一种时间继电器电路.pdf

摘要
申请专利号：	CN90101809.0	申请日：	1990.03.26
公开号：	CN1055267A	公开日：	1991.10.09
当前法律状态：	撤回	有效性：	无权
法律详情：	\|\|\|公开
IPC分类号：	H03K17/28	主分类号：	H03K17/28
申请人：	高鸿飞;
发明人：	高鸿飞
地址：	518026广东省深圳市华富路黄木岗东区16栋312号
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内容摘要

一种由可控硅，三极管反相器，阻容元件，开关组成的时间继电器，反相器的集、射极与可控硅的控制极和阴极并联，同时反相器的基、射极与电容和开关并联。

权利要求书

1：一种由可控硅，三极管反相器，阻容元件，开关构成的时间继电器，其特征是： a、反相器(2)的集、射极并接于可控硅(1)的控制极与阴极之间。 b、该反相器(2)的基、射极间并联有电容(3)和开关(4)。

说明书

一种时间继电器电路
    本发明涉及一种时间继电器电路，特别是用可控硅作功率开关的继电器。

    1987年12期《无线电》杂志发表了由脉冲直流电源(5)供电的可控硅时间继电器如图1。可控硅(1)的控制极和阴极之间跨接着由几级反相器构成的控制器，前级反相器三极管(6)的状态使后级反相器三极管(2)或饱和或截止，从而控制可控硅(1)或关闭或导通，再控制负载(8)，完成继电器功能。电容(3)经电阻(7)和三极管(6)放电以实现继电器延时。开关(4)接通充电支路以启动继电器。

    这种由多级反相器控制的可控硅时间继电器，由于三极管集基极间漏电流的影响，会出现过度期振荡，影响继电器的工作可靠性。

    本发明为使继电器动作稳定可靠，将多级反相器化简为单级反相器，延时动作控制方式由放电过程改为充电过程。由于充电进行前段，可控硅导通，充电电流小，后段、可控硅转入关闭的同时充电电流变大，加速三极管进入深饱和状态，保证可控硅可靠关断。

    图2是本发明地电路图。图中(1)是可控硅，三极管(2)为单级反相器，其集、射极并接于可控硅的控制极与阴极间，电阻(7)和电容(3)用于实现延时，开关(4)和电容(3)与反相器(2)的基、射极并联、开关(4)接通时提供电容放电支路以起动继电器。