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一种组合式电容器及其制造方法
    本发明涉及一种组合式电容器，尤其是涉及一种组合式抑制电干扰用的电容器及其制造方法。

    目前抑制干扰用的电容器采用由一个较大电容量的电容器与两个等值而电容量较小的电容组合成三角形结构，并从二角形的三个角引出电接线。在其制造方法及结构上，主要有两种：一种如日本目前普遍使用的采用分体式结构，先绕制一个大电容量的主电容，然后与两个绕制在一起的小电容组合而成；另一种则采用整体式结构，在绕制好大电容量的电容后，再根据电容量的大小在所述大电容量电容的外面绕上其上覆盖有光膜和铝箔的双金属化膜，构成两个具有相同电容量的小电容。前一种结构的组合式电容器，制作工艺复杂、工序多，功效低而且体积相对较大。后一种结构的组合式电容器，虽然体积较小，但要制得两个相同电容量的小电容，则必须使双金属化膜的两边金属膜等宽，并在覆盖铝箔和光膜时必须使得铝箔与双金属化膜的两金属膜相覆盖部分的面积相同，技术难度大，同时会因喷金不均，使得两个小电容难以承受较大的冲击电压，而且在喷金后不易将两个小电容量的电容接线引出。

    本发明的目的是针对现有技术的不足之处，提供一种体积小、结构简单、喷金均匀，能承受较高冲击电压的组合式电容器。

    本发明的另一个目的是提供一种方便、高效制作所述组合式电容器的制作方法。

    本发明的第一个目的是通过如下方式来实现的：在绕较大电容量地电容的两个金属化膜的近未尾一端的中间分别插入一定长度的光膜和金属片，所述光膜与其中一个金属化膜的金属层相接触，金属片与另一金属化膜的绝缘层相接触，并从两金属化膜的金属层和金属片上分别引出电接线。

    为得到上述结构的组合式电容器，本发明提供的制造方法是按如下方式来进行的：将一金属化膜的金属层紧贴另一金属化膜的绝缘层进行绕制：当绕制到一定长度后，在所述的两金属化膜的中间分别插入光膜和金属片，使得所述的光膜与其中的一金属化膜的金属层相接触，所述的金属片与另一金属化膜的绝缘层相接触，然后再进行绕制，达到设计的电容量后，切断金属化膜，并将金属片在电容芯子上再绕一圈，作为一电极；经热压；再于其两端面进行喷金：并在其所述的两端及所述的金属片上各引出一电接线。

    由于本发明采用在绕制大容量电容的同时，在其两金属化膜的近未端处插入一光膜和金属片后再经绕制、热压、喷金并引出电接线而制得其极板互为公用的三个构成三角形的组合式电容器，较之现有技术，具有制作方便、产品体积小、成品率高等显著优点。另外，因其喷金均匀，有效导电面积大而具有耐高压冲击电压等突出优点。

    图一为本发明组合式电容器的结构示意图。

    现结合附图详细描述本发明的一个具体实施例：

    将金属化膜[1]的金属层[3]朝上，其留边向右，金属化膜[2]的金属层[5]朝上并紧贴所述的金属化膜[1]的绝缘层[4]，并将其留边向左后进行绕制，当绕制到设计所需电容量的长度后，在金属化膜[1]的绝缘层[4]和金属化膜[2]的金属层[5]间自上而下依次插入铜箔[8]和光膜[7]后再进行绕制。当绕到设计的电容量后切断金属化膜[1]和[2]，并将铜箔[8]在外面再绕一圈，切断铜箔[8]，再将光膜[7]在铜箔[8]外面包一至二圈，使铜箔[8]固定，并作为一电极。当绕制结束后，将绕得的组合式电容器的初品经80-90度热压，并与其左右两端面进行喷金，然后于其左右两端面及所述的铜泊[8]上各引出一电接线。金属层[3]和金属层[5]构成一大电容，铜箔[8]利金属层[3]、[5]分别构成二个小电容。