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1、(10)申请公布号 CN 104064650 A (43)申请公布日 2014.09.24 CN 104064650 A (21)申请号 201310088394.6 (22)申请日 2013.03.20 H01L 33/36(2010.01) H01L 33/00(2010.01) (71)申请人 江苏扬景光电有限公司 地址 226600 江苏省南通市海安县工业园区 桥港路 20 号 (72)发明人 廖丰标 (54) 发明名称 发光二极管电极结构及其制造工艺 (57) 摘要 本发明公开了一种发光二极管电极结构及其 制造工艺， 所述发光二极管电极结构包括发光组 件， 所述发光组件下方设有 n 。
2、电极层， 所述发光组 件上方设有p电极层， 所述p电极层上方设有p焊 盘， 所述p电极层与 p 焊盘之间设有阻障层。 本发 明在现有发光二极管 P 电极结构中的 p 电极层与 焊盘之间增加了阻障层， 减小了对准的误差， 使得 p 电极层、 阻障层与 p 焊盘完全对齐， 因此提高了 生产效率且降低了产品的不良率。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 1 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 (10)申请公布号 CN 104064650 A CN 104064650 A 1/1 页 2 1. 一种发光二极。
3、管电极结构， 包括发光组件 （2） ， 所述发光组件 （2） 下方设有 n 电极层 （1） ， 其特征在于 ： 所述发光组件 （2） 上方设有 p 电极层 （3） ， 所述 p 电极层 （3） 上方设有 p 焊盘 （5） ， 所述 p 电极层 （3） 与 p 焊盘 （5） 之间设有阻障层 （4） 。 2.根据权利要求1所述的发光二极管电极结构， 其特征在于 ： 所述阻障层 （4） 的厚度为 0.1 1m。 3.根据权利要求1所述的发光二极管电极结构， 其特征在于 ： 所述阻障层 （4） 的材料为 钛、 钨、 钽、 钼上述材料的合金， 或上述材料的硅化合物、 氮化合物或硅氮化合物。 4.根据权利。
4、要求1所述的发光二极管电极结构， 其特征在于 ： 所述p电极层 （3） 为金锌 合金、 金铍合金或钛铂合金。 5.根据权利要求1所述的发光二极管电极结构， 其特征在于 ： 所述p焊盘 （5） 为钛和铝 的合金、 钛和金的合金或钛、 铝和金的合金， 所述 p 焊盘 （5） 的总厚度为 0.53.0m。 6. 制造如权利要求 1 所述的发光二极管电极结构的工艺， 其特征在于 ： 包括如下步 骤 ： （1） 在半导体迭层的窗口层上沉积 p 电极层材料 ； （2） 在 p 电极层上沉积阻障层材料 ； （3） 微影 ： 在透光衬底的一个表面涂布感光材料 ； 在该表面的上方放置光罩， 该光罩上 设有与所述。
5、图案相同的图案 ； 曝光 ： 使平行光经过光罩对感光材料进行选择性的曝光， 使 光罩的图案完整的转移至透光衬底的表面上 ； 显影， 使感光材料获得与光罩图案相同或互 补的图案 ； （4） 在阻障层上沉积 p 焊盘材料 ； （5） 使用托举 (Lift-off) 制程 , 定义 p 焊盘图案 ； （6） 干式蚀刻 ： 以 p 焊盘材料为硬屏蔽 (hard mask) 进行干式蚀刻， 使得 P 电极结构产 生一个与光罩图案相同或互补的图案 ； （7） 进行退火工序以得到奥姆接触 ： 退火的工序在 300-550的炉管中 10 秒至 3 分钟 或快速热退火炉 1 秒至 1 分钟中执行。 权 利 要 。
6、求 书 CN 104064650 A 2 1/2 页 3 发光二极管电极结构及其制造工艺 技术领域 0001 本发明属于发光二极管制造技术领域， 具体涉及一种发光二极管电极结构及其制 造工艺。 背景技术 0002 发光二极管由于具备有寿命长、 体积小、 发热量低、 耗电量少、 反应速度快、 无幅射 及单色性发光之特性及优点， 因此被广泛应用于指示灯、 广告广告牌、 交通号志灯、 汽车车 灯、 显示器面板、 通讯器具、 消费电子等各项产品中。 0003 现有技术中的发光二极管结构如图 2 所示， 主要由 n 电极层、 发光组件、 p 电极层 和 p 焊盘层构成， 其中 P 电极结构只包括 p 电。
7、极层和 p 焊盘， 由于 p 电极层和 p 焊盘在生产 时是分开来制造， 这样就会造成对准误差， 增加产品的不良率。 发明内容 0004 发明目的 ： 本发明的目的是为了解决现有技术中的不足， 提供一种可提高生产效 率且降低产品不良率的发光二极管电极结构及其制造工艺。 0005 技术方案 ： 本发明所述的一种发光二极管电极结构， 包括发光组件， 所述发光组件 下方设有 n 电极层， 所述发光组件上方设有 p 电极层， 所述 p 电极层上方设有 p 焊盘， 所述 p 电极层与 p 焊盘之间设有阻障层。 0006 作为优选， 所述阻障层的厚度为 0.1 1m。 0007 作为优选， 所述阻障层的材。
8、料为钛、 钨、 钽、 钼上述材料的合金， 或上述材料的硅化 合物、 氮化合物或硅氮化合物。 0008 作为优选， 所述 p 电极层为金锌合金、 金铍合金或钛铂合金。 0009 作为优选， 所述 p 焊盘为钛和铝的合金、 钛和金的合金或钛、 铝和金的合金， 所述 p 焊盘的总厚度为 0.53.0m。 0010 制造上述发光二极管电极结构的工艺， 包括如下步骤 ： （1） 在半导体迭层的窗口层上沉积 p 电极层材料 ； （2） 在 p 电极层上沉积阻障层材料 ； （3） 微影 ： 在透光衬底的一个表面涂布感光材料 ； 在该表面的上方放置光罩， 该光罩上 设有与所述图案相同的图案 ； 曝光 ： 使平。
9、行光经过光罩对感光材料进行选择性的曝光， 使 光罩的图案完整的转移至透光衬底的表面上 ； 显影， 使感光材料获得与光罩图案相同或互 补的图案 ； （4） 在阻障层上沉积 p 焊盘材料 ； （5） 使用托举 (Lift-off) 制程 , 定义 p 焊盘图案 ； （6） 干式蚀刻 ： 以 p 焊盘材料为硬屏蔽 (hard mask) 进行干式蚀刻， 使得 P 电极结构产 生一个与光罩图案相同或互补的图案 ； （7） 进行退火工序以得到奥姆接触 ： 退火的工序在 300-550的炉管中 10 秒至 3 分钟 说 明 书 CN 104064650 A 3 2/2 页 4 或快速热退火炉 1 秒至 1。
10、 分钟中执行。 0011 有益效果 ： 本发明在现有发光二极管 P 电极结构中的 p 电极层与焊盘之间增加了 阻障层， 减小了对准的误差， 使得p电极层、 阻障层与p焊盘完全对齐， 因此提高了生产效率 且降低了产品的不良率。 附图说明 0012 图 1 为本发明一个实施例的结构示意图。 0013 图 2 为现有技术中发光二极管的结构示意图。 具体实施方式 0014 如图 1 所示的一种发光二极管电极结构， 包括发光组件 2， 发光组件 2 下方设有 n 电极层 1， 发光组件 2 上方设有 p 电极层 3， p 电极层 3 上方设有 p 焊盘 5， p 电极层 3 与 p 焊 盘5之间设有阻障。
11、层4， 阻障层4的厚度为0.11m， 阻障层4的材料为钛、 钨、 钽、 钼上述 材料的合金， 例如 TiW、 TaW， 或上述材料的硅化合物、 氮化合物或硅氮化合物， 例如 TiN、 WN、 TaN、 TaSiN、 WSiN、 TWN， p 电极层 3 为金锌合金、 金铍合金或钛铂合金， p 焊盘 5 为钛和铝的 合金、 钛和金的合金或钛、 铝和金的合金， p 焊盘 5 的总厚度为 0.53.0m。生产这种发光 二极管电极结构的工艺， 包括如下步骤 ： （1） 在半导体迭层的窗口层上沉积 p 电极层材料 ； （2） 在 p 电极层上沉积阻障层材料 ； （3） 微影 ： 在透光衬底的一个表面涂布。
12、感光材料 ； 在该表面的上方放置光罩， 该光罩上 设有与所述图案相同的图案 ； 曝光 ： 使平行光经过光罩对感光材料进行选择性的曝光， 使 光罩的图案完整的转移至透光衬底的表面上 ； 显影， 使感光材料获得与光罩图案相同或互 补的图案 ； （4） 在阻障层上沉积 p 焊盘材料 ； （5） 使用托举 (Lift-off) 制程 , 定义 p 焊盘图案 ； （6） 干式蚀刻 ： 以 p 焊盘材料为硬屏蔽 (hard mask) 进行干式蚀刻， 使得 P 电极结构产 生一个与光罩图案相同或互补的图案 ； （7） 进行退火工序以得到奥姆接触 ： 退火的工序在 300-550的炉管中 10 秒至 3 分钟 或快速热退火炉 1 秒至 1 分钟中执行。 说 明 书 CN 104064650 A 4 1/1 页 5 图 1 图 2 说 明 书 附 图 CN 104064650 A 5 。