一种LED封装用耐湿有机硅材料.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201410395400.7

申请日:

2014.08.12

公开号:

CN104177616A

公开日:

2014.12.03

当前法律状态:

实审

有效性:

审中

法律详情:

实质审查的生效IPC(主分类):C08G 77/04申请日:20140812|||公开

IPC分类号:

C08G77/04; C08K5/00; C08K5/541; C08K5/544; C08K5/5435; H01L33/56(2010.01)I

主分类号:

C08G77/04

申请人:

铜陵国鑫光源技术开发有限公司

发明人:

沈金鑫

地址:

244199 安徽省铜陵市铜陵县五松镇建设西路571号网点

优先权:

专利代理机构:

代理人:

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内容摘要

本发明公开了一种LED封装用耐湿有机硅材料,包括以下重量份的组分组成:丙基三乙氧基硅烷20-30份、二苯基二氯硅烷20-30份、甲基六氢苯酐3-6份、乙酰丙酮锌5-10份、四丁基溴化铵0.5-5份、苄基三苯基溴化磷0.5-3份、二苯基硅二醇0.5-2.5份、环烷酸锂0.5-1.5份、防水剂10-15份;所述防水剂选自硅氧烷、烷基硅烷、胺基硅氧烷、环氧基硅氧烷、丙烯酰基硅氧烷、甲基丙烯酰基硅氧烷中的一种或几种。本发明的LED封装用耐湿有机硅材料,在保持有机硅材料高透光率和良好的耐高温性能的同时,加入防水剂,有效提高了封装材料的抗吸湿性,能够长期用于户外,而不会出现吸湿造成严重的光衰。

权利要求书

1.  一种LED封装用耐湿有机硅材料,其特征在于:包括以下重量份的组分组成:丙基三乙氧基硅烷20-30份、二苯基二氯硅烷20-30份、甲基六氢苯酐3-6份、乙酰丙酮锌5-10份、四丁基溴化铵0.5-5份、苄基三苯基溴化磷0.5-3份、二苯基硅二醇0.5-2.5份、环烷酸锂0.5-1.5份、防水剂10-15份;
所述防水剂选自硅氧烷、烷基硅烷、胺基硅氧烷、环氧基硅氧烷、丙烯酰基硅氧烷、甲基丙烯酰基硅氧烷中的一种或几种。

2.
  根据权利要求1所述的LED封装用耐湿有机硅材料,其特征在于:包括以下重量份的组分组成:丙基三乙氧基硅烷25份、二苯基二氯硅烷25份、甲基六氢苯酐5份、乙酰丙酮锌7份、四丁基溴化铵2.5份、苄基三苯基溴化磷1.5份、二苯基硅二醇1.5份、环烷酸锂1份、防水剂12份;
所述防水剂选自硅氧烷、烷基硅烷、胺基硅氧烷、环氧基硅氧烷、丙烯酰基硅氧烷、甲基丙烯酰基硅氧烷中的一种或几种。

3.
  根据权利要求1或2所述的LED封装用耐湿有机硅材料的制备方法,其特征在于:包括以下制备步骤:按照比例将各组分混合均匀后,加热至80-100℃,然后经室温真空脱泡30分钟,硫化温度为100-120℃下硫化成型。

说明书

一种LED封装用耐湿有机硅材料
技术领域
本发明涉及LED封装技术领域,尤其涉及一种LED封装用耐湿有机硅材料。
背景技术
在全球能源短缺的背景下,具有高效节能、绿色环保等优点的白光LED在照明市场的前景下备受瞩目。近年来,随着白光LED芯片制作、荧光粉制备和器件散热等技术的不断突破,白光LED发光效率、亮度和功率都有了大幅度的提高。LED封装是指发光芯片的封装,相比集成电路封装有较大不同,LED的封装不仅要求能够保护灯芯,而且还要能够透光,所以LED的封装对封装材料有特殊的要求。目前的LED封装材料的折射率和耐老化能力还不是很好,固化后内应力大,耐冲击性差,使用温度不能过高,否则封装材料透明度会降低,导致LED亮度减弱。而且,用于户外时,长期的吸湿会造成封装材料的变化,如表面雾化、芯片绣蚀等,因此,LED封装材料的抗吸湿性也是很重要的。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足,提供一种耐冲击性好、抗吸湿性好的LED封装用耐湿有机硅材料。
为了实现上述目的本发明采用如下技术方案:
一种LED封装用耐湿有机硅材料,包括以下重量份的组分组成:丙基三乙氧 基硅烷20-30份、二苯基二氯硅烷20-30份、甲基六氢苯酐3-6份、乙酰丙酮锌5-10份、四丁基溴化铵0.5-5份、苄基三苯基溴化磷0.5-3份、二苯基硅二醇0.5-2.5份、环烷酸锂0.5-1.5份、防水剂10-15份;
所述防水剂选自硅氧烷、烷基硅烷、胺基硅氧烷、环氧基硅氧烷、丙烯酰基硅氧烷、甲基丙烯酰基硅氧烷中的一种或几种。
优选地,所述的LED封装用耐湿有机硅材料,其特征在于:包括以下重量份的组分组成:丙基三乙氧基硅烷25份、二苯基二氯硅烷25份、甲基六氢苯酐5份、乙酰丙酮锌7份、四丁基溴化铵2.5份、苄基三苯基溴化磷1.5份、二苯基硅二醇1.5份、环烷酸锂1份、防水剂12份;
所述防水剂选自硅氧烷、烷基硅烷、胺基硅氧烷、环氧基硅氧烷、丙烯酰基硅氧烷、甲基丙烯酰基硅氧烷中的一种或几种。
所述的LED封装用耐湿有机硅材料的制备方法,包括以下制备步骤:按照比例将各组分混合均匀后,加热至80-100℃,然后经室温真空脱泡30分钟,硫化温度为100-120℃下硫化成型。
与已有技术相比,本发明的有益效果如下:
本发明的LED封装用耐湿有机硅材料,在保持有机硅材料高透光率和良好的耐高温性能的同时,加入防水剂,有效提高了封装材料的抗吸湿性,能够长期用于户外,而不会出现吸湿造成严重的光衰。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步的说明,但本发明不仅限于这些实施例,在未脱离本发明宗旨的前提下,所作的任何改进均落在本发明的保护范围之内。
实施例1:
一种LED封装用耐湿有机硅材料,包括以下重量份的组分组成:丙基三乙氧基硅烷25份、二苯基二氯硅烷25份、甲基六氢苯酐5份、乙酰丙酮锌7份、四丁基溴化铵2.5份、苄基三苯基溴化磷1.5份、二苯基硅二醇1.5份、环烷酸锂1份、硅氧烷6份、烷基硅烷3份、胺基硅氧烷1份;
制备方法:按照比例将各组分混合均匀后,加热至100℃,然后经室温真空脱泡30分钟,硫化温度为120℃下硫化成型。
实施例2:
一种LED封装用耐湿有机硅材料,包括以下重量份的组分组成:丙基三乙氧基硅烷20份、二苯基二氯硅烷30份、甲基六氢苯酐3份、乙酰丙酮锌10份、四丁基溴化铵0.5份、苄基三苯基溴化磷3份、二苯基硅二醇0.5份、环烷酸锂1.5份、烷基硅烷4份、胺基硅氧烷、环氧基硅氧烷5份、丙烯酰基硅氧烷3份;
制备方法:按照比例将各组分混合均匀后,加热至80℃,然后经室温真空脱泡30分钟,硫化温度为100℃下硫化成型。
实施例3:
一种LED封装用耐湿有机硅材料,包括以下重量份的组分组成:丙基三乙氧基硅烷30份、二苯基二氯硅烷25份、甲基六氢苯酐5份、乙酰丙酮锌8份、四丁基溴化铵3份、苄基三苯基溴化磷2份、二苯基硅二醇2份、环烷酸锂1份、硅氧烷7份、环氧基硅氧烷3份、甲基丙烯酰基硅氧烷5份。
制备方法:按照比例将各组分混合均匀后,加热至100℃,然后经室温真空脱泡30分钟,硫化温度为110℃下硫化成型。
试验例:
分别将实施例1、实施例2、实施例3的LED封装材料以及传统的LED封装材料灌装成5mm lamp,130℃初烤1小时,150℃后烤5小时,然后将lamp成品放置在高压反应釜中,压力控制在2atm,温度130℃,测试48小时,利用LED亮度测试机记录光衰数据,光衰=(后光通量-初始光通量)/初始光通量,测试结果如下表:

 光衰百分比实施例1-1.58%实施例2-1.95%实施例3-2.02%传统的LED封装材料-36.58%

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资源描述

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1、10申请公布号CN104177616A43申请公布日20141203CN104177616A21申请号201410395400722申请日20140812C08G77/04200601C08K5/00200601C08K5/541200601C08K5/544200601C08K5/5435200601H01L33/5620100171申请人铜陵国鑫光源技术开发有限公司地址244199安徽省铜陵市铜陵县五松镇建设西路571号网点72发明人沈金鑫54发明名称一种LED封装用耐湿有机硅材料57摘要本发明公开了一种LED封装用耐湿有机硅材料,包括以下重量份的组分组成丙基三乙氧基硅烷2030份、二苯基。

2、二氯硅烷2030份、甲基六氢苯酐36份、乙酰丙酮锌510份、四丁基溴化铵055份、苄基三苯基溴化磷053份、二苯基硅二醇0525份、环烷酸锂0515份、防水剂1015份;所述防水剂选自硅氧烷、烷基硅烷、胺基硅氧烷、环氧基硅氧烷、丙烯酰基硅氧烷、甲基丙烯酰基硅氧烷中的一种或几种。本发明的LED封装用耐湿有机硅材料,在保持有机硅材料高透光率和良好的耐高温性能的同时,加入防水剂,有效提高了封装材料的抗吸湿性,能够长期用于户外,而不会出现吸湿造成严重的光衰。51INTCL权利要求书1页说明书2页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书2页10申请公布号CN104177616。

3、ACN104177616A1/1页21一种LED封装用耐湿有机硅材料,其特征在于包括以下重量份的组分组成丙基三乙氧基硅烷2030份、二苯基二氯硅烷2030份、甲基六氢苯酐36份、乙酰丙酮锌510份、四丁基溴化铵055份、苄基三苯基溴化磷053份、二苯基硅二醇0525份、环烷酸锂0515份、防水剂1015份;所述防水剂选自硅氧烷、烷基硅烷、胺基硅氧烷、环氧基硅氧烷、丙烯酰基硅氧烷、甲基丙烯酰基硅氧烷中的一种或几种。2根据权利要求1所述的LED封装用耐湿有机硅材料,其特征在于包括以下重量份的组分组成丙基三乙氧基硅烷25份、二苯基二氯硅烷25份、甲基六氢苯酐5份、乙酰丙酮锌7份、四丁基溴化铵25份、。

4、苄基三苯基溴化磷15份、二苯基硅二醇15份、环烷酸锂1份、防水剂12份;所述防水剂选自硅氧烷、烷基硅烷、胺基硅氧烷、环氧基硅氧烷、丙烯酰基硅氧烷、甲基丙烯酰基硅氧烷中的一种或几种。3根据权利要求1或2所述的LED封装用耐湿有机硅材料的制备方法,其特征在于包括以下制备步骤按照比例将各组分混合均匀后,加热至80100,然后经室温真空脱泡30分钟,硫化温度为100120下硫化成型。权利要求书CN104177616A1/2页3一种LED封装用耐湿有机硅材料技术领域0001本发明涉及LED封装技术领域,尤其涉及一种LED封装用耐湿有机硅材料。背景技术0002在全球能源短缺的背景下,具有高效节能、绿色环保。

5、等优点的白光LED在照明市场的前景下备受瞩目。近年来,随着白光LED芯片制作、荧光粉制备和器件散热等技术的不断突破,白光LED发光效率、亮度和功率都有了大幅度的提高。LED封装是指发光芯片的封装,相比集成电路封装有较大不同,LED的封装不仅要求能够保护灯芯,而且还要能够透光,所以LED的封装对封装材料有特殊的要求。目前的LED封装材料的折射率和耐老化能力还不是很好,固化后内应力大,耐冲击性差,使用温度不能过高,否则封装材料透明度会降低,导致LED亮度减弱。而且,用于户外时,长期的吸湿会造成封装材料的变化,如表面雾化、芯片绣蚀等,因此,LED封装材料的抗吸湿性也是很重要的。发明内容0003本发明。

6、的目的是克服现有技术的不足,提供一种耐冲击性好、抗吸湿性好的LED封装用耐湿有机硅材料。0004为了实现上述目的本发明采用如下技术方案0005一种LED封装用耐湿有机硅材料,包括以下重量份的组分组成丙基三乙氧基硅烷2030份、二苯基二氯硅烷2030份、甲基六氢苯酐36份、乙酰丙酮锌510份、四丁基溴化铵055份、苄基三苯基溴化磷053份、二苯基硅二醇0525份、环烷酸锂0515份、防水剂1015份;0006所述防水剂选自硅氧烷、烷基硅烷、胺基硅氧烷、环氧基硅氧烷、丙烯酰基硅氧烷、甲基丙烯酰基硅氧烷中的一种或几种。0007优选地,所述的LED封装用耐湿有机硅材料,其特征在于包括以下重量份的组分组。

7、成丙基三乙氧基硅烷25份、二苯基二氯硅烷25份、甲基六氢苯酐5份、乙酰丙酮锌7份、四丁基溴化铵25份、苄基三苯基溴化磷15份、二苯基硅二醇15份、环烷酸锂1份、防水剂12份;0008所述防水剂选自硅氧烷、烷基硅烷、胺基硅氧烷、环氧基硅氧烷、丙烯酰基硅氧烷、甲基丙烯酰基硅氧烷中的一种或几种。0009所述的LED封装用耐湿有机硅材料的制备方法,包括以下制备步骤按照比例将各组分混合均匀后,加热至80100,然后经室温真空脱泡30分钟,硫化温度为100120下硫化成型。0010与已有技术相比,本发明的有益效果如下0011本发明的LED封装用耐湿有机硅材料,在保持有机硅材料高透光率和良好的耐高温性能的同。

8、时,加入防水剂,有效提高了封装材料的抗吸湿性,能够长期用于户外,而不会出现吸湿造成严重的光衰。说明书CN104177616A2/2页4具体实施方式0012以下结合实施例对本发明作进一步的说明,但本发明不仅限于这些实施例,在未脱离本发明宗旨的前提下,所作的任何改进均落在本发明的保护范围之内。0013实施例10014一种LED封装用耐湿有机硅材料,包括以下重量份的组分组成丙基三乙氧基硅烷25份、二苯基二氯硅烷25份、甲基六氢苯酐5份、乙酰丙酮锌7份、四丁基溴化铵25份、苄基三苯基溴化磷15份、二苯基硅二醇15份、环烷酸锂1份、硅氧烷6份、烷基硅烷3份、胺基硅氧烷1份;0015制备方法按照比例将各组。

9、分混合均匀后,加热至100,然后经室温真空脱泡30分钟,硫化温度为120下硫化成型。0016实施例20017一种LED封装用耐湿有机硅材料,包括以下重量份的组分组成丙基三乙氧基硅烷20份、二苯基二氯硅烷30份、甲基六氢苯酐3份、乙酰丙酮锌10份、四丁基溴化铵05份、苄基三苯基溴化磷3份、二苯基硅二醇05份、环烷酸锂15份、烷基硅烷4份、胺基硅氧烷、环氧基硅氧烷5份、丙烯酰基硅氧烷3份;0018制备方法按照比例将各组分混合均匀后,加热至80,然后经室温真空脱泡30分钟,硫化温度为100下硫化成型。0019实施例30020一种LED封装用耐湿有机硅材料,包括以下重量份的组分组成丙基三乙氧基硅烷30。

10、份、二苯基二氯硅烷25份、甲基六氢苯酐5份、乙酰丙酮锌8份、四丁基溴化铵3份、苄基三苯基溴化磷2份、二苯基硅二醇2份、环烷酸锂1份、硅氧烷7份、环氧基硅氧烷3份、甲基丙烯酰基硅氧烷5份。0021制备方法按照比例将各组分混合均匀后,加热至100,然后经室温真空脱泡30分钟,硫化温度为110下硫化成型。0022试验例0023分别将实施例1、实施例2、实施例3的LED封装材料以及传统的LED封装材料灌装成5MMLAMP,130初烤1小时,150后烤5小时,然后将LAMP成品放置在高压反应釜中,压力控制在2ATM,温度130,测试48小时,利用LED亮度测试机记录光衰数据,光衰后光通量初始光通量/初始光通量,测试结果如下表0024光衰百分比实施例1158实施例2195实施例3202传统的LED封装材料3658说明书CN104177616A。

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