发光二极管晶片改性工艺.pdf

摘要
申请专利号：	CN200410071801.3	申请日：	2004.09.03
公开号：	CN1588660A	公开日：	2005.03.02
当前法律状态：	终止	有效性：	无权
法律详情：	未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 33/00申请日:20040903授权公告日:20090812终止日期:20130903\|\|\|授权\|\|\|专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)变更项目:申请人变更前权利人:秦业钢申请人地址:天津市南开区白堤路246号技术物理研究所邮政编码:300192; 申请人:李连山申请人地址:河北省廊坊经济技术开发区鑫谷光电股份有限公司邮政编码:065001变更后权利人:天津市技术物理研究所申请人地址:天津市南开区白堤路246号技术物理研究所邮政编码:300192登记生效日:2006.12.1\|\|\|实质审查的生效\|\|\|公开
IPC分类号：	H01L33/00	主分类号：	H01L33/00
申请人：	秦业钢; 李连山
发明人：	秦业钢; 李连山; 郝建钢; 唐琍媚
地址：	300192天津市南开区白堤路246号技术物理研究所
优先权：
专利代理机构：	天津市三利专利商标代理有限公司	代理人：	徐慰明
PDF下载：	PDF下载

内容摘要

发光二极管晶片改性工艺。本发明是涉及发光二极管晶片的一种改性工艺方法。在发光二极管封装前，用低能电子束对发光二极管晶片进行辐照。经过辐照后的晶片制成的发光二极管比没有经过辐照的同种晶片制成的二极管的发光效率均有所提高，平均提高15％－30％。

权利要求书

1、一种发光二极管晶片改性工艺，其特征在于：在发光二极管封装前，用低能电子束对发光二极管晶片进行辐照。

2、根据权利要求1所述的发光二极管晶片改性工艺，其特征在于：将发光二极管晶片放置在可水平往复运动的车上，辐照剂量1-30Mrad，电子束能量为1-7MeV。

说明书

发光二极管晶片改性工艺
技术领域
本发明是涉及发光二极管晶片的一种改性工艺方法。
背景技术
作为绿色环保节能的发光二极管应用越来越多，光电转换率的高低直接影响到二极管品质。现有地发光二极管转换率为10％-30％，转换率越高价格越高。
发明内容
本发明的目的在于避免现有技术中的不足之处，而提供一种在原发光率基础上平均提高15％-30％的发光二极管晶片的改性工艺。
可采取以下工艺方法实现目的。
发光二极管晶片改性工艺：在发光二极管封装前，用低能电子束对发光二极管晶片进行辐照。
本发明相对现有技具有的优点和效果，经过辐照后的晶片制成的发光二极管比没有经过辐照的同种晶片制成的二极管的发光效率均有所提高，平均提高15％-30％。材料不同提高幅度不同。
附图说明
图1是发光二极管晶片改性工艺示意图
具体实施方式
实施例1、发光二极管晶片改性工艺，在发光二极管封装前，用低能电子束1对发光二极管晶片2进行辐照。
实施例2、发光二极管晶片改性工艺，在实施例1基础上，将发光二极管晶片放置在可水平往复运动的车3上，辐照剂量1-30Mrad，电子束能量为1-7MeV。