电池硅片防腐清洗剂.pdf

本发明公开了一种电池硅片防腐清洗剂，由以下重量百分比的原料组成：氢氧化钾0.5～2.5％、脂肪醇聚氧乙烯(7)醚4～8％、乙二醇丁醚0.4～0.8％、全氟烷基乙氧基醚醇0.4～0.8％、络合物0.2～1％、四甲基氢氧化铵2～4％、羧甲基纤维素钠0.1～0.3％、余量为去离子水。本发明的电池硅片防腐清洗剂，具有良好的去污、清洗性能，无刺激性气味，能够有效避免碳化硅等再次吸附在硅片表面，减少二次污染，同时对硅片腐蚀小，适用于光伏和半导体硅片清洗，尤其适合太阳能硅片的清洗。

权利要求书
1.  一种电池硅片防腐清洗剂，由以下重量百分比的原料组成：氢氧化钾0.5～2.5％、脂肪醇聚氧乙烯(7)醚4～8％、乙二醇丁醚0.4～0.8％、全氟烷基乙氧基醚醇0.4～0.8％、四甲基氢氧化铵2～4％、羧甲基纤维素钠0.1～0.3％、余量为去离子水。

2.  一种电池硅片防腐清洗剂，由以下重量百分比的原料组成：氢氧化钾0.5～2.5％、脂肪醇聚氧乙烯(7)醚4～8％、乙二醇丁醚0.4～0.8％、全氟烷基乙氧基醚醇0.4～0.8％、络合物0.2～1％、四甲基氢氧化铵2～4％、羧甲基纤维素钠0.1～0.3％、余量为去离子水；
所述络合物为30-70重量份三聚氰胺磷酸络合物和30-70重量份二乙烯三胺五乙酸铁-钠络合物混合而成。

说明书电池硅片防腐清洗剂
技术领域：
本发明涉及一种清洗剂，特别是一种电池硅片防腐清洗剂。
背景技术：
电池硅片在使用前外观应呈银灰色，不允许存在夹层，发黑，氧化，指纹和沾污的痕或杂质，因此，在高效单晶硅太阳能电池硅片制备工艺中，要想获得高的光电转化效率，必须要有表面清洁的硅晶片，表面金属污染必须降低到有害值以下。现阶段电池硅片加工都采用多线切割机，多线切割机采用钢丝带动碳化硅磨料进行切割电池硅片，会造成电池硅片表面的有机物沾污、粒沾污以及金属离子沾污，这些杂质的污染特别是金属离子污染物如Cu、Fe、Na等，很容易从电池硅片表面扩散到内部形成深能级复合中心，从而影响非平衡少子寿命进而降低光电转化效率。所以电池电池硅片在生产前一定要先清洗，以去除杂质。
电池硅片表面的污染物主要以原子、离子、分子或膜的形式，以物理或化学方法存在于电池硅片表面或电池硅片表面的氧化膜中，对电池硅片的清洗要求是既能去除各类杂质又不破坏电池硅片性能。目前对电池硅片清洗多采用水溶液清洗法，是因为水溶液清洗价廉而安全，对杂质和基体选择性好，可将杂质清洗至非常低的水平。
电池硅片清洗技术主要有以下几类，早期常用的是RCA清洗法，但由于RCA清洗使用的试剂成本高，清洗后电池硅片表面粗糙，且对环境和人体都有一定危害，不适合电池硅片的清洗。部分企业在RCA基础上改良，方法一：稀释或加入表面活性剂、螯合剂等提高对金属和表面颗粒的去除效果；方法二：RCA清洗液结合兆声清洗法和喷射法清洗抛光电池硅片，实验结果表明该方法对于去除电池硅片表面的微小颗粒具有更高的效果。目前碱 性清洗技术正逐渐取代RCA清洗技术成为电池硅片的主要清洗技术。
发明内容：
针对现有技术存在的上述不足，本发明所要解决的技术问题是提供一种电池硅片防腐清洗剂。
本发明的技术问题，是通过下述技术方案得以实现的：
一种电池硅片防腐清洗剂，由以下重量百分比的原料组成：氢氧化钾0.5～2.5％、脂肪醇聚氧乙烯(7)醚4～8％、乙二醇丁醚0.4～0.8％、全氟烷基乙氧基醚醇0.4～0.8％、四甲基氢氧化铵2～4％、羧甲基纤维素钠0.1～0.3％、余量为去离子水。
一种电池硅片防腐清洗剂，由以下重量百分比的原料组成：氢氧化钾0.5～2.5％、脂肪醇聚氧乙烯(7)醚4～8％、乙二醇丁醚0.4～0.8％、全氟烷基乙氧基醚醇0.4～0.8％、络合物0.2～1％、四甲基氢氧化铵2～4％、羧甲基纤维素钠0.1～0.3％、余量为去离子水。
所述络合物为三聚氰胺磷酸络合物和/或二乙烯三胺五乙酸铁-钠络合物。优选地，络合物为30-70重量份三聚氰胺磷酸络合物和30-70重量份二乙烯三胺五乙酸铁-钠络合物混合而成。
将各原料搅拌混合均匀，即可制得该电池硅片防腐清洗剂。
本发明的电池硅片防腐清洗剂，具有良好的去污、清洗性能，无刺激性气味，能够有效避免碳化硅等再次吸附在硅片表面，减少二次污染，同时对硅片腐蚀小，适用于光伏和半导体硅片清洗，尤其适合太阳能硅片的清洗。
具体实施方式：
下面实施例是对本发明的进一步说明，而不是限制本发明的范围。在本发明中，如无特别说明，各原料均以有效物含量为100％计。
以下实施例和对比例中，原料介绍：三聚氰胺磷酸络合物，CAS号：41583-09-9。二乙烯三胺五乙酸铁-钠络合物，CAS号：12389-75-2。脂肪醇聚氧乙烯(7)醚，CAS号：68131-39-5，选用邢台蓝星助剂厂生产的AEO-7。 全氟烷基乙氧基醚醇，选用全氟烷基乙氧基醚醇非离子氟表面活性剂S-201(哈尔滨雪佳氟硅化学有限公司生产的S-201)。四甲基氢氧化铵，CAS号：75-59-2。
实施例1-4
按表1对应数据，将各原料混合，加热至50℃，搅拌混合均匀，冷却至室温，即可制得该电池硅片防腐清洗剂。
表1：电池硅片防腐清洗剂配方表单位：公斤
 实施例1实施例2实施例3实施例4氢氧化钾1.51.51.51.5脂肪醇聚氧乙烯(7)醚6666乙二醇丁醚0.60.60.60.6全氟烷基乙氧基醚醇0.60.60.60.6二乙烯三胺五乙酸铁-钠络合物0.3-0.6-三聚氰胺磷酸络合物0.30.6--四甲基氢氧化铵3333羧甲基纤维素钠0.20.20.20.2去离子水加至100加至100加至100加至100
将10公斤实施例1的电池硅片防腐清洗剂，加入200公斤的超声波清洗槽，加入190公斤去离子水，混合均匀，再将太阳能硅片浸入超声波清洗槽中，超声波清洗，时间4分钟，清洗温度50℃，去污率99.1％。
本发明的电池硅片防腐清洗剂，具有良好的去污、清洗性能，无刺激性气味，能够有效避免碳化硅等再次吸附在硅片表面，减少二次污染，同时对硅片腐蚀小，适用于光伏和半导体硅片清洗，尤其适合太阳能硅片的清洗。
测试例
15cm×15cm液晶显示屏板，测重W1，硅片上涂覆一层约8克的污垢，于80℃下烘干3小时，测重W2，将4克电池硅片防腐清洗剂均匀喷晒于硅片上，室温下放置2小时，然后在60℃热水流动下用海绵漂洗，烘箱烘干， 测重W3。由重量法，得出去污率。测试数据见表2。
上述污垢由60wt％鸡油、20wt％植物油和20wt％硬脂酸组成。
去污率＝[(W2-W3)/(W2-W1)]×100％
表2：电池硅片防腐清洗剂测试表
 去污率，％实施例198.4实施例295.1实施例394.8实施例490.3