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1、10申请公布号CN104122711A43申请公布日20141029CN104122711A21申请号201310153263122申请日20130427G02F1/1343200601G02F1/133320060171申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人北京京东方显示技术有限公司72发明人周波刘晓那宋勇志74专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270代理人张颖玲张振伟54发明名称一种窄边框显示装置及其制备方法57摘要本发明公开了一种窄边框显示装置，包括上基板、下基板，填设于所述上基板和下基板之间的液晶层，以及封装于所述上基板和下基板边缘。
2、的封框胶；所述显示装置中与所述封框胶重叠位置处的公共电极为透明公共电极。本发明还同时公开了一种窄边框显示装置的制备方法，本发明可解决现有封框胶的紫外光固化时间长，固化效率低的问题。51INTCL权利要求书1页说明书3页附图4页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书3页附图4页10申请公布号CN104122711ACN104122711A1/1页21一种窄边框显示装置，包括上基板、下基板，填设于所述上基板和下基板之间的液晶层，以及封装于所述上基板和下基板边缘的封框胶；其特征在于，所述显示装置中与所述封框胶重叠位置处的公共电极为透明公共电极。2根据权利要求1所述的窄边。
3、框显示装置，其特征在于，与所述显示装置的各边框对应位置处的、且与封框胶重叠的公共电极均为透明公共电极。3根据权利要求1或2所述的窄边框显示装置，其特征在于，所述透明公共电极选为透明导电材料。4根据权利要求3所述的窄边框显示装置，其特征在于，所述透明导电材料为氧化铟锡、或氧化锌。5根据权利要求1或2所述的窄边框显示装置，其特征在于，所述的与封框胶重叠位置处的公共电极的厚度设置为4006一种窄边框显示装置的制备方法，包括设置所述显示装置的上、下基板，并将相对设置的上、下基板进行对盒形成所述显示装置，所述上、下基板间设置有液晶层，所述上、下基板边缘封装有封框胶；其特征在于，该方法还包括在形成所述显示。
4、装置的第一透明电极层的同时形成与所述封框胶重叠位置处的公共电极，所述与封框胶重叠位置处的公共电极选用透明导电材料。7根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述与封框胶重叠位置处的公共电极选用的透明导电材料与所述第一透明电极层的材料相同。8根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一透明电极层和所述与封框胶重叠位置处的公共电极的形成方法为在基板上沉积一层透明导电材料，并通过构图工艺形成第一透明电极层和所述与封框胶重叠位置处的公共电极。9根据权利要求6、7或8所述的方法，其特征在于，所述透明导电材料的沉积温度为室温至230度。10根据权利要求6、7或8所述的方法，其特征在于，所述与封框胶非重叠位。
5、置处的公共电极和与封框胶重叠位置处的公共电极通过重叠的方式相连接。权利要求书CN104122711A1/3页3一种窄边框显示装置及其制备方法技术领域0001本发明涉及显示领域，尤其涉及一种窄边框显示装置及其制备方法。背景技术0002目前，窄边框技术在液晶显示器领域得到了广泛的应用，各生产商也已推出了自己的窄边框产品。由于边框变窄，观众在观看这类显示产品时视觉被束缚的程度大大降低，视觉更放松，更容易使人产生一种身临其境的欣赏美感。0003图1A、B分别为传统的显示面板非窄边框设计的正视图和部分截面图，图2A、B分别为现有的显示面板窄边框设计的正视图和部分截面图，对比图1和图2可以看出，窄边框技术。
6、，需要封框胶1同时与彩膜基板2上的部分黑矩阵BM3以及TFT基板4上的部分公共电极5重叠，以减少空间的占用，实现窄边框的目的。其中，所述BM3不透光，又由于公共电极5通常选用金属CU、AL或其合金等材料，所以也是不透光的，因此，当上述三部分重叠时，就会导致BM3与公共电极5之间的封框胶1的难以实现紫外光固化。0004为了解决上述问题，现有技术通过在BM3或公共电极5上与封框胶1重叠的位置设置细缝6，如刻蚀出细缝SLIT6，如图3A、B所示，以使紫外光能从所述细缝6通过，实现封框胶1的紫外光固化。对于在BM3上刻蚀细缝6的情况，进行封框胶1的紫外光固化时，紫外光从彩膜基板2侧透过BM3上刻蚀细缝。
7、6对封框胶1进行照射；对于在公共电极5上刻蚀细缝6的情况，进行封框胶1的紫外光固化时，紫外光从TFT基板4侧透过公共电极5上刻蚀细缝6对封框胶1进行照射。但是，对于BM3或公共电极5上未刻蚀细缝6的位置，紫外光不能通过，对应未刻蚀细缝6位置的封框胶1不宜固化完全，因此，在紫外光光照强度不变时，封框胶1的紫外光固化时间将会延长，固化效率较低。0005下面再对上述设置有公共电极的TFT基板的制备流程进行简单描述，包括如下步骤首先，在基板上形成第一透明电极层，之后形成栅极以及栅极绝缘层；然后顺序形成包括源极和漏极的半导体层、钝化绝缘层、并形成过孔，最后再形成第二透明电极层。需要说明的是，由于所述公共。
8、电极采用金属CU、AL或其合金等材料，与栅极所用材料相同，均为不透光材料，因此所述公共电极与所述栅极同时形成。发明内容0006有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种窄边框显示装置及其制备方法，可解决现有封框胶的紫外光固化时间长，固化效率低的问题。0007为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的0008一种窄边框显示装置，包括上基板、下基板，填设于所述上基板和下基板之间的液晶层，以及封装于所述上基板和下基板边缘的封框胶；所述显示装置中与所述封框胶重叠位置处的公共电极为透明公共电极。0009进一步地，与所述显示装置的各边框对应位置处的、且与封框胶重叠的公共电极均为透明公共电极。说明书CN104。
9、122711A2/3页40010进一步地，所述透明公共电极选为透明导电材料。0011进一步地，所述透明导电材料为氧化铟锡、或氧化锌。0012进一步地，所述的与封框胶重叠位置处的公共电极的厚度设置为4000013另，本发明提供一种窄边框显示装置的制备方法，包括设置所述显示装置的上、下基板，并将相对设置的上、下基板进行对盒形成所述显示装置，所述上、下基板间设置有液晶层，所述上、下基板边缘封装有封框胶；该方法还包括在形成所述显示装置的第一透明电极层的同时形成与所述封框胶重叠位置处的公共电极，所述与封框胶重叠位置处的公共电极选用透明导电材料。0014进一步地，所述与封框胶重叠位置处的公共电极选用的透明。
10、导电材料与所述第一透明电极层的材料相同。0015进一步地，所述第一透明电极层和所述与封框胶重叠位置处的公共电极的形成方法为在基板上沉积一层透明导电材料，并通过构图工艺形成第一透明电极层和所述与封框胶重叠位置处的公共电极。0016进一步地，所述透明导电材料的沉积温度为室温至230度。0017进一步地，所述与封框胶非重叠位置处的公共电极和与封框胶重叠位置处的公共电极通过重叠的方式相连接。0018本发明提供的窄边框显示装置及其制备方法，将TFT基板上与封框胶重叠位置处的公共电极设置为氧化铟锡、或氧化锌等透明导电材料，因此，在进行封框胶的紫外光固化时，只需令紫外光从TFT基板侧照射即可，紫外光可完整透。
11、过透明的公共电极照射到封框胶上，不同于现有的只有部分紫外光通过细缝照射到封框胶上，因此，本发明可实现封框胶快速完整的固化，提高固化效率。附图说明0019图1A为传统的显示面板非窄边框设计的正视图；0020图1B为传统的显示面板非窄边框设计的部分截面图；0021图2A为现有的显示面板窄边框设计的正视图；0022图2B为现有的显示面板窄边框设计的部分截面图；0023图3A为现有在BM与封框胶1重叠的位置设置细缝的部分彩膜基板平面示意图；0024图3B为现有在公共电极与封框胶1重叠的位置设置细缝的部分TFT基板平面示意图；0025图4为本发明实施例显示有公共电极的窄边框显示装置的平面结构示意图；00。
12、26图5为本发明实施例设置有公共电极的TFT基板的制备流程。0027附图标记说明00281封框胶；2彩膜基板；3黑矩阵BM；4TFT基板；5公共电极；6细缝SLIT。具体实施方式0029本发明的基本思想是设置一种窄边框显示装置，所述显示装置包括上基板、下基板，填设于所述上基板和下基板之间的液晶层，以及封装于所述上基板和下基板边缘的说明书CN104122711A3/3页5封框胶；这里，将显示装置中与封框胶重叠位置处的公共电极设置为透明导电材料形成透明公共电极，因此可使紫外光透过公共电极完全照射到封框胶，实现封框胶的快速固化，提高紫外光固化效率。0030下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步详细。
13、说明。0031图4为本发明实施例显示有公共电极的窄边框显示装置的平面结构示意图，如图4所示，所述与封框胶1重叠位置处的公共电极5设置为透明导电材料，所述透明导电材料可选为氧化铟锡ITO、氧化锌ZNO等材料。其中，所述与封框胶1重叠位置处的公共电极5与非重叠位置处的公共电极5相连。0032图4所示仅在显示装置的相邻两边框右、下边框对应位置处的、且与封框胶1重叠的公共电极5设置为透明导电材料，当然，在实际应用过程中，可将显示装置另外两条边框对应位置处的、且与封框胶1重叠的公共电极5图4中左、上边框所指示的公共电极设置为透明导电材料，例如图4中所示的显示装置的上边框和左边框部分与封框胶1重叠的公共电。
14、极5均可设置为透明导电材料。所述透明导电材料形成的透明公共电极的厚度设置为4000033本发明实施例中，由于与封框胶1重叠位置处的公共电极5设置为透明导电材料，因此，在进行封框胶的紫外光固化时，只需令紫外光从TFT基板侧照射即可，紫外光可完整透过透明的公共电极5照射到封框胶1上，不同于现有的只有部分紫外光照射到封框胶1上，因此，本发明可实现封框胶1快速完整的固化，提高固化效率。0034本发明所述显示装置可为ADS型、平面内开关IPS型或面线开关PLS型等。0035下面对本发明实施例设置有公共电极的TFT基板上基板或下基板的制备流程进行简单描述，如图5所示，包括如下步骤0036步骤501在基板上。
15、形成第一透明电极层以及与封框胶重叠位置处的公共电极；0037由于这里所述的公共电极是透光的，可采用与第一透明电极层所用相同的透明导电材料，因此可与第一透明电极层同时形成。所述透明导电材料可为ITO、或ZNO等。为了降低设置为透明导电材料的公共电极的电阻率，可以通过降低透明导电材料的电阻，如通过降低ITO的沉积温度来实现，沉积温度可从230度降至室温25；又如，可更换电阻率更低的透明电极材料，ZNO的电阻率小于ITO电阻率，因此ZNO较ITO更适合制备与封框胶重叠位置处的公共电极。0038步骤502继续形成栅极以及与封框胶非重叠位置处的公共电极；0039这里，所述与封框胶非重叠位置处的公共电极选。
16、用已有的与栅极相同的金属不透光材料。其中，所述与封框胶非重叠位置处的公共电极和与封框胶重叠位置处的公共电极通过重叠的方式相连接。0040步骤503继续形成栅极绝缘层，并顺序形成包括源极和漏极的半导体层、以及钝化绝缘层；0041步骤504最后形成过孔以及第二透明电极层。0042优选的，形成所述TFT基板后，可将其与彩膜基板下基板或上基板进行对盒形成所述窄边框显示装置，所述上、下基板间设置有液晶层，所述上、下基板边缘封装有封框胶。0043以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。说明书CN104122711A1/4页6图1说明书附图CN104122711A2/4页7图2说明书附图CN104122711A3/4页8图3说明书附图CN104122711A4/4页9图4图5说明书附图CN104122711A。