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1、10申请公布号CN104120385A43申请公布日20141029CN104120385A21申请号201310684466322申请日20131213102013004677720130426KRC23C14/24200601C23C14/0420060171申请人三星显示有限公司地址韩国京畿道72发明人洪宰敏朴峻永74专利代理机构北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204代理人余朦杨莘54发明名称沉积源57摘要沉积源包括主体和多个喷嘴，其中所述主体具有预定长度，所述多个喷嘴形成于所述主体上且将沉积材料发射至设置有掩模的衬底上。所述主体被形成为使得从所述主体的中心向所述主体的端部，所述。
2、主体与所述衬底之间的距离逐渐增加，或者所述主体被形成为使得从所述主体的中心向所述主体的相对端部，所述喷嘴与所述衬底之间的距离逐渐增加，因而减少当所述沉积材料被沉积在所述衬底上时所述掩模导致的阴影区域。30优先权数据51INTCL权利要求书1页说明书5页附图3页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书5页附图3页10申请公布号CN104120385ACN104120385A1/1页21一种沉积源，包括主体，具有预定长度；多个喷嘴，形成于所述主体上以将沉积材料发射至设置有掩模的衬底上，所述主体被形成为使得从所述主体的中心向所述主体的相对端部，所述主体与所述衬底之间的距离。
3、逐渐增加。2如权利要求1所述的沉积源，所述喷嘴形成于所述主体面向所述衬底的一侧上，所述喷嘴被布置为使得从所述主体的中心向所述主体的相对端部，所述喷嘴与所述衬底之间的距离逐渐增加。3如权利要求1所述的沉积源，所述喷嘴具有相同的长度。4如权利要求2所述的沉积源，所述喷嘴具有相同的长度。5如权利要求1所述的沉积源，所述主体面向所述衬底的一侧包括从所述主体的中心向所述主体的相对端部向下倾斜的两个面。6如权利要求5所述的沉积源，所述两个面中的每个具有比能够将沉积材料沉积在所述衬底上的最小沉积角小的倾斜角。7如权利要求6所述的沉积源，所述两个面的倾斜角相等。8如权利要求1所述的沉积源，所述主体面向所述衬底。
4、的一侧为弧形面。9如权利要求8所述的沉积源，所述主体的弧形面的特定点处的切角小于能够将沉积材料沉积在所述衬底上的最小沉积角。10一种沉积源，包括主体，具有预定长度；多个喷嘴，形成于所述主体上以将沉积材料发射到设置有掩模的所述衬底上，所述喷嘴形成于所述主体面向所述衬底的一侧，所述喷嘴被布置为使得从所述主体的中心向所述主体的相对端部，所述喷嘴与所述衬底之间的距离逐渐增加。11如权利要求10所述的沉积源，连接所述多个喷嘴的顶端的虚线的角度小于能够将沉积材料沉积在所述衬底上的最小沉积角。12如权利要求10所述的沉积源，所述主体被形成为使得从所述主体的中心向所述主体的相对端部，所述主体的面与所述衬底的面。
5、之间的距离逐渐增加。13如权利要求10所述的沉积源，所述喷嘴具有相同的长度。14如权利要求12所述的沉积源，所述喷嘴具有相同的长度。15如权利要求10所述的沉积源，所述喷嘴具有不同的长度。16如权利要求15所述的沉积源，所述主体被形成为使得在所述主体的整个长度上，所述主体的面与所述衬底的面之间的距离相同。权利要求书CN104120385A1/5页3沉积源技术领域0001本公开涉及沉积源。背景技术0002有机发光二极管（OLED）显示器根据在发射层中注入阳极和阴极的空穴和电子的重组引起的光发射表现颜色，并且具有包括位于阳极与阴极之间的发射层的层压结构。然而，通过上述的结构难以获得高效光发射，因此。
6、诸如电子注入层（EIL）、电子传输层（ETL）、空穴传输层（HTL）和空穴注入层（HIL）的夹层选择性地位于每个电子与发射层之间。0003电子和包括OLED显示器的发射层的夹层可通过包括沉积的各种方法形成。为了通过使用沉积制造OLED，与待形成于衬底上的薄膜具有相同图案的掩模被对齐并且薄膜的原材料被沉积以形成具有期望图案的薄膜。0004随着衬底尺寸的增大和其厚度的减小，衬底因其重量而下垂。由此，掩模不与衬底接触，从而产生过多的阴影区域。0005上面在背景技术部分公开的信息仅为了加强对本发明的背景的理解，因此它可包含不形成在本国度已经为本领域技术人员所了解的现有技术。发明内容0006本发明致力于。
7、提供一种使在将沉积材料沉积在大尺寸衬底上的过程中的阴影产生最小化的沉积源。0007本发明的一个示例性实施方式提供一种使在将沉积材料沉积在大型衬底上的过程中产生的阴影区域最小化的沉积源。0008根据本发明的一方面的沉积源包括主体和多个喷嘴，其中所述主体具有预定长度，所述多个喷嘴形成于所述主体上以将沉积材料发射至设置有掩模的衬底上。所述主体被形成为使得从所述主体的中心向所述主体的端部，所述主体与所述衬底之间的距离逐渐增加。0009所述喷嘴可形成于所述主体的面向所述衬底的一侧上，所述喷嘴被布置为使得从所述主体的中心向所述主体的端部，所述喷嘴与所述衬底之间的距离逐渐增加。0010所述喷嘴可具有相同的长。
8、度。0011所述主体面向所述衬底的一侧可包括从所述主体的中心向所述主体的两个端部向下倾斜的两个面。0012所述两个面中的每个可具有比能够将沉积材料沉积在所述衬底上的最小沉积角小的倾斜角。0013所述两个面的倾斜角可相等。0014所述主体面向所述衬底的一侧可以是弧形的。0015所述主体的弧形面的特定点处的切角可小于能够将沉积材料沉积在衬底上的最小沉积角。说明书CN104120385A2/5页40016根据本发明的另一方面的沉积源包括主体和多个喷嘴，其中所述主体具有预定长度，所述多个喷嘴形成于所述主体上以将沉积材料发射到设置有掩模的所述衬底上。所述喷嘴形成于所述主体的面向所述衬底的一侧，所述喷嘴被。
9、布置为使得从所述主体的中心向所述主体的端部，所述喷嘴与所述衬底之间的距离逐渐增加。0017连接所述多个喷嘴的顶端的虚线的角度可小于能够将沉积材料沉积在所述衬底上的最小沉积角。0018根据本发明的一个示例性实施方式的沉积源包括主体，所述主体被形成为使得所述主体的两个端部与所述衬底之间的距离大于所述主体的中心与所述衬底之间的距离。0019所述喷嘴可具有相同的长度。0020所述喷嘴可具有不同的长度。0021所述主体可被形成为使得当喷嘴可具有不同的长度时，在所述主体的整个长度上，所述主体的面与所述衬底的面之间的距离相同。0022由此，当使用根据本发明的示例性实施方式的沉积源将沉积材料沉积在衬底上时，阴。
10、影区域可被显著减少。附图说明0023考虑结合附图，参考下面的详细描述，随着本发明的更完整的理解及其伴随的优点被更好地理解，它们将显而易见，在附图中类似的参考标号表示相同或相似的组件，其中0024图1示出了根据第一示例性实施方式使用沉积源将材料沉积在衬底上；0025图2是图1的区域S的截面图；0026图3示出了根据第二示例性实施方式使用沉积源将材料沉积在衬底上；0027图4示出了根据第三示例性实施方式使用沉积源将材料沉积在衬底上；以及0028图5是当使用根据一个示例性实施方式的沉积源和使用根据比较实施例的沉积源将沉积材料沉积在衬底上时在衬底上产生的阴影的长度的曲线图。具体实施方式0029下文参考。
11、附图将更完整地理解本发明，其中在附图中示出了本发明的实施方式。所描述的实施方式可以多种不同的方式修改，并且全部的修改不背离本发明的精神或范围。实施方式中具有相同配置的部件将使用与第一实施方式中的参考标号相同的参考标号描述并且可在全部的实施方式中用于指向相同的零件，将描述第一实施方式并且在其它实施方式中仅解释与第一实施方式的零件不同的零件。0030为了清楚描述本发明，省略与描述不相关的零件，并且在整个说明书中相同的参考标号用于指向相同或相似的零件。0031在说明书和权利要求中，当描述一个元件“耦接”至另一元件时，它不仅包括一个元件“直接连接”至另一元件的情况，还包括一个元件“电连接”至另一元件且。
12、两个元件直接具有其它元件的情况。0032此外，除非明确地进行相反说明，词语“包括（COMPRISE）”及其变型诸如“包括（COMPRISES）”或“包括（COMPRISING）”将被理解为包括所列的元件但是不排除任何其它元说明书CN104120385A3/5页5件。0033图1示出了根据第一示例性实施方式使用沉积源将材料沉积在衬底上，以及图2是图1的区域S的截面图。0034参考图1和图2，根据第一示例性实施方式的沉积源100将沉积材料发射至衬底10，其中衬底10的一侧设置有掩模20。沉积源100包括主体110和多个喷嘴120。0035主体110具有预定的长度并且形成沉积源100的外观。在使用沉。
13、积源100将沉积材料沉积在衬底10上的过程中衬底10可沿一个方向移动或者沉积源100可沿一个方向移动。沉积源100的主体110的纵向方向可以是与衬底10移动时的方向垂直的方向。例如，如果衬底10前后移动，则主体100在左右方向移动。0036主体110内形成有存储空间（未示出）。沉积材料（未示出）存储在存储空间内。例如，沉积材料可以是有机材料。有机材料被蒸发并且通过喷嘴120被发射至衬底10。沉积材料可通过例如加热被蒸发。例如，加热线圈（未示出）可设置在沉积源的内壁并且电流可被施加至加热线圈以产生热。然而，蒸发沉积材料的方法不限于加热。0037多个喷嘴120形成于主体110上。喷嘴120可形成于。
14、主体110面向衬底10的一侧上。喷嘴120可以预定的间隔形成。每个喷嘴120可具有细孔。沉积材料可通过细孔被发射至衬底10。0038根据一个示例性实施方式，沉积源100的主体110优选地被形成使得从主体110的中心向主体110的端部，主体110与衬底10之间的距离逐渐增加。0039如等式1所表达的，阴影长度在衬底10的中心最小。阴影长度在衬底10的边缘增加。0040等式100410042这里，Y表示与衬底10未沉积有沉积材料的部分H（图2）对应的阴影的长度；M（图2）表示掩模20的凸起部分的高度；L1（图1）是主体110的中心与主体110的特定点之间的距离；L2（图1）表示衬底10的总长度；以。
15、及TS（图1）表示衬底10与喷嘴120之间的距离。如等式1所表达的，阴影长度Y随着M、L1和L2的减小以及TS的增大而减小。0043沉积源100的主体110被形成为使得从主体中心向主体端部，主体与衬底之间的距离逐渐增加。由此，喷嘴120被布置为使得设置在沉积源100的主体110两端处的喷嘴120与衬底10之间的距离大于设置在主体110中心处的喷嘴120与衬底10之间的距离，同时喷嘴120具有相同的长度。因此，如等式1所表达的，当主体110的中心与主体110的特定点之间的距离L1增加时，衬底10与喷嘴120之间的距离TS增加。这可使阴影长度Y的增加最小。0044为了实现这个目的，主体110面向衬。
16、底10的面110A和110B（图1）可例如从主体110的中心朝向其相对端部倾斜。0045当主体110包括两个倾斜的面110A和110B时，倾斜的面110A和110B优选地形成比沉积材料可被沉积在衬底10上的沉积角G（图2）小的角度A1。0046最小的沉积角G是沉积材料可通过掩模20被沉积在衬底10上以使得沉积的材料可用作OLED显示器的发射层的最小角度。当沉积材料以比最小沉积角小的角度被发射至说明书CN104120385A4/5页6掩模20时，沉积材料可被异常地沉积在衬底10上。0047如图2所示，最小沉积角G可根据掩模20的凸起部分的高度和形状而改变。也就是说，主体110的倾斜角A1不限于特。
17、定的角度，并且主体110（图1）的形状（倾斜角和切角）可根据掩模20的形状而改变。0048由此，省略主体110的形状的更详细的描述。最小沉积角G可在30至60的范围内。0049回去参考图1，当主体110的倾斜角A1大于最小沉积角G（图2）时，相邻的喷嘴120、主体110和掩模20的凸起部分可能干扰某个喷嘴。由此，从喷嘴120发射的沉积材料可通过掩模20被异常地沉积在衬底10上。0050然而，由于根据本发明的当前实施方式，主体110的倾斜角A1（图1）小于沉积源100中的最小沉积角G（图2），所以阴影区域H（图2）可被最小化。0051主体110的倾斜面110A和110B可以相同的角度形成。也就是。
18、说，主体110可左右对称。0052图3是示出了根据第二示例性实施方式使用沉积源将沉积材料沉积在衬底上的截面图。0053参考图3，根据另一示例性实施方式的沉积源200的主体210面向衬底10的面210A可为弧形。0054在这种情况下，主体210的弧形面210A的特定点处的切角A2优选地小于沉积材料可被沉积在衬底10上的最小沉积角G（图2）。如果的切角A2大于最小沉积角G（图2），则相邻的喷嘴120、主体210和掩模20的凸起部分可干扰某个喷嘴，因此从喷嘴120发射的沉积材料可通过掩模20被异常地沉积在衬底10上。主体210的切角A2为主体210的圆周面210A的特定点处关于虚拟水平线的切角。00。
19、55图4是示出了根据第三示例性实施方式使用沉积源300将沉积材料沉积在衬底上的截面图。0056参考图4，在沉积源300中，不同于根据本发明的第一示例性实施方式的沉积源100（图1）的主体的面，沉积源300的主体310面向衬底10的面是平坦的。多个喷嘴320被布置为使得设置在沉积源300的主体310的相对端部处的喷嘴与衬底10之间的距离大于设置在主体310的中心处的喷嘴与衬底10之间的距离。也就是说，喷嘴320的长度随着它们从主体310的相对端部接近主体310的中心而逐渐增加。0057在此结构中，当主体310的中心与主体310的特定点之间的距离L1与第一和第二示例性实施方式相同的方式增加时，衬底。
20、10与喷嘴320之间的距离TS增加。由此，阴影长度Y的增加可被最小化。0058通过连接多个喷嘴320的顶端形成的虚线的角度A3优选地小于沉积材料可被沉积在衬底10上的最小沉积角G（图2）。这使得从喷嘴320A和喷嘴320B发射的沉积材料通过掩模20被稳定地沉积在衬底10上。这已经在第一和第二示例性实施方式中进行了描述，由此它们的详细描述被省略。0059通过下面的实验确定根据示例性实施方式的根据沉积源100（参考图1）的阴影区域减少。0060图5是示出了当使用根据一个示例性实施方式的沉积源和根据比较实施例的沉说明书CN104120385A5/5页7积源将沉积材料沉积在衬底上时在衬底上形成的阴影区。
21、域的长度的曲线图。0061关于图5讨论的示例性实施方式的沉积源为图1所示的沉积源100。根据比较实施例的沉积源为棒形式的线性沉积源。0062在图5中，X轴表示衬底上的位置，其中衬底的中心被设为0。衬底上从衬底中心向左的位置被设为负值并且衬底上从衬底中心向右的位置被设为正值。Y轴表示如等式1计算的衬底的特定点处的阴影长度。B表示连接使用根据示例性实施方式的沉积源测量的阴影长度值的线并且C表示连接使用根据比较实施例的沉积源测量的阴影长度值的线。0063参考图5，在使用根据比较实施例的沉积源时测量的离衬底中心300MM的位置处，阴影长度大约为00088MM，而在使用根据示例性实施方式的沉积源时测量的。
22、离衬底中心300MM的位置处，阴影长度大约为00063MM。在使用根据比较实施例的沉积源时测量的离衬底中心0MM的位置处，阴影长度大约为000525MM，而在使用示例性实施方式的沉积源时测量的离衬底中心0MM的位置处，阴影长度大约为00038MM。也就是说，与由根据比较实施例的沉积源测量的阴影长度相比，根据示例性实施方式的沉积源100可将阴影长度减少342。0064回去参考图1，沉积源100具有主体110，主体110被形成为使得主体的两个端部与衬底10之间的距离大于主体的中心与衬底10的距离。0065由此，当使用沉积源100将沉积材料沉积在衬底10上时，与使用传统沉积源沉积沉积材料的情况相比阴影区域可被显著地减少。0066尽管已经结合当前被认为是实际的示例性实施方式描述了本发明，但是将理解本发明不限于所公开的实施方式，但是相反地，用于覆盖包含在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同配置。说明书CN104120385A1/3页8图1图2图3说明书附图CN104120385A2/3页9图4说明书附图CN104120385A3/3页10图5说明书附图CN104120385A10。