一种在板上直接封装LED的陶瓷基板.pdf

本发明公开一种在板上直接封装LED的陶瓷基板，包括陶瓷基板、中功率正装芯片、电极、散热片，通过设计中功率正装芯片，以取代传统的大功率倒装芯片，由于中功率正装芯片耗能小，加之中功率正装芯片本身价格便宜，因此能够有效降低生产成本和使用成本；此外，由于陶瓷基板是一种反射率大于92%的氧化铝陶瓷板，靠陶瓷原有的亮面反光，相对于传统采用表面的银层反光而言，银在高压作用下易氧化发黑，反射率差，并且银材料价格高，造成生产成本居高不下，而采用氧化铝陶瓷板不存在上述弊端。

1.  一种在板上直接封装LED的陶瓷基板，其特征在于：包括陶瓷基板、中功率正装芯片、第一电极、第二电极、第一散热片、第二散热片，该中功率正装芯片固定在陶瓷基板的正面，该陶瓷基板上开设有第一导通孔和第二导通孔，该第一导通孔中注入第一导电柱，该第二导通孔中注入第二导电柱，所述第一、第二电极安装于陶瓷基板的正面，第一、第二散热片安装于陶瓷基板的反面，第一电极、第一导电柱、第一散热片为一体式结构，第二电极、第二导电柱及第二散热片也为一体式结构；该中功率正装芯片、第一电极、第二电极彼此之间用金属线相连。

2.  根据权利要求1所述的一种在板上直接封装LED的陶瓷基板，其特征在于：所述陶瓷基板是一种反射率大于92%的氧化铝陶瓷板。

3.  根据权利要求1所述的一种在板上直接封装LED的陶瓷基板，其特征在于：所述中功率正装芯片与陶瓷基板之间通过粘胶层相连。

一种在板上直接封装LED的陶瓷基板
技术领域
本发明涉及LED领域技术，尤其是指一种在板上直接封装LED的陶瓷基板。
背景技术
传统的陶瓷基板产品一般包括陶瓷基板、设置在陶瓷基板正面的导电极和大功率倒装芯片、设置在陶瓷基板背面的散热片，导电极和散热片均是金属材质，通常是采用金属铜，以利于导电。由于铜的色泽比较暗，反光度不强，制作成LED成品后，反射率不够高。
有鉴于此，本领域技术人员通过在陶瓷基板表面用化学沉积的方法覆盖一层银，利用银较高的反射率使成品具有较强的反光功能。然而金属银在高压作用下易氧化发黑，反射率差，并且银材料价格高，造成生产成本居高不下。
再者，采用大功率倒装芯片(3W以上)而言，大功率倒装芯片能耗大，加之大功率倒装芯片本身就比较贵，使用成本过高。
发明内容
有鉴于此，本发明针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种在板上直接封装LED的陶瓷基板，在节约生产成本和使用成本的基础下，有效提高成品反射率，增强产品性能。
为实现上述目的，本发明采用如下之技术方案：
一种在板上直接封装LED的陶瓷基板，包括陶瓷基板、中功率正装芯片、第一电极、第二电极、第一散热片、第二散热片，该中功率正装芯片固定在陶瓷基板的正面，该陶瓷基板上开设有第一导通孔和第二导通孔，该第一导通孔中注入第一导电柱，该第二导通孔中注入第二导电柱，所述第一、第二电极安装于陶瓷基板的正面，第一、第二散热片安装于陶瓷基板的反面，第一电极、第一导电柱、第一散热片为一体式结构，第二电极、第二导电柱及第二散热片也为一体式结构；该中功率正装芯片、第一电极、第二电极彼此之间用金属线相连。
作为一种优选方案，所述陶瓷基板是一种反射率大于92%的氧化铝陶瓷板。
作为一种优选方案，所述中功率正装芯片与陶瓷基板之间通过粘胶层相连。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知，其主要是设计中功率正装芯片，以取代传统的大功率倒装芯片，由于中功率正装芯片耗能小，加之中功率正装芯片本身价格便宜，因此能够有效降低生产成本和使用成本。
此外，由于陶瓷基板是一种反射率大于92%的氧化铝陶瓷板，靠陶瓷原有的亮面反光，相对于传统采用表面的银层反光而言，银在高压作用下易氧化发黑，反射率差，并且银材料价格高，造成生产成本居高不下，而采用氧化铝陶瓷板不存在上述弊端。
为更清楚地阐述本发明的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本发明进行详细说明。
附图说明
图1是本发明之实施例的组装立体示意图；
图2是图1的背面示意图；
图3是本发明之实施例的剖视图；
图4是本发明之实施例的陶瓷基板示意图；
图5是本发明之实施例中陶瓷基板的透视图。
附图标识说明：
1、陶瓷基板          2、中功率正装芯片
3、第一电极          4、第二电极
5、第一散热片        6、第二散热片
7、粘胶层            8、第一导通孔
9、第二导通孔        10、第一导电柱
11、第二导电柱       12、金属线。
具体实施方式
请参照图1至图5所示，其显示出了本发明之较佳实施例的具体结构，是一种在板上直接封装LED的陶瓷基板1，其结构包括有陶瓷基板1、中功率正装芯片2、第一电极3、第二电极4、第一散热片5、第二散热片6。
其中，所述陶瓷基板1是一种反射率大于92%的氧化铝陶瓷板，相对于传统表面采用银层的陶瓷基板，由于金属银具有易氧化的缺点，很容易发黑，并且成本高，改为本发明的氧化铝陶瓷板后靠陶瓷反光，不存在上述缺陷。
该中功率正装芯片2（1～2W）固定在陶瓷基板1的正面，中功率正装芯片2与陶瓷基板1之间具有粘胶层7。相对于传统采用大功率倒装芯片(3W以上)而言，大功率倒装芯片能耗大，加之大功率倒装芯片本身就比较贵，使用成本过高。
所述第一、第二电极3、4安装于陶瓷基板1的正面，第一、第二散热片5、6安装于陶瓷基板1的反面，该陶瓷基板1上开设有第一导通孔8和第二导通孔9，在陶瓷基板1的第一导通孔8中注入第一导电柱10，在第二导通孔9中注入第二导电柱11，使第一电极3、第一导电柱10、第一散热片5之间导电相连，同样的，第二电极4、第二导电柱11、第二散热片6之间也导电相连。该中功率正装芯片2、第一电极3、第二电极4彼此之间用金属线12相连。
本实施例中，所述第一电极3、第一导电柱10、第一散热片5为一体式结构，第二电极4、第二导电柱11及第二散热片6也为一体式结构；藉此，只需要置入模具中，即可一次快速成型出电极、导电柱和散热，成型方式非常简单，有效提高生产效率。
综上所述，本发明的设计重点在于，其主要是设计中功率正装芯片2，以取代传统的大功率倒装芯片，由于中功率正装芯片2耗能小，加之中功率正装芯片2本身价格便宜，因此能够有效降低生产成本和使用成本。
此外，由于陶瓷基板1是一种反射率大于92%的氧化铝陶瓷板，靠陶瓷原有的亮面反光，相对于传统采用表面的银层反光而言，银在高压作用下易氧化发黑，反射率差，并且银材料价格高，造成生产成本居高不下，而采用氧化铝陶瓷板不存在上述弊端。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明的技术范围作任何限制，故凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。