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1、(10)申请公布号 CN 102354536 A (43)申请公布日 2012.02.15 CN 102354536 A *CN102354536A* (21)申请号 201110187397.6 (22)申请日 2011.07.05 G11C 29/56(2006.01) G11C 29/08(2006.01) (71)申请人 上海宏力半导体制造有限公司 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园 区郭守敬路 818 号 (72)发明人 钱亮 索鑫 何军 (74)专利代理机构 上海思微知识产权代理事务 所 ( 普通合伙 ) 31237 代理人 郑玮 (54) 发明名称 测试接口结构、 测。
2、试电路以及测试方法 (57) 摘要 本发明提供了一种测试接口结构、 测试电路 以及测试方法。根据本发明的用于对闪存记忆体 模块进行测试的测试接口结构包括 ： 测试焊盘、 控制信号模块、 数字信号模块、 高压模块、 以及小 电流信号模块， 其中在控制信号模块所输出的控 制信号的控制下， 即可实现数字信号模块、 高压模 块以及电流信号模块之间的任意切换， 以实现多 路复用的功能。 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 4 页 附图 1 页 CN 102354546 A1/2 页 2 1. 一种用于对闪存记忆体模块进行测试的测。
3、试接口结构， 其特征在于包括 ： 测试焊 盘、 控制信号模块、 数字信号模块、 高压模块、 以及小电流信号模块， 其中在控制信号模块所 输出的控制信号的控制下， 即可实现数字信号模块、 高压模块以及小电流信号模块之间的 任意切换， 以实现多路复用的功能， 其中高压模块的电压大于 12V， 并且小电流信号模块的 电流能够精确到纳安。 2. 根据权利要求 1 所述的用于对闪存记忆体模块进行测试的测试接口结构， 其特征在 于， 闪存记忆体模块包括闪存记忆体矩阵、 译码电路和电荷泵等模块电路。 3. 根据权利要求 1 或 2 所述的用于对闪存记忆体模块进行测试的测试接口结构， 其特 征在于， 数字信号。
4、模块与测试焊盘之间传递数字信号 ； 并且当需要输入数字信号时， 高压模 块和小电流模块将为高阻状态， 控制信号模块启用以输出控制信号， 并且测试焊盘连接至 数字信号模块， 数字信号在控制信号的控制下输入到芯片内部 ； 当需要输出数字信号， 高压 模块和电流模块将为高阻状态， 控制信号模块启用以输出控制信号， 测试焊盘连接至数字 信号模块， 从而使数字信号输出到测试焊盘。 4. 根据权利要求 1 或 2 所述的用于对闪存记忆体模块进行测试的测试接口结构， 其特 征在于， 高压模块与测试焊盘之间传递高电压信号 ； 并且当需要输入高电压信号时， 控制信 号模块断开数字信号模块， 高压模块使能， 以使。
5、高电压信号可以直接从测试焊盘输入到高 压模块， 这个高电压不会影响或者损伤数字模块和小信号模块 ； 当需要输出高电压， 控制信 号模块断开数字信号模块， 高压模块使能， 内部高电压可以直接从高压模块输出到测试焊 盘。 5. 根据权利要求 1 或 2 所述的用于对闪存记忆体模块进行测试的测试接口结构， 其特 征在于， 小电流信号模块与测试焊盘之间传递小电流信号 ； 当需要输入电流信号， 控制信号 模块断开数字信号模块， 高压模块出于高阻状态， 小电流可以直接从测试焊盘输入到芯片 内部 ； 当需要输出电流信号， 控制信号模块断开数字信号模块， 高压模块出于高阻状态， 小 电流直接从小电流模块输出到。
6、测试焊盘。 6. 一种测试电路， 其特征在于包括根据权利要求 1 至 5 之一所述的用于对闪存记忆体 模块进行测试的测试接口结构。 7. 一种利用测试接口结构对闪存记忆体模块进行测试的测试方法， 所述测试接口结构 包括测试焊盘、 控制信号模块、 数字信号模块、 高压模块、 以及电流信号模块， 其特征在于所 述测试方法包括 ： 在控制信号模块所输出的控制信号的控制下， 实现数字信号模块、 高压模 块以及小电流信号模块的多路复用。 8. 根据权利要求 7 所述的利用测试接口结构对闪存记忆体模块进行测试的测试方法， 其特征在于， 数字信号模块与测试焊盘之间传递数字信号 ； 并且当需要输入数字信号时，。
7、 高 压模块和小电流模块将为高阻状态， 控制信号模块启用以输出控制信号， 并且测试焊盘连 接至数字信号模块， 数字信号在控制信号的控制下输入到芯片内部 ； 当需要输出数字信号， 高压模块和电流模块将为高阻状态， 控制信号模块启用以输出控制信号， 测试焊盘连接至 数字信号模块， 从而使数字信号输出到测试焊盘。 9. 根据权利要求 7 或 8 所述的利用测试接口结构对闪存记忆体模块进行测试的测试 方法， 其特征在于， 高压模块与测试焊盘之间传递高电压信号 ； 并且当需要输入高电压信号 时， 控制信号模块断开数字信号模块， 高压模块使能， 以使高电压信号可以直接从测试焊盘 权 利 要 求 书 CN 。
8、102354536 A CN 102354546 A2/2 页 3 输入到高压模块， 这个高电压不会影响或者损伤数字模块和小信号模块 ； 当需要输出高电 压， 控制信号模块断开数字信号模块， 高压模块使能， 内部高电压可以直接从高压模块输出 到测试焊盘。 10. 根据权利要求 7 或 8 所述的利用测试接口结构对闪存记忆体模块进行测试的测 试方法， 其特征在于， 小电流信号模块与测试焊盘之间传递小电流信号 ； 当需要输入电流信 号， 控制信号模块断开数字信号模块， 高压模块出于高阻状态， 小电流可以直接从测试焊盘 输入到芯片内部 ； 当需要输出电流信号， 控制信号模块断开数字信号模块， 高压模。
9、块出于高 阻状态， 小电流直接从小电流模块输出到测试焊盘。 权 利 要 求 书 CN 102354536 A CN 102354546 A1/4 页 4 测试接口结构、 测试电路以及测试方法 技术领域 0001 本发明涉及闪存设计领域， 更具体地说， 本发明涉及一种用于对闪存记忆体模块 进行测试的测试接口结构、 采用该测试接口结构的测试电路、 以及相应的测试方法。 背景技术 0002 在闪存存储器的设计和制造过程中， 需要利用测试接口来对闪存记忆体模块进行 测试， 以确保闪存存储器的可靠性。具体地说， 闪存记忆体模块具体包括闪存记忆体矩阵、 译码电路和电荷泵等模块电路等。测试接口可用于测试闪存。
10、记忆体模块的内部高压、 内部 电流和输入输出逻辑功能， 还可用于外加高压、 外加电流。 0003 在现有技术中， 已有的测试接口一般是单一的， 例如只能测试低电压， 或者只能测 试电流， 或者只具备逻辑功能。即使有复用的， 但也没有将高电压， 小电流和数字逻辑混合 集成的。 0004 随着制造成本控制的越来越严格， 现有技术的测试接口显出的弊端， 利用两个或 者三个接口来实现高电压， 小电流和数字逻辑的输入输出。 这样不仅浪费芯片面积， 而且影 响芯片的测试效率， 提高测试成本。 0005 本发明将高电压， 小电流和数字逻辑混合集成到一个测试接口， 这样可以极大缩 小芯片面积， 从而在一片晶圆。
11、上可以生产更多的芯片。 另外， 在测试机硬件条件固定的情况 下， 这样的结构可以实现更大规模的同时测试， 从而提高测试效率， 降低测试成本。 发明内容 0006 本发明是为减少芯片接口面积， 在测试机硬件条件固定的情况下， 实现更大规模 同时测试和降低生产成本。 从而发明的用于对闪存记忆体模块进行测试的全新测试接口结 构、 测试电路以及测试方法。 0007 根据本发明的第一方面， 提供了一种用于对闪存记忆体模块进行测试的测试接口 结构， 其包括 ： 测试焊盘、 控制信号模块、 数字信号模块、 高压模块 ( 大于 12V)、 以及小电流 信号模块 ( 精确到纳安 )， 其中在控制信号模块所输出的。
12、控制信号的控制下， 即可实现数字 信号模块、 高压模块以及电流信号模块之间的任意切换， 以实现多路复用的功能。 0008 优选地， 在上述用于对闪存记忆体模块进行测试的测试接口结构中， 闪存记忆体 模块包括闪存记忆体矩阵、 译码电路和电荷泵等模块电路。 0009 优选地， 在上述用于对闪存记忆体模块进行测试的测试接口结构中， 数字信号模 块与测试焊盘之间传递数字信号 ； 并且当需要输入数字信号时， 高压模块和小电流模块将 为高阻状态， 控制信号模块启用以输出控制信号， 并且测试焊盘连接至数字信号模块， 数字 信号在控制信号的控制下输入到芯片内部 ； 当需要输出数字信号， 高压模块和电流模块将 。
13、为高阻状态， 控制信号模块启用以输出控制信号， 测试焊盘连接至数字信号模块， 从而使数 字信号输出到测试焊盘。 0010 优选地， 在上述用于对闪存记忆体模块进行测试的测试接口结构中， 高压模块与 说 明 书 CN 102354536 A CN 102354546 A2/4 页 5 测试焊盘之间传递高电压信号 ； 并且当需要输入高电压信号时， 控制信号模块断开数字信 号模块， 高压模块使能， 以使高电压信号可以直接从测试焊盘输入到高压模块， 这个高电压 不会影响或者损伤数字模块和小信号模块 ( 栅端加 VDD 电压的 NMOS 管起到自动隔绝高压 的作用 ) ； 当需要输出高电压， 控制信号模。
14、块断开数字信号模块， 高压模块使能， 内部高电 压可以直接从高压模块输出到测试焊盘。 0011 优选地， 在上述用于对闪存记忆体模块进行测试的测试接口结构中， 小电流信号 模块与测试焊盘之间传递小电流信号 ； 当需要输入电流信号， 控制信号模块断开数字信号 模块， 高压模块出于高阻状态， 小电流可以直接从测试焊盘输入到芯片内部 ； 当需要输出电 流信号， 控制信号模块断开数字信号模块， 高压模块出于高阻状态， 小电流直接从小电流模 块输出到测试焊盘。 0012 根据本发明第一方面的测试接口结构， 由于一个测试接口可以复用三种功能， 因 此， 相当于节省了两个硬件资源。 所以， 芯片的面积将更小。
15、， 在测试机硬件固定的条件下， 实 现更多的并行测试。 0013 根据本发明的第二方面， 提供了一种包括根据本发明第一方面所述的测试接口结 构的测试电路。 由于采用了根据本发明第一方面所述的测试接口结构， 因此， 本领域技术人 员可以理解的是， 根据本发明第二方面的测试电路同样能够实现根据本发明的第一方面的 测试接口结构所能实现的有益技术效果。即， 由于一个测试接口可以复用三种功能， 因此， 相当于节省了两个硬件资源。所以， 芯片的面积将更小， 在测试机硬件固定的条件下， 实现 更多的并行测试 0014 根据本发明的第三方面， 提供了一种利用测试接口结构对闪存记忆体模块进行测 试的测试方法， 。
16、所述测试接口结构包括测试焊盘、 控制信号模块、 数字信号模块、 高压模块、 以及小电流信号模块， 所述测试方法包括 ： 在控制信号模块所输出的控制信号的控制下， 即 可实现数字信号模块、 高压模块以及电流信号模块之间的任意切换， 以实现多路复用的功 能。 0015 同样地， 在根据本发明第三方面的利用测试接口结构对闪存记忆体模块进行测试 的测试方法中， 由于一个测试接口可以复用三种功能， 因此， 相当于节省了两个硬件资源。 所以， 芯片的面积将更小， 在测试机硬件固定的条件下， 实现更多的并行测试 附图说明 0016 结合附图， 并通过参考下面的详细描述， 将会更容易地对本发明有更完整的理解 。
17、并且更容易地理解其伴随的优点和特征， 其中 ： 0017 图 1 示意性地示出根据本发明实施例的用于对闪存记忆体模块进行测试的测试 接口结构的框图。 0018 需要说明的是， 附图用于说明本发明， 而非限制本发明。注意， 表示结构的附图可 能并非按比例绘制。并且， 附图中， 相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。 0019 参考标号说明 ： 0020 Pad ： 焊盘 0021 CS(Control Signal) ： 控制信号 0022 DS(Digital Signal) ： 数字信号 说 明 书 CN 102354536 A CN 102354546 A3/4 页 6 0023 AS。
18、(Analog Signal) ： 模拟信号 0024 CO(Current output) ： 电流输出 具体实施方式 0025 为了使本发明的内容更加清楚和易懂， 下面结合具体实施例和附图对本发明的内 容进行详细描述。 0026 图 1 示意性地示出根据本发明实施例的用于对闪存记忆体模块进行测试的测试 接口结构的框图。 具体地说， 闪存记忆体模块具体可包括闪存记忆体矩阵、 译码电路和电荷 泵等模块电路等。 0027 测试接口结构包括测试焊盘 pad、 控制信号模块 CS、 数字信号模块 DS、 高压模块 AS、 以及小电流信号模块CO。 其中， 在控制信号模块CS所输出的控制信号的控制下，。
19、 数字信 号模块 DS、 高压模块 AS、 以及小电流信号模块 CO 之间可以任意切换， 以实现多路复用的功 能。如图 1 所述， 测试接口结构还包括一个栅端加 VDD 的 NMOS 管。 0028 数字信号模块 DS、 高压模块 AS、 以及小电流信号模块 CO 中的一个与测试焊盘 pad 传递信号时的信号传递方向是双向的， 可以从数字信号模块 DS、 高压模块 AS、 以及小电流 信号模块 CO 中的一个向测试焊盘 pad 传递信号， 或者可选地， 也可以从测试焊盘 pad 向数 字信号模块 DS、 高压模块 AS、 以及小电流信号模块 CO 中的一个传递信号。 0029 数字信号模块 D。
20、S 与测试焊盘 Pad 之间传递数字信号 ； 并且当需要输入数字信号 时， 高压模块 AS 和小电流模块 CO 将为高阻状态， 控制信号模块 CS 启用以输出控制信号， 并 且测试焊盘 Pad 连接至数字信号模块 DS， 数字信号在控制信号的控制下输入到芯片内部 ； 当需要输出数字信号， 高压模块 AS 和小电流模块 CO 将为高阻状态， 控制信号模块 CS 启用 以输出控制信号， 测试焊盘 Pad 连接至数字信号模块 DS， 从而使数字信号输出到测试焊盘 Pad。 0030 高压模块 AS 与测试焊盘 Pad 之间传递高电压信号 ； 并且当需要输入高电压信号 时， 控制信号模块 CS 断开数。
21、字信号模块 DS， 高压模块 AS 使能， 以使高电压信号可以直接从 测试焊盘Pad输入到高压模块AS， 这个高电压不会影响或者损伤数字模块DS和小信号模块 CO(栅端加VDD电压的NMOS管起到自动隔绝高压的作用) ； 当需要输出高电压， 控制信号模 块 CS 断开数字信号模块， 高压模块 AS 使能， 内部高电压可以直接从高压模块 AS 输出到测 试焊盘 Pad。 0031 小电流信号模块 CO 与测试焊盘 Pad 之间传递小电流信号 ； 当需要输入电流信号， 控制信号模块CS断开数字信号模块DS， 高压模块AS出于高阻状态， 小电流可以直接从测试 焊盘 Pad 输入到芯片内部 ； 当需要。
22、输出电流信号， 控制信号模块 CS 断开数字信号模块 DS， 高压模块 AS 出于高阻状态， 小电流直接从小电流模块 CO 输出到测试焊盘 Pad。 0032 可以看出， 控制信号模块CS输出的控制信号控制数字信号模块DS， 高压模块AS和 小电流模块 CO 之间的选通， 高压模块 AS 和小电流模块 CO 是自动实现隔绝和选通。 0033 在本发明的一个具体实施例中， 小电流信号模块CO与测试焊盘pad之间传递的小 电流信号是模拟信号。 0034 此外， 在本发明的一个具体实施例中， 高压模块 AS 与测试焊盘 pad 之间传递的高 电压信号是模拟高电压信号， 并且例如为 12V 的高电压信。
23、号。 说 明 书 CN 102354536 A CN 102354546 A4/4 页 7 0035 因为测试机的硬件资源是有限的， 在一定的硬件资源条件下， 必须节省硬件资源， 这样才能在成本固定的情况下， 不断降低测试费用。 如上面所说， 因为一个测试接口可以复 用三种功能， 因此， 相当于节省了两个硬件资源。所以， 就可以实现更多的并行测试。 0036 在本发明的一个实施例中， 本发明涉及一种包括上述测试接口结构的测试电路。 0037 并且， 在本发明的一个实施例中， 本发明涉及一种如上所述的测试方法。 0038 优选地， 上述测试接口结构、 测试电路和测试方法可有利地用于SIM卡(用户。
24、识别 卡 ) 的大数量并行测试。 0039 可以理解的是， 虽然本发明已以较佳实施例披露如上， 然而上述实施例并非用以 限定本发明。 对于任何熟悉本领域的技术人员而言， 在不脱离本发明技术方案范围情况下， 都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰， 或修改为等 同变化的等效实施例。 因此， 凡是未脱离本发明技术方案的内容， 依据本发明的技术实质对 以上实施例所做的任何简单修改、 等同变化及修饰， 均仍属于本发明技术方案保护的范围 内。 说 明 书 CN 102354536 A CN 102354546 A1/1 页 8 图 1 说 明 书 附 图 CN 102354536 A 。