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1、10申请公布号CN104067919A43申请公布日20141001CN104067919A21申请号201410313215922申请日20140703A01G31/0020060171申请人李永青地址030032山西省太原市尖草坪区兴华北街9号滨丰园C座2002号72发明人李永青郭海荣郭沛荣李香莲赵忠爱74专利代理机构太原华弈知识产权代理事务所14108代理人李毅54发明名称臭椿育苗的方法57摘要本发明提供了一种臭椿育苗的方法，包括精选种子、用等离子体处理机1214A的剂量处理2次，将处理后的种子在阳光下晾晒45天，然后用草炭土珍珠岩粘土按821的体积比混合均匀后作为育苗基质，将处理后的种。
2、子以行距140180MM、株距23MM的密度、深度1516MM播种，播种后的基质保持2428、相对湿度7580，播种后1011天出苗，将出苗后的小苗移至光照充足、基质保持2030、相对湿度5060的条件下培养，当苗高达到2025CM时，按行距与株距均为30CM移植至大棚土壤中培养，当苗高达到35CM以上时，完成育苗过程，逢初春或夏末秋初即可定植栽培。采用本发明方法可显著提高臭椿的出苗率、极大地降低苗期瘁倒病的发生，明显提高育苗的经济效益。51INTCL权利要求书1页说明书6页附图2页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书6页附图2页10申请公布号CN1040679。
3、19ACN104067919A1/1页21臭椿育苗的方法，其特征是包括如下步骤1精选成熟良好、无杂质的种子；（2）将种子用等离子体处理机1214A的剂量处理2次；（3）将2处理后的种子在阳光下晾晒45天；（4）用草炭土珍珠岩粘土按821的体积比混合均匀后作为育苗基质，将（3）处理后的种子以行距140180MM、株距23MM的密度、深度1516MM进行播种，播种后的基质保持2428、相对湿度7580，播种后1011天出苗；5将出苗后的小苗移至光照充足、基质保持2030、相对湿度5060的条件下培养，当苗高达到2025CM时，按行距与距均为30CM移植至大棚土壤中培养，当苗高达到35CM以上时，完。
4、成育苗过程，逢初春或夏末秋初即可定植栽培。权利要求书CN104067919A1/6页3臭椿育苗的方法技术领域0001本发明涉及植物种子育苗技术领域，具体涉及臭椿种子的育苗方法。背景技术0002臭椿（AILANTHUSALTISSIMA）在我国南自广东、广西、云南，北到辽宁南部均有分布，以黄河流域为分布中心。垂直分布在海拔1002000米范围内。喜光，不耐严寒。在年平均气温719、年降雨量4002000毫米范围内生长正常；年平均气温1215、年降雨量5501200毫米范围内最适生长。产各地，为阳性树种，喜生于向阳山坡或灌木丛中，村庄家前屋后的空闲地有栽培，经常种植为行道树。除黏土外，各种土壤和中。
5、性、酸性及钙质土都能生长，适生于深厚、肥沃、湿润的砂质土壤。耐寒，耐旱，不耐水湿，长期积水会烂根死亡。深根性。对烟尘与二氧化硫的抗性较强，病虫害较少。臭椿木材可供建筑、制人造板等，根皮、茎和种子供药用，叶可饲养樗蚕。臭椿是荒山造林、庭园、工矿区、城市和农村绿化树种。臭椿一般用播种繁殖。在生产实践中，长期以来臭椿育苗是造林的一个瓶颈，存在的主要问题一是臭椿的出苗率低，二是在苗期极易得瘁倒病，因此，经常导致臭椿育苗的失败。发明内容0003本发明的目的是针对现有技术存在的问题，提供一种臭椿育苗的方法，采用本发明方法进行臭椿育苗可显著提高出苗率、极大地降低苗期瘁倒病的发生，明显提高臭椿育苗的经济效益。。
6、0004为实现上述目的，本发明是通过以下技术方案实现的。0005本发明的臭椿育苗的方法，包括如下步骤1精选成熟良好、无杂质的种子；（2）将种子用等离子体处理机1214A的剂量处理2次；（3）将2处理后的种子在阳光下晾晒45天；（4）用草炭土珍珠岩粘土按821的体积比混合均匀后作为育苗基质，将（3）处理后的种子以行距140180MM、株距13MM的密度、深度1516MM进行播种，播种后的基质保持2428、相对湿度7580，播种后1011天出苗；5将出苗后的小苗移至光照充足、基质保持2030、相对湿度5060的条件下培养，当臭椿苗高达到2025CM时，按行距与距均为30CM移植至大棚土壤中培养，当。
7、苗高达到35CM以上时，完成育苗过程，逢初春或夏末秋初即可定植栽培。0006本发明的关键步骤之一是用等离子体处理机对臭椿种子的处理。等离子体是物质存在的一种状态，它是物质固体状态、液体状态、气体状态之后的第四种状态等离子体状态。1929年科学家第一次引入“等离子体”这个名称，等离子体学科成为一门年轻的学科。由于等离子体科学发展较晚，因此应用范围不普遍。近年来，等离子体科学的研究得到了快速发展，目前主要用于航天实验、军事国防、金属切割、材料表面镀膜、电子工业、核聚变能说明书CN104067919A2/6页4源研究等领域。等离子体技术在植物上的应用属于刚刚开始，它开辟了等离子体应用的一个新领域。等。
8、离子体处理技术的机理是通过等离子体发出的各种能量作用于种子，激发种子的潜能、提高种子的活力和发芽势，增强种子的抗逆性和健壮度，使植物的生长能力得到提升。采用等离子体处理机对种子处理时，处理剂量和处理次数对种子作用的影响效果很大，不同的处理剂量和处理次数处理种子后对各种性状的影响程度不同，效果差异较大。本发明针对臭椿出苗率低和苗期易得瘁倒病两个臭椿育苗中存在的主要问题进行了等离子体处理剂量和处理次数的试验，结果表明，用12A14A的等离子体处理剂量处理2次后的效果最优（见图1）。处理剂量偏小时，即使增加处理次数也一样，表现在出苗时间缩短不明显，出苗率提高不明显和抗瘁倒病效果不明显（见图2）；处理。
9、剂量过大时，虽然在出苗时间明显缩短、出苗率明显提高和抗瘁倒病效果明显，但臭椿苗的生长非常不整齐，苗的高度、茎粗和叶片大小差异过大（见图3），不适宜于应用于育苗生产实践。0007本发明的另一关键步骤之一是将经等离子体处理后的臭椿种子在阳光下晾晒45天。试验表明，经等离子体处理后的臭椿种子立即播种、阴凉处堆放、阳光下晾晒3天及以下、阳光下晾晒6天及以上等处理的效果均不及阳光下晾晒45天后播种效果好。0008本发明的第三关键步骤之一是用草炭土珍珠岩粘土按821的体积比混合均匀后作为臭椿育苗基质，将等离子体处理后且在阳光下晾晒45天后的种子以深度1516MM进行播种，播种后的基质保持2428、相对湿度。
10、7580。试验表明，基质保持2428和相对湿度7580的条件是臭椿种子出苗的最佳环境，而用草炭土珍珠岩粘土按821的体积比混合均匀后作为育苗基质比土壤或其它配方的基质在管理基质环境达到2428和相对湿度7580时更容易实现，因此，在该基质中所用的出苗时间最短，出苗后生长的最快、最为强壮，瘁倒病发病率最低。0009下面介绍本发明对臭椿种子的处理效果及育苗方法的比较试验及结果。00101等离子体处理臭椿效果的试验11试验方法111等离子体处理剂量试验将精选成熟良好、无杂质的臭椿种子用大连博事等离子体有限公司生产的DL2型等离子体处理机进行处理，共设0A（对照）、06A、08A、1A、12A、14A。
11、、16A和18A8个剂量处理一次，处理后的臭椿种子在阳光下晾晒7天，然后在节能日光温室条件下，按草炭土珍珠岩为11的培养基质中深度1516MM播种，重复三次，播种3个月后考察臭椿种子处理后的生长发育效果。0011112等离子体处理次数试验设12A、14A和16A3个剂量处理分别处理1次、2次和3次共9个处理，处理后的臭椿种子在阳光下晾晒7天，然后在节能日光温室条件下，按草炭土珍珠岩为11的培养基质中深度1516MM播种，重复三次，播种3个月后考察臭椿种子处理后的生长发育效果。001212试验结果211等离子体处理剂量试验结果等离子体处理剂量试验结果见表1。0013表1等离子体处理剂量试验结果说。
12、明书CN104067919A3/6页5由表1可见，（1）等离子体处理剂量与臭椿出苗天数在0A12A内呈负相关，处理剂量越高，出苗时间越短；当处理剂量在12A及以上时，对出苗天数不再有影响。（2）等离子体处理剂量与臭椿平均出苗率在0A14A范围内呈正相关，处理剂量越高，平均出苗率越高；当处理剂量在14A及以上时，平均出苗率不再增加，随着剂量的加大平均出苗率反而下降。（3）等离子体处理剂量与臭椿瘁倒病发病率在0A12A内呈负相关，处理剂量越高，瘁倒病发病率越低；当处理剂量在12A及以上时，瘁倒病发病率为零。（4）等离子体处理剂量与臭椿播种3个月后的苗高在0A12A范围内呈正相关，处理剂量越高，平均。
13、苗高越高；当处理剂量在12A及以上时，平均苗高不再增长，随着剂量的加大平均苗高反而下降。（5）等离子体处理剂量与臭椿播种3个月后的苗生长整齐度的关系没有规律可寻，多数剂量处理过的苗整齐度比对照差，尤其16A及以上剂量处理后，苗整齐度最差；只有12A和14A两个剂量处理的苗整齐度优于对照。综上所述，用等离子体处理臭椿的剂量试验结果表明，综合考察各项指标用12A和14A剂量处理后显著或极显著优于其他处理。0014212等离子体处理次数试验结果等离子体处理次数试验结果见表2。0015表2等离子体处理次数试验结果由表2可见，在等离子体处理剂量效果较好的12A、14A和16A三个剂量条件下进行说明书CN。
14、104067919A4/6页6的处理次数试验结果表明，同剂量下等离子处理次数对臭椿的出苗天数是有影响的处理一次的虽然比对照稍出苗早,但仍然感染瘁倒病，出苗率也较低；处理二次的仅是12A的整齐度好不感染瘁倒病，14A和16A的整齐度是随着处理剂量的增加平均株高降低，差异逐渐加大，出苗率也较高；处理三次的平均株高降低，差异更是逐渐加大。次数多和少、平均出苗率、臭椿瘁倒病发病率、平均苗高和苗整齐度的影响均不明显。综合比较结果是同剂量的等离子体处理两次优于处理1次和3次。00162等离子体处理臭椿种子后的处理试验21试验方法将精选成熟良好、无杂质的臭椿种子用大连博事等离子体有限公司生产的DL2型等离子。
15、体处理机用12A剂量处理2次，然后设置5个处理进行试验，分别是（1）等离子体处理后的臭椿种子立即播种；（2）阴凉处堆放5天；（3）阳光下晾晒23天；（4）阳光下晾晒45天；（5）阳光下晾晒67天。然后在节能日光温室条件下，按草炭土珍珠岩为11的培养基质中播种，重复三次，播种3个月后考察臭椿种子处理后的生长发育效果。001722试验结果等离子体处理臭椿种子后的处理试验结果见表3。0018表3等离子体处理臭椿种子后的处理试验结果试验结果表明，臭椿种子用12A的等离子体剂量处理2次后，在阳光下晾晒45天后在节能日光温室条件下，按草炭土珍珠岩为11的培养基质中播种，播种3个月后在出苗天数、平均出苗率、。
16、瘁倒病率、苗高和苗生长整齐度五项指标均极显著优于其他4个处理。00193等离子体处理臭椿种子后的培养基质的试验31试验方法将精选成熟良好、无杂质的臭椿种子用大连博事等离子体有限公司生产的DL2型等离子体处理机用14A剂量处理2次，在阳光下晾晒45天，然后播种在基质中，播种后的基质保持2428、相对湿度7580。试验基质设计4个处理，分别是（1）草炭土珍珠岩的体积比为11；（2）草炭土珍珠岩粘土的体积比为551；（3）草炭土珍珠岩粘土的体积比为821；（4）草炭土珍珠岩粘土的体积比为281，重复三次，播种3个月后考察臭椿种子处理后的生长发育效果。002032试验结果说明书CN104067919A。
17、5/6页7等离子体处理臭椿种子后的培养基质的试验结果见表4。0021表4等离子体处理臭椿种子后的培养基质的试验结果综合播种3个月后在出苗天数、平均出苗率、瘁倒病率、苗高和苗生长整齐度五项指标试验，草炭土珍珠岩粘土的体积比为821的培养基质优于其他3个处理。0022本发明的有益效果用本发明臭椿育苗的方法与现有技术相比出苗所用时间由22天缩短至10天，减少了一半以上的时间；平均出苗率由68提高到93，提高了368；瘁倒病发病率由64降低至零；培养3个月后平均苗高由12CM提高至20CM，提高了667；苗生长整齐度由217降低至10。总之，本发明的臭椿育苗的方法将臭椿工厂化育苗水平提高到一个新的水平。
18、高度，极大地提高了臭椿育苗的经济效益。附图说明0023图1为本发明用等离子体处理剂量为12A处理2次臭椿种子育苗后培养3个月时的状况。0024图2为本发明用等离子体处理剂量为10A处理2次臭椿种子育苗后培养3个月时的状况。0025图3为本发明用等离子体处理剂量为14A处理2次臭椿种子育苗后培养3个月时的状况。具体实施方式0026实施例1本发明的臭椿育苗的方法，首先精选成熟良好、无杂质的臭椿种子，其次将臭椿种子用大连博事等离子体有限公司生产的DL2型等离子体处理机12A的剂量处理2次，然后将处理后的臭椿种子在阳光下晾晒5天，同时用草炭土珍珠岩粘土按821的体积比混合均匀后作为臭椿育苗基质，将阳光。
19、下晾晒后的臭椿种子以行距140MM、株距3MM的密度、深度1516MM进行播种，播种后的基质保持2428、相对湿度7580，播种后1011天即出苗。将出苗后的臭椿小苗移至光照充足、基质保持2030、相对湿度5060的条件下培养，当臭椿苗高达到2025CM时，按行距与距均为30CM移植至大棚土壤中培养，当苗高达到35CM以上时，完成育苗过程，逢初春或夏末秋初即可定植栽培。说明书CN104067919A6/6页80027实施例2本发明的臭椿育苗的方法，首先精选成熟良好、无杂质的臭椿种子，其次将臭椿种子用大连博事等离子体有限公司生产的DL2型等离子体处理机14A的剂量处理2次，然后将处理后的臭椿种子在阳光下晾晒4天，同时用草炭土珍珠岩粘土按821的体积比混合均匀后作为臭椿育苗基质，将阳光下晾晒后的臭椿种子以行距180MM、株距1MM的密度、深度1516MM进行播种，播种后的基质保持2428、相对湿度7580，播种后1011天即出苗。将出苗后的臭椿小苗移至光照充足、基质保持2030、相对湿度5060的条件下培养，当臭椿苗高达到2025CM时，按行距与距均为30CM移植至大棚土壤中培养，当苗高达到35CM以上时，完成育苗过程，逢初春或夏末秋初即可定植栽培。说明书CN104067919A1/2页9图1图2说明书附图CN104067919A2/2页10图3说明书附图CN104067919A10。