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1、10申请公布号CN104205364A43申请公布日20141210CN104205364A21申请号201380017589X22申请日2013031312290106920120328EPH01L31/18200601H01L31/0687200601H01L31/0304200601H01L21/18200601H01L21/762200601C30B33/06200601H01L21/2020060171申请人索泰克公司地址法国伯尔宁72发明人布鲁诺吉瑟兰尚塔尔艾尔纳F迪姆罗特AW贝特74专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人吕俊刚刘久亮54发明名称多结太阳能电池装置。
2、的制造57摘要本发明涉及一种用于制造多结太阳能电池装置的方法，该方法包括以下步骤设置第一基板；设置具有下表面和上表面的第二基板；在所述第一基板上形成至少一个第一太阳能电池层，以获得第一晶片结构；在所述第二基板的所述上表面上形成至少一个第二太阳能电池层，以获得第二晶片结构；将所述第一晶片结构结合到所述第二晶片结构，其中，所述至少一个第一太阳能电池层结合到所述第二基板的所述下表面；以及去除所述第一基板。30优先权数据85PCT国际申请进入国家阶段日2014092886PCT国际申请的申请数据PCT/EP2013/0551332013031387PCT国际申请的公布数据WO2013/143850EN。
3、2013100351INTCL权利要求书2页说明书6页附图1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书6页附图1页10申请公布号CN104205364ACN104205364A1/2页21一种用于制造多结太阳能电池装置的方法，该方法包括以下步骤设置第一基板；设置具有下表面和上表面的第二基板；在所述第一基板上形成至少一个第一太阳能电池层，以获得第一晶片结构；在所述第二基板的所述上表面上形成至少一个第二太阳能电池层，以获得第二晶片结构；将所述第一晶片结构结合到所述第二晶片结构，其中，所述至少一个第一太阳能电池层结合到所述第二基板的所述下表面；以及去除所述第一基板。2根据。
4、权利要求1所述的方法，其中，所述第一基板是第一加工基板。3根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一基板包括拉链层和第一晶种层，并且其中，所述方法包括以下步骤A在所述拉链层处分离所述第一加工基板；以及B去除所述第一晶种层。4根据权利要求3所述的方法，其中，所述拉链层通过所述第一加工基板的晶种层与基底层之间的电磁吸收层形成，并且所述第一加工基板的分离通过激光剥离执行；或者所述拉链层是弱化层，并且所述第一加工基板的分离通过施加热应力或机械应力来执行；或者所述拉链层是多孔层；所述拉链层呈现低结合能界面。5根据前述权利要求中的一项所述的方法，该方法还包括对所述第二基板的所述上表面和/或下表面进行抛光。6。
5、根据前述权利要求中的一项所述的方法，该方法还包括以下步骤在分离所述第一基板之后在所述至少一个第一太阳能电池层上形成接触部和/或在所述至少一个第二太阳能电池层上形成接触部。7根据权利要求2至权利要求6中的一项所述的方法，其中，所述第一加工基板包括蓝宝石基板并且所述第一晶种层包括INP、INAS、GASB、GE或GAAS或由INP、INAS、GASB、GE或GAAS组成。8根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中，所述至少一个第一太阳能电池层包括第一层和所述第一层上的第二层，和/或所述至少一个第二太阳能电池层包括第三层和所述第三层上的第四层。9根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一层包括GAIN。
6、AS或由GAINAS组成，和/或所述第二层包括GAINASP或由GAINASP组成，和/或所述第三层包括GAAS或由GAAS组成，和/或所述第四层包括GAINP或由GAINP组成。10根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中，在室温下执行将所述第一晶片结构结合到所述第二晶片结构的步骤，随后在大约400至大约600的温度下执行的退火处理，具体地，在450到550之间的温度下执行退火处理。11根据权利要求2至权利要求10中的一项所述的方法，其中，设置所述第一加工基板权利要求书CN104205364A2/2页3包括在晶种基板上生长所述晶种层；以及将所述晶种层转移到蓝宝石基板。12根据前述权利要求中的。
7、一项所述的方法，其中，该方法还包括在分离所述第一基板之后，将底基板结合到所述至少一个第一太阳能电池层，具体地，所述底基板由CU、MO、W或SI或AL制成，具体地，所述底基板由铝板制成。13一种通过根据前述权利要求中的一项所述的方法获得的多结太阳能电池装置。14一种用于多结太阳能电池的中间半导体基板，该中间半导体基板包括基板，具体地，GAAS基板；第二太阳能电池层，该第二太阳能电池层形成在所述基板的下表面上；第一太阳能电池层，该第一太阳能电池层形成在所述第二太阳能电池层上；第三太阳能电池层，该第三太阳能电池层形成在所述基板的上表面上；以及第四太阳能电池层，该第四太阳能电池层形成在所述第三太阳能电。
8、池层上，其中，所述第一层包括GAINAS或由GAINAS组成，和/或所述第二层包括GAINASP或由GAINASP组成，和/或所述第三层包括GAAS或由GAAS组成，和/或所述第四层包括GAINP或由GAINP组成。15根据权利要求14所述的中间半导体基板，该中间半导体基板还包括包括INP的另一个基板，具体地，包括INP的加工基板，在该另一个基板上形成所述第一太阳能电池层。16根据权利要求14所述的中间半导体基板，该中间半导体基板还包括底基板，该底基板结合到所述第一太阳能电池层，具体地，所述底基板通过导电结合层结合到所述第一太阳能电池层，具体地，所述底基板由CU、MO、W或SI或AL制成，具体。
9、地，所述底基板由铝板制成。权利要求书CN104205364A1/6页4多结太阳能电池装置的制造技术领域0001本发明涉及多结太阳能电池基板的制造，具体地说，涉及包括晶片转移工艺的多结太阳能电池基板的制造和用于地面和空间相关的应用的太阳能电池装置的制造。背景技术0002光伏电池或太阳能电池被设计为用于将太阳辐射转换为电流。在聚光太阳能光伏应用中，入射太阳光在指向太阳能电池之前被光学集中。例如，入射太阳光由主镜接收，主镜向次镜反射接收到的辐射，次镜依次向太阳能电池反射辐射，太阳能电池通过在IIIV族半导体或单晶硅中产生电子空穴对将集中的辐射转换为电流。另选地，太阳光可以通过利用如菲涅尔FRESNE。
10、L透镜的透射光学器件集中到太阳能电池上。0003因为不同的半导体材料组成对于不同波长的入射太阳光显示出最佳吸收，所以提出了多结太阳能电池，例如，该多结太阳能电池包括三个电池，这三个电池在不同波长范围中显示最佳吸收。例如，三电池结构可以包括间隙值为18EV的GAINP顶电池层、间隙值为14EV的GAAS中间电池层和间隙值为07EV的GE底电池层。原则上，IIIV族或IV族半导体可以用作通过层转移/结合而制造的多结电池装置的有源子电池。多结太阳能电池通常由单片式外延生长来制造。单片式生长工艺通常要求任何形成的层是基本与之前形成的层或底层基板匹配的晶格。然而，在所生长的基板上的太阳能电池层的外延生长。
11、仍然存在晶格失配的棘手问题。例如，因为INP太阳能电池层的结晶和光学特性会由于晶格误配而严重劣化，所以不适合在GE基板上外延生长INP太阳能电池层。另外，在通常使用的转移工艺中，中间基板在转移外延生长层之后被丢弃。0004由此，不管目前的工程进展如何，仍然需要一种多结太阳能电池装置的改进制造工艺，在该工艺中，实现具有低缺陷率的太阳能电池层并且可以循环使用中间基板。发明内容0005本发明解决了上述需求，因此提供了一种用于制造多结太阳能电池装置的方法，该方法包括以下步骤0006设置第一基板；0007设置具有下表面和上表面的第二基板；0008在第一基板上形成至少一个第一太阳能电池层，以获得第一晶片结。
12、构；0009在第二基板的上表面上形成至少一个第二太阳能电池层，以获得第二晶片结构；0010将第一晶片结构结合到第二晶片结构，其中，至少一个第一太阳能电池层结合到第二基板的下表面；以及0011去除/分离第一基板。0012由此，所得到的结构在第二基板的任意一侧分别是上表面和下表面上包括至少一个太阳能电池层。与现有技术不同，第二基板的任意一侧上的太阳能电池层不都由外延沉积提供，还可以通过结合来提供。因为第二基板的表面可以在结合之前被抛光，所以说明书CN104205364A2/6页5可以高质量地实现，具体地，与在两个外延生长太阳能电池层处结合相比，可以以更好的质量实现结合。将第一晶片结构结合到第二晶片。
13、结构的步骤可以是在大约400至大约600具体地，在450到550之间的温度执行的高温结合，从而能够可靠结合。如下文将说明的，第二基板可以是大约100微米例如，大约200微米的相对薄的基板，并且对于某些波长的入射太阳光是透明的。具体地，第二基板可以由GAAS制成或包括GAAS。0013第一基板可以以加工基板具体地，包括蓝宝石的形式设置。0014术语“加工基板”包括与仅纯块状基板PUREBULKSUBSTRATE不同的基板，而是包括形成在基板中的层或界面，以便于从由第一晶片结构和第二晶片结构的结合而得到的结构去除该层或界面。具体地，“加工基板”可以包括晶种层与底基板之间的拉链层ZIPPERLAYE。
14、R。具体地，加工基板可以包括在去除加工基板的步骤中从晶种层分离的底基板。0015利用拉链层的分离允许循环使用所分离的基板。0016在本申请中，“加工基板的分离”的表达应当被解释为底基板的分离。该分离步骤可以在去除拉链层的可能的残留物若有的话和从残留结构去除晶种层之前。0017拉链层可以是限定上晶种层和下底基板的、例如通过合适的处理例如，在基板中进行氢离子注入或氦离子注入而形成的弱化层。0018拉链层可以通过在底基板的表面处进行阳极蚀刻、由多孔埋层形成。然后，可以在多孔层的顶部上执行晶种层的外延生长。0019拉链层可以以吸收层的形式设置，用于在外延工序SI矩阵中的SIGE，具体地，SI基板中20。
15、的SIGE中间应变层期间在中间应变层中进行激光剥离、化学剥离或机械分离。在该另选方案中，拉链层可以由晶种层本身形成，例如，晶种层可以选择性且化学性地蚀刻开去，以分离加工基板。0020如从WO2010015878可知，拉链层也可以由插入在晶种层与透明底基板之间的、用于激光剥离的SIN吸收层形成。0021用于加工基板的另一种可能性如下。可去除结合界面呈现小于15J/M2的低结合能，优选地，小于1J/M2形成在晶种层和基底支撑部相面对的表面FACINGSURFACE之间。在该可能性下，拉链层由可去除结合界面形成。在将加工基板加热到外延生长温度的情况下，第一太阳能电池层可以在保护结合界面的可去除特性的。
16、同时在晶种层上通过外延而生长。通过执行用于增大晶种层或基板其中之一的接触面的粗糙度的处理尤其是通过化学侵蚀或蚀刻来执行，通过完成用于减小晶种层或基板其中之一的接触面或晶种层和基板的每个上的SIO2或SI3N4中的结合层的亲水性，获得低能结合。而且，可以选择用于结合层的不同材料，以实现界面材料的较弱的内在相互化学亲和力。例如，可以通过施加热处理或从一股液体或刀片施加的机械应力来执行底基板的分离。这在WO03/063214中示例公开。0022如上所述，加工基板包括形成在拉链层的顶部或可去除结合界面的晶种层。晶种层通过从晶片到晶片的层转移例如，通过SMARTCUTTM工艺从晶种基板转移给底基板。晶种。
17、层可以含有或不含通过外延在晶种基板上原始形成的外延层。另选地，晶种层已经从块状晶种基板转移或与块状晶种基板分离。在本发明的优选实施方式中，晶种层不用作太阳能电池层，而第一太阳能电池层生长在晶种层上。0023晶种层不必用作太阳能电池层的一部分因为其带隙在一系列子电池层中可能说明书CN104205364A3/6页6不适于最佳效率。因此，在本发明的实施方式中，晶种层仅用于第一太阳能电池层的生长，从而产生包括具有令人满意的晶体特性和电特性的第一太阳能电池层作为底电池的多结太阳能电池装置。事实上，根据上述示例，例如，人们可以通过化学处理如蚀刻去除晶种层。0024在上述示例中，可以以高结晶和电学质量生长太。
18、阳能电池层。例如，可以实现小于106/CM2的位错密度。0025可以由激光剥离执行在拉链层处的分离。激光束被照射到加工基板例如，包括蓝宝石基板，并且驱使材料在拉链层中的沉积，从而允许在拉链层处的分离。0026进一步地，该方法可以包括在分离第一基板之后在至少一个第一太阳能电池层上形成接触部CONTACT和/或在至少一个第二太阳能电池层上形成接触部。而且，在形成接触部之前，可以对相应的太阳能电池层进行构图，以形成其上可以设置接触部的台面。0027包括第二基板并且在第二基板的任意一个主表面上包括至少一个太阳能电池层的结构可以结合到底基板。结合到底基板可以利用形成在第一太阳能电池层和/或底基板上的导电。
19、金属、或具有导体氧化物、透明导体氧化物TCO、硅化物或由直接结合等结合层执行。导电层尤其还有助于为底基板提供热导率，该底基板可以作为散热片或可以连接到散热片，并且优选地其本身导热并导电。导电结合可以通过形成共熔AU/SN或通过热压缩而获得。0028在本实施方式中，在最终底基板尚未存在于该结构中时，执行第一晶片结构和第二晶片结构的结合。由此，在结合热处理期间避免金属污染的风险，使得可以使用高温。而且，底基板的膨胀该底基板的膨胀在这样的温度下由于不同的热膨胀系数CTE而与第一基板和第二基板的膨胀不同会损坏该结构，尤其是会弱化结合界面。0029由钨或钼或掺杂半导体如，GE、GAAS或INP制成的最终。
20、底基板可以尤其适合于容纳设置在由例如GAAS或GAASOS参见下文制成的第二基板上的太阳能电池层的堆叠。具体地，最终底基板的CTE与第二基板的CTE的区别应当小于30，以便避免与结合到最终基板有关的问题。0030根据具体变型，在上述示例中，至少一个第一太阳能电池层包括两层，第一层和在第一层上经外延生长的第二层，并且至少一个第二太阳能电池层也包括两层，即，第三层和在第三层上经外延生长的第四层。根据具体示例，第一层底电池包括GAINAS或由GAINAS组成，和/或第二层包括GAINASP或由GAINASP组成，和/或第四层完成的多结太阳能电池装置中的顶电池包括GAINP或由GAINP组成，和/或第。
21、三层包括GAAS或由GAAS组成。由此，实现四电池多结太阳能电池装置在第二基板的任意主表面上包括两个太阳能电池层，其中，各个电池的材料最适于特定波长的入射太阳能光。第一太阳能电池层和第二太阳能电池层结合到第二基板的一侧主表面，而第三太阳能电池层和第四太阳能电池层生长在第二基板的另一侧主表面上。在整个制造工艺中不必颠倒层，即，各系列层以最终顺序生长在它们各自的基板上，第二层生长在第一层上并且第四层生长在第三层上。0031应注意的是，在所有上述示例中，仅涉及一个单个分离步骤分离第一基板。0032本发明还提供一种中间半导体装置，该中间半导体装置包括0033基板具体地，GAAS基板；说明书CN1042。
22、05364A4/6页70034第二层，该第二层形成在基板的下表面上；第一层，该第一层形成在第二太阳能电池层上；第三层，该第三层形成在基板的上表面上以及第四层，该第四层形成在第三层上，其中，第一层包括GAINAS或由GAINAS组成，和/或第二层包括GAINASP或由GAINASP组成，和/或第三层包括GAAS或由GAAS组成，和/或第四层包括GAINP或由GAINP组成。0035根据示例的中间半导体基板还包括含有INP的另一个基板具体地，包括INP具体地，蓝宝石上的INP的加工基板，该另一个基板上形成第一太阳能电池层。0036中间半导体基板可以还包括底基板，具体地，底基板由CU、MO、W或SI。
23、或AL制成，具体地，底基板由铝板制成，具体地，通过导电结合层将底基板结合到第一太阳能电池层。0037由钨或钼或掺杂半导体如，GE、GAAS或INP制成的最终底基板可以尤其适合于容纳设置在由例如GAAS或GAASOS参见下文制成的第二基板上的太阳能电池层的堆叠。具体地，最终底基板的CTE与第二基板的CTE的区别应当小于30，以便避免与结合到最终基板有关的问题。0038另外，提供了一种多结太阳能电池装置，该多结太阳能电池装置可由根据本发明的多结太阳能电池装置的制造方法的上述示例中的一个示例获得。0039将参照附图来描述本发明的附加特征和优点。在描述中，参照附图，附图例示本发明的实施方式。应理解的是。
24、，这种实施方式不表示本发明的全部范围。0040图1例示包括晶片结合步骤和基板分离步骤的多结太阳能电池的制造的发明方法的示例。0041图1示出包括四个太阳能电池层的多结太阳能电池的制造的发明方法的示例。设置了一种包括用于后续的第一底基板1的分离的拉链层2的第一加工底基板。术语“加工”通常是指以在后续工艺步骤中的晶片结合之后将促进基板的分离的某个层或界面引入到基板中的方式而处理的基板。例如，第一底基板1是蓝宝石基板。鉴于蓝宝石的热膨胀系数热膨胀系数对于在外延期间的温度变化升高和降低以及进一步的工艺具体地，结合步骤参见下文是非常重要的，可以优选地选择蓝宝石。而且，蓝宝石对于激光是透明的，由此可以允许。
25、在后续工艺步骤参见下文中进行激光剥离。晶种层3例如，INP或GAAS晶种层形成在第一底基板1上。例如，晶种层可以生长在晶种基板上，然后转移到加工基板。0042蓝宝石的第一底基板和GAAS的第二基板的优点是这两者在CTE方面与太阳能电池层的整个堆叠完美匹配，这使得可以在不降低太阳能电池的质量的情况下施加高达600的结合温度。类似的推理应用于可以用作第一底基板1和第二基板6的、例如GE、GAAS或INP等的材料。所使用的第一底基板11可以不是导电的如蓝宝石，这使得第一底基板11结合到必须导电的最终底基板。优选地，第一底基板1和第二基板6的材料可以不同，但是它们的CTE的差应当小于30，以便允许高结。
26、合温度。然而，至于用于太阳能电池层的外延生长的高温，由于用于太阳能电池层的生长的晶种层与底基板之间的CTE差，所以不适于使用SI用于第一底基板。0043原则上，加工基板可以利用将各个晶种层转移到底基板的层转移来制造。例如，INP外延层或作为另一个示例的应变或释放的INGAAS层可以是初始块状INP晶种基板的表面层，该表面层通过已知的SMARTCUTTM工艺顺序转移到蓝宝石基板。初始块状晶种基板的剩余物可以在转移之后循环使用。底基板也可以在各个分离步骤之后循环使用。为了形成说明书CN104205364A5/6页8INP晶种层，优选地，将公知的SMARTCUTTM工艺应用于块状INP晶种基板。然而。
27、，可以选择将同一工艺应用于由INP组成的外延堆叠，这提供关于例如制造晶种层3的掺杂水平、结晶质量和精确工艺的更多选项。0044拉链层2包括SIN或晶种层的材料。晶种层3将不用作太阳能电池层，而用于第一太阳能电池层4的外延生长。INP晶种层的厚度可以在50NM至1M的范围中。0045第一太阳能电池形成在第一加工基板上，并且在第一太阳能电池层4上，外延生长第二太阳能电池层5。0046此外，设置了其上外延生长第三太阳能电池层7和第四太阳能电池层8的第二基板6。第二基板6优选地是块状GAAS基板因为该材料对于入射太阳光的波长是透明的，这对应于太阳能电池层4和5的吸收波长。根据所示示例的第二基板6在两个。
28、表面上表面和下表面上抛光，以便促进后续执行的结合参见下文。0047所示的四个太阳能电池层4、5、7、8示出用于不同波长的入射太阳光的吸收最大限度。应当注意的是，在完成的多结太阳能电池装置参见下文的描述中，第一太阳能电池层4变为底电池并且第四太阳能电池层7变为顶电池。根据本示例，所有四个单晶太阳能电池层4、5、7、8通过外延生长形成。原则上，可以从由INGAAS、GAAS、ALGAAS、INGAP、INP和INGAASP组成的组的IIIV族半导体选择太阳能电池层的材料。例如，第一太阳能电池层4可以包括INGAAS，第二太阳能电池层5可以包括INGAP、INGAAS或INP，第三太阳能电池层7可以。
29、包括GAASP或GAAS，并且第四太阳能电池层8可以包括INGAP或INALAS。合适的沟道结层可以通过各个太阳能电池层上的沉积或生长设置在特定太阳能电池层之间。0048如图1所示，所得到的包括第一底基板1和第一两个太阳能电池层4和5的晶片结构和包括第二基板6和第二两个太阳能电池层7和8的晶片结构分别结合到一起。在最优选的实施方式中，由结构的直接结合或换言之，通过接触的两个面的分子键合MOLECULERADHESION，而没有任何结合层来执行结合。分子键合优选地在部分真空下执行。接触和结合在较高温度大约400至600，且更优选地，在450到550之间执行。优选地，在达到400到600之间的最大。
30、温度的退火步骤之后，在室温下执行接触步骤虽然并不排除在更高温度下执行接触步骤。该结合步骤对于所得到的多结太阳能电池的质量是重要的，并且执行高温结合是有利的，以便在第二基板的下表面与第二太阳能电池层5之间实现高质量结合界面，而没有重要缺陷。0049随后，利用拉链层2将第一底基板1与晶种层3分离，例如，第一加工基板在允许从晶种层3分离第一底基板1的拉链层2处裂开。例如，拉链层2可以以通过离子例如，氢离子或氦离子注入而形成的弱化层的形式设置。在这种情况下，第一基板1可以被设置为块状INP基板，通过块状基板的主要顶面注入形成弱化层2，该弱化层2分别在块状基板的顶部和底部中创建晶种层3和第一底基板1。然。
31、后，可以通过施加机械力来调解第一底基板1的分离，以在由氢离子或氦离子形成的弱化层处分层。0050而且，可以通过蚀刻和/或抛光去除底基板和/或结合层和晶种层3的残留物例如，尤其是如果晶种层3呈现较差的电和/或热特性，并且无法用于后续装置中。应注意的是，可以循环使用分离后的第一底基板1，以形成用于再使用的新的加工基板作为用于外延层的生长基板。0051第二基板确保足够的稳定性并且固定于该结构，使得不强制将该结构设置在最终说明书CN104205364A6/6页9基板上。然而，在可选方法中，由此获得的、在第二基板6的任意主表面上包括两个太阳能电池层的结构可以结合到底基板10如图1所示。该结合工艺可以通过。
32、将第一太阳能电池层4直接导电结合CONDUCTIVEBONDING到底基板来执行或者利用在结合工艺之前形成在第一太阳能电池层4的所露出的表面或底基板上的金属结合层来执行。还可以将金属结合层分别形成在第一太阳能电池层4的所露出的表面和底基板上。要注意的是，底基板可以用作导热基板和导电基板。具体地，底基板可以由CU或AL制成具体地，由足够坚硬以提供堆叠的太阳能电池层的支撑的铝板制成。用于底基板的其他设想的可选方式包括SI诸如掺杂硅、MO和W。0052由钨或钼或掺杂半导体如，GE、GAAS或INP制成的最终底基板可以尤其适合于容纳设置在由例如GAAS或GAASOS参见下文制成的第二基板上的太阳能电池。
33、层的堆叠。具体地，最终底基板的CTE与第二基板的CTE的区别应当小于30，以便避免与结合到最终基板有关的问题。0053在图1例示的下一步骤中，所得到的结构进入某个精加工工艺NISHPROCESSING，包括形成包括经蚀刻的太阳能电池层7和8的多个台面。在形成适当构图的光阻剂和可选形成的防反射涂层之后，可以由光刻处理实现台面的形成。0054因此，精加工工艺可以在结合到最终底基板之前执行，精加工工艺在工作流的效率和处理的容易性方面是有利的。然而，如果精加工工艺是优选的，则可以在转移到最终底基板之后执行精加工工艺。0055所有之前讨论的实施方式不在于构成限制，而作为例示本发明的特征和优点的示例。应理解的是，上述特征中的一些或所有还可以以不同方式组合。应理解的是，上述特征中的一些或所有特征还可以以不同方式组合。具体地，根据本发明，可以形成不仅包括4个结如之前实施方式所公开的，还可以包括2个、3个、5个或更多结的多结太阳能电池。说明书CN104205364A1/1页10图1说明书附图CN104205364A10。