同时加速图像形成。 附图说明
     根据以下附图具体描述了本发明的 ( 多个 ) 示例性实施例，其中 ：
     图 1 示出应用了第一示例性实施例的图像形成设备的整体结构的实例 ；
     图 2 是示出应用了第一示例性实施例的打印头的结构的示意图 ； 图 3 是发光装置的俯视图 ；
     图 4 是示出了第一示例性实施例中的发光装置中的信号生成电路的结构以及信 号生成电路和发光芯片的布线结构的示意图 ；
     图 5 是说明第一示例性实施例中的发光芯片的布线结构的示意图 ；
     图 6 是说明发光芯片的操作概要的示意图 ；
     图 7 是说明第一示例性实施例中的发光芯片操作的时序图 ；
     图 8 是说明没有应用第一示例性实施例情况下的发光芯片操作的时序图 ；
     图 9 是示出了存储器晶闸管的阈值电压与存储器晶闸管关断之后栅极端子电势 的变化的一个实例的曲线图 ；
     图 10 是说明第二示例性实施例中的发光芯片操作的时序图 ；
     图 11 是示出了第三示例性实施例中的发光装置中的信号生成电 路的结构以及信 号生成电路与每一个发光芯片之间的布线结构的示意图 ；
     图 12 是说明第三示例性实施例中的发光芯片的电路结构的示意图 ；
     图 13 是说明第三示例性实施例中的发光芯片操作的时序图 ；
     图 14 是示出了第四示例性实施例中的发光装置中的信号生成电路的结构以及信 号生成电路与每一个发光芯片之间的布线结构的示意图 ；
     图 15 是说明第四示例性实施例中的发光芯片的电路结构的示意图 ；
     图 16 是说明第四示例性实施例中的发光芯片操作的时序图 ；
     图 17 是示出了第五示例性实施例中的发光装置中的信号生成电路的结构以及信 号生成电路与每一个发光芯片中之间的布线结构的示意图 ；
     图 18 是说明第五示例性实施例中的发光芯片的电路结构的示意图 ；以及
     图 19 是说明第五示例性实施例中的发光芯片操作的时序图。
     具体实施方式
     ( 图像形成设备 )
     下文将参考附图详细描述本发明的示例性实施例。
     < 第一示例性实施例 >
     图 1 示出应用了第一示例性实施例的图像形成设备 1 的整体结构的实例。 图 1 中所示的图像形成设备 1 通常被称为串联型图像形成设备。 图像形成设备 1 包括图像形 成处理单元 10、图像输出控制器 30 和图像处理器 40。 图像形成处理单元 10 根据不同颜 色的图像数据集形成图像。 图像输出控制器 30 控制图像形成处理单元 10。 图像处理器 40 连接到诸如个人计算机 (PC)2 和图像读取设备 3 之类的装置，对从上述装置接收到的 图像数据执行预定的图像处理。
     图像形成处理单元 10 包括图像形成单元 11。 图像形成单元 11 由等间隔并行布 置的多个引擎组成。 具体地说，图像形成单元 11 由四个图像形成单元 11Y、11M、11C 和 11K 组成。 图像形成单元 11Y、11M、11C 和 11K 中的每一个都包括感光鼓 12、充电 装置 13、打印头 14 和显影装置 15。 在作为图像载体实例的感光鼓 12 上形成静电潜像， 并且感光鼓 12 保持调色剂图像。 作为充电单元实例的充电装置 13 以预定电势对感光鼓 12 的表面均匀充电。 打印头 14 对通过充电装置 13 充电的感光鼓 12 进行曝光。 作为显 影单元实例的显影装置 15 将由打印头 14 形成的静电潜像进行显影。 这里，除了在显影装 置 15 中容纳的调色剂的颜色不同之外，图像形成单元 11Y、11M、11C 和 11K 具有大致 相同的结构。 图像形成单元 11Y、11M、11C 和 11K 分别形成黄色 (Y)、晶红色 (M)、 青色 ( 或称蓝绿色 )(C) 和黑色 (K) 调色剂图像。
     另外，图像形成处理单元 10 还包括纸张传送带 21、驱动辊 22、转印辊 23 和定 影装置 24。 纸张传送带 21 传送作为被转印体的记录纸张，从而通过多层转印把分别形 成在图像形成单元 11Y、11M、11C 和 11K 的感光鼓 12 上的不同颜色的调色剂图像转印 到记录纸张上。 驱动辊 22 是驱动纸张传送带 21 的辊。 作为转印单元实例的每个转印辊 23 把形成在对应感光鼓 12 上的调色剂图像转印到记录纸张上。 定影装置 24 把调色剂图 像定影在记录纸张上。
     在该图像形成设备 1 中，图像形成处理单元 10 根据从图像输出控制器 30 提供的 各种控制信号执行图像形成操作。 在图像输出控制器 30 的控制下，图像处理器 40 对从 个人计算机 (PC)2 或图像读取设备 3 接收的图像数据进行图像处理，并且随后把得到的 数据集提供到对应的图像形成单元 11。 随后，例如在黑色 (K) 图像形成单元 11K 中，感 光鼓 12 在沿箭头 A 方向旋转的同时由充电装置 13 以预定电势进行充电，并且随后打印头 14 根据从图像处理器 40 提供的图像数据集进行发光来对感光鼓 12 进行曝光。 通过这种 操作，用于黑色 (K) 图像的静电潜像形成在感光鼓 12 上。 其后，显影装置 15 把形成在 感光鼓 12 上的静电潜像显影出来，并且因此黑色 (K) 调色剂图像形成 在感光鼓 12 上。 类似地，分别在图像形成单元 11Y、11M 和 11C 上形成黄色 (Y)、晶红 (M) 和青色 (C) 调色剂图像。
     通过施加到转印辊 23 的转印电场，在各个图像形成单元 11 中形成在感光鼓 12 上的各个颜色的调色剂图像被顺序地静电转印到由于纸张传送带 21 的运动而提供的记录 纸张。 这里，纸张传送带 21 沿箭头 B 方向运动。 通过这种操作，在记录纸张上形成了作为重叠颜色调色剂图像的合成调色剂图像。
     其后，其上静电转印了合成调色剂图像的记录纸张被发送到定影装置 24。 发送 到定影装置 24 的记录纸张上的合成调色剂图像由定影装置 24 利用热和压力通过定影处理 定影到记录纸张上，并且随后从图像形成设备 1 输出。
     ( 打印头 )
     图 2 是示出应用了第一示例性实施例的打印头 14 的结构的示意图。 打印头 14 包 括外壳 61、发光部分 63、电路板 62 和棒状透镜阵列 64。 发光部分 63 具有多个 LED( 在 第一示例性实施例中是发光晶闸管 )。 在电路板 62 上安装了发光部分 63、信号生成电路 100( 参见稍后描述的图 3) 等，信号生成电路 100 作为驱动发光部分 63 的点亮控制器的实 例。 作为光学单元实例的棒状透镜阵列 64 把发光部分 63 所发出的光会聚到感光鼓 12 的 表面上。 这里，发光部分 63、信号生成电路 100 和其上安装了这些元件的电路板 62 将被 称为发光装置 65，该发光装置 65 作为曝光单元的实例。
     外壳 61 例如由金属制成，并且支撑电路板 62 和棒状透镜阵列 64。 外壳 61 被设 置成使得发光部分 63 的发光点位于棒状透镜阵列 64 的焦平面上。 此外，棒状透镜阵列 64 沿感光鼓 12 的轴向 ( 第一扫描方向 ) 布置。
     ( 发光装置 )
     图 3 是发光装置 65 的俯视图。
     如图 3 所示，发光装置 65 的发光部分 63 由在电路板 62 上沿第 一扫描方向排列 成两行的 60 个发光芯片 C1 到 C60 组成。 这里，60 个发光芯片 C1 到 C60 以锯齿形图案 排列，其中发光芯片 C1 到 C60 的每相邻的两个彼此面对。 注意，如果不区分发光芯片 C1 到 C60，则它们被描述为发光芯片 C(C1 到 C60) 或发光芯片 C。 对其它的术语也是如此。
     所有的发光芯片 C(C1 到 C60) 具有相同的结构。 每个发光芯片 C(C1 到 C60) 具有由作为发光元件实例的发光晶闸管 L1、 L2、 L3…组成的发光晶闸管阵列 ( 发光元件 阵列 )，这如稍后所述。 发光晶闸管阵列沿发光芯片 C 的矩形的长边排列。 发光晶闸管 阵列排列成靠近长边之一并且使得发光晶闸管 L1、 L2、 L3…形成等间隔。 这里，奇数 编号的发光芯片 C1、 C3、 C5…和偶数编号的发光芯片 C2， C4， C6…排列成彼此面对。 另外，发光芯片 C1 到 C60 排列成使得发光晶闸管在如虚线所示的发光芯片 C 的连接部分 中也沿第一扫描方向等间隔排列。
     而且，如上所述，发光装置 65 包括驱动发光部分 63 的信号生成电路 100。
     注意，如果不区分发光晶闸管 L1、 L2、 L3…，则它们被称为发光晶闸管 L。
     图 4 是示出了发光装置 65 中的信号生成电路 100 的结构以及信号生成电路 100 和发光芯片 C(C1 到 C60) 的布线结构的示意图。 注意，在图 4 中，由于描述布线结构， 所以没有以锯齿形图案图示发光芯片 C1 到 C60。
     经过图像处理的图像数据集以及各种控制信号从图像输出控制器 30 和图像处理 器 40( 参见图 1) 输入到信号生成电路 100，图中省略了其图示。 随后，信号生成电路 100 根据图像数据集和各种控制信号对图像数据集执行重新排列并对发光强度等进行校正。
     信号生成电路 100 包括点亮信号生成单元 110，该点亮信号生成单元 110 把用于 向发光晶闸管 L 提供用于发光的电力的点亮信号 φI(φI1 到 φI30) 发送到发光芯片 C(C1 到 C60)。信号生成电路 100 包括转移信号生成单元 120，该转移信号生成 单元 120 根据各 种控制信号把第一转移信号 φ1 和第二转移信号 φ2 发送到发光芯片 C1 到 C60。 此外， 信号生成电路 100 包括存储器信号生成单元 130，该存储器信号生成单元 130 根据图像数 据集发送指定将要点亮的发光晶闸管 L 的存储器信号 φm(φm1 到 φm60)。
     发光装置 65 的电路板 62 设置有电源线 104。 电源线 104 连接到发光芯片 C(C1 到 C60) 的 Vsub 端子 ( 参见稍后描述的图 5)，并且提供基准电势 Vsub( 例如，0V)。 另 外，发光装置 65 的电路板 62 设置有另一电源线 105。 电源线 105 连接到发光芯片 C(C1 到 C60) 的 Vga 端子 ( 参见稍后描述的图 5)，并且提供用于供电的电源电势 Vga( 例 如， -3.3V)。
     而且，电路板 62 设置有第一转移信号线 106 和第二转移信号线 107。 第一转移 信号线 106 和第二转移信号线 107 把来自信号生成电路 100 的转移信号生成单元 120 的第 一转移信号 φ1 和第二转移信号 φ2 分别发送到发光部分 63。 第一转移信号线 106 和第 二转移信号线 107 分别并联连接到发光芯片 C(C1 到 C60) 的 φ1 端子和 φ2 端子 ( 参见 稍后描述的图 5)。
     此外，电路板 62 设置有 60 个存储器信号线 108(108_1 到 108_60)。 存储器信号 线 108 把来自信号生成电路 100 的存储器信号生成单元 130 的各个存储器信号 φm(φm1 到 φm60) 发送到对应的发光芯片 C(C1 到 C60)。 存储器信号线 108_1 到 108_60 分别连 接到发光芯片 C1 到 C60 的 φm 端子 ( 参见稍后描述的图 5)。 即，存储器信号 φm(φm1 到 φm60) 被单独地发送到发光芯片 C(C1 到 C60)。 而且，电路板 62 还设置有 30 个点亮信号线 109(109_1 到 109_30)。 点亮信号线 109 把来自信号生成电路 100 的点亮信号生成单元 110 的各个点亮信号 φI(φI1 到 φI30) 发送到对应的发光芯片 C(C1 到 C60)。 点亮信号线 109(109_1 到 109_30) 中的每一个都 连接到作为一对的两个发光芯片 C 的两个 φI 端子 ( 参见稍后描述的图 5)。 例如，点亮 信号线 109_1 并联连接到发光芯片 C1 和 C2 的 φI 端子，并且点亮信号 φI1 共同提供到 发光芯片 C1 和 C2 的 φI 端子。 类似地，点亮信号线 109_2 并联连接到发光芯片 C3 和 C4 的 φI 端子，并且点亮信号 φI2 共同提供到发光芯片 C3 和 C4 的 φI 端子。 其它的点 亮信号线也具有类似的结构。 这样，点亮信号 φI 的数量 (30) 是发光芯片 C 的数量 (60) 的半。
     如上所述，在第一示例性实施例中，基准电势 Vsub、电源电势 Vga、第一转移 信号 φ1 和第二转移信号 φ2 共同被发送到所有发光芯片 C(C1 到 C60)。 存储器信号 φm(φm1 到 φm60) 被单独发送到发光芯片 C(C1 到 C60)。 点亮信号 φI(φI1 到 φI30) 中的每一个都被发送到发光芯片 C(C1 到 C60) 中的对应两个。
     通过这种配置，点亮信号线 109(109_1 到 109_30) 的数量被设定成小于发光芯片 C(C1 到 C60) 的数量。
     点亮信号线 109 要求具有低电阻从而把用于点亮 ( 发光 ) 的电流提供到发光晶闸 管 L。 为此，如果点亮信号线 109 配置成宽布线，则电路板 62 的宽度变大，妨碍了打印 头 14 的尺寸减小。 另一方面，为了使得电路板 62 的宽度变窄，如果信号线被配置成具 有多层，则这种配置妨碍了打印头 14 的成本降低。
     在第一示例性实施例中，与分别为发光芯片 C 设置点亮信号线 109 的情况相比，
     减少了点亮信号线 109 的数量，并且由此可以减小打印头 14 的尺寸并且以低成本制造打 印头 14。
     另一方面，在第一示例性实施例中，存储器信号线 108 设置成使得存储器信号 线 108 的数量与发光芯片 C 的数量相等。 如稍后所述，唯一必须的是，存储器信号线 108 提供保持存储器晶闸管 M( 参见稍后描述的图 5) 的导通 (ON) 状态的电流。 保持存储器 晶闸管 M 的导通状态的电流小于用于使发光晶闸管 L 点亮 ( 发光 ) 的电流，并且由此存 储器信号线 108 的宽度被设定成不像点亮信号线 109 一样具有低电阻是可接受的。
     换言之，减小点亮信号线 109 的数量可以实现减小打印头 14 的尺寸和低成本制 造打印头 14。
     ( 发光芯片 )
     图 5 是说明作为自扫描发光元件阵列 (SLED) 芯片的发光芯片 C (C1 到 C60) 的 布线结构的示意图。 这里，发光芯片 C1 被描述为一个实例。 然而，其它发光芯片 C2 到 C60 具有与发光芯片 C1 相同的结构。
     发光芯片 C1(C) 包括由排成一行的作为开关元件实例的转移晶闸管 T1、 T2、 T3…组成的转移晶闸管阵列 ( 开关元件阵列 )，由同样排成一行的作为存储器元件实例的 存储器晶闸管 M1、 M2、 M3…组成的存储器晶闸管阵列 ( 存储器元件阵列 )，以及由同 样排成一行的发光晶闸管 L1、 L2、 L3…组成的发光晶闸管阵列 ( 发光元件阵列 )，这些 阵列都被布置在基板 80 上。 这里，与发光晶闸管 L 相类似，如果不区分转移晶闸管 T1、T2、T3…，则它们 被称为转移晶闸管 T。 类似地，如果不区分存储器晶闸管 M1、M2、M3…，则它们被称 为存储器晶闸管 M。
     发光芯片 C1(C) 包括连接如下各个对的耦合二极管 Dc1、 Dc2、 Dc3…，所述 各个对是转移晶闸管 T1、 T2、 T3 中的每两个并且按照编号顺序形成。 而且，发光芯片 C1(C) 包括连接二极管 Dm1、 Dm2、 Dm3…。
     此外，发光芯片 C1(C) 包括电源线电阻 Rt1、 Rt2、 Rt3…，电源线电阻 Rm1、 Rm2、 Rm3…，以及电阻 Rn1、 Rn2、 Rn3…。
     这里，与发光晶闸管 L 等类似，如果不分别地区分耦合二极管 Dc1、 Dc2、 Dc3…，连接二极管 Dm1、 Dm2、 Dm3…，电源线电阻 Rt1、 Rt2、 Rt3…，电源线电阻 Rm1、 Rm2、 Rm3…，以及电阻 Rn1、 Rn2、 Rn3…，则它们被分别称为耦合二极管 Dc， 连接二极管 Dm，电源线电阻 Rt，电源线电阻 Rm，以及电阻 Rn。
     在第一示例性实施例中，如果发光晶闸管阵列中的发光晶闸管 L 的数量被设定 为 128，则转移晶闸管 T 的数量以及存储器晶闸管 M 的数量也被设定为 128。 类似地， 连接二极管 Dm 的数量、电源线电阻 Rt 和 Rm 各自的数量、电阻 Rn 的数量也为 128。 同 时，耦合二极管 Dc 的数量为 127，比转移晶闸管 T 的数量小 1。
     注意，在图 5 中，仅示出了主要包括转移晶闸管 T1 到 T8、存储器晶闸管 M1 到 M8、以及发光晶闸管 L1 到 L8 的部分。 在其它部分中，以与该部分相同的模式重复。
     转移晶闸管 T 的数量并非必须与发光晶闸管 L 的数量相等，并且可以大于发光晶 闸管 L 的数量。
     而且，发光芯片 C1(C) 包括一个启动二极管 Ds。 为了防止过量电流流入到第一
     转移信号线 72 和第二转移信号线 73 中，发光芯片 C1(C) 包括限流电阻 R1 和 R2。
     注意，转移晶闸管 T1、 T2、 T3…在图 5 中按照编号顺序排列。 这里，转移晶 闸管 T1、 T2、 T3…从图 5 的左侧开始排列，诸如 T1、 T2、 T3…。 类似地，存储器晶 闸管 M1、 M2、 M3…和发光晶闸管 L1、 L2、 L3…也从图 5 的左侧按照编号顺序排列。 另外，耦合二极管 Dc 1、 Dc2、 Dc3…，连接二极管 Dm1、 Dm2、 Dm3…，电源线电阻 Rt1、 Rt2、 Rt 3…，电源线电阻 Rm1、 Rm2、 Rm3…，以及电阻 Rn1、 Rn2、 Rn3…也从 图 5 的左侧按照编号顺序排列。
     接下来，将描述发光芯片 C1(C) 中的元件之间的电连接。
     转移晶闸管 T1、 T2、 T3…的阳极端子，存储器晶闸管 M1、 M2、 M3…的阳极 端子和发光晶闸管 L1、 L2、 L3…的阳极端子连接到发光芯片 C1(C) 的基板 80( 公共阳 极 )。 这些阳极端子通过基板 80 所设置的 Vsub 端子连接到电源线 104( 参见图 4)。 基 准电势 Vsub 被提供到该电源线 104。
     转移晶闸管 T1、 T2、 T3…的栅极端子 Gt1、 Gt2、 Gt3…通过各个电源线电阻 Rt1、 Rt2、 Rt3…连接到电源线 71，各个电源线电阻 Rt1、 Rt2、 Rt3…与各个转移晶闸管 T1、T2、T3…对应地设置。 电源线 71 连接到 Vga 端子。 Vga 端子连接到电源线 105( 参 见图 4)，并且电源电势 Vga 被提供到 Vga 端子。
     根据转移晶闸管 T 的阵列，奇数编号的转移晶闸管 T1、T3、T5…的阴极端子连 接到第一转移信号线 72。 第一转移信号线 72 通过限流电阻 R1 连接到作为第一转移信号 φ1 的输入端子的 φ1 端子。 第一转移信号线 106( 参见图 4) 连接到该 φ1 端子，并且第 一转移信号 φ1 被提供到该 φ1 端子。
     同时，根据转移晶闸管 T 的阵列，偶数编号的转移晶闸管 T2、T4、T6…的阴极 端子连接到第二转移信号线 73。 第二转移信号线 73 通过限流电阻 R2 连接到作为第二转 移信号 φ2 的输入端子的 φ2 端子。 第二转移信号线 107( 参见图 4) 连接到该 φ2 端子， 并且第二转移信号 φ2 被提供到该 φ2 端子。
     存储器晶闸管 M1、M2、M3…的阴极端子通过对应的电阻 Rn1、Rn2、Rn3…连 接到存储器信号线 74。 存储器信号线 74 连接到作为存储器信号 φm( 在发光芯片 C1 的 情况下为 φm1) 的输入端子的 φm 端子。 存储器信号线 108( 参见图 4 ：在发光芯片 C1 的情况下为存储器信号线 108_1) 连接到该 φm 端子，并且存储器信号 φm( 参见图 4 ： 在发光芯片 C1 的情况下为存储器信号 φm1) 被提供到该 φm 端子。
     转移晶闸管 T1、 T2、 T3…的各个栅极端子 Gt1、 Gt2、 Gt3…根据一一对应关系 通过各个连接二极管 Dm1、 Dm2、 Dm3…连接到存储器晶闸管 M1、 M2、 M3…的编号 与所连接的栅极端子 Gt 相同的一个栅极端子 Gm1、 Gm2、 Gm3。 换言之，连接二极管 Dm1、 Dm2、 Dm3…的阳极端子分别连接到转移晶闸管 T1、 T2、 T3…的栅极端子 Gt1、 Gt2、Gt3…，连接二极管 Dm1、Dm2、Dm3…的阴极端子分别连接到存储器晶闸管 M1、 M2、 M3…的栅极端子 Gm1、 Gm2、 Gm3…。
     这 里， 如 果 不 区 分 栅 极 端 子 Gt1、 Gt2、 Gt3… 和 栅 极 端 子 Gm1、 Gm2、 Gm3…，则它们被分别称为栅极端子 Gt 和栅极端子 Gm。
     存储器晶闸管 M1、M2、M3…的各个栅极端子 Gm1、Gm2、Gm3…通过各个电 源线电阻 Rm1、 Rm2、 Rm3…连接到电源线 71，各个电源线电阻 Rm1、 Rm2、 Rm3…与各个存储器晶闸管 M1、M2、M3…对应地设置。 电源线 71 连接到 Vga 端子。 Vga 端子 连接到电源线 105( 参见图 4)，并且电源电势 Vga 被提供到 Vga 端子。
     另外，存储器晶闸管 M1、M2、M3…的各个栅极端子 Gm1、Gm2、Gm3…按照 一一对应的关系连接到发光晶闸管 L1、 L2、 L3…的编号与所连接的栅极端子 Gm 相同的 对应一个栅极端子 Gl1、 Gl2、 Gl3…。
     各个耦合二极管 Dc1、Dc2、Dc3…连接在如下各对栅极端子 Gt 之间，所述各对 栅极端子 Gt 是发光晶闸管 L1、 L2、 L3…的栅极端子 Gt1、 Gt2、 Gt3…中的按照编号顺 序形成的两个栅极端子 Gt。 换言之， 每个耦合二极管 Dc1、 Dc2、 Dc3…串联连接到栅 极端子 Gt1、 Gt2、 Gt3…的对应两个。 耦合二极管 Dc1 连接为使得其方向是电流从栅极 端子 Gt1 流向栅极端子 Gt2 的方向。 把相同的配置应用于其它的耦合二极管 Dc2、Dc3、 Dc4…。
     发光晶闸管 L1、 L2、 L3…的阴极端子连接到点亮信号线 75，而点亮信号线 75 连接到作为点亮信号 φI( 在发光芯片 C1 的情况下为点亮信号 φI1) 的输入端子的 φI 端 子。 点亮信号线 109( 参见图 4 ：在发光芯片 C1 的情况下为点亮信号线 109_1) 连接到 φI 端子，并且点亮信号 φI( 参见图 4 ：在发光芯片 C1 的情况下为点亮信号 φI1) 提供到 φI 端子。 注意，如图 4 所示，对于其它发光芯片 C2 到 C60 的 φI 端子，点亮信号 φI1 到 φI30 分别被提供到每个都由两个发光芯片 C 组成的对应发光芯片对。
     位于转移晶闸管阵列一端侧的转移晶闸管 T1 的栅极端子 Gt1 连接到启动二极管 Ds 的阴极端子。 同时，启动二极管 Ds 的阳极端子连接到第二转移信号线 73。
     ( 发光部分的操作 )
     接下来，将描述发光部分 63 的操作。 如图 4 所示，第一转移信号 φ1 和第二 转移信号 φ2 组成的一对被共同提供到构成发光部分 63 的发光芯片 C(C1 到 C60)。 同 时，基于图像数据集的存储器信号 φm(φm1 到 φm60) 被单独提供到发光芯片 C(C1 到 C60)。 点亮信号 φI(φI1 到 φI30) 被分别提供到每个都由两个发光芯片 C 组成的对应 发光芯片对，从而由构成每一对的两个发光芯片 C 共用每个点亮信号 φI，并且点亮信号 φI(φI1 到 φI30) 被单独提供到构成不同对的发光芯片 C。
     发光芯片 C(C1 到 C60) 使用第一转移信号 φ1 和第二转移信号 φ2 组成的信号 对并行地执行顺序操作 ( 点亮控制 )，使得发光晶闸管 L 点亮 ( 发光 ) 和熄灭。 这里， 使得发光晶闸管 L 点亮 ( 发光 ) 并熄灭的顺序操作被称为点亮控制。
     因此，如果描述了发光芯片 C1 的操作，则就会了解发光部分 63 的操作。 此 后，将以发光芯片 C1 作为实例来描述发光芯片 C 的操作。 ( 发光芯片的点亮控制 )
     图 6 是说明发光芯片 C1(C) 的操作概要的示意图。
     在第一示例性实施例中，利用由事先设置的多个发光点 ( 发光晶闸管 L) 构成的 一组，在发光芯片 C1(C) 中执行点亮控制。
     图 6 示出了使用由 8 个发光晶闸管 L 构成的一组来执行点亮控制的情况。 换言 之，在第一示例性实施例中，同时使得多达 8 个发光晶闸管 L 点亮。 首先，在图 6 中，对 8 个发光晶闸管 L1 到 L8 执行点亮控制，如从发光芯片 C1(C) 左侧开始的组 #A 所示 ( 稍 后所述的图 7 中所示的点亮控制时段 T(#A))。 接下来，对与组 #A 相邻的组 #B 中的 8 个发光晶闸管 L9 到 L16 执行点亮控制 ( 稍后所述的图 7 中所示的点亮控制时段 T(#B))。随后，对示为组 #C 的 8 个发光晶闸管 L17 到 L24 执行点亮控制。 如果发光芯片 C 所设 置的发光晶闸管 L 的数量为 128，则按照类似的方式对 8 个发光晶闸管 L 重复执行点亮控 制，直到对发光晶闸管 L128 执行点亮控制为止。
     换言之，在第一示例性实施例中，按照时间先后顺序依次对组 #A、 #B…执行点 亮控制，并且在组 #A、 #B 中的每一组中同时对多个发光点 ( 发光晶闸管 L) 执行点亮控 制。
     ( 驱动波形 )
     图 7 是说明第一示例性实施例中的发光芯片 C1(C) 操作的时序图。 在图 7 中， 假定时间按照字母顺序从时间点 ( 时刻 )a 到时间点 y。 这里示出了第一转移信号 φ1、 第二转移信号 φ2、存储器信号 φm1、点亮信号 φI1、以及在各个存储器晶闸管 M1 到 M8 的阳极端子和阴极端子之间流动的电流 J(M1) 到 J(M8) 的波形。
     图 7 示出了对由图 6 所示的 8 个发光晶闸管 L 构成的每个组执行点亮控制的情 况，并且主要示出了在对组 #A 中的发光晶闸管 L1 到 L8 执行点亮控制时从时间点 c 到时 间点 y 的点亮控制时段 T(#A)。 注意，点亮控制时段 T(#A) 的后面是在对组 #B 中的发 光晶闸管 L9 到 L16 执行点亮控制时的点亮控制时段 T(#B)，在对组 #C 中的发光晶闸管 L17 到 L24 执行点亮控制时的点亮控制时段 T(#C)，等等。
     图 7 示出了使得组 #A 中的 8 个发光晶闸管 L1 到 L8 中的发光晶闸管 L1、 L2、 L3、L5 和 L8 点亮 ( 发光 ) 并且保持 8 个发光晶闸管 L1 到 L8 中的发光晶闸管 L4、L6 和 L7 熄灭的情况。 换言之，假定在点亮控制时段 T(#A) 中执行图像数据集 “11101001” 的打印。
     对于每个点亮控制时段 ( 如点亮控制时段 T(#A)、点亮控制时段 T(#B)… )，重 复第一转移信号 φ1、第二转移信号 φ2 和点亮信号 φI1(φI) 的波形。 另一方面，尽管 存储器信号 φm1(φm) 具有根据图像数据集发生改变的部分，但是存储器信号的基本部 分在每个点亮控制时段 ( 如点亮控制时段 T(#A)、点亮控制时段 T(#B)… ) 中重复。 因 此，只要描述了点亮控制时段 T(#A)，就可以了解这些波形。 注意，作为点亮控制时段 T(#A) 的前时段的从时间点 a 到时间点 c 的时段是用于启动发光芯片 C1(C) 的操作的时 段。 在对操作的描述中将说明这一时段。
     首先，将描述点亮控制时段 T(#A) 中的第一转移信号 φ1、第二转移信号 φ2、 存储器信号 φm1(φm) 和点亮信号 φI1(φI) 的波形。
     第一转移信号 φ1 在点亮控制时段 T(#A) 的开始时间点 c 处具有低电平的电势 ( 下文称为 “L” )，并且在时间点 f 处从 “L” 变成高电平的电势 ( 下文称为 “H” )， 随后在时间点 i 处从 “H” 变成 “L”。 在时间点 k 处，第一转移信号 φ1 的电势保持 在 “L”。 随后，与从时间点 c 到时间点 k 的时段相同的波形在从时间点 k 到时间点 w 的时段中重复三次。 在时间点 w 处，第一转移信号 φ1 的电势为 “L”，而在作为点亮 控制时段 T(#A) 的结束时间点的时间点 y 处，第一转移信号 φ1 的电势保持在 “L”。
     第二转移信号 φ2 在时间点 c 处为 “H”，在时间点 e 处从 “H” 变成 “L”， 随后在时间点 j 处，从 “L”变成 “H”。 在时间点 k 处，第二转移信号 φ2 的电势保持 在 “H”。 随后，与从时间点 c 到时间点 k 的时段相同的波形在从时间点 k 到时间点 w 的时段中重复三次。 在时间点 w 处，第二转移信号 φ2 的电势为 “H”，而在作为点亮控制时段 T(#A) 的结束时间点的时间点 y 处，第二转移信号 φ2 的电势保持在 “H”。
     这里，在从时间点 c 到时间点 w 的时段内将第一转移信号 φ1 和第二转移信号 φ2 相互比较的情况下，在从时间点 c 到时间点 k 的时段内，第一转移信号 φ1 和第二转 移信号 φ2 中的每一个都具有交替重复 “H” 和 “L” 的电势，中间插入了两个电势都 为 “L” 的时段 ( 例如，从时间点 e 到时间点 f，或从时间点 i 到时间点 j)。 不存在第一 转移信号 φ1 和第二转移信号 φ2 同时为 “H” 的时段。 第二转移信号 φ2 是第一转移 信号 φ1 向右移位了与时间轴上从时间点 f 到时间点 j 的时段对应的时段的信号。 与从时 间点 f 到时间点 j 的时段对应的时段是第一转移信号 φ1 和第二转移信号 φ2 中每一个的 重复周期 ( 稍后描述的时段 t 1 的两倍时段 ) 的一半。
     接下来，将描述存储器信号 φm1(φm)。 从时间点 c 到时间点 g 的时段是把图 像数据集写入存储器晶闸管 M1 中时的写入时段 T(M1)，而从时间点 g 到时间点 k 的时 段是把图像数据集写入存储器晶闸管 M2 中时的写入时段 T(M2)。 类似地，在点亮控制 时段 T(#A) 中，设置有把图像数据集写入到各个存储器晶闸管 M3 到 M8 中时的写入时段 T(M3) 到 T(M8)。 注意，如果不区分写入时段 T(M1) 到 T(M8)，则它们被称为写入时 段 T(M)。
     这些写入时段 T(M1) 到 T(M8) 等于相同时段 t1。
     根据构成图像数据集 “11101001” 的第一位 “1”，存储器信号 φm1(φm) 的 电势在写入时段 T(M1) 的开始时间点 c 处从 “H” 变成 “L”，在时间点 d 处其电势从 “L” 变成 “H”。 随后，其电势保持在 “H” 直到作为写入时段 T(M1) 的结束时间点 的时间点 g 为止。 在作为写入时段 T(M2) 的开始时间点的时间点 g 处，根据图像数据集 “11101001” 的第二位 “1”，其电势再次从 “H” 变成 “L”，在时间点 h 处，其电势 从 “L” 变成 “H”。 随后，其电势保持在 “H” 直到作为写入时段 T(M2) 的结束时 间点的时间点 k 为止。 换言之，写入时段 T(M1) 中的波形在写入时段 T(M2) 中重复。 而且，在与图像数据 集 “11101001” 的第三位 “1” 对应的写入时段 T(M3) 中，也重复 了相同的波形。
     同时，在作为写入时段 T(M4) 的开始时间点的时间点 m 处，根据图像数据集 “11101001”的第四位 “0”，其电势从 “H”变成存储器电平电势 ( 下文称为 “S”)， 在时间点 n 处，其电势从 “S” 变成 “H”。 其电势保持在 “H” 直到作为写入时段 T(M4) 的结束时间点的时间点 o 为止。 换言之，在时间点 m 处从 “H” 到 “S” 的变 化不同于上面描述的在时间点 c、 g 和 k 处从 “H” 到 “L” 的变化。 注意，存储器电 平电势 “S” 是处于 “H” 和 “L” 之间的电势，表示使得接通之后被关断的存储器晶 闸管 M 准备在预定时段之后接通的电势电平，稍后将对其进行具体描述。 注意，将对晶 闸管的接通和关断进行具体描述。
     随后，在写入时段 T(M5) 中，根据图像数据集 “11101001” 的第五位 “1”， 重复写入时段 T(M1) 中的波形。 在接下来的写入时段 T(M6) 和写入时段 T(M7) 中，根 据图像数据集 “11101001” 的第六位和第七位 “0”，分别重复写入时段 T(M4) 中的波 形。
     其后，存储器信号 φm1(φm) 的电势在作为写入时段 T(M8) 的开始时间点的时 间点 r 处根据图像数据集 “11101001” 的第八位 “1” 从 “H” 变成 “L”，在时间点 s处，其电势从 “L” 变成 “S”。 随后，在时间点 u 处，该电势从 “S” 变成 “H”。 在写入时段 T(M8) 的结束时间点 w 处，其电势保持在 “H”。
     随后，存储器信号 φm1(φm) 的电势保持在 “H” 直到作为点亮控制时段 T(#A) 的结束时间点的时间点 y 为止。
     注意，存储器信号 φm1(φm) 在上述写入时段 T(M1) 到 T(M8) 的每个开始时 间点处从 “H” 到 “L” 的变化或者从 “H” 到 “S” 的变化取决于把发光晶闸管 L( 每 一个都具有与对应的存储器晶闸管 M 相同的编号 ) 设定成点亮或熄灭的图像数据集，在 发光控制时段 T(#A) 中对这些发光晶闸管 L 同时执行点亮控制。 具体地说，当图像数 据集为 “1” 并且使得发光晶闸管 L 点亮 ( 发光 ) 时，存储器信号 φm1(φm) 的电势从 “H” 变成 “L”。 同时，当图像数据集为 “0” 并且发光晶闸管 L 保持为熄灭 ( 不发 光 ) 时，存储器信号 φm1(φm) 的电势从 “H” 变成 “S”。
     如上所述，在写入时段 T(M1) 到 T(M8) 的每个开始时间点处，存储器信号 φm1(φm) 的电势根据图像数据集从 “H” 变成 “L” 和 “S” 中的任一个。 除了在写 入时段 T(M8) 之外，其电势在经过时段 t2 之后从 “L”和 “S”中的任一个变成 “H”。 注意，在写入时段 T(M8) 中，在经过时段 t2 之后，其电势变成 “S”。 稍后将描述写入 时段 T(M8) 中的操作。
     在存储器信号 φm1(φm) 与第一转移信号 φ1 和第转移信号 φ2 中的每一个之 间的关系中，当第一转移信号 φ1 和第二转移信号 φ2 中的任一个为 “L”时，在写入时 段 T(M1) 到 T(M8) 的每个开始时间点处，存储器信号 φm1(φm) 的电势从 “H” 变成 “L” 和 “S” 中的任一个。 例如，在写入时段 T(M1) 中第一转移信号 φ1 为 “L” 时 的时间点 c 处，在写入时段 T(M2) 中第二转移信号 φ2 为 “L” 时的时间点 g 处，存储 器信号 φm1 为 “L”。 同时，在第二转移信号 φ2 为 “L” 时的时间点 m 处，存储器 信号 φm1 为 “S”。 在写入时段 T(M3) 和 T(M5) 到 T(M8) 中也是这样。
     点亮信号 φI1(φI) 是把电流提供到发光晶闸管 L 用于点亮 ( 发光 ) 的信号，这 如稍后所述。
     点亮信号 φI 在点亮控制时段 T(#A) 的开始时间点 c 处为 “H”，其电势在时 间点 t 处变成发光电平电势 ( 下文称为 “Le” )。 其电势在时间点 x 处从 “Le” 变成 “H”。 随后，在点亮控制时段 T(#A) 的结束时间点 y 处，其电势保持在 “H”。
     注意，发光电平电势 “Le” 表示根据图像数据集被指定点亮的发光晶闸管 L 准 备好接通的电势电平 ( 发光电平 )，这如稍后所述。 稍后将描述晶闸管的接通。
     ( 晶闸管的基本操作 )
     在描述发光芯片 C1(C) 的操作之前，将描述晶闸管 ( 转移晶闸管 T、存储器晶闸 管 M 和发光晶闸管 L) 的基本操作。 这些晶闸管 ( 转移晶闸管 T、存储器晶闸管 M 和发 光晶闸管 L) 是如下半导体器件 ： 每一个半导体器件都有三个端子，分别是阳极端子 ( 阳 极 )、阴极端子 ( 阴极 ) 和栅极端子 ( 栅极 )。
     在下文，如图 5 所述，作为实例，提供到晶闸管阳极端子 (Vsub 端子 ) 的基准电 势 Vsub 被设定为 0V(“H”)，提供到 Vga 端子的电源电势 Vga 被设定为 -3.3V(“L”)。 每一个晶闸管都具有 pnpn 结构，其中 p 型层、 n 型层、 p 型层和 n 型层 ( 诸如 GaAs、 GaAlAs 等 ) 依次顺序层叠在基板 80 上，该基板具有 p 导电型 ( 诸如 GaAs、GaAlAs 等 )，p-n 结的扩散电势 ( 正向电势 )Vd 被设定为 1.3V。
     当低于阈值电压的电势 ( 负值较小的电势 ) 被施加到阴极端子时，具有上述结构 的晶闸管接通 ( 有时称为导通 )。 当晶闸管接通时，晶闸管进入导通状态，其中电流在 其阳极端子与阴极端子之间流动。 这里，晶闸管的阈值电压是通过从栅极端子电势减去 扩散电势 Vd 得到的值。 因此，如果晶闸管的栅极端子电势为 -1.3V 时，扩散电势 vd 为 1.3V，由此得到阈值电压为 -2.6V。 因此，当小于 -2.6V 的电势 ( ＜ -2.6V) 被施加到阴 极端子时，晶闸管接通。
     随后，当晶闸管接通时，晶闸管栅极端子的电势接近阳极端子的电势。 阳极 端子被设定在基准电势 Vsub(0V)，由此栅极端子的电势变成接近 0V 的电势 ( 准确地说 是 -0.2V，如稍后所述 )。 注意，在下面的描述中，已经接通的晶闸管的栅极端子的电势 按照简单易懂的方式假定为 0V。
     这里，晶闸管的阴极端子具有扩散电势 Vd。 扩散电势 Vd 为 1.3V，由此阴极端 子的电势为 -1.3V。
     一旦晶闸管接通，晶闸管就处于导通状态，同时阴极端子的电势小于或等于晶 闸管导通时的电势。 当晶闸管处于导通状态时，即使栅极端子的电势发生各种变化，晶 闸管的导通状态也不会变成关断 (OFF) 状态。 另一方面，当阴极端子具有超过导通状态 时电势的高电势 ( 在负电势侧大于阈值电压 ( 或者绝对值小于阈值电压 ) 的电势、或者大 于或等于 0V 的电势 ) 时，晶闸管不会保持导通状态并且关断。 这 里， 在 处 于 导 通 状 态 的 晶 闸 管 中， 阴 极 端 子 的 电 势 为 -1.3V。 因 此， 如 果施加到阴极端子的电势小于或等于 -1.3V(≤-1.3V)，则 保持导通状态。 同时，超 过 -1.3V( ＞ -1.3V) 的高电压被施加到阴极端子，晶闸管关断 ( 有些情况称为截止 )。 在 阴极端子被设定为 “H” (0V) 从而阳极端子和阴极端子具有相同电势的情况下，晶闸管 也关断。 当晶闸管关断时，晶闸管进入这样的状态 ( 关断状态 ) ：导通电流不在阳极端 子和阴极端子之间流动。
     如上所述，在导通状态下，保持了导通电流流入晶闸管的状态，并且晶闸管不 会根据栅极端子的电势关断。 换言之，通过设定导通状态，晶闸管具有存储和保持功 能。
     如上所述，与使得晶闸管接通所需的电势相比，保持晶闸管导通状态的电势较 低是可接受的。
     注意，当接通时，发光晶闸管 L 点亮 ( 发光 )，而关断时，发光晶闸管 L 熄灭 ( 不发光 )。
     如上所述，通过使用栅极端子的电势改变阈值电压来接通晶闸管，并且改变阴 极端子的电势来关断晶闸管。
     ( 发光芯片的操作 )
     参考图 5，根据图 7 所示的时序图来描述发光部分 63 和发光芯片 C 的操作。
     ( 初始状态 )
     在图 7 所示的时序图中的时间点 a 处，在发光部分 63 的发光芯片 C(C1 到 C60) 的每一个基板 80 上设置的 Vsub 端子被设定在基准电势 Vsub(0V)( “H” )。 同时，每 个 Vga 端子被设定在电源电势 Vga(-3.3V)( “L” )( 参见图 4)。
     而且，信号生成电路 100 的转移信号生成单元 120 把第一转移信号 φ1 和第二转 移信号 φ2 设定在 “H”，存储器信号生成单元 130 把存储器信号 φm(φm1 到 φm60) 设定在 “H”，而点亮信号生成单元 110 把点亮信号 φI(φI1 到 φI30) 设定在 “H”( 参 见图 4)。 借此操作，第一转移信号线 106 变成 “H”，由此每个发光芯片 C 的第一转移 信号线 72 通过发光部分 63 中的每个发光芯片 C 的 φ1 端子变成 “H”。 类似地，第二 转移信号线 107 变成 “H”，由此每个发光 芯片 C 的第二转移信号线 73 通过每个发光芯 片 C 的 φ2 端子变成 “H”。 存储器信号线 108(108_1 到 108_60) 变成 “H”，由此每 个发光芯片 C 的存储器信号线 74 通过每个发光芯片 C 的 φm 端子变成 “H”。 另外， 点亮信号线 109(109_1 到 109_30) 变成 “H”，由此每个发光芯片 C 的点亮信号线 75 通 过每个发光芯片 C 的 φI 端子变成 “H”。
     在下文，把发光芯片 C1 作为实例来描述发光芯片 C 的操作。 其它发光芯片 C2 到 C60 类似于发光芯片 C1 进行操作，并且同时与发光芯片 C1 并行进行操作。
     由于发光芯片 C1(C) 的转移晶闸管 T1、 T2、 T3…，存储器晶闸管 M1、 M2、 M3…以及发光晶闸管 L1、 L2、 L3…的阳极端子连接到 Vsub 端子，所以向 Vsub 端子提 供 “H” (0V)。
     同时，由于奇数编号的转移晶闸管 T1、 T3、 T5… 的阴极端子连接到设定在 “H” 的第一转移信号线 72，而偶数编号的转移晶闸管 T2、 T4、 T6…的阴极端子连接 到设定在 “H” 的第二转移信号线 73，所以转移晶闸管 T 的阳极端子和阴极端子变成 “H”。 因此，每个转移晶闸管 T 处于关断状态。
     类似地，由于存储器晶闸管 M1、 M2、 M3…的阴极端子连接到设定在 “H” 的 存储器信号线 74，所以阳极端子和阴极端子变成 “H”。 因此，每个存储器晶闸管 M 处 于关断状态。
     另外，由于发光晶闸管 L1、L2、L3…的阴极端子连接到设定在 “H” 的发光信 号 φI( 在发光芯片 C 1 的情况下为发光信号 φI1)，所以发光晶闸管 L 的阳极端子和阴极 端子变成 “H”。 因此，每个发光晶闸管 L 处于关断状态。
     另一方面，转移晶闸管 T 的栅极端子 Gt、存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 以及 发光晶闸管 L 的栅极端子 Gl 中的每一个都通过电源线电阻 Rt 和 Rm 中的任一个连接到电 源线 71。 通过 Vga 端子为电源线 71 提供电源电势 Vga。 因此，除了稍后所述的情况之 外，这些栅极端子 Gt、 Gm 和 Gl 的电势均为电源电势 Vga(-3.3V)。
     如上所述，位于图 5 中的转移晶闸管阵列一端侧的栅极端子 Gt1 连接到启动二极 管 Ds 的阴极端子。 启动二极管 Ds 的阳极端子连接到 设定在 “H” 的第二转移信号线 73。 因此，由于连接到栅极端子 Gt1 的启动二极管 Ds 的阴极端子通过电源线电阻 Rt 连 接到电源线 71，所以启动二极管 Ds 的阳极端子意在具有 “L”(-3.3V) 的电势。 同时， 阳极端子的电势为 “H” (0V)，由此启动二极管 D s 进入沿正向对启动二极管施加电场 的状态 ( 正向偏置状态 )。 结果，启动二极管 Ds 的阴极端子 ( 栅极端子 Gt1) 的电势变 成 -1.3V，该电势是通过从为启动二极管 Ds 的阳极端子设定的 “H”(0V) 减去扩散电压 Vd(1.3V) 而得到的。
     因此，如上所述，转移晶闸管 T1 的阈值电压变成 -2.6V，该电压是通过从栅极 端子 Gt1 的电势 (-1.3V) 减去扩散电势 Vd(1.3V) 而得到的。注意，与转移晶闸管 T1 相邻的转移晶闸管 T2 的栅极端子 Gt2 通过耦合二极管 Dc1 连接到栅极端子 Gt1，由此栅极端子 Gt2 的电势变成 -2.6V，该电势是通过从栅极端 子 Gt1 的电势 (-1.3V) 减去耦合二极管 Dc1 的扩散电势 Vd(1.3V) 而得到的。 因此，转 移晶闸管 T2 的阈值电压变成 -3.9V。
     注意，转移晶闸管 T3 的栅极端子 Gt3 通过耦合二极管 Dc2 连接到转移晶闸管 T2 的栅极端子 Gt2，由此根据上述计算方法计算出栅极端子 Gt3 的电势为 -3.9V。 然而，栅 极端子 Gt3 通过电源线电阻 Rt3 连接到电源电势 Vga( “L” ：-3.3V)。 因此，栅极端 子 Gt3 的电势的值不小于 -3.3V，并且因此为 -3.3V。 因此，转移晶闸管 T3 的阈值电压 为 -4.6V。 类似地设定各个编号不小于 4 的转移晶闸管 T 的阈值电压。
     类 似 地， 存储器晶闸管 M1 的栅极端子 Gm1( 以及发光 晶闸 管 L1 的 栅极 端 子 Gl1) 通过连接二极管 Dm1 连接到栅极端子 Gt1，由此存储器晶闸管 M1 的栅极端 子 Gm1( 以及栅极端子 Gl1) 的电势变成 -2.6V，该电势是通过从栅极端子 Gt1 的电势 (-1.3V) 减去连接二极管 Dm1 的扩散电压 Vd(1.3V) 而得到的。 因此，存储器晶闸管 M1( 发光晶闸管 L1) 的阈值电压变成 -3.9V。
     注意，存储器晶闸管 M2 的栅极端子 Gm2( 发光晶闸管 L2 的栅极 端子 Gl2 也同 样如此 ) 通过耦合二极管 Dc1 和连接二极管 Dm2 连接到栅极端子 Gt1。 然而，栅极端子 Gm2 通过电源线电阻 Rm2 连接到电源线 71。 因此，与上述转移晶闸管 T3 的情况类似， 存储器晶闸管 M2 的栅极端子 Gm2( 发光晶闸管 L2 的栅极端子 Gl2 也同样如此 ) 的电势 变成 -3.3V。 因此，存储器晶闸管 M2( 发光晶闸管 L2) 的阈值电压变成 4.6V。 类似地 设定各个编号不小于 3 的存储器晶闸管 M( 以及发光晶闸管 L) 的阈值电压。
     注意，即使晶闸管的阈值变化，第一转移信号 φ1、第二转移信号 φ2、存储器 信号 φm1(φm) 以及点亮信号 φI1(φI) 为 “H” (0V)，由此所有转移晶闸管 T、存储 器晶闸管 M 和发光晶闸管 L 都处于关断状态。
     当第一转移信号 φ1 的电势在时间点 b 处从 “H”(0V) 变成 “L”(-3.3V) 时， 具有 -2.6V 阈值电压的转移晶闸管 T1 接通。 然而，转移晶闸管 T3 之后的奇数编号的转 移晶闸管 T 被提供给第转移信号 φ1，阈值电压为 -4.6V，由此这些转移晶闸管 T 没有接 通。 另外，由于第二转移信号 φ2 为 “H” (0V)，所以阈值电压为 -3.9V 的转移晶闸管 T2 没有接通。 各个编号不小于 4 的偶数编号的转移晶闸管 T 没有接通，这是因为这些转 移晶闸管的阈值电压为 -4.6V 的缘故。
     注意，在时间点 b 处，由于存储器信号 φm1(φm) 和点亮信号 φI1(φI) 的电势 保持在 “H”，所以存储器晶闸管 M 和发光晶闸管 L 中没有一个接通。 换言之，在时间 点 b 处，只有转移晶闸管 T1 接通。
     当转移晶闸管 T1 接通时，如上所述，栅极端子 Gt1 的电势变成作为阳极端子 电势的 “H” (0V)。 另外，转移晶闸管 T1 的阴极端子 ( 第一转移信号线 72) 的电势变 成 -1.3V，该电势是通过从阳极端子电势 “H”(0V) 减去扩散电势 Vd(1.3V) 而得到的。
     因此，耦合二极管 Dc1 的阳极端子的电势变成作为栅极端子 Gt1 的电势的 0V， 而作为耦合二极管 Dc1 的阴极端子的栅极端子 Gt2 的电势为 -2.6V，由此耦合二极管 Dc1 进入正向偏置状态。 在该状态下，栅极端子 Gt2 的电势变成 -1.3V，该电势是通过从栅极 端子 Gt1 的电 势 (0V) 减去耦合二极管 Dc1 的扩散电势 Vd(1.3V) 而得到的。 因此，转移晶闸管 T2 的阈值电压变成 -2.6V。
     可以使用上述方法计算通过耦合二极管 Dc2 连接到转移晶闸管 T2 的栅极端子 Gt2 的栅极端子 Gt3 的电势，该电势变成 -2.6V。 因此，转移晶闸管 T3 的阈值电压变 成 -3.9V。 转移晶闸管 T3 之后的各个编号不小于 4 的转移晶闸管 T 的栅极端子 Gt 的电 势保持在电源电势 Vga(-3.3V)，由此各个编号不小于 4 的转移晶闸管 T 的阈值电压保持 在 -4.6V。
     当转移晶闸管 T1 接通并且栅极端子 Gt1 的电势变成 “H” (0V) 时，连接二 极管 Dm1 被正向偏置。 因此，栅极端子 Gm1( 栅极端子 Gl1 也同样如此 ) 的电势变 成 -1.3V，该电势是通过从栅极端子 Gt1 的电势 (0V) 中减去连接二极管 Dm1 的扩散电压 Vd(1.3V) 而得到的。 因此，存储器晶闸管 M1( 发光晶闸管 L1 也同样如此 ) 的阈值电压 变成 -2.6V。
     注意，与其相邻的存储器晶闸管 M2 的栅极端子 Gm2( 栅极端子 Gl2 也同样如 此 ) 的电势变成 -2.6V，这是因为栅极端子 Gm2 通过彼此串联连接的耦合二极管 Dc1 和 连接二极管 Dm2 连接到栅极端子 Gt1 的缘故。 因此，存储器晶闸管 M2( 发光晶闸管 L2 也同样如此 ) 的阈值电压变成 -3.9V。
     另外，各个编号不小于 3 的存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm( 发光晶闸管 L 的栅 极端子 G1) 的电势保持在等于电源电势 Vga 的 -3.3V。 因此，各个编号不小于 3 的存储 器晶闸管 M( 发光晶闸管 L) 的阈值电压保持在 -4.6V。
     如上所述，紧接在时间点 b 之后 ( 指示在晶闸管的状态等根据时间点 b 处的信号 电势的变化而变化之后的时间点 )，只有转移晶闸管 T1 处于导通状态。
     ( 操作状态 )
     当存储器信号 φm1(φm) 的电势在时间点 c 处从 “H”(0V) 变成 “L”(-3.3V) 时，阈值电压为 -2.6V 的存储器晶闸管 M1 接通。 然而，存储器晶闸管 M2 和各个编号 不小于 3 的存储器晶闸管 M 没有接通，这是因为存储器晶闸管 M2 的阈值电压为 -3.9V， 而各个编号不小于 3 的存储器晶闸管 M 的阈值电压为 -4.6V 的缘故。
     换言之，在时间点 c 接通的存储器晶闸管 M 仅仅是存储器晶闸管 M1。
     随后，如在电流 J(M1) 所示，导通电流 Jo 流入已经接通的存储器晶闸管 M1。
     当存储器晶闸管 M1 接通时，与转移晶闸管 T1 的情况类似，栅极端子 Gm1 的电 势变为 “H” (0V)。 随后，由于发光晶闸管 L1 的栅极端子 Gl1 连接到栅极端子 Gm1， 所以发光晶闸管 L 的阈值电压变为 -1.3V。
     注意，由于存储器晶闸管 M2 的栅极端子 Gm2( 发光晶闸管 L2 的栅极端子 Gl2) 通过正向偏置的连接二极管 Dm2 连接到变成 -1.3V 的栅极端子 Gt2，所以存储器晶闸管 M2 的栅极端子 Gm2( 发光晶闸管 L2 的栅极端子 Gl2) 的电势为 2.6V。 因此，存储器晶 闸管 M2( 发光晶闸管 L2) 的阈值电压变成 -3.9V。
     然而，由于栅极端子 Gm( 栅极端子 Gl) 的电压为 -3.3V，所以各个编号不小于 3 的存储器晶闸管 M( 发光晶闸管 L) 的阈值电压为 -4.6V。
     因此，在时间点 c 处，各个编号不小于 2 的存储器晶闸管 M 不会接通。
     另外，由于点亮信号 φI1(φI) 为 “H” (0V)，所以没有发光晶闸管 L 接通。
     因此，紧接着时间点 c 之后，转移晶闸管 T1 和存储器晶闸管 M1 保持在导通状态。 注意，如上所述，已经接通的存储器晶闸管 M1 的阴极端子的电势变成 -1.3V， 该电势是通过从阳极端子的电势 (0V) 减去扩散电压 Vd(1.3V) 而得到的。 然而，由于存 储器晶闸管 M1 通过电阻 Rn1 连接到存储器信号线 74，所以存储器信号线 74 的电势保持 在 “L” (-3.3V)。
     在上文已经分别描述了发光芯片 C1(C) 的晶闸管 ( 转移晶闸管 T、存储器晶闸管 M 和发光晶闸管 L) 和二极管 ( 耦合二极管 Dc 和连接二极管 Dm) 的操作。 然而，下面 将描述晶闸管和二极管的操作。
     具体地说，当晶闸管接通时，该晶闸管的栅极端子 ( 栅极端子 Gt、栅极端子 Gm 和栅极端子 Gl) 的电势变为 “H” (0V)。
     随后，对于栅极端子没有通过任何二极管而与电势为 “H” (0V) 的栅极端子连 接的晶闸管而言，该晶闸管的阈值电压为 1.3V。
     另外，通过一级正向偏置的二极管 ( 一个二极管 ) 与电势为 “H” (0V) 的栅 极端子连接的栅极端子的电势变为 -1.3V，该电势是通过从 “H” (0V) 减去扩散电势 Vd(1.3V) 而得到的。 因此，具有该栅极端子的晶闸管的阈值电压变成 -2.6V。
     而且，通过两级正向偏置的二极管 ( 彼此串联连接的两个二极管 ) 与电势为 “H” (0V) 的栅极端子连接的栅极端子的电势变成 -2.6V，该电势是通过从 “H” (0V) 减去扩散电压 Vd(1.3V) 的两倍而得到的。 因此，具有该栅极端子的晶闸管的阈值电压变 成 -3.9V。
     另外，通过三级或更多级二极管与电势为 “H” (0V) 的栅极端子连接的栅极 端子通过电源线电阻 (Rt 或 Rm) 被提供电源电势 Vga(-3.3V)，并且因此仍受到电势为 “H”(0V) 的栅极端子的影响。 因此，该栅极端子的电势保持在电源电势 Vga(-3.3V)。 因此，具有该栅极端子的晶闸管的阈值电压变成 -4.6V。
     没有通过任何二极管而与电势为 “H” (0V) 的栅极端子连接的晶闸管、以及栅 极端子通过一级正向偏置的二极管与电势为 “H” (0V) 的栅极端子连接的晶闸管在电势 “L”(-3.3V) 或更小 ( 或绝对值更大 ) 处接通。 同时，栅极端子通过两级或更多级的正 向偏置的二极管与电势为 “H” (0V) 的栅极端子连接的晶闸管在电势 “L” (-3.3V) 处 没有接通。
     因此，唯一需要关注的是栅极端子没有通过任何二极管而与电势为 “H” (0V) 的 栅 极 端 子 连 接 的 晶 闸 管、 以 及 栅 极 端 子 通 过 一 级 正 向 偏 置 的 二 极 管 与 电 势 为 “H” (0V) 的栅极端子连接的晶闸管。
     在 下 文， 仅 描 述 在 各 个 定 时 处 栅 极 端 子 没 有 通 过 任 何 二 极 管 而 与 电 势 为 “H” (0V) 的栅极端子连接的晶闸管、以及栅极端子通过一级正向偏置的二极管与电势 为 “H”(0V) 的栅极端子连接的晶闸管。 在各个定时处，将省略对没有接通的晶闸管、 这些晶闸管的栅极端子的电势及其阈值电压的变化的描述。
     返回参考图 7，将描述发光芯片 C1(C) 的其它操作。
     在时间点 d 处，存储器信号 φm1(φm) 的电势从 “L” 变成 “H”。 随后， 由于存储器晶闸管 M1 的阳极端子和阴极端子具有相同的电势 “H”，所以存储器晶闸管 M1 关断。 因此，如在电流 J(M1) 中所示，电流停止流入存储器晶闸管 M1 中。
     由于栅极端子 Gm1 通过电源线电阻 Rm1 连接到电源电势 Vga(-3.3V)，所以栅 极端子 Gm1 的电势开始从 “H”(0V) 变成电源电势 Vga(-3.3V)。 换言之，在栅极端子 Gm1 的寄生电容中蓄积的电荷通过电源线电阻 Rm1 被释放。
     紧接着时间点 d 之后，仅仅转移晶闸管 T1 保持在导通状态。
     在时间点 e 处，第二转移信号 φ2 的电势从 “H” 变成 “L”。 随后，阈值电 源为 -2.6V 的转移晶闸管 T2 接通。
     当转移晶闸管 T2 接通时，栅极端子 Gt 2 的电势增大到 “H” (0V)。 而且，通 过一级正向偏置的二极管 ( 耦合二极管 Dc2) 连接到栅极端子 Gt2 的转移晶闸管 T3 的阈值 电压变成 -2.6V。 类似地，通过一级二极管 ( 连接二极管 Dm2) 连接到栅极端子 Gt2 的存 储器晶闸管 M2 和发光晶闸管 L2 两者的阈值电压变成 -2.6V。
     此时，转移晶闸管 T1 保持在导通状态。 因此，通过处于导通状态的转移晶闸管 T1，与奇数编号的转移晶闸管 T1、T3…的阴极端子相连的第一转移信号线 72 的电势保持 在扩散电势 Vd(-1.3V)。 因此，转移晶闸管 T3 不会接通。
     紧接着时间点 e 之后，两个转移晶闸管 T1 和 T2 都处于导通状态。
     在时间点 f 处，第一转移信号 φ1 的电势 φ1 从 “L” 变成 “H”。 随后，转 移晶闸管 T1 的阴极端子和阳极端子变成相同的电势 “H”。 因此，转移晶闸管 T1 不再 保持在导通状态，并且由此关断。 此时，转移晶闸管 T1 的栅极端子 Gt1 开始向电源电势 Vga(-3.3V) 变化，这是因 为栅极端子 Gt1 通过电源线电阻 Rt1 连接到电源线 71 的缘故。 通过这种变化，转移晶闸 管 T1 和转移晶闸管 T2 之间的耦合二极管 Dc1 变为反向偏置。 因此，栅极端子 Gt2 的电 势 “H” (0V) 不再影响栅极端子 Gt1。
     换言之，如上所述，电势 “H” (0V) 不会影响通过反向偏置的二极管与其相连 的栅极端子。
     紧接在时间点 f 之后，转移晶闸管 T2 保持在导通状态。
     在 时 间 点 g 处， 存 储 器 信 号 φm1(φm) 的 电 势 从 “H” (0V) 变 成 “L” (-3.3V)。 随后，由于存储器晶闸管 M2 的阈值电压为 -2.6V，所以存储器晶闸管 M2 接通。
     栅极端子 Gm1 在时间点 d 处开始从 “H” (0V) 变化到电源电势 Vga(-3.3V)。 该电势变化由时间常数确定，该时间常数由栅极端子 Gm1 的寄生电容和电源线电阻 Rm1 定义。 在时间点 g 处，如果栅极端子 Gm1 的电势保持在 -2V 或更大电势，则存储器晶 闸管 M1 的阈值电压为 -3.3V 或更大。 因此，在存储器信 φm1(φm) 的电势从 “H”变 成 “L” (-3.3V) 时的时间点 g 处，如果栅极端子 Gm1 的电势保持在 -2V 电势或更大， 则存储器晶闸管 M1 也接通。
     当存储器晶闸管 M1 和 M2 接通时，导通电流 Jo 流入存储器晶闸管 M1 和 M2，这 如在电流 J(M1) 和 J(M2) 中所示。随后，栅极端子 Gm1 和 Gm2 的电势变为 “H”(0V)。
     换言之，紧接着时间点 g 之后，转移晶闸管 T2 以及存储器晶闸管 M1 和 M2 处 于导通状态。
     随后，当存储器信号 φm1(φm) 的电势在时间点 h 处从 “L” 变成 “H” 时， 存储器晶闸管 M1 和 M2 的阳极端子和阴极端子的电势均变成 “H”，并且因此存储器晶
     闸管 M1 和 M2 两者关断。 与时间点 d 的情况类似，栅极端子 Gm1 和 Gm2 的电势开始从 “H” (0V) 向着电源电势 Vga(-3.3V) 变化。 因此，电流没有流入存储器晶闸管 M1 和 M2，这如在电流 J(M1) 和 J(M2) 中所示。
     紧接着时间点 h 之后，转移晶闸管 T2 保持在导通状态。
     当第一转移信号 φ1 的电势在时间点 i 从 “H”变成 “L”时，阈值电压为 -2.6V 的转移晶闸管 T3 接通。 随后，栅极端子 Gt3 的电势增加到 “H”(0V)。 另外，通过一 级正向偏置的二极管 ( 耦合二极管 Dc3) 连接到栅极端子 Gt3 的转移晶闸管 T4 的阈值电压 变成 -2.6V。 类似地，栅极端子 Gm3( 栅极端子 Gl3) 通过一级二极管 ( 连接二极管 Dm3) 连接到栅极端子 Gt3 的存储器晶闸管 M3( 存储器晶闸管 L3) 的阈值电压变成 -2.6V。
     此时，由于转移晶闸管 T2 保持在导通状态，所以通过处于导通状态的转移晶闸 管 T2，与偶数编号的转移晶闸管 T2、 T4…的阴极端子相连的第二转移信号线 73 保持在 扩散电势 Vd(-1.3V) 的电势处。 因此，转移晶闸管 T4 没有接通。
     紧接着时间点 i 之后，两个转移晶闸管 T2 和 T3 保持在导通状态。
     在时间点 j 处，第二转移信号 φ2 的电势从 “L” 变成 “H”。 随后，由于转 移晶闸管 T2 的阴极端子和阳极端子两者的电势都变成 “H”，所以转移晶闸管 T2 不会保 持在导通状态，并且由此转移晶闸管 T2 关断。
     此时，由于转移晶闸管 T2 的栅极端子 Gt2 通过电源线电阻 Rt2 连接到电源线 71，所以栅极端子 Gt2 的电势开始从 “H” (0V) 变成电源电势 Vga(-3.3V)。 随后， 转移晶闸管 T2 与转移晶闸管 T3 之间的耦合二极管 Dc2 变成反向偏置，并且由此已变成 “H” (0V) 的栅极端子 Gt3 不会影响栅极端子 Gt2。
     紧接着时间点 j 之后，转移晶闸管 T3 保持在导通状态。
     从时间点 k 到时间点 m 的写入时段 T(M3) 重复写入时段 T(M1)。 如在时间点 g 处的操作所述，在时间点 k 处，存储器晶闸管 M1 和 M2 的栅极端子 Gm1 和 Gm2 的电 势为 -2V 或更大，存储器晶闸管 M1 和 M2 的阈值电压为 -3.3V 或更大。 因此，在时间 点 k 处，如果存储器信号 φm1(φm) 从 “H” (0V) 变成 “L” (-3.3V)，则除了阈值电 压为 -2.6V 的存储器晶闸管 M3 之外，存储器晶闸管 M1 和 M2 也准备接通。 随后，如在 电流 J(M1)、J(M2) 和 J(M3) 中所示，导通电流 Jo 流入存 储器晶闸管 M1、M2 和 M3。 栅极端子 Gm1、 Gm2 和 Gm3 的电势变成 0V。
     换言之，紧接着时间点 k 之后，转移晶闸管 T3 和存储器晶闸管 M1、 M2 和 M3 保持在导通状态。 存储器晶闸管 M4 的阈值电压为 -2.6V。
     随后，当存储器信号 φm1(φm) 的电势在时间点 l 处从 “L” (-3.3V) 变成 “H” (0V) 时，存储器晶闸管 M1、 M2 和 M3 关断，电流不会流入存储器晶闸管 M1、 M2 和 M3 中，这如在电流 J(M1)、J(M2) 和 J(M3) 中所示。 另外，存储器晶闸管 M1、 M2 和 M3 的栅极端子 Gm1、Gm2 和 Gm3 的电势开始从 0V 变成电源电势 Vga(-3.3V)。
     接下来，将描述从时间点 m 到时间点 o 的写入时段 T(M4)。 在时间点 m 处， 存储器信号 φm1(φm) 的电势从 “H” 变成 “S”。 在时间点 m 处，存储器晶闸管 M4 的阈值电压为 -2.6V。 然而，与 “L” 不同， “S” 被设定在阈值电压为 -2.6V 的存储器 晶闸管 M 没有接通时的电势。 例如， “S” 被设定在 -2.5V。
     然而，存储器晶闸管 M1、 M2 和 M3 的栅极端子 Gm1、 Gm2 和 Gm3 的电势在时间点 l 处开始从 0V 变成 -3.3V。 随后，在时间点 m 处，如果这些栅极端子 Gm1、Gm2 和 Gm3 的电势为 -1.2V 或更大，则存储器晶闸管 M1、 M2 和 M3 的阈值电压变成 -2.5V 或更大。 因此，当存储器信号 φm1(φm) 在时间点 m 处从 “H” 变成 “S” (-2.5V) 时，存储器晶闸管 M1、 M2 和 M3 再次接通。 然而，如上所述，存储器晶闸管 M4 没有 接通。
     由于存储器信号 φm1(φm) 的电势为 “S”，所以流入到已经接通的存储器晶 闸管 M1、 M2 和 M3 中的电流变成小于导通电流 Jo 的保持电流 Js，这如在电流 J(M1)、 J(M2) 和 J(M3) 中所示。 注意，由于存储器晶闸管 M4 处于关断状态，所以没有电流流 入该存储器晶闸管 M4，这如在电流 J(M4) 中所示。
     因此，紧接着时间点 m 之后，转移晶闸管 T4 和存储器晶闸管 M1、M2 和 M3 处 于导通状态。
     如上所述，在时间点 m 处，存储器晶闸管 M1、 M2 和 M3 被设定在导通状态， 而存储器晶闸管 M4 被设定在关断状态。
     换言之，通过为存储器信号 φm 设定除 “H”和 “L”之外的电 势电压 “S”， 当存储器信号 φm 的电势从 “H” 变成 “S” 时，使得在接通之后关断的存储器晶闸管 M 再次接通，而还没有接通的存储器晶闸管 M 保持没有接通。 即，通过根据情况使用这 两个电平 “S” 和 “L”，选择是否接通存储器晶闸管 M。
     因此，当存储器信号 φm1(φm) 的电势从 “H” 变成 “L”，或者从 “H” 变 成 “S” 时，接通之后关断的存储器晶闸管 M( 例如，存储器晶闸管 M1、 M2 和 M3) 的 栅极端子 Gm 的电势会变成某一值以上，该值是通过把扩散电势 Vd(1.3V) 添加到 “S” 而得到的 ( 在 “S” 为 -2.5V 的情况下，该值为 -1.2V)。
     从时间点 o 到时间点 p 的下一个写入时段 T(M5) 重复写入时段 T(M3)，但是转 移晶闸管 T 和存储器晶闸管 M 具有不同的编号。 类似地，从时间点 p 到时间点 q 的写入 时段 T(M6) 和从时间点 q 到时间点 r 的写入时段 T(M7) 重复写入时段 T(M4)。 因此， 省略其具体描述。
     接下来将描述时间点 r 和随后的时段。
     在 时 间 点 r 处， 存 储 器 信 号 φm1(φm) 的 电 势 从 “H” (0V) 变 成 “L”(-3.3V)。随后，由于存储器晶闸管 M8 在写入时段 T(M7) 的阈值电压为 -2.6V，所 以存储器晶闸管 M8 接通。 存储器晶闸管 M1、M2、M3 和 M5 的栅极端子 Gm1、Gm2、 Gm3 和 Gm5 的电势保持在 -1.2V 或更大的电压，由此存储器晶闸管 M1、M2、M3 和 M5 的阈值电压为 -2.5V 或更大。 因此，在时间点 r 处，存储器晶闸管 M1、 M2、 M3 和 M5 接通。
     换言之，紧接着时间点 r 之后，转移晶闸管 T8 和存储器晶闸管 M1、M2、M3 和 M5 处于导通状态。
     对于流入到存储器晶闸管 M 中的电流，在时间点 r 处，导通电流 Jo 流入存储器 晶闸管 M1、M2、M3、M5 和 M8，这如在电流 J(M1)、J(M2)、J(M3)、J(M5) 和 J(M8) 中所示。 同时，没有电流流入存储器晶闸管 M4、 M6 和 M7 中，这如在电流 J(M4)、 J(M6) 和 J(M7) 中所示。
     在时间点 s 处，存储器信号 φm1(φm) 的电势从 “L” 变成 “S”。 由于处于导通状态的存储器晶闸管 M 的阴极电压为 -1.3V，所以存储器电平电势 “S” (-2.5V) 使 得这些存储器晶闸管 M 保持在导通状态。
     此时，保持电流 Js 流入存储器晶闸管 M1、 M2、 M3、 M5 和 M8 中， 这如在电 流 J(M1)、 J(M2)、 J(M3)、 J(M5) 和 J(M8) 中所示。 同时，没有电流流入处于关断状 态的存储器晶闸管 M4、 M6 和 M7 中。
     处于导通状态的存储器晶闸管 M1、 M2、 M3、 M5 和 M8 的栅极端子 Gm1、 Gm2、 Gm3、 Gm5 和 Gm8 的电势为 “H” (0V)。 因此，栅极端子 Gl1、 Gl2、 Gl3、 Gl5 和 Gl8 分别连接到各个栅极端子 Gm1、Gm2、Gm3、Gm5 和 Gm8 的发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 的阈值电压为 -1.3V。 同时，由于处于关断状态的各个存储器晶闸管 M4、 M6 和 M7 的栅极端子 Gm4、 Gm6 和 Gm7 通过各个电源线电阻 Rm4、 Rm6 和 Rm7 连接到电源电势 Vga(-3.3V)，所以栅极端子 Gm4、Gm6 和 Gm7 保持在 -3.3V。 因此，各 个栅极端子 Gl4、Gl6 和 Gl7 连接到各个栅极端子 Gm4、Gm6 和 Gm7 的发光晶闸管 L4、 L6 和 L7 的阈值电压为 -4.6V。
     由于转移晶闸管 T8 处于导通状态，所以栅极端子 Gt8 的电势为 0V。 设置为与 发光晶闸管 L8 相邻并且通过两级正向偏置二极管 ( 耦合二极管 Dc8 和图中未示出的连接 二极管 Dm9) 连接到栅极端子 Gt8 的发光晶闸管 L9( 图中未示出 ) 的栅极端子 Gl9( 图中 未示出 ) 的电势为 -2.6V。 因此，发光晶闸管 L9 的阈值电压为 -3.9V。 另外，由于各个 编号不小于 10 的发光晶闸管 L 的栅极端子 Gl 的电势等于电源电势 Vga(-3.3V)，所以这 些发光晶闸管 L 的阈值电压为 -4.6V。
     换言之，发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 的阈值电压为 -1.3V，发光晶闸管 L4、L6 和 L7 的阈值电压为 -4.6V，发光晶闸管 L9 的阈值电压为 -3.9V，而各个编号不小 于 10 的发光晶闸管 L 的阈值电压为 -4.6V。
     随后，存储器信号 φm1(φm) 保持在电势 “S”直到时间点 u 为止。 在该时段 内，存储器晶闸管 M1、 M2、 M3、 M5 和 M8 保持在导通状态。
     在以上描述中，存储器信号 φm1(φm) 的电势在写入时段 T(M8) 的时间点 r 处 从 “H”变成 “L”，从而除了使得发光晶闸管 L1、L2、L3 和 L5 点亮之外，还使得发光 晶闸管 L8 点亮。 然而，在不使得发光晶闸管 L8 点亮的情况下，存储器信号 φm1(φm) 的电势在写入时段 T(M8) 的开始时间点 r 处从 “H” 变成 “S”。
     这里，为了描述点亮信号 φI1(φI) 的电势 “Le”，将描述在不使得发光晶闸管 L8 点亮的情况下发光晶闸管 L8 的阈值电压。
     在不使得发光晶闸管 L8 点亮的情况下，存储器信号 φm1(φm) 的电势在时间 点 r 处从 “H” (0V) 变成 “S” (-2.5V)。 然而，由于存储器晶闸管 M8 的阈值电压 为 -2.6V，所以存储器晶闸管 M8 没有接通。 同时，如上所述，由于存储器晶闸管 M1、 M2、M3 和 M5 的栅极端子 Gm1、Gm2、Gm3 和 Gm5 的电势保持在 -1.2V 或更大，所以 存储器晶闸管 M1、M2、M3 和 M5 的阈值电压为 -2.5V 或更大。 因此，在时间点 r 处， 存储器晶闸管 M1、 M2、 M3 和 M5 接通。 随后，存储器晶闸管 M1、 M2、 M3 和 M5 的 栅极端子 Gm1、 Gm2、 Gm3 和 Gm5 都变成 0V。 由此，发光晶闸管 L1、 L2、 L3 和 L5 的阈值电压都变成 -1.3V，这是因为连接到各个栅极端子 Gm1、Gm2、Gm3 和 Gm5 的栅 极端子 Gl1、 Gl2、 Gl3 和 Gl5 都变成 0V 的缘故。由于转移晶闸管 T8 处于导通状态，所以其栅极端子 Gt8 的电势为 0V。 另外， 由于发光晶闸管 L8 的栅极端子 Gl8 通过一级正向偏置二极管 ( 连接二极管 Dm8) 连接到 栅极端子 Gt8，所以栅极端子 Gl8 的电势变成 -1.3V。 因此，发光晶闸管 L8 的阈值电压 变成 -2.6V。即，在有些情况下，发现没有点亮的发光晶闸管 L 的阈值电压变成 -2.6V。
     注意，除了发光晶闸管 L8 之外，其它发光晶闸管 L 的阈值电压都与上述同样使 得发光晶闸管 L8 点亮的情况下的阈值电压相同。
     具体地说，发光晶闸管 L1、 L2、 L3 和 L5 的阈值电压为 -1.3V，发光晶闸管 L4、 L6 和 L7 的阈值电压为 -4.6V，发光晶闸管 L8 的阈值电压为 -2.6V，发光晶闸管 L9 的阈值电压为 -3.9，而各个编号不小于 10 的发光晶闸管 L 的阈值电压为 -4.6V。
     在该时段中，存储器晶闸管 M1、 M2、 M3 和 M5 保持在导通状态。
     如上所述，要点亮的发光晶闸管 L 的阈值电压为 -1.3V，而不引起点亮的发光晶 闸管 L 的阈值电压为 -2.6V 或更小 (≤-2.6)。
     因此，为了使得将要点亮的发光晶闸管 L 点亮，点亮信号 φI1(φI) 的点亮电平 电势 “Le” 被设定在大于 -2.6V 并且不大于 -1.3V 之间的值 (-2.6 ＜ “Le” ≤-1.3)。
     在时间点 t 处，点亮信号 φI1(φI) 的电势从 “H” 变成 “Le”。 随后，发光 晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 接通并且点亮 ( 发光 )，这是因为其阈值电压为 -1.3V 的 缘故。 此时，由于为点亮信号 φI1(φI) 提供了电流驱动，所以点亮信号线 75 的电势没 有变成处于导通状态的发光晶闸管 L 的阴极端子的电势，并且使得多个发光晶闸管 L 同时 点亮。
     然而，由于除了这些发光晶闸管 L 之外其它发光晶闸管 L 的阈值电压为 -2.6V 或 更小，所以它们没有接通和点亮 ( 不发光 )
     因此，紧接着时间点 t 之后，转移晶闸管 T8 和存储器晶闸管 M1、 M2、 M3、 M5 和 M8 保持在导通状态，而发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 保持在点亮 ( 导通 ) 状态。
     在时间点 u 处，存储器信号 φm1(φm) 的电势从 “S” 变成 “H”。 随后，由 于存储器晶闸管 M1、M2、M3、M5 和 M8 的阴极端子和阳极端子都变成电势 “H”，所 以存储器晶闸管 M1、 M2、 M3、 M5 和 M8 不再保持在导通状态，并且由此它们关断。 因此，没有电流流入存储器晶闸管 M1、M2、M3、M5 和 M8，这如电流 J(M1) 到 J(M8) 中所示。
     在相同时间点 u 处，第一转移信号 φ1 的电势从 “H”变成 “L”。 随后，阈值 电压为 -2.6V 的转移晶闸管 T9 接通。而且，转移晶闸管 T10 的阈值电压被设定在 -2.6V。 此外，由于转移晶闸管 T9( 图 5 中未示出 ) 的栅极端子 Gt9( 图 5 中未示出 ) 的电势变成 0V，由此通过一级正向二极管 ( 连接二极管 Dm9( 图 5 中未示出 )) 与栅极端子 Gt9 相连的 存储器晶闸管 M9( 图 5 中未示出 ) 的栅极端子 Gm9( 图 5 中未示出 ) 的电势变成 -1.3V， 并且存储器晶闸管 M9 的阈值电压变成 -2.6V。 此时，即使存储器信号 φm1(φm) 保持 在电势 “S”，存储器晶闸管 M9 也没有接通。 另外，即使存储器信号 φm1(φm) 的电 势变成 “H”，存储器晶闸管 M9 也没有接通。
     紧接着时间点 u 之后，转移晶闸管 T8 和 T9 保持在导通状态，发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 保持在点亮 ( 导通 ) 状态。注意，在第一示例性实施例中，在时间点 u 处，存储器信号 φm1(φm) 从 “S” 到 “H” 的电势变化和第一转移信号 φ1 从 “H” 到 “L” 的电势变化同时进行。 如上 所述，即使存储器信号 φm1(φm) 的电势为 “S” 或 “H”，存储器晶闸管 M9 也没有 接通。 因此，即使首先进行这些变化中的任一个，都不会有问题。
     在时间点 v 处，第二转移信号 φ2 的电势从 “L” 变成 “H”。 随后，转移晶 闸管 T8 的阴极端子和阳极端子两者的电势变成 “H”，所以转移晶闸管 T8 不再保持在导 通状态，并且由此转移晶闸管 T8 关断。
     紧接着时间点 v 之后，转移晶闸管 T9 保持在导通状态，发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 保持在点亮 ( 导通 ) 状态。
     在时间点 x 处，点亮信号 φI1(φI) 的电势从 “Le” 变成 “H”。 随后，由于 发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 的阴极端子和阳极端子的电势均变成 “H”，所以发 光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 不再保持在导通状态，并且由此它们关断并熄灭。 换 言之，在从时间点 t 到时间点 x 的时段 ( 发光时段 t4) 内，发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 已经点亮。
     紧接着时间点 x 之后，转移晶闸管 T9 保持在导通状态。 在时间点 y 处，存储器信号 φm1(φm) 的电势从 “H” 变成 “L”。 随后，阈 值电压为 -2.6V 的存储器晶闸管 M9 接通。
     从时间点 y 开始的时段为驱动图 6 中所示的组 #B( 发光晶闸管 L9 到 L16) 时的 点亮控制时段 T(#B)。 除了根据图像数据集而设置的存储器信号 φm1(φm) 之外，点亮 控制时段 T(#B) 重复点亮控制时段 (#A)。 换言之，点亮控制时段 T(#B) 的时间点 y 对 应于点亮控制时段 T(#A) 的时间点 c。 随后的点亮控制时段 T(#C)…与上述相同。
     在 第 一 示 例 性 实 施 例 中， 根 据 图 像 数 据 集 “11101001”， 在 点 亮 控 制 时 段 T(#A) 的发光时段 t4 中使得发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 同时点亮 ( 发光 )。
     下面将对以上描述进行总结。
     在第一示例性实施例中，转移晶闸管 T 具有这样的时段 ( 例如，从时间点 e 到时 间点 f 的时段 )，在该时段中通过使用第一转移信号 φ1 和第二转移信号 φ2 使两个相邻 的转移晶闸管 T 都进入导通状 态，并且转移晶闸管 T 被设定成按照编号顺序从关断状态 变成导通状态，并且从导通状态变成关断状态。 换言之，按照转移晶闸管阵列的编号顺 序变换导通状态。
     在第一转移信号 φ1 和第二转移信号 φ2 中的任一个具有电势 “L”的时段中， 只有一个转移晶闸管 T 处于导通状态 ( 例如，在图 7 中从时间点 f 到时间点 i 的时段内只 有转移晶闸管 T2 处于导通状态 )。
     当转移晶闸管 T 进入导通状态时，其栅极端子 Gt 的电势增加到 “H”(0V)，而 连接到栅极端子 Gm 的存储器晶闸管 M 的阈值电压增大 (-2.6V)。 在只有一个转移晶闸 管 T 处于导通状态的定时处 ( 例如，图 7 中的时间点 c、g 和 k)，如果存储器信号 φm 的 电势被设定在 “L” (-3.3V)，则具有增大的阈值电压的存储器晶闸管 M 接通。 随后， 栅极端子 Gm 的电势增大到 “H” (0V)。 同时，如果存储器信号 φm 的电势被设定在 “H” 和 “L” 之间的 “S” (-2.5V)，则具有增大的阈值电压的存储器晶闸管 M 没有接 通。
     其后，已经接通的存储器晶闸管 M 关断。 由此，接通之后关断的存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 的电势从 “H” (0V) 变成 “L” (-3.3V)。 然而，在栅极端子 Gm 的 电势小于预定电势 (-1.2V) 之前，使得存储器信号 φm 的电势再次变成 “L”(-3.3V) 或 “S”(-2.5V)，由此使得接通之后关断的存储器晶闸管 M 再次接通 ( 例如时间点 g、k 和 m)。
     如上所述，在只有一个转移晶闸管 T 处于导通状态的定时，在根据图像数据集 使得发光晶闸管 L 点亮的情况下 ( 例如，在图像数据集 “1” 的情况下 )，存储器信号 φm 的电势变成 “L” (-3.3V)，而在不使得发光晶闸管 L 点亮的情况下 ( 例如，在图像 数据集 “0” 的情况下 )，存储器信号 φm 的电势变成 “S” (-2.5V)。 因此，仅仅使得 具有与对应于图像数据集 “1” ( 引起点亮 ) 的发光晶闸管 L 相同编号的存储器晶闸管 M 接通。
     如果已经接通的存储器晶闸管 M 关断，则它再次接通。 因此，引起点亮的发光 晶闸管 L 的位置 ( 编号 ) 被存储。 此时，引起点亮的 发光晶闸管 L 的数量可以是多个。 在对应于预定位数的写入时段 T(M) 结束的时间点 ( 在第一示例性实施例中的时间点 r) 处，与引起点亮的发光晶闸管 L 对应的所有存储器晶闸管 M 接通。 当存储器晶闸管 M 处于导通状态时，具有与存储器晶闸管 M 相同编号的发光晶 闸管 L 的阈值电压增大 ( 到 -1.3V)。 因此，通过把点亮信号 φI 的电势从 “H” 变成 “Le”，使得具有与处于导通状态的存储器晶闸管 M 相同编号的发光晶闸管 L 接通并点 亮 ( 发光 )。
     换言之，存储器晶闸管 M 具有这样的功能 ( 锁存功能 ) ：把根据图像数据集使得 发光晶闸管 L 点亮的位置 ( 编号 ) 进行存储。
     存储器信号 φm 的电势 “L” 作为用于把根据图像数据集而点亮的发光晶闸管 L 的位置 ( 编号 ) 进行存储的信号，存储器信号 φm 的电势 “S”作为使得接通之后关断 的存储器晶闸管 M 再次接通的信号 ( 更新信号 )。 然而，电势 “S” 不会使得其它存储 器晶闸管 M 接通。 换言之，存储器晶闸管 M 已经接通的存储信息被保持直到发光晶闸管 L 接通并点亮 ( 发光 ) 为止。
     注意，当发光晶闸管 L 点亮 ( 发光 ) 时，存储器晶闸管 M 不必再存储将要点亮的 发光存储器 L 的位置 ( 编号 )。 为了对存储器晶闸管 M 的存储信息 ( 接通存储器晶闸管 L 的历史 ) 进行复位，仅需要使得存储器晶闸管 M 的阈值电压变低 ( ＜ -3.3V)，即，使得栅 极端子 Gm 的电势变低 ( ＜ -2V)，从而即使存储器信号 φm 的电势变成 “L”(-3.3V)， 也能防止接通之后关断的存储器晶闸管 M 再次接通。 如上所述，栅极端子 Gm 的电势根 据由栅极端子 Gm 的寄生电容和电源线电阻 Rm 所定义的时间常数而改变。 因此，例如， 在把存储器信号 φm 的电势设定在 “H” 之后到再次设定在 “L” 的复位时段 t5( 从图 7 中的时间点 u 到时间点 y) 可以被设定长些，使得栅极端子 Gm 的电势变得更低。
     第一示例性实施例中的驱动方法是所谓的动态驱动。 在存储器晶闸管 M 的栅极 端子 Gm 的电势 ( 电荷 ) 不低于阈值电压时，重复更新。 借此操作，继续存储已经接通 的存储器晶闸管 M。
     注意，由于如上所述，没有接通的存储器晶闸管 M 的阈值电压 保持在 -3.9V 或 -4.6V，所以这些存储器晶闸管 M 保持在关断状态。
     存储器晶闸管 M 的阴极端子通过各个电阻 Rn 连接到提供有存储器信号 φm 的 存储器信号线 74。 尽管处于导通状态的存储器晶闸管 M 的阴极端子具有通过从阳极端子 (0V) 中减去扩散电势 Vd(1.3V) 得到的电势，但是通过使用电阻 Rn 可以把存储器信号线 74 保持在存储器信号 φm 的电势。 因此，可以使得多个存储器晶闸管 M 同时进入导通 状态。
     注意，在图 4 的电路中，点亮信号 φI 可以由电流驱动。 另外，为了抑制发光 点 ( 发光晶闸管 L) 的发光量的变化，可以使得将要提供的电流值根据同时引起点亮的发 光点 ( 发光晶闸管 L) 的数量而改变。 在以上描述中，描述了由电流驱动来提供点亮信号 φI，当在一个发光时段 t4 使得多个发光晶闸管 L 点亮时，提供对应于发光晶闸管 L 的数 量的电流。
     相反，当以预定电压驱动 ( 电压驱动 ) 点亮信号 φI 时，流入点亮 ( 发光 ) 的发 光晶闸管 L 中的电流变得恒定。 在此情况下，为了在一个发光时段使得多个发光晶闸管 L 点亮，仅需要在点亮信号线 75 与发光晶闸管 L 的每个阴极端子之间设置电阻，如同在 存储器信号线 74 与每个存储器晶闸管 M 之间设置电阻 Rn 一样。 如果不是这种情况，使 得点亮信号线 75 的电势变成电势 (-1.3V)，该电势是通过从处于导通状态的一个发光晶 闸管 L 的阳极端子的电势中减去扩散电势 Vd 而得到的，因此，其它发光晶闸管 L 不再接 通，并且没有点亮。
     如果用电流驱动点亮信号 φI，则不在点亮信号线 75 与发光晶闸管 L 的每个阴极 端子之间设置电阻是可接受的。 在此情况下，使用电源电势 V、扩散电势 Vd 和外部电 阻 R，把流入发光芯片 C 中的电流定义为 I ＝ (V-Vd)/R。 因此，流入到在一个发光时段 t4 同时点亮 ( 发光 ) 的多个发光晶闸管 L 中的每一个中的电流具有通过用 l 除以点亮 ( 发 光 ) 的发光晶闸管 L 的数量而得到的值。 因而，根据在一个发光时段同时点亮 ( 发光 ) 的发光晶闸管 L 的数量的不同，流入每个发光晶闸管 L 中的电流是不同的，因此，每个发 光晶闸管 L 的光强度不同。 为了避免这样，待提供的电流值可以根据引起点亮的发光晶 闸管 L 的数量而改变。
     通过使用提供给发光芯片 C 的图像数据集得到在一个发光时段 t4 同时引起点亮 的发光晶闸管 L 的数量，因此可以根据同时点亮的发光晶闸管 L 的数量来设定电流值。
     利用图 7 描述流入存储器晶闸管 M 的电流。 注意，这里描述了从时间点 c 到时 间点 y 的点亮控制时段 T(#A)。
     如上所述，通过在时间点 c 把存储器信号 φm 的电势从 “H”变成 “L”，使得 存储器晶闸管 M1 接通。 随后，在时间点 d 处，通过把存储器信号 φm 的电势从 “L” 变成 “H”，使得存储器晶闸管 M1 关断。 换言之，在存储器信号 φm 的电势为 “L” 的从时间点 c 到时间点 d 的时段 t2 内，存储器晶闸管 M1 进入导通状态，并且导通电流 Jo 流入到存储器晶闸管 M1 中。 存储器晶闸管 M1 在时间点 g 处再次接通，并且在时间 点 h 处关断。 同样在这一时段内，导通电流 Jo 流入到存储器晶闸管 M1 中。 在从时间点 k 到时间点 l 的时段内重复相同的操作。 通过在时间点 m 处把存储器信号 φm 的电势从 “H” 变成 “S”，使得存储器晶闸管 M1 接通，并且随后通过在时间点 n 处把存储器信 号 φm 的电势从 “S” 变成 “H”，使得存储器晶闸管 M1 关断。 在这一时段内，小于 导通电流 Jo 的保持电流 Js 流入到存储器晶闸管 M1 中，这是因为存储器晶闸管 M1 的阴极端子的电势为 “S” 的缘故。 类似地，在从各个时间点 o、 p、 q 和 r 开始的时段 t2 期 间，导通电流 Jo、保持电流 Js、保持电流 Js 和导通电流 Jo 分别流入到存储器晶闸管 M1 中。 因此，从时间点 c 到时间点 s 的时段包括导通电流 Jo 流入存储器晶闸管 M1 的 5 个 时段、以及保持电流 Js 流入存储器晶闸管 M1 的 3 个时段。
     类似地，对于存储器晶闸管 M2 来说，从时间点 c 到时间点 s 的时段包括导通电 流 Jo 流入到存储器晶闸管 M2 的 4 个时段、以及保持电流 Js 流入存储器晶闸管 M2 的 3 个时段。
     类似地，对于存储器晶闸管 M3 来说，从时间点 c 到时间点 s 的时段包括导通电 流 Jo 流入到存储器晶闸管 M3 的 3 个时段、以及保持 电流 Js 流入存储器晶闸管 M3 的 3 个时段。
     类似地，对于存储器晶闸管 M5 来说，从时间点 c 到时间点 s 的时段包括导通电 流 Jo 流入到存储器晶闸管 M5 的 2 个时段、以及保持电流 Js 流入存储器晶闸管 M5 的 2 个时段。
     对于存储器晶闸管 M8 来说，从时间点 c 到时间点 s 的时段包括导通电流 Jo 流入 到存储器晶闸管 M8 的 1 个时段。
     另一方面，对于存储器晶闸管 M4、M6 和 M7 来说，在从时间点 c 到时间点 s 的 时段内，既没有导通电流 Jo 也没有保持电流 Js 流入存储器晶闸管。
     因此，对于存储器晶闸管 M1 到 M8 来说，具有导通电流 Jo 流入到存储器晶闸管 的 15 个时段、以及保持电流 Js 流入到存储器晶闸管的 11 个时段。
     注意，在点亮控制时段 T(#A) 中，忽略了保持电流 Js 流入到存储器晶闸管中的 从时间点 s 到时间点 u 的时段。
     假定 “L”被设定在 -3.3V，“S”被设定在 -2.5V，时段 t1( 与写入时段 T(M1) 相同 ) 被设定在 100 纳秒，时段 t2 被设定在 10 纳秒。 另外，连接到存储器晶闸管 M 的 每个阴极端子的电阻 Rn 被设定成 1kΩ。 处于导通状态的存储器晶闸管 M 的阴极端子的 电势为 -1.3V，该电势是通过从阳极端子的电势 ( “H”(0V)) 中减去扩散电势 Vd(1.3V) 而得到的。
     因 此， 在 导 通 电 流 Jo 流 入 到 存 储 器 晶 闸 管 M 的 时 段 内， -2V( ＝ (-3.3V)-(-1.3V)) 的电压被施加在电阻 Rn 的两端。 因此，导通电流 Jo 变成 2mA( ＝ 2V/1kΩ)。
     同 时， 在 保 持 电 流 Js 流 入 存 储 器 晶 闸 管 M 的 时 段 内， -1.2V( ＝ (-2.5V)-(-1.3V)) 被 施 加 在 电 阻 Rn 的 两 端。 因 此， 保 持 电 流 Js 变 成 1.2mA( ＝ 1.2V/1kΩ)。
     因 此， 在 从 时 间 点 c 到 时 间 点 s 的 时 段 中 由 存 储 器 晶 闸 管 M 和 电 阻 Rn 消 耗 的 能 量 被 计 算 得 到 1.32 纳 焦 耳 ( ＝ 15 倍 ×10 纳 秒 ×2mA×3.3V+11 倍 ×10 纳 秒 ×1.2mA×2.5V)。
     从时间点 c 到时间点 s 的时段为 710 纳秒。 如果发光占空比 ( 发 光时段 t4 与点亮 控制时段 T(#A) 的比率 ) 被设定为 50％，则点亮控制时段 T(#A) 被设定为 1420 纳秒。
     因此，在从时间点 c 到时间点 y 的上述时段内由存储器晶闸管 M 和电阻 Rn 所消 耗的能量是 0.93mW 的平均功耗。返回到发光部分 63，进一步考虑其操作。 如上所述，发光部分 63 的发光芯片 C2 到 C60 与发光芯片 C1 如上所述并行操作。 在对发光芯片 C1 的发光晶闸管 L1 到 L8 进行点亮控制的点亮控制时段 T(#A) 中，对其它发光芯片 C2 到 C60 中每一个的发光晶闸 管 L1 到 L8 并行进行发光控制。
     类似地，在对发光芯片 C1 的发光晶闸管 L9 到 L16 进行点亮控制的点亮控制时 段 T(#B) 中，对发光部分 63 的其它发光芯片 C2 到 C60 中每一个的发光晶闸管 L9 到 L16 并行进行发光控制。 在其它点亮控制时段 T(#C) 中，执行相同的点亮控制。
     点亮信号 φI 的电势被设定在 “Le” 的时段 ( 从图 7 中的时间点 t 到时间点 x) 确定了发光晶闸管 L 的发光时段 t4。 在第一示例性实施例中，为发光芯片 C 中的对应两 个提供点亮信号 φI(φI1 到 φI30) 中的每一个。 因此，在被提供了一个点亮信号 φI 的 发光芯片 C( 例如，提供图 4 中的点亮信号 φI1 的发光芯片 C1 和 C2) 中，其发光时段 t4 彼此相等。 然而，由于可以为各个组 ( 例如，为组 #A 和 #B) 设置不同的发光时段 t4， 所以可以针对发光芯片 C 的各个组校正光强度的变化。
     可选地，可以通过为各个点亮信号 φI 设置发光时段 t4 来校正发光芯片 C 之间的 光强度的变化。
     注意，已经描述了在点亮控制时段 T(#A) 使得发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 点亮 ( 发光 ) 以及使得发光晶闸管 L4、L6 和 L7 不被点亮 ( 熄灭 )。 如上所述，当使 得发光晶闸管 L 点亮时，仅需要将存储器信号 φm 的电势设定在 “L”。 同时，当不使 得发光晶闸管 L 点亮时，仅需要把存储器信号 φm 的电势设定在 “S”。 由于为图 4 所 示的各个发光芯片 C 提供了存储器信号 φm，所以可以根据图像数据集来控制是否引起 发光晶闸管 L 点亮 ( 发光 )。
     图 8 是说明在没有应用第一示例性实施例情况下的发光芯片 C1(C) 操作的时序 图。 除了以下说明，该操作与图 7 所示应用了第一示例性实施例的情况相同。 换言之， 发光装置 65 中的信号生成电路 100 的结构以及信号生成电路 100 与每个发光芯片 C(C1 到 C60) 之间的布线结构同图 4 所示的结构相同。 另外，发光芯片 C 的电路结构与图 5 所示 的结构相同。 在点亮控制时段 T(#A) 中，假定打印图像数据集 “11101001”。
     图 8 与第一示例性实施例的情况 ( 图 7) 之间的不同之处在于 ：存储器信号 φm1(φm) 在从时间点 c 到时间点 r 的时段中的波形。 这里的驱动方法不是动态驱动而 是静态驱动。
     在应用了第一示例性实施例的情况下 ( 图 7)，通过在存储器晶闸管 M 的栅极端 子 Gm 的电势小于预定值之前使得存储器信号 φm 的电势设定在 “L”或 “S”从而使得 接通之后关断的存储器晶闸管 M 接通，防止存储器晶闸管 M 已经接通的存储信息丢失。
     另一方面，在没有应用第一示例性实施例的情况下，已经接通的存储器晶闸管 M 没有关断，并且保持在导通状态。
     将描述存储器信号 φm1 的波形。
     存储器信号 φm1(φm) 的电势在写入时段 T(M1) 的开始时间点 c 从 “H” 变 成 “L”，并且在时间点 d 从 “L” 变成 “S”。 随后，其电势保持在 “S” 直到作为 写入时段 T(M1) 的结束时间点的时间点 g 为止。 在同样作为写入时段 T(M2) 的开始时 间点的时间点 g 处，其电势从 “S” 变成 “L”，并且随后在时间点 h 处从 “L” 变成“S”。 其电势保持在 “S” 直到作为写入时段 T(M2) 的结束时间点的时间点 k 为止。 即，写入时段 T(M2) 中的波形重复写入时段 T(M1) 中的波形。 随后，同样在随后的写 入时段 T(M3)，重复相同的波形。
     然而，存储器信号 φm1(φm) 的电势保持在 “S”直到作为写入时段 T(M4) 的 开始时间点的时间点 m，并且在作为写入时段 T(M5) 的开始时间点的时间点 o 处从 “S” 变成 “L”。 写入时段 T(M5) 中的存储器信号 φm1 的波形重复写入时段 T(M1) 中的波 形。 写入时段 T(M6) 和 T(M7) 中的存储器信号 φm1(φm) 的波形重复写入时段 T(M4) 中 的波形。 另外，在本示例性实施例中，写入时段 T(M8) 中的存储器信号 φm1(φm) 的波形与第一示例性实施例中的写入时段 T(M8) 中的波形相同。
     接下来，将描述存储器晶闸管 M 的操作。
     紧接着图 8 中的时间点 b 之后，转移晶闸管 T1 处于导通状态，存储器晶闸管 M1 的阈值电压为 -2.6V。 当存储器信号 φm1(φm) 的电势在时间点 c 处从 “H” (0V) 变 成到 “L” (-3.3V) 时，阈值电压为 -2.6V 的存储器晶闸管 M1 接通。
     随后，在时间点 d 处，存储器信号 φm1(φm) 的电势从 “L” 变成 “S”。 处 于导通状态的存储器晶闸管 M1 的阴极端子的电势为 -1.3V，该电势是通过从阳极端子的 电势 ( “H” (0V)) 中减去扩散电势 Vd(1.3V) 而得到的。 因此，使用 -2.5V 的 “S” 来保持存储器晶闸管 M1 的导通状态。 换言之，在时间点 d 处，存储器晶闸管 M1 没有关 断，而是保持在导通状态。
     因此，如在电流 J(M1) 中所示，从时间点 c 到时间点 d，导通电流 Jo 流入存储 器晶闸管 M1，从时间点 d 到时间点 f，保持电流 Js 流入到存储器晶闸管 M1 中。
     类似地，当存储器信号 φm1(φm) 的电势在时间点 g 处从 “S” (-2.5V) 变成 “L” (-3.3V) 时，存储器晶闸管 M2 接通。 同时，由于存储器晶闸管 M1 保持在导通状 态，流入到存储器晶闸管 M1 中的电流从保持电流 Js 变成导通电流 Jo。 从时间点 g 到时 间点 h，导通电流 Jo 流入到存储器晶闸管 M1 中，从时间点 h 到时间点 k，保持电流 Js 流 入到存储器晶闸管 M1。 同时，如在电流 J(M2) 中所示，从时间点 g 到时间点 h，导通电 流 Jo 流入到存储器晶闸管 M2，从时间点 h 到时间点 k，保持电流 Js 流入到存储器晶闸管 M2。
     写入时段 T(M3) 重复写入时段 T(M1)，并且存储器晶闸管 M3 重新接通。 在写 入时段 T(M3) 的结束时间点 m 处，存储器晶闸管 M1、 M2 和 M3 保持在导通状态。
     在写入时段 T(M4) 的开始时间点 m 处，存储器信号 φm1(φm) 的电势保持在 “S”。 因此，在写入时段 T(M3) 中，阈值电压为 -2.6V 的存储器晶闸管 M4 没有接通。 因此，在时间点 m 处，存储器晶闸管 M1、 M2 和 M3 保持在导通状态。
     在 写 入 时 段 T(M5) 中， 由 于 存 储 器 信 号 φm1(φm) 的 电 势 从 “S” 变 成 “L”，所以存储器晶闸管 M5 接通。 然而，在写入时段 T(M6) 和 T(M7) 中，由于存 储器信号 φm1(φm) 的电势保持在 “S”，所以存储器晶闸管 M6 和 M7 没有接通。 其 后，在写入时段 T(M8) 的开始时间点 r 处，由于存储器信号 φm1(φm) 的电势从 “S” 变成 “L”，所以存储器晶闸管 M8 接通。
     尽管省略了其具体描述，但是如在写入时段 T(M3) 到 T(M7) 中的电流 J(M1) 到 J(M8) 所示，电流流入到存储器晶闸管 M1 到 M8。从时间点 r 到时间点 y 的操作与应用了第一示例性实施例的情况下 ( 图 7) 已经描 述的操作相同。 换言之，当点亮信号 φI1(φI) 的电势在时间点 t 从 “H” 变成 “Le” 时，具有与处于导通状态的各个存储器晶闸管 M 相同编号的各个发光晶闸管 L( 这里，为 发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8) 接通并且点亮 ( 发光 )。
     如上所述，在没有应用第一示例性实施例的情况下，已经接通的存储器晶闸管 M 保持在导通状态，其栅极端子 Gm 的电势保持在 “H”(0V)。 因此，与第一示例性实 施例不同的是，不必在栅极端子 Gm 的电势变成预定电势之前把存储器信号 φm1(φm) 的电势从 “L” 变成 “S”。 换言之，在图 8 中，从时间点 d 到时间点 g 的时段 t3 的长 度不受限制。
     然而，在没有应用第一示例性实施例的情况下 ( 图 8)，存储器晶闸管 M 的功耗 增大。 例如，在写入时段 T(M1) 中从时间点 d 到时间点 g 的时段中，保持电流 Js 流入 到存储器晶闸管 M 中。 保持电流 Js 流入存储器晶闸管 M 的时段有 21 个。 因此，在从 时间点 c 到时间点 s 的时段内由存储器晶闸管 M 和电阻 Rn 所消耗的能量具有这样的值 (6.99 纳焦耳 ) ：该值是通过把 5.67 纳焦耳 ( ＝ 21 倍 ×90 纳秒 ×1.2mA×2.5V) 添加到 图 7 所述的值 1.32 纳焦耳而得到的。 因此，通过用该值除以从时间点 c 到时间点 y 的时 段的 1420 纳秒得到平均功耗为 4.92mW。 因此，在图 7 所述第一示例性实施例中的平均功耗 (0.93mW) 是图 8 所示没有应 用第一示例性实施例情况下的平均功耗 (4.92mW) 的五分之一。
     假定在发光晶闸管 L 点亮 ( 发光 ) 的情况下的电流为 10mA。 在这种状态下， 在如图 7 和图 8 所示 5 个发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 点亮的情况下的电流变成 50mA。还假定从图 7 和图 8 中的时间点 t 到时间点 x 的发光时段 t4 的发光占空比为 50％， 施加到发光晶闸管 L 的电势为 -2V。 在这种状态下，处于导通状态的 5 个发光晶闸管 L 的功耗变成 50mW( ＝ 0.5×5 个发光晶闸管 ×10mA×2V)。
     没有应用第一示例性实施例情况下的存储器晶闸管 M 中的功耗为发光晶闸管 L 的功耗的 10％。
     因此，在第一示例性实施例中，由于可以减小存储器晶闸管 M 的功耗，所以可 以抑制发光芯片 C 的功耗。
     注意，上述功耗仅仅是一个实例，功耗根据点亮的发光晶闸管 L 的数量和发光 占空比而变化。
     接下来，将描述在第一示例性实施例中存储器晶闸管 M 关断之后存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 的电势变化。
     图 9 是示出了存储器晶闸管 M 的阈值电压与存储器晶闸管 M 关断之后栅极端子 Gm 的电势的变化的一个实例的曲线图。 横轴表示存储器晶闸管 M 关断之后的时间 ( 纳 秒 )，而纵轴表示栅极端子 Gm 的电势 (V) 和存储器晶闸管 M 的阈值电压 (V)。 尽管， 在上面的描述中，处于导通状态的存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 的电势假定为 0V，然 而，这里设定为真实值 -0.2V( 存储器晶闸管 M 关断之后 0 纳秒处的栅极端子的电势 )。
     这里，假定栅极端子 Gm 的寄生电容为 25pF，电源线电阻 Rm 为 20kΩ。 因此， 存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 的电势随着时间常数 500 纳秒 ( ＝ 25pF×20kΩ) 而减 小。
     响应于存储器晶闸管 M 关断之后所经过的时间，存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 的电势从 -0.2V 减小到电源电势 Vga(-3.3V)。 存储器晶闸管 M 的阈值电压的值 通过从栅极端子 Gm 的电势中减去扩散电 势 Vd(1.3V) 而得到，并且由此从 -1.5V 减小 到 -4.6V。
     在存储器晶闸管 M 关断之后的 200nm 时，栅极端子 Gm 的电势减小到 -1.2V， 即，参考图 9，存储器晶闸管 M 的阈值电压减小到 -2.5V。
     因此，在图 7 所示的第一示例性实施例中，仅需要把时段 t3( 例如，图 7 中从时 间点 d 到时间点 g 的时段、从时间点 l 到时间点 m 的时段，等等 ) 设定在 200nm 内从而 使得接通之后关断的存储器晶闸管再次接通。 如果时段 t3 超过 200 纳秒，由于阈值电压 小于 -2.5V，所以存储器信号 φm1(φm) 的电势 “S”(-2.5V) 不再使得存储器晶闸管 M 接通，并且存储器晶闸管 M 已经接通的存储信息从存储器晶闸管 M 中丢失。
     注意，图 9 中所示的值是一个实例，时段 t3 的允许长度根据存储器晶闸管 M 的 栅极端子 Gm 的寄生电容和电源线电阻 Rm 的值而变化。 例如，如果使得电源线电阻 Rm 变大，则时间常数变大，由此栅极端子 Gm 的电势减小到 -1.2V 的时间变成大于 200 纳 秒。 相反，如果使得电源线电阻 Rm 变小，则时间常数变小，由此栅极端子 Gm 的电势 减小到 -1.2V 的时间变成小于 200 纳秒。 类似地，栅极端子 Gm 的寄生电容使得长度发 生变化。
     因此，使用存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 的寄生电容和电源线电阻 Rm 的值 可以调节时间常数。
     < 第二示例性实施例 >
     图 10 是说明第二示例性实施例中的发光芯片 C1(C) 的操作的时序图。
     在第二示例性实施例中，发光装置 65 中的信号生成电路 100 的结构以及信号生 成电路 100 与每个发光芯片 C(C1 到 C60) 之间的布线结构与图 4 所示的第一示例性实施 例中的结构相同。 发光芯片 100 的电路结构与图 5 中所示的第一示例性实施例中的结构 相同。
     在第一示例性实施例中，在接通之后关断的存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 的 电势小于预定电势之前，提供用于写入图像数据集的下一位的信号 “L” 或 “S” ( 存储 器信号 φm)。
     然而，如上所述，作为实例，在已经接通的存储器晶闸管 M 关 断之后直到存储 器晶闸管 M 再次接通的时段 t3 为 200 纳秒。 时段 t3 由栅极端子 Gm 的寄生电容和电源 线电阻 Rm 所确定，并且由此时段 t3 的可变范围受到限制。
     在点亮控制时段 T(#B) 的开始时间点 ( 图 7 和图 10 中的时间点 y) 中，应当针 对点亮控制时段 T(#A) 在每个存储器晶闸管 M 中对存储器晶闸管 M 已经接通的存储信息 进行复位。 为了对存储信息进行复位，要求栅极端子 Gm 的电势在从时间点 u 到时间点 y 的复位时段 t5 处小于 -2V，在时间点 u 处，存储器信号 φm1(φm) 的电势在点亮控制 时段 T(#A) 中最后从 “S” 变成 “H”，在时间点 y 处，存储器信号 φm1(φm) 的电势 在点亮控制时段 T(#B) 中首次从 “H” 变成 “L” 或者 “S”。 在图 9 所示的实例中， 为了使得栅极端子 Gm 的电势小于 -2V，在关断存储器晶闸管 M 之后需要不小于 400 纳 秒。 因此，在有些情况下，复位时段 t5 可能太长。同时，如果通过调节存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 的寄生电容和电源线电阻 Rm 中的至少任何一个来将时间常数设定为较短，则时段 t4 可以更短。 然而，时段 t3 也 会更短。
     为了避免这种情况，在第二示例性实施例中，在把图像数据集写入存储器晶闸 管 M 中的存储器信号 φm 的写入时段 T(M) 内，新添加存储器信号 φm 的电势变成 “S” 的时段，从而更新存储器晶闸管 M 已经接通的存储信息。 因此，时段 t3 可以设定成大于 由时间常数所确定的时段，该时间常数由存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 的寄生电容和 电源线电阻 Rm 来定义。
     在图 10 中，重新把存储器信号 φm1(φm) 的电势设定为 “S”的时段被添加到 第一示例性实施例中的图 7 中的写入时段 T(M) 中。 换言之，存储器信号 φm1(φm) 的 电势在写入时段 T(M1) 中的时间点 d 之后并且在时间点 e 之前的时间点 α 处从 “H”变 成 “S”，并且在时间点 α 之后并且在时间点 e 之前的时间点 β 处从 “S”变成 “H”。
     发光芯片 C1(C) 在时间点 α 处的操作与已经描述的第示例性实施例中图 7 中的 时间点 m 处的操作相同。 具体地说，如果在时间 点 c 处接通并且在时间点 d 处关断的存 储器晶闸管 M1 的栅极端子 Gm1 的电势在时间点 α 处不小于 -1.2V，则存储器晶闸管 M1 的阈值电压不小于 -2.5V。 因此，通过在时间点 α 处把存储器信号 φm1(φm) 的电势 从 “H” (0V) 变成 “S” (-2.5V)，存储器晶闸管 M1 再次接通。 类似地，如果栅极端 子 Gm1 的电势不小于 -1.2V，则在时间点 β 处已经关断的存储器晶闸管 M1 在时间点 g 处的阈值电压不小于 -2.5V。 因此，通过在时间点 g 把存储器信号 φm1(φm) 的电势从 “H” (0V) 变成 “L” (-3.3V)，存储器晶闸管 M1 再次接通。
     在其它写入时段 T(M2) 到 T(M7)，情况也是如此。 对于这些时段 T(M2) 到 T(M7)，将省略掉具体描述。 注意，在写入时段 T(M8) 中，操作与第一示例性实施例中 的操作相同。
     如上所述，在第二示例性实施例中，在写入时段 T(M) 中间 ( 例如，在写入时段 T(M1) 中从时间点 α 到时间点 β 的时段 )，设置了存储器信号 φm1(φm) 的电势被设 定在 “S” 的时段。 这是因为如上所述，更新了存储器晶闸管 M 已经接通的存储信息。 注意，存储器信号 φm1(φm) 的电势被设定在 “S” 而不是 “L”，从而防止新的存储 器晶闸管 M 接通。
     另外，在第二示例性实施例中，尽管在写入时段 T(M) 的中间设置了把电势设 定在 “S” 从而更新存储器的一个时段，但是可以在写入时段 T(M) 中设置多个时段。 仅需要设置把电势设定在 “S” 用于更新的时段，从而使得接通之后关断的存储器晶闸管 M 再次接通。 因此，可以单独设定时段 t3 的长度和复位时段 t5。
     < 第三示例性实施例 >
     图 11 是示出了第三示例性实施例中的发光装置 65 中的信号生成电路 100 的结构 以及信号生成电路 100 与每个发光芯片 C(C1 到 C60) 之间的布线结构的示意图。
     第三示例性实施例与图 4 所示的第一示例性实施例之间的差别在于在第三示例 性实施例中新设置的消除信号生成单元 140。 消除信号生成生成单元 140 用于信号生成单 元 100，把用于消除每个栅极端 子 Gm 的寄生电容中蓄积的电荷的消除信号 φe 发送到发 光芯片 C(C1 到 C60)。在电路板 62 上，除了图 4 所示的第一示例性实施例的结构之外，新设置了消除 信号线 102。 消除信号线 102 把来自信号生成电路 100 的消除信号生成单元 140 的消除 信号 φe 发送到发光部分 63。 消除信号线 102 并联连接到发光芯片 C(C1 到 C60) 的 φe 端子 ( 参见稍后描述的图 12)。
     其它结构与图 4 所示的第一示例性实施例中的结构相同。 因此，在第三示例性 实施例中，对与第一示例性实施例中的部件相同的部件给予相同的附图标记，并且省略 其具体描述。
     在第一示例性实施例中，接通之后关断的存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 的电 势在存储器晶闸管 M 关断之后从 0V 变成 -3.3V。 这种变化率由如下时间常数确定，该时 间常数由存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 的寄生电容和电源线电阻 Rm 来定义。 因此， 不允许独立于时段 t3 来设定用于对存储器晶闸管 M 已经接通的存储器晶闸管 M 的存储信 息进行复位的复位时段 t5。 在第三示例性实施例中，通过强制利用消除信号 φe 设定栅 极端子 Gm 的电势来将复位时段 t5 设定得较短。
     在第三示例性实施例中，把基准电势 Vsub、电源电势 Vga、第一转移信号 φ1、 第二转移信号 φ2 和消除信号 φe 共同地发送到所有发光芯片 C(C1 到 C60)。 根据图像 数据集，把存储器信号 φm(φm1 到 φm60) 单独发送到发光芯片 C(C1 到 C60)。 把每 个点亮信号 φI(φI1 到 φI30) 发送到相应两个发光芯片 C(C1 到 C60) 中。
     图 12 是说明第三示例性实施例中作为自扫描发光元件阵列 (SLED) 芯片的发光 芯片 C(C1 到 C60) 的电路结构的示意图。 这里，将发光芯片 C1 作为实例进行描述。 然 而，其它发光芯片 C2 到 C60 具有与发光芯片 C 1 相同的结构。 注意，在图 12 中，主要 示出了包括转移晶闸管 T1 到 T4、存储器晶闸管 M1 到 M4 和发光晶闸管 L1 到 L4 的部 分。
     第三示例性实施例与图 5 所示的第一示例性实施例之间的不同 之处在于新设置 的作为消除元件实例的消除二极管 Sd1、 Sd2、 Sd3…。
     发光芯片 C1(C) 包括直线排列在基板 80 上的消除二极管 Sd1、 Sd2、 Sd3…。 消除二极管 Sd1、Sd2、Sd3…可以是肖特基二极管。 如果不区分消除二极管 Sd1、Sd2、 Sd3…，则它们被称为消除极管 Sd。
     接下来，将描述发光芯片 C1(C) 中的消除二极管 Sd 的电连接。
     消除二极管 Sd1、 Sd2、 Sd3…的每个阳极端子连接到存储器晶闸管 M1、 M2、 M3…的对应一个栅极端子 Gm1、 Gm2、 Gm3…。
     消除二极管即 1、 Sd2、 Sd3…的阴极端子连接到消除信号线 76。 而且，消除信 号线 76 连接到作为消除信号 φe 的输入端子的 φe 端子。 消除信号线 102( 参见图 11) 连 接到 φe 端子，消除信号 φe 被提供到 φe 端子。
     接下来，将描述第三示例性实施例中的发光部分 63 的操作。 如图 11 所示，第 一转移信号 φ1 和第二转移信号 φ2 组成的信号对以及消除信号 φe 被共同提供到构成发 光部分 63 的发光芯片 C(C1 到 C60)。 同时，基于图像数据集的存储器信号 φm(φm1 到 φm60) 被单独提供到发光芯片 C(C1 到 C60)。 点亮信号 φI(φI1 到 φ130) 被分别提供 到每个都由两个发光芯片 C 组成的对应发光芯片对，使得每个点亮信号 φI 由构成每一对 的两个发光芯片 C 所共有，并且点亮信号 φI 被单独提供到构成不同对的发光芯片 C。第三示例性实施例与第一示例性实施例的不同仅仅在于另外设置的消除二极管 Sd。 类似于第一示例性实施例中的描述，如果描述了发光芯片 C1 的操作，则就了解发光 部分 63 的操作。 因此，将以发光芯片 C1 作为实例来描述发光芯片 C 的操作。
     图 13 是说明第三示例性实施例中的发光芯片 C1(C) 的操作的时序图。
     同样在图 13 中，假定时间以字母顺序从时间点 a 到时间点 y。 在图 13 中，示 出了第一转移信号 φ1、第二转移信号 φ2、存储器信号 φm1、消除信号 φe、点亮信号 φI1 和流入到各个存储器元件 M1 到 M8 的电流 J(M1) 到 J(M8)。
     图 13 示出了在使用均由图 6 所示的 8 个发光晶闸管 L 组成的组 来执行点亮控制 情况下的点亮控制时段 T(#A)。 这里，在点亮控制时段 T(#A) 中，对组 #A 中的发光晶 闸管 L1 到 L8 进行亮度控制。 注意，点亮控制时段 T(#A) 之后是对组 #B 中的发光晶闸 管 L9 到 L16 进行亮度控制的点亮控制时段 T(#B)，对组 #C 中的发光晶闸管 L17 到 L24 进行亮度控制的点亮控制时段 T(#C)， …但是省略了对点亮控制时段 T(#C) 的说明。
     注意，在图 13 所示的点亮控制时段 T(#A) 中，类似于第一示例性实施例，使得 组 #A 中的 8 个发光晶闸管 L1 到 L8 当中的发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 点亮 ( 发 光 )，同时保持发光晶闸管 L4、 L6 和 L7 不点亮 ( 熄灭 )。 换言之，假定打印图像数据 集 “11101001”。
     在图 13 中，除了消除信号 φe 之外的信号的波形与图 7 所示的波形相同。 因 此，将只描述消除信号 φe。
     这里，将描述点亮控制时段 T(#A) 中的消除信号 φe 的波形。
     消除信号 φe 的电势在点亮控制时段 T(#A) 的开始时间点 c 处为 “H”，在时间 点 v 处从 “H” 变成 “L”。 随后，在时间点 w 处，其电势从 “L” 变成 “H”。 在 点亮控制时段 T(#A) 的结束时间点 y 处，其电势保持在 “H”。
     换言之，消除信号 φe 在点亮控制时段 T(#A) 中具有一次 “L” 电势。
     将描述消除信号 φe 的操作。
     如上所述，接通之后关断的存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 的电势从 0V 变 成 -3.3V。 该变化率由如下时间常数确定，该时间常数由栅极端子 Gm 的寄生电容和电源 线电容 Rm 所定义。 如上所述，如果栅极端子 Gm 的电势变化很慢，则由于时段 t 3 被设 定很长所以可能有利，但是由于复位时段 t5 变得更长所以可能不利。
     在第三示例性实施例中，为了控制复位时段 t5，设置了消除信号 φe，其强制地 消除了栅极端子 Gm 的寄生电容中蓄积的电荷，并且从存储器晶闸管 M 中清除了存储器 晶闸管 M 已经接通的存储信息。
     参考图 12，将根据图 13 所示时序图描述发光部分 63 和发光芯片 C1(C) 的操作。
     注意，在图 12 中，仅示出了包括编号均为 1-4 的转移晶闸管 T、存储器晶闸管 M、发光晶闸管 L 等的部分。 包括编号均不小于 5 的晶闸管等的其它部分 ( 图中未示出 ) 重复上面的部分。 在下面描述中，不仅描述了编号分别为 1-4 的元件，还描述了分别具 有其它编号的元件。
     ( 初始状态 )
     在图 13 所示的时序图中的时间点 a 处，在发光部分 63 的每个发光芯片 C(C1 到 C60) 上设置的 Vsub 端子被设定在基准电势 Vsub(0V)。 同时，每个 Vga 端子被设定在电源电势 Vga(-3.3V)( 参见图 11)。
     另外，信号生成电路 100 的转移信号生成单元 120 把第一转移信号 φ1 和第二 转移信号 φ2 的电势设定在 “H”，存储器信号生成单元 130 把存储器信号 φm(φm1 到 φm60) 的电势设定在 “H”，消除信号生成单元 140 把消除信号 φe 的电势设定在 “H”，点亮信号生成单元 110 把点亮信号 φI(φI1 到 φI30) 的电势设定在 “H”( 参见 图 11)。
     除了消除信号 φe 之外的信号引起发光部分 63 和发光信号 C(C1 到 C60) 的状态 与第一示例性实施例中描述的状态相同。 下文将主要描述与消除信号 φe 有关的部分。
     当消除信号 φe 的电势变成 “H” 时，消除信号线 102 的电势变成 “H”，并且 由此每个发光芯片 C 的消除信号线 76 通过每个发光芯片 C 的 φe 端子而变成 “H”。 由 于消除信号 φe 被共同发送到发光芯片 C，所以如果描述了发光芯片 C1 的操作，则就了 解发光芯片 C 的操作。
     在下文，将以发光芯片 C1 作为实例主要描述与发光芯片 C 的消除信号 φe 有关 的操作。 其它发光芯片 C2 到 C60 与发光芯片 C1 并行地类似于发光芯片 C1 执行操作。
     当消除信号 φe 的电势变成 “H” 时，消除二极管 Sd1、 Sd2、 Sd3…的阴极端 子的电势变成 “H” (0V)。 另一方面，如在第一示例性实施例中所述，存储器晶闸管 M1 的栅极端子 Gm1 的电势通过正向偏置的启动二极管 Ds 和连接二极管 Dm1 而变成 -2.6V。 各个编号不 小于 2 的存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 通过三级或更多级正向二极管连接到设定在 “H”(0V) 电势的启动二极管 Ds 的阳极端子 ( 例如，栅极端子 Gm2 通过启动二极管 Ds、 耦合二极管 Dc1 和连接二极管 Dm2 这三级与启动二极管 Ds 的阳极端子连接 )。 因此， 这些栅极端子 Gm 的电势变成电源电势 Vga(-3.3V)。 消除二极管 Sd 的阳极端子分别连 接到栅极端子 Gm。
     因此，所有消除二极管 Sd 都被反向偏置。 这样，栅极端子 Gm 的电势不会受到 消除信号 φe 的影响。
     ( 操作开始和运行条件 )
     在点亮控制时段 T(#A) 中从时间点 b 到时间点 s 的时段是把图像数据集写入存储 器晶闸管 M1 到 M8 的时段。 在该时段中，消除信号 φe 的电势保持在 “H”。 因此， 消除二极管 Sd 的阴极端子的电势被设定在 0V( “H” )。 同时，连接到消除二极管 Sd 的阳极端子的栅极端子 Gm 的每个电势的值在 0V 到 -3.3V 之间。 在存储器晶闸管 M 接 通时，栅极端子 Gm 的电势变成 0V。 同时，在存储器晶闸管 M 保持在关断状态而没有 接通时，其电势变成 -3.3V。 随后，接通之后关断的存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 的 电势从 0V 变成 -3.3V，并且由此其栅极端子 Gm 的电势的值在 0V 到 -3.3V 之间。
     因此，在从时间点 b 到时间点 s 的时段内，消除二极管 Sd 至少没有被正向偏置。 因而，栅极端子 Gm 的电势没有受到消除信号 φe 的影响。
     因此，从时间点 b 到时间点 s 的时段中的点亮芯片 C1(C) 的操作与第一示例性实 施例中的操作相同。
     在时间点 t 处，类似于第一示例性实施例，通过把点亮信号 φI1(φI) 的电势从 “H” 变成 “Le”，使得发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 接通而点亮 ( 发光 )。 同样在该状态下，消除二极管 Sd 至少没有被正向偏置。 因而，栅极端子 Gm 的电势没有受 到消除信号 φe 的影响。
     随后，在时间点 u 处，存储器信号 φm1(φm) 的电势从 “S” 变成 “H”。 因 此，处于导通状态的存储器晶闸管 M1、M2、M3、M5 和 M8 关断，并且栅极端子 Gm1、 Gm2、Gm3、Gm5 和 Gm8 的电势开始从 0V 变成 -3.3V。 同时，保持在关断状态的存储 器晶闸管 M4、 M6 和 M7 的栅极端子 Gm4、 Gm6 和 Gm7 的电势通过电源电势 Vga 保持 在 3.3V。
     如上所述，在 “S” 被设定在 -2.5V 并且 “L” 被设定在 -3.3V 的第三示例性实 施例中，为了使得存储器晶闸管 M 已经接通的存储器晶闸管 M 的存储信息复位，要求使 得栅极端子 Gm 的电势小于 -2V。
     在时间点 v 处，消除信号 φe 的电势从 “H”(0V) 变成 “L”(-3.3V)。 因此， 消除二极管 Sd 的阴极端子的电势变成 -3.3V。 同时，消除二极管 Sd 的阳极端子分别连接 到上述存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm。 接通之后已经关断的存储器晶闸管 M1、 M2、 M3、M5 和 M8 的栅极端子 Gm 的电势在时间点 u 处开始从 0V 变成 -3.3V。 因而，消除 二极管 Sd1、 Sd2、 Sd3、 Sd5 和 Sd8 被正向偏置。 因此，栅极端子 Gm1、 Gm2、 Gm3、 Gm5 和 Gm8 的电势变成这样的值 (-2.5V)，该值是通过从 -3.3V( “L” ) 中减去消除二 极管 Sd 的正向电势 Vs(0.8V) 而得到的。 换言之，通过把消除信号 φe 的电势从 “H” 变成 “L”，已经接通的存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 的电势被强制设定在 -2.5V，并 且加速了栅极端子 Gm1、 Gm2、 Gm3、 Gm5 和 Gm8 的电势变化。
     由于使用 Al 电极的肖特基二极管的正向电势 Vs(0.8V) 小于 p-n 结的扩散电势 Vd(1.3V)，所以已经接通的存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 的电势可以设定在较低电 势。 注意，除了 Al 之外， Au、 Pt、 Ti、 Mo、 W、 WSi、 TaSi 等也可以用作肖特基二极 管的电极。
     注意，存储器晶闸管 M4、 M6 和 M7 的栅极端子 Gm4、 Gm6 和 Gm7 的电势不 会从 -3.3V 发生变化。
     在时间点 v 处，第二转移信号 φ2 的电势从 “L” 变成 “H”，并且转移晶闸管 T8 关断。 如果转移晶闸管 T8 处于导通状态，则栅极端子 Gt8 的电势为 0V。 另外，通 过连接二极管 Dm8 连接到栅极端子 Gt8 的栅极端子 Gm8 为 -1.3V。 然而，当转移晶闸管 T8 关断时，栅极 端子 Gt8 的电势从 0V 变成 -3.3V。
     在时间点 v 处，同时执行消除信号 φe 从 “H” 到 “L” 的电势变化以及第二 转移信号 φ2 从 “L” 到 “H” 的电势变化。 如果在第二转移信号 φ2 执行从 “L” 到 “H” 的电势变化之前执行消除信号 φe 从 “H” 到 “L” 的电势变化，则通过正向偏置 的连接二极管 Dm8 把栅极端子 Gm 的电势固定在 -1.3V。 因而，消除二极管 Sd8 把栅极 端子 Gm8 的电势设定在较低值 (-2.5V) 的效果就失去了。 因此，可以在消除信号 φe 从 “H” 到 “L” 的电势变化之前执行第二转移信号 φ2 从 “L” 到 “H” 的电势变化。
     在时间点 w 处，消除信号 φe 的电势从 “L” 变成 “H”。 因此，阴极端子的 电势变成 0V，而阳极端子 ( 栅极端子 Gm) 的电势变成 -2.5V，并且由此消除二极管 Sd 被 反向偏置。 因此，栅极端子 Gm 的电势没有受到消除信号 φe 的影响，并且变成电源电 势 Vga(-3.3V)，栅极端子 Gm 通过各个电源线电阻 Rm 连接到电源电势 Vga。如上所述，通过消除信号 φe( 通过把其电势从 “H” 变成 “L” )，接通之后 已经关断的存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 的电势被强制地设定在这样的值 ：该值是通 过从 “L” (-3.3V) 中减去消除二极管 Sd 的正向电势 Vs 而得到的，并且由此存储器晶闸 管 M 已经接通的存储器晶闸管 M 的存储器被强制复位，并且复位时段 t5 变得更短。 因 此，可以独立于时间常数来设定复位时段 t5，该时间常数由栅极端子 Gm 的寄生电容和电 源线电阻 Rm 定义。 因此，可以独立地设定时段 t3 和复位时段 t5。
     注意，在第三示例性实施例中，肖特基二极管用作消除极管 Sd。
     第三示例性实施例中使用的晶闸管 ( 发光晶闸管 L、转移晶闸管 T、存储器晶闸 管 M) 每一个均可以由 pnpn 结构构成，其中按如下顺序在基板上层叠了第一 p 型半导体 层、第二 n 型半导体层、第三 p 型半导体层和第四 n 型半导体层，但是这里省略了其具体 描述。 在此情况下，作为最顶层的第四 n 型半导体层与接下来的第三 p 型半导体层之间 的 p-n 结可以用作二极管。 然而，在该二极管之下，存在第二 n 型半导体层和第一 p 型 半导体层。 通过这种结构，如果想把第四 n 型半导体层与第三 p 型半导体层之间的 p-n 结用作二极管，则有可能使得具有由第一 p 型半导体层、第二 n 型半导体层、第三 p 型半 导体层和第四 n 型半导体层构成的 pnpn 结构的晶闸管 ( 寄生晶闸管 ) 接通 ( 锁定 )。
     可选地，如果通过去除作为最顶层的第四 n 型半导体层并且设置使得与表面暴 露的第三 p 型半导体层实现肖特基接触的材料来配置肖特基二极管，则就不再构成 pnpn 结构。 因而，可以抑制寄生晶闸管的接通 ( 锁定 )。
     < 第四示例性实施例 >
     图 14 是示出了第四示例性实施例中的发光装置 65 中的信号生成电路 100 的结构 以及信号生成电路 100 与每个发光芯片 C(C1 到 C60) 之间的布线结构的示意图。
     第四示例性实施例与图 4 所示的第一示例性实施例之间的不同之处在于在第四 示例性实施例中新设置的保持信号生成单元 150。 保持信号生成单元 150 用于信号生成电 路 100 以把保持信号 φb 发送到发光芯片 C(C1 到 C60)，该保持信号 φb 用于临时保持发 光晶闸管 L 的位置 ( 编号 ) 用来点亮。
     因而，除了图 4 所示的第一示例性实施例中的结构之外，还在电路板 62 上新设 置了保持信号线 103。 这里，保持信号线 103 把来自信号生成电路 100 的保持信号生成单 元 150 的保持信号 φb 发送到发光部分 63。 保持信号线 103 并联连接到发光芯片 C(C1 到 C60) 的 φb 端子 ( 参见稍后描述的图 15)。
     其它结构与图 4 所示的第一示例性实施例的结构相同。 因而，在第四示例性实 施例中，对与第一示例性实施例中的部件相同的部件给予了相同的附图标记，并且省略 其具体描述。
     在第一示例性实施例中，通过把与根据图像数据集将要按顺序点亮的多个发光 晶闸管 L 对应的多个存储器晶闸管 M 接通，对将要引起点亮的发光晶闸管 L 的位置 ( 编 号 ) 进行存储。 随后，在与将要引 起点亮的发光晶闸管 L 对应的所有存储器晶闸管 M 被 设定在导通状态之后，点亮信号 φI 被提供到发光晶闸管 L，并且发光晶闸管 L 接通而点 亮 ( 发光 )。 例如，如图 7 所示，在点亮控制时段 T(#A) 中从时间点 c 到时间点 s 的时 段中，图像数据集被写入存储器晶闸管 M，而在从时间点 t 到时间点 x 的发光时段 t4，发 光晶闸管 L 被设定成点亮 ( 导通 ) 状态。然而，在第一示例性实施例中，直到发光晶闸管 L 的发光时段 t4 结束，才可以 把与点亮控制时段 T(#B) 对应的图像数据集写入存储器晶闸管 M 中。
     在第四示例性实施例中，在一组中的发光晶闸管 L 的发光时段 t4 中，也可以执 行向下一组的写入。 因此，可以增加发光占空比，该发光占空比是每单位时间的发光时 段的比率。
     图 15 是说明第四示例性实施例中作为自扫描发光元件阵列 (SLED) 芯片的发光 芯片 C 的电路结构的示意图。 注意，这里通过以发光芯片 C1 作为实例进行描述。 然 而，其它发光芯片 C2 到 C60 具有与发光芯片 C1 相同的结构。
     除了图 5 所示的第一示例性实施例中的发光芯片 C1 的结构之外，第四示例性实 施例中的发光芯片 C1 还包括由直线排列在基板 80 上的作为保持元件实例的保持晶闸管 B1、B2、B3…组成的保持晶闸管阵列 ( 保持元件阵列 )。 除了在第一示例性实施例中的 发光芯片 C1 的结构之外，发光芯片 C1 还包括连接二极管 Db1、Db2、Db3…。 而且，除 了第一示例性实施例中的发光芯片 C1 的结构之外，发光芯片 C1 还包括电源线电阻 Rb1、 Rb2、 Rb3…以及电阻 Rc1、 Rc2、 Rc3…。
     这里，类似于第一示例性实施例，如果不区分保持晶闸管 B1、B2、B3…，则它 们被称为保持晶闸管 B。 同样，如果不分别区分连接二极管 Db1、Db2、Db3…，电源线 电阻 Rb1、Rb2、Rb3…以及电阻 Rc1、Rc2、Rc3…，则它们被分别称为连接二极管 Db、 电源线电阻 Rb 以及电阻 Rc。
     注意，保持晶闸管 B 是如下半导体元件 ：每个半导体元件都具有三个端子，分 别是阳极端子 ( 阳极 )、阴极端子 ( 阴极 ) 和栅极 端子 ( 栅极 )，类似于转移晶闸管 T、 存储器晶闸管 M 和发光晶闸管 L 中的三个端子。
     如果假定转移晶闸管 T 的数量设定为 128，类似于第一示例性实施例中的发光芯 片 C1 的数量，则保持晶闸管 B 的数量、电源线电阻 Rb 的数量以及电阻 Rc 的数量中的每 一个都被设定为 128。
     类似于第一示例性实施例中的转移晶闸管 T1、 T2、 T3…，保持晶闸管 B1、 B2、B3…从图 15 中的左侧开始按照编号顺序排列，诸如 B1、B2、B3…。 类似地，连接 二极管 Db1、 Db2、 Db3…，电源线电阻 Rb1、 Rb2、 Rb3…以及电阻 Rc1、 Rc2、 Rc3… 分别从图 15 中的左侧开始按照编号顺序排列。
     其它结构与图 5 所示的第一示例性实施例中的结构相同。 因而，在第四示例性 实施例中，对与第一示例性实施例中的部件相同的部件给予相同的附图标记，并且省略 其具体描述。
     接下来，将描述发光芯片 C1 的元件之间的电连接。
     如上所述，第四示例性实施例中的发光芯片 C1 具有这样的结构 ：额外设置了保 持晶闸管 B、连接二极管 Db、电源线电阻 Rb 和电阻 Rc。 因而，主要描述新添加的元件 的电连接。
     类似于转移晶闸管 T1、 T2、 T3…的阳极端子，保持晶闸管 B1、 B2、 B3 的阳极 端子连接到发光芯片 C1 的基板 80。 这些阳极端子通过设置在基板 80 上的 Vsub 端子连 接到电源线 104( 参见图 14)。 基准电势 Vsub 被提供到该电源线 104。 保持晶闸管 B1、 B2、 B3…的栅极端子 Gb1、 Gb2、 Gb3…通过与各个保持晶闸管 B1、 B2、 B3…对应地设置的各个电源线电阻 Rb1、 Rb2、 Rb3…连接到电源线 71。
     这里，如果不区分栅极端子 Gb1、 Gb2、 Gb3…，则它们被称为栅极端子 Gb。
     保持晶闸管 B1、 B2、 B3…的阴极端子通过与各个保持晶闸管 B1、 B2、 B3…对 应地设置的电阻 Rc1、 Rc2、 Rc3…连接到保持信号线 77。 保持信号线 77 连接到作为保 持信号 φb 的输入端子的 φb 端子。 保持信号线 103( 参见图 14) 连接到 φb 端子，并且 保持信号 φb 被提供到 φb 端子。
     在图 5 所示的第一示例性实施例中的发光芯片 C1 中，存储器晶闸管 M 的栅极端 子 Gm 与发光晶闸管 L 的栅极端子 Gl 彼此直接相连。 在第四示例性实施例中，与上面 结构不同的是，保持晶闸管 B1、 B2、 B3…的栅极端子 Gb1、 Gb2、 Gb3…通过各个连接 二极管 Db1、 Db2、 Db3…逐个连接到编号均与保持晶闸管 B 相同的存储器晶闸管 M1、 M2、 M3… 的各个栅极端子 Gm1、 Gm2、 Gm3…。 换言之，连接二极管 Db1、 Db2、 Db3…的阴极端子连接到保持晶闸管 B1、B2、B3…的各个栅极端子 Gb1、Gb2、Gb3…， 而连接二极管 Db1、 Db2、 Db3…的阳极端子连接到存储器晶闸管 M1、 M2、 M3…的各 个栅极端子 Gm1、Gm2、Gm3…。 另外，连接二极管 Db 沿着从存储器晶闸管 M 的各个 栅极端子 Gm 到保持晶闸管 B 的各个栅极端子 Gb 的电流流动方向相连。
     连接二极管 Db 连接到保持晶闸管 B 的各个栅极端子 Gb 和发光晶闸管 L 的各个 栅极端子 Gl。
     接下来，将描述第四示例性实施例中的发光部分 63 的操作。 如图 14 所示，第 一转移信号 φ1 和第二转移信号 φ2 组成的信号对以及保持信号 φb 被共同提供到构成发 光部分 63 的发光芯片 C(C1 到 C60)。 同时，基于图像数据集的存储器信号 φm(φm1 到 φm60) 被单独提供到发光芯片 C(C1 到 C60)。 点亮信号 φI(φI1 到 φI30) 被分别提供 到每个都由两个发光芯片 C 组成的对应发光芯片对，使得每个点亮信号 φI 由构成每一对 的两个发光芯片 C 所共有，并且被单独提供到构成不同对的发光芯片 C。
     第四示例性实施例与第一示例性实施例的不同之处仅仅在于额外设置的保持晶 闸管 B。 类似于第一示例性实施例中的描述，如果描述了发光芯片 C1 的操作，则就了解 了发光部分 63 的操作。 因此，通过以发光芯片 C1 作为实例来描述发光芯片 C 的操作。
     图 16 是说明第四示例性实施例中的发光芯片 C1(C) 的操作的时序图。 在图 16 中，假定时间从时间点 a 到时间点 ac( 按照字母顺序从时间点 a 到时间点 z，随后是时间点 aa、 ab 和 ac)。 在图 16 中，示出了第一转移信号 φ1、第二转移信号 φ2、存储器信号 φm1、保持信号 φb、点亮信号 φI1 以及流入各个存储器晶闸管 M1 到 M8 的电流 J(M1) 到 J(M8) 的波形。
     图 16 示出了在使用均由图 6 所示的 8 个发光晶闸管 L 组成的组来执行点亮控制 的情况下的点亮控制时段 T(#A)( 从时间点 c 到时间点 y) 以及点亮控制时段 T(#B) 的一 部分 ( 从时间点 y 开始以及随后的时段 )。 这里，在点亮控制时段 T(#A) 中，对组 #A 中 的发光晶闸管 L1 到 L8 进行亮度控制，在点亮控制时段 T(#B) 中，对组 #B 中的发光晶闸 管 L9 到 L16 进行亮度控制。 注意，点亮控制时段 T(#B) 之后是对组 #C 中的发光晶闸管 L17 到 L24 进行亮度控制的点亮控制时段 T(#C) 等，但是省略其描述。
     在相互比较图 16 和图 7 的情况下，可以认识到第四示例性实施例中的点亮控制 时段 T(#A)( 从时间点 c 到时间点 y) 比第一示例性实施例中的点亮控制时段 T(#A) 要短。换言之，在组 #A 中的发光晶闸管 L1 到 L8 的发光时段 t4 结束时的时间点 aa 之前的时间 点 y 处，点亮控制时段 T(#B) 开始。
     注意，在图 16 所示的点亮控制时段 T(#A) 中，类似于第一示例性实施例中的情 况，假定引起组 #A 中的 8 个发光晶闸管 L1 到 L8 中的发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 点亮 ( 发光 )，而发光晶闸管 L4、 L6 和 L7 保持不点亮 ( 熄灭 )。 而且，作为一个 实例，假定在点亮控制时段 T(#B) 中引起发光晶闸管 L9、 L11 和 L12 点亮 ( 发光 )，同 时发光晶闸管 L10 保持关断。 换言之，假定在点亮控制时段 T(#A) 中打印图像数据集 “11101001”，而在点亮控制时段 T(#B) 中打印图像数据集 “1011…”。
     将描述各个信号的波形中与第一示例性实施例不同的部分。
     除了保持信号 φb 之外，从时间点 a 到时间点 s 的时段中的波形与第一示例性实 施例中图 7 中所示的波形相同。
     在第四示例性实施例中添加的保持信号 φb 的电势在点亮控制时段 T(#A) 的开 始时间点 c 处为 “H”，并且在时间点 t 处从 “H” 变成 “L”。 随后，其电势在时间 点 v 处从 “L” 变成 “H”。 其电势在点亮控制时段 T(#A) 的结束时间点 y 处保持在 “H”。
     点亮信号 φI1 的电势在点亮控制时段 T(#A) 的开始时间点 c 处 为 “H”，并且 在点亮控制时段 T(#A) 的时间点 u 处从 “H” 变成 “Le”，并且在点亮控制时段 T(#B) 的时间点 aa 处进一步从 “Le” 变成 “H”。
     在第一示例性实施例中，每组中的发光晶闸管 L 的发光时段 t4 包含在点亮控制 时段 ( 例如，点亮控制时段 T(#A)) 中。 然而，在第四示例性实施例中，发光晶闸管 L 的发光时段 t4( 从时间点 u 到时间点 aa) 包含在用于两组的点亮控制时段 ( 例如， T(#A) 和 T(#B)) 中。
     除 了 上 述 要 点 之 外， 第 一 转 移 信 号 φ1、 第 二 转 移 信 号 φ2、 存 储 器 信 号 φm1(φm) 以及流入存储器晶闸管 M 中的电流 J(M1) 到 J(M8) 的波形与第一示例性实施 例中的波形相同，并且由此省略其具体描述。
     参考图 15，根据图 16 所示的时序图描述发光部分 63 和发光芯片 C 的操作。 除 了与第四示例性实施例中新设置的保持晶闸管 B 有关的部分之外，发光芯片 C 的操作类 似于第一示例性实施例中的发光芯片 C 的操作。 因而，将主要描述与新设置的保持晶闸 管 B 有关的发光芯片 C 的操作，而省略对类似于第一示例性实施例中的操作的描述。 ( 初 始状态 )
     在图 16 所示的时序图中的时间点 a 处，在发光部分 63 的每个发光芯片 C(C1 到 C60) 上设置的 Vsub 端子被设定在基准电势 Vsub(0V)。 同时，每个 Vga 端子被设定在电 源电势 Vga(-3.3V)( 参见图 14)。
     另外，第一转移信号 φ1、第二转移信号 φ2、存储器信号 φm(φm1 到 φm60) 以及保持信号 φb 被设定在 “H”，并且点亮信号 φI(φI1 到 φI30) 的电势被设定在 “H”。 因此，在第四示例性实施例中添加的保持信号线 103 的电势变成 “H”，并且每 个发光芯片 C 的保持信号线 77 的电势通过每个发光芯片 C 的 φb 端子变成 “H”。
     类似于其它晶闸管 ( 转移晶闸管 T、存储器晶闸管 M 和发光晶闸管 L)，保持晶 闸管 B 的阳极端子连接到 Vusb 端并且被提供 “H” (0V)。 同时，保持晶闸管 B 的阴极端子连接到具有设定在 “H” 的电势的保 持信号线 77。 因此，保持晶闸管 B 的阳极端 子和阴极端子的电势都变成 “H”，并且由此保持晶闸管 B 处于关断状态。
     由于其它晶闸管 ( 转移晶闸管 T、存储器晶闸管 M 和发光晶闸管 L) 与第一示例 性实施例中的晶闸管相同，所以所有晶闸管 ( 转移晶闸管 T、存储器晶闸管 M、保持晶闸 管 B 和发光晶闸管 L) 都处于关断状态。
     由于启动二极管 Ds 与第一示例性实施例中的启动二极管相同，所以通过启动二 极管 Ds 使栅极端子 Gt1 的电势变成 -1.3V。 因而，转移晶闸管 T1 的阈值电压为 -2.6V。
     转移晶闸管 T2 的栅极端子 Gt2 的电势和存储器晶闸管 M1 的栅极端子 Gm1 的电 势为 -2.6V。然而，由于保持晶闸管 B1 的栅极端子 Gb1 通过两级正向偏置的二极管 ( 连接 二极管 Dm1 和连接二极管 Db1) 连接到电势为 -1.3V 的栅极端子 Gt1，所以栅极端子 Gb1 没有受到电势为 -1.3V 的栅极端子 Gt1 的影响。 因而，栅极端子 Gb1 的电势变成电源电 势 Vga(-3.3V)。 保持晶闸管 B 的其它栅极端子 Gb 的电势也变成电源电势 Vga(-3.3V)。 因此，保持晶闸管 B 的阈值电压为 -4.6V。 ( 操作状态 )
     类似于第一示例性实施例中的情况，当第一转移晶闸管 φ1 的电势在时间点 b 处 从 “H” (0V) 变成 “L” (-3.3V) 时，转移晶闸管 T1 进入导通状态。
     与存储器晶闸管 M 从时间点 c 到时间点 s 有关的操作与第一示例性实施例中的操 作相同。 注意，假定图 16 中从时间点 c 到时间点 s 的时段与图 7 中从时间点 c 到时间点 s 的时段相等。
     将描述保持晶闸管 B 从时间点 c 到时间点 s 的操作。
     当存储器晶闸管 M1 在写入时段 T(M1) 的开始时间点 c 处接通时，栅极端子 Gm1 的电势变成 “H” (0V)，并且由此导通电流 Jo 流入存储器晶闸管 M1 中，这如电流 J(M1) 中所示。 保持晶闸管 B1 的栅极端子 Gb1 通过正向偏置的连接二极管 Db1 连接到 栅极端子 Gm1。 因而，保持晶闸管 B1 的栅极端子 Gb1 的电势变成 -1.3V，而保持晶闸 管 B1 的阈值电压变成 -2.6V。 另外，由于栅极端子 Gb1 还连接到发光晶闸管 L1 的栅极 端子 Gl1，所以发光晶闸管 L1 的阈值电压也变成 -2.6V。
     然而，由于保持信号 φb 的电势在时间点 c 处为 “H” (0V)，所以保持晶闸管 B1 没有接通。 另外，由于点亮信号 φI1(φI) 的电势也为 “H”(0V)，所以发光晶闸管 L1 也没有接通，由此没有点亮 ( 发光 )。
     注意，由于保持晶闸管 B2 的栅极端子 Gb2 通过三级正向偏置的二极管 ( 耦合 二极管 Dc1、连接二极管 Dm2 和连接二极管 Db2) 连接到电势为 “H” (0V) 的栅极端子 Gt1，所以电势为 “H”(0V) 的栅极端子 Gt1 没有影响栅极端子 Gb2，并且由此栅极端子 Gb2 保持在电源电势 Vga(-3.3V)。 因此，保持晶闸管 B2 的阈值电压为 -4.6V。 各个编 号不小于 3 的保持晶闸管 B 与上述相同。 此外，各个编号不小于 2 的发光晶闸管 L 与上 述相同。
     当存储器信号 φm1(φm) 的电势在时间点 d 处从 “L” 变化到 “H” 时，存储 器晶闸管 M1 关断。 栅极端子 Gm1 的电势开始从 0V 变化到 -3.3V。 通过这种变化，保 持晶闸管 B1 的栅极端子 Gb1 的电势开始从 -1.3V 变化到 -3.3V。 发光晶闸管 L1 的栅极 端子 Gl1 与上述相同，这是因为发光晶闸管 L1 的栅极端子 Gl1 连接到栅极端子 Gb1 的缘 故。 由于保持信号 φb 保持在电势 “H”(0V)，所以保持晶闸管 B1 没有接通。 同样，由于点亮信号 φI1(φI) 保持在电势 “H” (0V)，所以发光晶闸管 L1 没有接通并且由此 没有点亮 ( 发光 )。
     在随后的写入时段 T(M2) 到 T(M7) 中，如在第一示例性实施例中所述的那样， 存储器晶闸管 M1、 M2、 M3 和 M5 交替接通和关断。 响应于此，保持晶闸管 B1 到 B7 的栅极端子 Gb( 发光晶闸管 L1 到 L7 的栅极端子 Gl) 的电势在 -1.3V 和 -3.3V 之间变化。 因而，保持晶闸管 B1 到 B7( 发光晶闸管 L1 到 L7) 的阈值电压在 -2.6V 和 -4.6V 之间变 化。 在写入时段 T(M1) 到 T(M7) 中，由于保持信号 φb 的电势为 “H” (0V)，所以保 持晶闸管 B1 到 B7 没有接通。 另外，由于点亮信号 φI1(φI) 的电势也为 “H” (0V)， 所以发光晶闸管 L1 到 L7 没有接通，并且由此没有点亮 ( 发光 )。
     类似于第一示例性实施例中的情况，当存储器信号 φm1(φm) 的电势在时间点 r 处从 “H” 变成 “L” 时，存储器晶闸管 M1、 M2、 M3、 M5 和 M8 接通。
     即使存储器信号 φm1(φm) 在时间点 s 处从 “L” 变成 “S”，存储器晶闸管 M1、 M2、 M3、 M5 和 M8 也保持导通状态。
     由于已经接通的存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 的电势变成 0V，所以通过一级 正向偏置二极管 ( 连接二极管 Db) 连接到该栅极端子 Gm 的保持晶闸管 B 的栅极端子 Gb 的电势变成 -1.3V。 因此，该保持晶闸管 B 的阈值电压变成 -2.6V。 换言之，紧接着时 间点 s 之后，保持晶闸管 B1、 B2、 B3、 B5 和 B8 的阈值电压为 -2.6V。 同时，保持晶 闸管 B4、 B6 和 B7 的阈值电压保持在 -4.6V。 另外，各个编号不小于 9 的保持晶闸管 B 的阈值电压为 -4.6V。
     在时间点 t 处，保持信号 φb 的电势从 “H”(0V) 变成 “L”(-3.3V)。 因而， 阈值电压为 -2.6V 的保持晶闸管 B1、 B2、 B3、 B5 和 B8 接通。 其它保持晶闸管 B 没有 接通。
     换言之，通过使得具有与处于导通状态的存储器晶闸管 M 相同编号的保持晶闸 管 B 接通，与引起点亮的发光晶闸管 L 的编号 ( 位置 ) 有关的信息被复制到保持晶闸管 B 中，该信息由存储器晶闸管 M 进行存储。
     注意，保持晶闸管 B 通过各个电阻 Rc 连接到保持信号线 77。 即使一个保持晶 闸管 B 进入导通状态并且该保持晶闸管 B 的阴极端子的电势变成通过从该保持晶闸管 B 的阳极端子的电势 “H” (0V) 中减去扩散电势 Vd(1.3V) 而得到的值，保持信号线 77 还 是保持在电势 “L”。 因而，多个保持晶闸管 B( 这里是保持晶闸管 B1、 B2、 B3、 B5 和 B8) 准备同时接通。
     当保持晶闸管 B1、B2、B3、B5 和 B8 接通时，栅极端子 Gb1、Gb2、Gb3、Gb5 和 Gb8 的电势变成作为阳极端子电势的 0V。 具有与各个栅极端子 Gb1、Gb2、Gb3、Gb5 和 Gb8 连接的各个栅极端子 Gl1、 Gl2、 Gl3、 Gl5 和 Gl8 的发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 的阈值电压变成 -1.3V。 同时，没有接通的保持晶闸管 B4、 B6 和 B7 的栅极端子 Gb4、 Gb6 和 Gb7 的电势保持在 -3.3V。 因此，保持晶闸管 B4、 B6 和 B7 的阈值电压 为 -4.6V。 各个编号不小于 9 的保持晶闸管 B 的阈值电压为 -4.6V。
     因此，转移晶闸管 T8、存储器晶闸管 M1、 M2、 M3、 M5 和 M8 以及保持晶闸 管 B1、 B2、 B3、 B5 和 B8 保持在导通状态。
     当 点 亮 信 号 φI1(φI) 的 电 势 在 时 间 点 u 处 从 “H” 变 成 “Le” (-2.6V＜ “Le” ≤-1.3V) 时，发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 接通并且点亮 ( 发光 )。
     注意，发光晶闸管 L 没有通过电阻连接到点亮信号线 75。 然而，由于点亮信号 φI1(φI) 是由电流驱动，所以多个发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 准备接通而无需 电阻。
     而且，在时间点 u 处，存储器信号 φm1(φm) 的电势从 “S” 变成 “H”。 因此，存储器晶闸管 M1、 M2、 M3、 M5 和 M8 关断。 随后，栅极端子 Gm1、 Gm2、 Gm3、 Gm5 和 Gm8 的电势逐渐从 0V 变成 -3.3V。 注意，栅极端子 Gm4、 Gm6 和 Gm7 的电势保持在 -3.3V。
     当 栅 极 端 子 Gm1、 Gm2、 Gm3、 Gm5 和 Gm8 的 电 势 变 得 小 于 2V( ＜ -2V) 时，如上所述，即使存储器信号 φm1(φm) 的电势被设定在 “L”，存储器晶闸管 M1、 M2、 M3、 M5 和 M8 也没有接通。 换言之，已经接通的存储器晶闸管 M1、 M2、 M3、 M5 和 M8 的存储信息，即发光晶闸管 L 的位置 ( 编号 ) 的存储信息丢失。
     在第四示例性实施例中，在时间点 u 之前的时间点 t 处，使得保持晶闸管 B1、 B2、 B3、 B5 和 B8 接通，并且因此引起点亮的发光晶闸管 L 的位置 ( 编号 ) 被发送 ( 复 制 ) 到保持晶闸管 B。 因此，在时间点 u 和随后的时段，如果有关引起点亮的发光晶闸 管 L 的位置 ( 编号 ) 的信息从存储器晶闸管 M 中丢失也不会有问题。
     而且，在时间点 u 处，第一转移信号 φ1 的电势从 “H”变成 “L”。 因此，阈 值电压为 -2.6V 的转移晶闸管 T9 接通。 随后，转移晶闸管 T9 的栅极端子 Gt9 变成 0V。 另外，转移晶闸管 T10 的栅极端子 Gt10 的电势变成 -1.3V，而转移晶闸管 T10 的阈值电 压变成 -2.6V。 类似地，存储器晶闸管 M9 的阈值电压变成 -2.6V。
     注意，在第四示例性实施例中，在时间点 u 处，点亮信号 φI1(φI) 从 “H” 到 “Le” 的电势变化、存储器信号 φm1(φm) 从 “S” 到 “H” 的电势变化、以及第一转 移信号 φ1 从 “H” 到 “L” 的电势变化同时执行。 这些变化可以以任意顺序执行。
     具体地说，如果首先执行第一转移信号 φ1 从 “H” 到 “L” 的电势变化，则转 移晶闸管 T9 接通并且存储器晶闸管 M9 的阈值电压变成 -2.6V。 即使在此情况下，由于 存储器信号 φm1(φm) 为 “S”(-2.5V)，所以存储器晶闸管 M9 也没有接通。 另外，尽 管保持晶闸管 B9 的阈值电压为 -3.9V，但是由于保持信号 φb 的电势为 “L” (-3.3V)， 所以保持晶闸管 B9 没有接通。
     可选地，如果在首先执行存储器信号 φm1(φm) 从 “S” 到 “H” 的电势变 化之后执行第一转移信号 φ1 从 “H” 到 “L” 的电势变化，则转移晶闸管 T9 接通， 并且存储器晶闸管 M9 的阈值电压变成 -2.6V。 然而，由于存储器信号 φm1(φm) 的电 势变成 “H” (0V)，所以存储器晶闸管 M9 没有接通。 尽管保持晶闸管 B9 的阈值电压 为 -3.9V，但是由于保持信号 φb 的电势为 -3.3V，所以保持晶闸管 B9 没有接通。
     可选地，如果首先执行第一转移信号 φ1 从 “H” 到 “L” 的电势变化，则转移 晶闸管 T9 接通。 结果，存储器晶闸管 M9 的阈值电压变成 -2.6V，而发光晶闸管 L9 的 阈值电压变成 -3.9V。 其后，即使点亮信号 φI1(φI) 的电势从 “H” 变成 “Le”，发 光晶闸管 L9 也没有接通。 另外，由于存储器信号 φm1(φm) 的电势为 “S”(-2.5V)， 存储器晶闸管 M9 没有接通。
     如上所述，上述三种变化的顺序不受限制。紧接着时间点 u 之后，转移晶闸管 T8 和 T9 以及保持晶闸管 B1、 B2、 B3、 B5 和 B8 保持在导通状态，并且发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 保持在点亮 ( 导通 ) 状 态。
     接下来，当第二转移信号 φ2 的电势在时间点 v 处从 “L” 变成 “H” 时，转 移晶闸管 T8 关断。
     紧接着时间点 v 之后，转移晶闸管 T9 以及保持晶闸管 B1、 B2、 B3、 B5 和 B8 保持在导通状态，并且发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 保持在点亮 ( 导通 ) 状态。
     在时间点 v 处，保持信号 φb 的电势从 “L” 变成 “H”。 因此，保持晶闸管 B1、 B2、 B3、 B5 和 B8 的各个阴极端子和阳极端子的电势为 “H”，由此保持晶闸管 B1、 B2、 B3、 B5 和 B8 不再保持在导通状态，并且关断。
     因此，引起发光晶闸管 L 点亮的位置 ( 编号 ) 的存储信息从保持晶闸管 B 中丢 失。 然而，在时间点 v 之前的时间点 u 处，要引起点亮的发光晶闸管 L 已经被引起点亮， 并且如果引起发光晶闸管 L 点亮的位置 ( 编号 ) 的存储信息从保持晶闸管 B 中丢失也没有 问题。
     紧接着时间点 v 之后，转移晶闸管 T9 保持在导通状态，并且发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 保持在点亮 ( 导通 ) 状态。
     随后，用于组 #B 中的发光晶闸管 L9 到 L16 的点亮控制时段 T(#B) 从时间点 y 开始。
     在写入时段 T(M9) 的开始时间点 y 处，存储器信号 φm1(φm) 的电势从 “H” 变成 “L”从而写入引起发光晶闸管 L9 点亮的存储信息。 因此，阈值电压为 -2.6V 的存 储器晶闸管 M9 接通。
     此时，不再允许在点亮控制时段 T(#A) 中已经接通的存储器晶闸管 M1、 M2、 M3、 M5 和 M8 接通。 因而，在时间点 y 处，有必要使得这些存储器晶闸管 M1、 M2、 M3、M5 和 M8 的阈值电压小于 “L” “-3.3V”( ＜ -3.3V)，即栅极端子 Gm1、Gm2、 Gm3、 Gm5 和 Gm8 的电势小于 -2V( ＜ -2V)。 栅极端子 Gm1、 Gm2、 Gm3、 Gm5 和 Gm8 的电势变化由如下时间常数确定，该时间常数由栅极端子 Gm 的寄生电容和电源线 电阻 Rm 定义。 因而，从时间点 u 到时间点 y 的复位时段 t5 被设定成足够长，从而满足 以上要求。
     因此，紧接着在时间点 y 之后，转移晶闸管 T9 和存储器晶闸管 M9 保持在接通 状态，在点亮控制时段 T(#A) 中的时间点 u 处已经点亮的发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 保持在点亮 ( 导通 ) 状态。
     在时间点 z 处，为了避免发光晶闸管 L10 点亮，存储器信号 φm1(φm) 的电势 从 “H” 变成 “S”。
     紧接在时间点 z 之后，转移晶闸管 T10 和存储器晶闸管 M9 保持 在导通状态，并 且发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 保持在点亮 ( 导通 ) 状态。
     在时间点 aa 处，点亮信号 φI1(φI) 的电势从 “Le” 变成 “H”。 因此，已经 处于点亮 ( 导通 ) 状态的发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 的各个阴极端子和阳极端子 的电势为 “H”，由此它们没有保持在导通状态，并且关断从而熄灭。
     紧接在时间点 aa 之后，转移晶闸管 T10 和存储器晶闸管 M9 保持在导通状态。换言之，被存储为在点亮控制时段 T(#A) 中引起点亮的发光晶闸管 L1、 L2、 L3、L5 和 L8 在发光时段 t 4 中点亮 ( 发光 )，该发光时段 t4 从包括在点亮控制时段 T(#A) 中的时间点 u 到包括在点亮控制时段 T(#B) 中的时间点 aa。
     注意，用于发光晶闸管 L1、L2、L3、L5 和 L8 的发光时段 t4 的结束时间点不必 是包括在写入时段 T(M10) 中的时间点 aa。 换言之，只需要发光时段 t4 的结束时间点是 将要在点亮控制时段 T(#B) 中引起点亮的发光晶闸管 L9、 L11…开始点亮时的时间点之 前的时间点即可。
     在时间点 ab 处，存储器信号 φm1(φm) 的电势从 “H” 变成 “L” 从而存储 引起发光晶闸管 L11 点亮的信息。
     紧接着时间点 ab 之后，转移晶闸管 T11 以及存储器晶闸管 M9 和 M11 保持在导 通状态。
     在时间点 ab 和随后的时段，基于图像数据集的存储器信号 φm1(φm) 的波形不 同于前一时段中的波形。 然而，由于类似于点亮控制时段 T(#A) 中的时间点 k 和随后的 时段，所以省略其具体描述。
     如上所述，在第四示例性实施例中，发光晶闸管 L 的点亮 ( 发光 ) 以及向存储引 起点亮的发光晶闸管 L 的位置 ( 编号 ) 的存储器晶闸管 M 的写入同时执行。 因此，与第 一示例性实施例的情况相比，可以以高发光占空比来执行发光晶闸管 L 的点亮 ( 发光 )。
     因而，由打印头 14 对感光鼓 12 的写入时间变得更短。
     这得益于以下事实，通过设置保持晶闸管 B，存储在存储器晶闸 管 M 中的引起 点亮的发光晶闸管 L 的位置 ( 编号 ) 被发送到保持晶闸管 B，从存储器晶闸管 M 中删除 ( 清除 ) 引起点亮的发光晶闸管 L 的位置 ( 编号 ) 的存储信息，并且下一次引起点亮的发 光晶闸管 L 的位置 ( 编号 ) 被存储在存储器晶闸管 M 中。
     换言之，这得益于以下事实，通过在发光晶闸管 L 和存储器晶闸管 M 之间设置 保持晶闸管 B，防止了存储器晶闸管 M 的状态变化影响发光晶闸管 L，并且切断了存储器 晶闸管 M 与发光晶闸管 L 之间的电气关系。
     注 意， 在 图 16 中， 在 点 亮 控 制 时 段 T(#A) 中 的 图 像 数 据 集 被 设 定 成 “11101001”，而点亮控制时段 T(#B) 中的图像数据集被设定成 “101…”。 类似于在 第一示例性实施例中的情况，当引起发光晶闸管 L 点亮时，只需要存储器信号 φm 的电 势设定在 “L”，而在不引起发光晶闸管 L 点亮时，只需要存储器信号 φm 的电势设定在 “S”。
     因此，在一个发光时段 t4 中多个发光点 ( 发光晶闸管 L) 准备同时点亮。 因此， 与对发光点 ( 发光晶闸管 L) 逐个进行亮度控制的情况相比，允许每个发光芯片 C 的发光 时段 t4 变短。 从打印头 14 的方面来看，可以缩短对感光鼓 12 的写入时间。
     < 第五示例性实施例 >
     图 17 是示出了第五示例性实施例中的发光装置 65 中的信号生成电路 100 的结构 以及信号生成电路 100 与每个发光芯片 C(C1 到 C60) 之间的布线结构的示意图。
     第五示例性实施例与图 14 所示第四示例性实施例的不同之处在于在第五示例性 实施例中的新设置的在第三示例性实施例中描述的消除信号生成单元 140。消除信号生成 单元 140 用于信号生成电路 100 以把消除信号 φe 发送到发光芯片 C(C1 到 C60)，该消除信号 φe 用于消除在每个栅极端子 Gm 的寄生电容中蓄积的电荷。
     因而，在电路板 62 上新设置了消除信号线 102。 消除信号线 102 把来自信号生 成电路 100 的消除信号生成单元 140 中的消除信号 φe 发送到发光部分 63。 消除信号线 102 并联连接到发光芯片 C(C1 到 C60) 的 φe 端子 ( 参见稍后描述的图 18)。 其它结构 与图 14 所示的第四示例性实施例中的结构相同。
     在第四示例性实施例中，存储在存储器晶闸管 M 中的引起点亮的发光晶闸管 L 的位置 ( 编号 ) 被发送到保持晶闸管 B，并且随后从存储器晶闸管 M 中删除 ( 清除 ) 引 起点亮的发光晶闸管 L 的位置 ( 编号 ) 的存储信息，并且因此在发光晶闸管 L 的发光时段 内把下次引起点亮的发光晶闸管 L 的位置 ( 编号 ) 存储在存储器晶闸管 M 中。 然而，为 了从存储器晶闸管 M 中删除 ( 复位 ) 引起点亮的发光晶闸管 L 的位置 ( 编号 ) 的存储信 息，需要等到栅极端子 Gm 的电势小于 -2V( ＜ -2V)。
     在第五示例性实施例中，将第四示例性实施例与第三示例性实施例中描述的消 除信号 φe 相结合，从而缩短到栅极端子 Gm 的电势小于 -2V( ＜ -2V) 之前的复位时段 t5。
     注意，在第五示例性实施例中，对与第四示例性实施例中的那些部件相同的部 件给予相同的附图标记，并且省略其具体描述。
     图 18 是说明第五示例性实施例中的作为自扫描发光元件阵列 (SLED) 芯片的发 光芯片 C(C1 到 C60) 的电路结构的示意图。 这里，将以发光芯片 C1 作为实例进行描述。 然而，其它发光芯片 C2 到 C60 具有与发光芯片 C1 相同的结构。 注意，在图 18 中。 主 要示出了包括转移晶闸管 T1 到 T4、存储器晶闸管 M1 到 M4 以及发光晶闸管 L1 到 L4 的 部分。
     与图 14 所示的第四示例性实施例不同之处在于在第五示例性实施例中新设置的 消除二极管 Sd1、 Sd2、 Sd3…。
     发光芯片 C1(C) 包括在基板 80 上直线排列的消除二极管 Sd1、Sd2、Sd3…。 类 似于在第三示例性实施例中的那些消除二极管，消除二极管 Sd1、 Sd2、 Sd3…可以是肖 特基二极管。
     接下来，将描述在发光芯片 C1(C) 中的消除二极管 Sd 的电连接。 消除二极管 Sd 的电连接与图 12 中所示的第三示例性实施例中的那些电连接相同。
     换言之，消除二极管 Sd1、 Sd2、 Sd3… 的每个阳极端子连接到存 储器晶闸管 M1、 M2、 M3…的对应一个栅极端子 Gm1、 Gm2、 Gm3…。
     消除二极管 Sd1、 Sd2、 Sd3…的阴极端子连接到消除信号线 76。 另外，消除信 号线 76 连接到作为消除信号 φe 的输入端子的 φe 端子。 消除信号线 102( 参见图 17) 连 接到 φe 端子，并且消除信号 φe 被提供到 φe 端子。
     接下来，将描述第五示例性实施例中的发光部分 63 的操作。 第一转移信号 φ1 和第二转移信号 φ2 组成的信号对、保持信号 φb 和消除信号 φe 被共同提供到构成发光 部分 63 的发光芯片 C(C1 到 C60)，这如图 17 所示。 同时，基于图像数据集的存储器信号 φm(φm1 到 φm60) 被单独提供到发光芯片 C(C1 到 C60)。 发光信号 φI(φI1 到 φI30) 被分别提供到每个都由两个发光芯片 C 组成的对应发光芯片对，使得每个点亮信号 φI 由 构成每个对的两个发光芯片所共有，并且被单独提供到构成不同对的发光芯片 C。第五示例性实施例与第四示例性实施例的不同之处在于额外设置的消除二极管 Sd。 类似于第四示例性实施例中的描述，如果描述了发光芯片 C1 的操作，就了解发光部 分 63 的操作。 因此，以发光芯片 C1 作为实例来描述发光芯片 C 的操作。
     图 19 是说明第五示例性实施例中的发光芯片 C1(C) 的操作的时序图。 同样在 图 19 中，假定时间从时间点 a 到时间点 ac( 按字母顺序从时间点 a 到时间点 z，以及随后 的时间点 aa、 ab 和 ac)。 在图 19 中，示出了第转移信号 φ1、第二转移信号 φ2、存储 器信号 φm1、保持信号 φb、消除信号 φe、点亮信号 φI1 和流入到各个存储器元件 M1 到 M8 的电流 J(M1) 到 J(M8) 的波形。
     图 19 示出了在使用均由图 6 所示的 8 个发光晶闸管 L 组成的组来执行点亮控制 的情况下的点亮控制时段 T(#A)( 从时间点 c 到时间点 y) 和点亮控制时段 T(#B) 的一部 分 ( 从时间点 y 开始以及随后的时段 )。 这里，在点亮控制时段 T(#A) 中，对组 #A 中 的发光晶闸管 L1 到 L8 进行亮度控制，在点亮控制时段 T(#B) 中，对组 #B 中的发光晶闸 管 L9 到 L16 进行亮度控制。 注意，点亮控制时段 T(B) 之后是对组 #C 中的发光晶闸管 L17 到 L24 进行亮度控制的点亮控制时段 T(#C)，但是省略了其描述。
     注意，在图 19 中的点亮控制时段 T(#A) 中，类似于第四示例性实施例中的情 况，假定引起组 #A 中的 8 个发光晶闸管 L1 到 L8 中的发光晶闸管 L1、L2、L3、L5 和 L8 点亮 ( 发光 )，发光晶闸管 L4、 L6 和 L7 保持不点亮 ( 熄灭 )。 同样，作为一个实例， 假定在点亮控制时段 T(#B) 中引起发光晶闸管 L9、 L11 和 L12 点亮 ( 发光 )，同时发光 晶闸管 L10 保持关断。 假定在点亮控制时段 T(#A) 中打印图像数据集 “11101001”，而 在点亮控制时段 T(#B) 中打印图像数据集 “1011…”。
     在图 19 中，除了消除信号 φe 之外的信号的波形与图 16 所示的波形相同。
     这里，主要描述了消除信号 φe。
     在点亮控制时段 T(#A) 中的消除信号 φe 的电势在时间点 c 处为 “H”，并且 在时间点 v 处从 “H” 变成 “L”。 随后，其电势在时间点 w 处从 “L” 变成 “H”。 在点亮控制时段 T(#A) 的结束时间点 y 处，其电势保持在 “H”。
     换言之，消除信号 φe 在点亮控制时段 T(#A) 中的电势一次变为 “L”。
     如上所述，接通之后关断的存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 的电势从 0V 变 成 -3.3V。 该变化率由如下时间常数确定，该时间常数由栅极端子 Gm 的寄生电容和电源 线电阻 Rm 定义。 如上所述，如果栅极端子 Gm 的电势变化很慢，由于时段 t3 被设定很 长所以可能有利，但是由于复位时段 t5 变成更长所以可能不利。
     在第五示例性实施例中，为了控制复位时段 t5，设置了消除信号 φe。 消除信号 φe 消除了栅极端子 Gm 的寄生电容中蓄积的电荷，并且消除了存储器晶闸管 M 已经接通 的存储器晶闸管 M 的存储信息。
     参考图 18，将根据图 19 所示的时序图描述发光部分 63 和发光芯片 C1(C) 的操 作。
     注意，在图 18 中，仅示出了包括编号均为 1-4 的转移晶闸管 T、存储器晶闸管 M、发光晶闸管 L 等的部分。 包括编号均不小于 5 的晶 闸管的其它部分 ( 图中未示出 ) 是上述部分的重复。 在以下描述中。 不仅描述编号为 1-4 的元件，还可以描述具有其它 编号的元件。在第三和第四示例性实施例中已经描述了从初始状态 ( 时间点 a) 到时间点 s 的 发光部分 63 和发光芯片 C1(C) 的操作，在时间点 s 处，引起发光晶闸管 L8 发光的信息 被存储在存储器晶闸管 M8 中，并且由此省略了其具体描述。
     当保持信号 φb 的电势在时间点 t 从 “H” 变成 “L” 时，阈值电压为 -2.6V 的 保持晶闸管 B1、 B2、 B3、 B5 和 B8 接通，同时其它保持晶闸管 B 没有接通。 因此，已 经接通的保持晶闸管 B1、 B2、 B3、 B5 和 B8 的栅极端子 Gb1、 Gb2、 Gb3、 Gb5 和 Gb8 变成作为阳极端子电势的 “H” (0V)。
     每个连接二极管 Db 的阳极端子连接到栅极端子 Gm，阴极端子连接到栅极端子 Gb。 如上所述，栅极端子 Gm1、 Gm2、 Gm3、 Gm5 和 Gm8 从时间点 u 开始从 0V 变 成 -3.3V。 另一方面，栅极端子 Gm4、 Gm6 和 Gm7 以及各个编号不小于 9 的保持晶闸 管 B 的栅极端子 Gm 保持在 -3.3V。 因此，保持晶闸管 B 进入反向偏置状态，或者阳极 端子和阴极端子具有相同电势的状态。
     紧接着时间点 t 之后，转移晶闸管 T8 以及存储器晶闸管 M1、 M2、 M3、 M5 和 M8 保持在导通状态，并且发光晶闸管 L1、L2、L3、L5 和 L8 处于点亮 ( 导通 ) 状态。
     随后，当点亮信号 φI1(φI) 的电势在时间点 u 处从 “H” 变成 “Le” (-2.6V ＜ “Le” ≤-1.3V) 时，发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 接通并且点亮 ( 发光 )。
     另外，在时间点 u 处，存储器信号 φm1(φm) 的电势从 “S” 变成 “H”。 因 此，已经接通的存储器晶闸管 M1、 M2、 M3、 M5 和 M8 关断，栅极端子 Gm1、 Gm2、 Gm3、 Gm5 和 Gm8 的电势开始从 0V 变成 -3.3V。 该变化率由如下时间常数确定，该时 间常数由栅极端子 Gm 的寄生电容和电源线电阻 Rm 定义。
     此外，当第一转移信号 φ1 的电势在时间点 u 处从 “H” 变成 “L” 时，转移 晶闸管 T9 接通。
     在时间点 u 处，点亮信号 φI1(φI) 从 “H” 到 “Le” 的电势变化、存储器信 号 φm1(φm) 从 “S” 到 “H” 的电势变化、以及第一转移信号 φ1 从 “H” 到 “L” 的电势变化之间的关系与第四示例性实施例中描述的关系相同。
     在时间点 v 处，消除信号 φe 的电势从 “H”(0V) 变成 “L”(-3.3V)。 因而， 消除二极管 Sd1、 Sd2、 Sd3、 Sd5 和 Sd8 被正向偏置，并且因此栅极端子 Gm1、 Gm2、 Gm3、Gm5 和 Gm8 的电势变成这样的值 (-2.5V)，该值是通过从 -3.3V( “L” ) 中减去 消除二极管 Sd 的正向电势 Vs(0.8V) 而得到的，如在第三示例性实施例中所述的那样。
     换言之，通过把消除信号 φe 从 “H” 变成 “L”，已经接通的存储器晶闸管 M 的栅极端子 Gm 的电势被强制设定在 -2.5V，并且加速了栅极端子 Gm1、 Gm2、 Gm3、 Gm5 和 Gm8 的电势变化。
     在时间点 v 处，保持信号 φb 的电势从 “L” 变成 “H”。 借此变化，使保持 晶闸管 B1、 B2、 B3、 B5 和 B8 关断。 因此，引起点亮的发光晶闸管 L 的位置 ( 编号 ) 的存储信息从保持晶闸管 B 中丢失。 然而，在时间点 u 处，发光晶闸管 L1、 L2、 L3、 L5 和 L8 已经点亮，因而没有问题。
     另外，在时间点 v 处，第二转移信号 φ2 的电势从 “L” 变成 “H”。 借此变 化，转移晶闸管 T8 关断。
     注意，在时间点 v 处，消除信号 φe 从 “H” 到 “L” 的电势变化、保持信号φb 从 “L” 到 “H” 的电势变化、以及第二转移信号 φ2 从 “L” 到 “H” 的电势变 化同时执行。
     可以按照任意顺序执行这些变化。
     具体地说，如果首先执行消除信号 φe 从 “H” 到 “L” 的电势变化，则仅仅加 速了栅极端子 Gm 的电势变化，而没有影响转移晶闸管 T 和保持晶闸管 B 的操作。
     可选地，如果首先执行保持信号 φb 从 “L” 到 “H” 的电势变化以关断保持晶 闸管 B，则连接二极管 Db 的阴极端子 ( 栅极端子 Gb) 的电势从 0V 变成 -3.3V。 同时， 作为连接二极管 Db 阳极端子的栅极 端子 Gm1、 Gm2、 Gm3、 Gm5 和 Gm8 的电势开始 从 0V 变成 -3.3V。 因此，如果在这些电势变化期间连接二极管 Db 被正向偏置，则更加 速了栅极端子 Gm 的电势变化 ( 从 0V 变成 -3.3V)。 这里，接通保持晶闸管 M 并不影响 转移晶闸管 T 的操作。
     另外可选地是，如果首先执行第二转移信号 φ2 从 “L” 到 “H” 的电势变化以 关断转移晶闸管 T8，则栅极端子 Gt8 的电势从 0V 变成电源电势 Vga(-3.3V)。 然而，类 似于首先执行保持信号 φb 从 “L” 到 “H” 的电势变化的情况，如果在这些电势变化期 间连接二极管 Dm 被正向偏置，则更加速了栅极端子 Gt 的电势变化 ( 从 0V 变成 -3.3V)。
     如上所述，即使以任意顺序执行这些变化，也不会影响发光芯片 C 的操作。
     在时间点 w 处，消除信号 φe 的电势从 “H” (0V) 变成 “L” (-3.3V)。 因 此，消除二极管 Sd 被正向偏置，或者阳极端子和阴极端子具有相同的电势。 根据由栅极 端子 Gm 的寄生电容和电源线电阻 Rm 定义的时间常数，栅极端子 Gm1、 Gm2、 Gm3、 Gm5 和 Gm8 的电势进一步变成 -3.3V。
     注意，在消除二极管 Sd 被正向偏置的情况下获得了由消除二极管 Sd 提取电荷的 提取效应。 因此，如果栅极端子 Gm 的电势变成通过从 -3.3V( “L” ) 中减去正向电势 Vs 而得到的值，则无法再获得通过消除二极管 Sd 提取电荷的提取效应。
     因而，为了有效地加速栅极端子 Gm 的电势变化，紧接在由于栅极端子 Gm 的电 势而导致消除二极管 Sd 提取电荷的提取效应丢失之前，消除信号 φe 的电势可以从 “L” 变成 “H”。
     在时间点 y 和随后的时段，其操作与第四示例性实施例中的操作相同，并且由 此省略了其具体描述。
     在第五示例性实施例中，由于消除二极管 Sd 加速了栅极端子 Gm 的电势变化， 所以与第四示例性实施例中的情况相比，从时间点 u 到时间点 y 的复位时段 t5 可以被设定 成很短。 因此，可设定发光晶闸管 L 的较高发光占空比。
     注意，在第一到第五示例性实施例中，尽管图 6 中所示的每个 组中所包括的发 光晶闸管 L 的数量被设定成 8，但是该数量可以任意设定。 此时，只需要改变信号 ( 第 一转移信号 φ1、第二转移信号 φ2、存储器信号 φm、保持信号 φb、消除信号 φe 和点 亮信号 φI) 的定时，而无需改变发光芯片 C 的结构。
     另外，在第一到第五示例性实施例中，基于以下假定进行了描述 ：每个发光芯 片 C 中所包括的发光晶闸管 L 的数量被设定成 128。 然而，这个数量也是可以任意设定 的。 另外，假定一个自扫描发光元件阵列 (SLED) 安装在一个发光芯片 C 上。 然而，可 以在个发光芯片 C 上面安装多个 SLED。另外，基于以下假定进行了描述 ：发光晶闸管 L 的数量与转移晶闸管 T、存储器 晶闸管 M 和保持晶闸管 B 各自的数量相同。 然而，转移晶闸管 T 的数量大于发光晶闸管 L 的数量也是可以接受的。 这是通过在没有写入图像数据集时驱动具有第一转移信号 φ1 和第二转移信号 φ 部分的器件实现的。
     在第一到第五示例性实施例中，假定存储器信号 φm 被单独提供到发光芯片 C，并且每个点亮信号 φI 被共同提供到对应的两个发光芯片 C。 然而，点亮信号 φI 可 以被单独提供到发光芯片 C，或者每个点亮信号 φI 可以被共同提供到三个或更多个发光 芯片 C。
     可选地，通过串联连接多个发光芯片 C 以形成像个自扫描发光元件阵列 (SLED) 芯片的多个发光芯片 C，存储器信号 φm 和点亮信号 φI 可以被共同提供到彼此串联连接 的多个发光芯片 C。
     在第一到第五示例性实施例中，描述了共阳极的情况，其中基板被设置为晶闸 管的阳极端子。 通过改变电路的极性，可以使用共阴极晶闸管，其中基板被设置为阴极 端子。
     另外，在第一到第五示例性实施例中，发光芯片 C 由基于 GaAs 的半导体形成， 例如，GaAS、GaAlAs 等，但是发光芯片 C 的材料并不限于此。 例如，发光芯片 C 可以 由很难通过离子注入变成 p 型半导体或 n 型半导体的其它化合物半导体形成，诸如 GaP。
     注意，在本发明中发光装置的使用并不限于在电子照相图像形成单元中使用的 曝光装置。 除了电子照相式记录、显示、照明、光学通信等之外，本发明中的发光装置 还可以用于光学写入。
     出于解释和说明的目的提供了本发明的示例性实施例的前述说明。 其本意并不 是穷举或将本发明限制为所公开的确切形式。 显然，对于本技术领域的技术人员可以进 行许多修改和变型。 选择和说明该示例性实施例是为了更好地解释本发明的原理及其实 际应用，因此使得本技术领域的其他技术人员能够理解本发明所适用的各种实施例并预 见到适合于特定应用的各种修改。 目的在于通过所附权利要求及其等同内容限定本发明 的范围。