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1、(10)申请公布号 CN 103676356 A (43)申请公布日 2014.03.26 CN 103676356 A (21)申请号 201310673600.X (22)申请日 2013.12.10 G02F 1/1343(2006.01) G02F 1/1333(2006.01) (71)申请人 京东方科技集团股份有限公司 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路 10 号 (72)发明人 崔贤植 金熙哲 (74)专利代理机构 北京中博世达专利商标代理 有限公司 11274 代理人 申健 (54) 发明名称 显示装置 (57) 摘要 本发明实施例公开了一种显示装置， 涉及显 示领域， 。
2、能够实现低频 （低驻波） 驱动， 并且不会因 此导致开口率减少。本发明提供的显示装置， 包 括 ： 相互对盒的第一基板和第二基板， 所述第一 基板包括 ： 第一电极层， 所述第二基板包括 ： 第二 电极层， 所述第一基板还包括 ： 第三电极层， 设置 在所述第一电极层的远离所述第二基板的一侧， 且， 所述第三电极层与所述第一电极层之间夹设 有绝缘层 ； 所述第三电极层与所述第二电极层电 连接。本发明显示装置适用于低频驱动。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 4 页 附图 2 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 。
3、(10)申请公布号 CN 103676356 A CN 103676356 A 1/1 页 2 1. 一种显示装置， 包括 ： 相互对盒的第一基板和第二基板， 所述第一基板包括 ： 第一电 极层， 所述第二基板包括 ： 第二电极层， 其特征在于， 所述第一基板还包括 ： 第三电极层， 设置在所述第一电极层的远离所述第二基板的一侧， 且， 所述第三电极层 与所述第一电极层之间夹设有绝缘层 ； 所述第三电极层与所述第二电极层电连接。 2. 根据权利要求 1 所述的显示装置， 其特征在于， 所述第一基板为彩膜基板， 所述绝缘 层为彩膜层。 3. 根据权利要求 2 所述的显示装置， 其特征在于， 所述。
4、彩膜层包括 ： 黑矩阵， 以及由所 述黑矩阵隔开的色阻块。 4. 根据权利要求 1 所述的显示装置， 其特征在于， 还包括具有导电性的隔垫物， 所述第三电极层通过所述隔垫物与所述第二电极层电连 接。 5. 根据权利要求 4 所述的显示装置， 其特征在于， 所述第一基板设置有贯穿所述第一电极层及所述绝缘层的过孔， 所述隔垫物穿过所述 过孔连接到所述第三电极层。 6. 根据权利要求 1-5 任一项所述的显示装置， 其特征在于， 所述第二电极层设置有狭缝电极。 7. 根据权利要求 6 所述的显示装置， 其特征在于， 所述第二电极层为像素电极层， 所述狭缝电极为像素电极。 8. 根据权利要求 7 所述。
5、的显示装置， 其特征在于， 所述第二基板上还设置有 ： 与所述像 素电极相连的薄膜晶体管 ； 所述第一电极层通过所述隔垫物与所述薄膜晶体管的漏极相连。 9. 根据权利要求 1 所述的显示装置， 其特征在于， 所述第一电极层、 所述第二电极层和所述第三电极层均为透明导电膜。 10. 根据权利要求 1 所述的显示装置， 其特征在于， 所述第一电极层、 所述第二电极层和所述第三电极层的总厚度小于 1000 埃。 权 利 要 求 书 CN 103676356 A 2 1/4 页 3 显示装置 技术领域 0001 本发明涉及显示领域， 尤其涉及一种显示装置。 背景技术 0002 一般而言， 显示装置采用。
6、高频驱动 （60Hz， 120Hz 等） 时， 大的存储电容 Cst 会影响 充电率， 所以 Cst 需要设计成较小值 ； 但是采用低频驱动 （30Hz 以下， 一般为 10Hz， 5Hz 驱 动） 时， 电压保持率 (voltage holding ratio， VHR) 依赖 Cst 的大小， 如果 Cst 过小 VHR 不 能维持正常值， 所以低频驱动时需要较大的 Cst。举例而言， 如果将 60Hz 驱动时像素的 Cst 设为 1， 那么采用 6Hz（即驱动频率变为原来的 1/10） 的低频驱动时大概需要将近 10 倍的 Cst。所以， 如果将高频驱动的显示装置换成低频驱动， 会导致 。
7、VHR 降低， 故为了适应高频或 低频驱动， 一般针对不同驱动频度， 分别对像素进行设计。具体来说， 高频驱动时为了使充 电率符合设计要求， 设计小的像素电极以减少 Cst ； 而低频驱动时， 将像素电极设计成大的 以确保更大的 Cst， 但缺点是， 高频驱动时像素电极小， 开口率也会相应减小。 0003 一种新型ADS模式显示装置的结构如图1所示， 由彩膜基板10和ADS阵列基板20 对盒而成， 彩膜基板 10 包括 ： 基板 11， 设置在基板 11 上的彩膜层和公共电极 13 ； ADS 阵列 基板 20 包括 ： 基板 21， 设置在基板 21 上的像素电极 22， 像素电极 22 为。
8、狭缝电极， 公共电极 13 为板式电极。图 1 所示新型 ADS 模式因 Cst 比较小， 高频驱动时在充电率设计方面具有 优势， 但是同时也因 Cst 比较小， 并不适合低频驱动。 0004 其中， 上面所述的 ADS（Advanced-Super Dimensional Switching） 模式， 指高级 超维场开关模式， 简称 ADS， 其原理是 ： 通过同一平面内像素电极或公共电极边缘所产生的 平行电场以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场， 使液晶盒内取向液晶 分子都能够产生旋转转换， 从而提高平面取向系液晶工作效率并增大透光效率。 发明内容 0005 本发明的实施例提。
9、供一种显示装置， 能够实现低频 （低驻波） 驱动， 而且不会因此 导致开口率减少。 0006 为达到上述目的， 本发明的实施例采用如下技术方案 ： 0007 一方面， 本发明的实施例提供一种显示装置， 包括 ： 相互对盒的第一基板和第二基 板， 所述第一基板包括 ： 第一电极层， 所述第二基板包括 ： 第二电极层， 所述第一基板还包 括 ： 第三电极层， 设置在所述第一电极层的远离所述第二基板的一侧， 且， 所述第三电极层 与所述第一电极层之间夹设有绝缘层 ； 所述第三电极层与所述第二电极层电连接。 0008 优选地， 所述第一基板为彩膜基板， 所述绝缘层为彩膜层。 0009 具体地， 所述彩。
10、膜层包括 ： 黑矩阵， 以及由所述黑矩阵隔开的色阻块。 0010 优选地， 所述显示装置还包括具有导电性的隔垫物， 所述第三电极层通过所述隔 垫物与所述第二电极层电连接。 0011 可选地， 所述第一基板设置有贯穿所述第一电极层及所述绝缘层的过孔， 所述隔 说 明 书 CN 103676356 A 3 2/4 页 4 垫物穿过所述过孔连接到所述第三电极层。 0012 可选地， 所述第二电极层设置有狭缝电极。 0013 可选地， 所述第二电极层为像素电极层， 所述狭缝电极为像素电极。 0014 可选地， 所述第二基板上还设置有 ： 与所述像素电极相连的薄膜晶体管 ； 0015 所述第一电极层通过。
11、所述隔垫物与所述薄膜晶体管的漏极相连。 0016 可选地， 所述第一电极层、 所述第二电极层和所述第二电极层均为透明导电膜。 0017 所述第一电极层、 所述第二电极层和所述第三电极层的总厚度小于 1000 埃。 0018 现有显示装置中， 用于产生驱动电场的第一、 第二电极层分别位于彩膜、 阵列极板 上， 距离较远， Cst 比较小， 适合高频驱动 ； 而本发明实施例提供的显示装置， 在第一基板上 设置有隔着绝缘层的有第一电极层和第三电极层 ； 并且， 将远离第二基板的第三电极层还 与第二基板上的第二电极层电连接， 这样， 第二基板上的第二电极层与第一电极层形成第 一电容 C1st， 第一电。
12、极层与第三电极层形成第二电容 C2st， 显示装置的存储电容 Cst 实际 为 C1st+C2st。因此， 与现有技术相比， 本实施例提供的显示装置存储电容大， 适合低频驱 动。 附图说明 0019 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案， 下面将对实施例中所需要使用的 附图作简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例， 对于本领 域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根据这些附图获得其它的附 图。 0020 图 1 为现有的 ADS 模式显示装置的结构示意图 ； 0021 图 2 为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图一 ； 0022 图 3。
13、 为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图二。 0023 附图标记 0024 10- 彩膜基板， 11- 基板， 12- 彩膜层， 13- 公共电极， 20- 阵列基板， 0025 21- 基板， 22- 像素电极 ； 0026 30- 第一基板， 32- 第一电极层， 33- 第三电极层， 34- 绝缘层， 0027 35- 过孔， 40- 第二基板， 42- 第二电极层， 44- 漏极过孔， 0028 50- 隔垫物。 具体实施方式 0029 下面将结合本发明实施例中的附图， 对本发明实施例中的技术方案进行清楚、 完 整地描述， 显然， 所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例， 而不是全部。
14、的实施例。 0030 为了便于清楚说明， 在本发明中采用了第一、 第二等字样对相似项进行类别区分， 该第一、 第二字样并不在数量上对本发明进行限制， 本领域技术人员根据本发明公开的内 容， 想到的显而易见的相似变形或相关扩展均属于本发明的保护范围内。 0031 实施例 0032 本发明实施例提供一种显示装置， 如图 2 所示， 该显示装置包括 ： 相互对盒的第一 基板 30 和第二基板 40， 第一基板 30 包括 ： 第一电极层 32， 第二基板 40 包括 ： 第二电极层 说 明 书 CN 103676356 A 4 3/4 页 5 42 ； 所述第一基板 30 还包括 ： 第三电极层 3。
15、3， 设置在第一电极层 32 的远离第二基板 40 的 一侧 ( 即第一电极层 32 的上方 )， 且， 第三电极层 33 与第一电极层 32 之间夹设有绝缘层 34 ； 第三电极层 33 与第二电极层 42 电连接。 0033 现有显示装置中， 用于产生驱动电场的第一、 第二电极层分别位于彩膜、 阵列极板 上， 距离较远， Cst 比较小， 适合高频驱动 ； 而本发明实施例提供的显示装置， 在第一基板 30 上设置有隔着绝缘层 34 的第一电极层 32 和第三电极层 33 ； 并且， 将远离第二基板 40 的第 三电极层 33 还与第二电极层 42 电连接， 这样， 第二基板 40 上的第二。
16、电极层 42 与第一电极 层 32 形成第一电容 C1st， 第一电极层 32 与第三电极层 33 形成第二电容 C2st， 显示装置的 存储电容 Cst 实际为 C1st+C2st。因此， 与现有技术相比， 本实施例提供的显示装置存储电 容大， 适合低频驱动。 0034 其中优选地， 本实施例第一基板30为彩膜基板， 绝缘层34为彩膜层。 如图2所示， 在本实施例的第一种具体实施方式中， 彩膜层设置在第一电极层32和第三电极层33之间， 作为绝缘层使第一电极层32和第三电极层33隔开 ； 当然， 也可以分别单独设置彩膜层和绝 缘层， 例如， 第一电极层 32、 绝缘层和第三电极层 33 依次。
17、设置构成三明治式夹层结构， 彩膜 层 2 位于夹层结构之上或者之下。 0035 所述的彩膜层一般可具体包括 ： 黑矩阵， 以及由黑矩阵隔开的色阻块。 对于常见的 RGB（红 / 绿 / 蓝） 混色方案， 一个像素区域一般包括 R/G/B（红 / 绿 / 蓝） 三个色阻块。除 常见的 RGB （红 / 绿 / 蓝） 混色方案之外， 本发明技术方案还可用于其它混色方案， 例如 RGBY （红 / 绿 / 蓝 / 黄） 、 RGBW（红 / 绿 / 蓝 / 白） 混色方案。 0036 需要进一步详细说明的是， 在本实施例的第一种具体实施方式中， 第一基板 30 上 的第一电极层 32 为公共电极层，。
18、 设置有板式的公共电极 ； 第二基板 40 为阵列基板， 第二基 板 40 上的第二电极层 42 与第一基板 30 上的第三电极层 33 电连接， 二者均为像素电极层， 其中， 第二电极层 42 设置有狭缝状的像素电极， 第三电极层 33 设置有板式的像素电极。 0037 本实施例对彩膜基板的结构进行了改进， 在彩膜层 + 透明导电膜的结构中再多形 成一层透明导电膜， 并且将新增透明导电膜 （即第三电极层） 与阵列基板的像素电极层电连 接， 从而使显示装置的存储电容增大， 适合低频驱动。 0038 本发明实施例对第三电极层 33 与第二电极层 42 相连接的实现方式不做限定， 可 以是本领域技。
19、术人员所熟知的任意实现方式。但优选地， 本实施例可将第三电极层 33 通过 具有导电性的隔垫物与第二电极层 42 相连， 所述隔垫物设置在第一基板 30 与第二基板 40 之间， 用于维持第一基板 30 和第二基板 40 的间距。 0039 如图 3 所示， 为本实施例的第二种具体实施方式， 第一基板 30 设置有贯穿第一电 极层 32 及绝缘层 34（如彩膜层） 的过孔 35， 隔垫物 50 的一端穿过过孔 35 连接到第三电极 层 33 ； 第二基板 40 上设置有与像素电极 （第二电极层 42 为像素电极层） 相连的薄膜晶体 管， 在薄膜晶体管的漏极上方设置漏极过孔 44， 隔垫物 50。
20、 的另一端穿过漏极过孔 44 与薄 膜晶体管的漏极相连。所述隔垫物 50 具有导电性， 从而将第三电极层 33 与像素电极连接 在一起， 第二基板上的像素电极与第三电极层 33 形成第一电容 C1st， 第一电极层 32 与第 三电极层 33 形成第二电容 C2st， 第一电容 C1st 与第二电容 C2st 并连， 共同形成存储电容 C1st+C2st， 因此， 本实施例所述显示装置的存储电容增大为 C1st+C2st， 适合低频驱动。 0040 其中， 所述第一电极层 32、 第二电极层 42 和第三电极层 33 均为透明导电膜， 说 明 书 CN 103676356 A 5 4/4 页 。
21、6 常见的透明导电膜的材料有 ： 氧化铟锡 (indium tin oxide， ITO)、 氧化锌 （ZnO)、 氧化锡 (SnO2)、 氧化锌掺铝 （AZO） 和 FTO（氧化锡掺氟） 。 0041 此外， 因显示区域电极层的总厚度越薄透射率越好， 现有技术中只存在两层电极 层， 而本发明实施例在第一基板上额外增加了第三电极层， 因此， 需要通过减小各电极层的 厚度， 才可使显示装置整体的透射率不会因额外增加的第三电极层而降低。 0042 一般而言， 现有技术形成板式电极时电极层的厚度一般约 400 埃， 形成狭缝电极 时电极层的厚度一般约 600 埃。因此， 本实施例第一电极层、 第二电。
22、极层和第三电极层的总 厚度小于 1000 埃， 一般即可保证显示装置整体的透射率不降低。 0043 综上所述， 本发明实施例所述显示装置存储电容大， 适合低频驱动 ； 同时还可避免 存储电容增大导致的开口率减少。所述的显示装置可以为 ： 液晶面板、 电子纸、 OLED 面板、 手机、 平板电脑、 电视机、 显示器、 笔记本电脑、 数码相框、 导航仪等任何具有显示功能的产 品或部件。 0044 所述显示装置制备方法与现有技术大致相同， 包括 ： 第一基板制程 ； 第二基板制 程 ； 以及， 第一基板与第二基板对盒制程， 只是所述第一基板制程增加一形成透明导电膜的 工序， 具体如下， 包括 ： 0。
23、045 步骤一、 在基板形成第三电极层 ； 0046 步骤二、 在设置有所述第三电极层的基板上， 形成绝缘层 ； 0047 步骤三、 在设置有所述第三电极层和绝缘层的基板上， 形成第一电极层， 并通过构 图工艺形成过孔， 所述过孔贯穿所述第一电极层及绝缘层。 0048 本实施例所述第一基板制程， 在彩膜层 + 透明导电膜的结构中再多形成一层透明 导电膜， 并且利用导电性隔垫物将新增透明导电膜 （即第三电极层） 与第二基板的第二电极 层相连接。 与现有的设计理念不同， 本实施例从设计初开始重点放在低频驱动上， 既没有开 口率的减少， 也能实现低频驱动。 0049 需要说明的是， 在不冲突的前提下， 本发明实施例中的各项技术特征可以任意组 合使用。 0050 以上所述， 仅为本发明的具体实施方式， 但本发明的保护范围并不局限于此， 任何 熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内， 可轻易想到的变化或替换， 都应 涵盖在本发明的保护范围之内。 因此， 本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。 说 明 书 CN 103676356 A 6 1/2 页 7 图 1 图 2 说 明 书 附 图 CN 103676356 A 7 2/2 页 8 图 3 说 明 书 附 图 CN 103676356 A 8 。