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1、(10)申请公布号 CN 103092062 A (43)申请公布日 2013.05.08 CN 103092062 A *CN103092062A* (21)申请号 201310031855.6 (22)申请日 2013.01.28 G04G 5/00(2013.01) G04G 3/00(2006.01) G05B 19/042(2006.01) (71)申请人 成都天奥电子股份有限公司 地址 610041 四川省成都市金牛区高科技产 业开发区土桥村九组 (72)发明人 沈卓 (74)专利代理机构 北京超凡志成知识产权代理 事务所 ( 普通合伙 ) 11371 代理人 李世喆 (54) 发。
2、明名称 用于实时时钟芯片的精度调节方法及系统 (57) 摘要 本发明属于电气设备领域， 具体为用于实时 时钟芯片的精度调节方法及系统， 能够有效提高 实时时钟芯片的走时精度。用于实时时钟芯片的 精度调节方法包括 ： 所述实时时钟芯片与频率为 32.768kHz 的石英晶体连接 ； 预先确定所述石英 晶体的实际频率与环境温度的对应关系 ； 该方法 还包括 ： 获取当前的环境温度 ； 根据确定的所述 对应关系、 以及获取的所述当前的环境温度， 确定 所述石英晶体的实际频率 ； 根据所述石英晶体的 实际频率以及石英晶体的标准频率， 获得频率误 差值 ； 根据所述频率误差值， 调节所述石英晶体 的频率。
3、。 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 7 页 附图 5 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书7页 附图5页 (10)申请公布号 CN 103092062 A CN 103092062 A *CN103092062A* 1/2 页 2 1. 用于实时时钟芯片的精度调节方法， 其特征在于， 所述实时时钟芯片与频率为 32.768kHz 的石英晶体连接 ； 预先确定所述石英晶体的实际频率与环境温度的对应关系 ； 该方法还包括 ： 获取当前的环境温度 ； 根据确定的所述对应关系、 以及获取的所述当前的环境温度， 确定所述石英晶体的实 。
4、际频率 ； 根据所述石英晶体的实际频率以及石英晶体的标准频率， 获得频率误差值 ； 根据所述频率误差值， 调节所述石英晶体的频率。 2. 如权利要求 1 所述的用于实时时钟芯片的精度调节方法， 其特征在于， 所述对应关 系为石英晶体的实际频率与环境温度的曲线函数 ； 所述对应关系的确定， 包括 ： 针对每一种当前的环境温度， 测得所述石英晶体的实际频率 ； 根据所有当前的环境温度以及对应的所述实际频率， 拟合得到所述曲线函数。 3. 如权利要求 2 所述的用于实时时钟芯片的精度调节方法， 其特征在于， 所述实际频 率的测得包括 ： 对所述实时时钟芯片输出秒信号的频率进行测量， 得到所述实际频率。
5、。 4. 如权利要求 1 所述的用于实时时钟芯片的精度调节方法， 其特征在于， 该方法进一 步包括 ： 在未检测到电气设备的工作电压信号的情况下， 进入休眠状态 ； 在所述获取当前的环境温度之前， 该方法进一步包括 ： 若接收到所述实时时钟芯片发 送的唤醒脉冲信号， 则进入工作状态， 进而执行所述获取当前的环境温度的步骤 ； 在所述工 作状态下， 若接收到所述实时时钟芯片发送的休眠指令， 则进入所述休眠状态。 5. 如权利要求 4 所述的用于实时时钟芯片的精度调节方法， 其特征在于， 所述实时时 钟芯片每隔 3 分钟发送一个所述唤醒脉冲信号。 6. 如权利要求 1-5 任意一项所述的用于实时时。
6、钟芯片的精度调节方法， 其特征在于， 所述调节所述石英晶体的频率， 包括 ： 根据所述频率误差值， 向所述实时时钟芯片发送频率调节命令 ； 所述实时时钟芯片根据所述频率调节命令， 调节所述石英晶体的频率。 7. 用于实时时钟芯片的精度调节系统， 其特征在于， 包括 ： 实时时钟芯片， 频率为 32.768kHz 的石英晶体， 单片机 ； 所述实时时钟芯片分别与所述石英晶体以及单片机连接 ； 所述单片机， 用于预先确定所述石英晶体的实际频率与环境温度的对应关系 ； 获取当 前的环境温度， 并根据确定的所述对应关系、 以及获取的所述当前的环境温度， 确定所述石 英晶体的实际频率 ； 根据所述石英晶。
7、体的实际频率以及石英晶体的标准频率， 获得频率误 差值 ； 并根据所述频率误差值， 调节所述石英晶体的频率。 8. 如权利要求 7 所述的用于实时时钟芯片的精度调节系统， 其特征在于， 该系统还包括 ： 温度传感器， 用于测得所述当前的环境温度并输送至所述单片机 ； 频 率测定装置， 用于针对每一种所述当前的环境温度， 测得所述石英晶体的实际频率， 并将所 述实际频率输送至单片机 ； 所述单片机包括 ： 拟合模块， 用于根据接收到的所有当前环境温度以及对应的所述实 际频率， 拟合得到石英晶体的实际频率与环境温度的曲线函数 ； 存储模块， 用于保存所述曲 权 利 要 求 书 CN 1030920。
8、62 A 2 2/2 页 3 线函数。 9. 如权利要求 8 所述的用于实时时钟芯片的精度调节系统， 其特征在于， 所述频率测 定装置为频率计数器， 该频率计数器用于对所述实时时钟芯片输出的秒信号的频率进行测 量， 得到所述实际频率。 10. 如权利要求 8 所述的用于实时时钟芯片的精度调节系统， 其特征在于， 所述单片机 还包括状态转换模块， 用于在未检测到电气设备的工作电压信号时， 控制单片机进入休眠 状态 ； 若接收到所述实时时钟芯片发送的唤醒脉冲信号， 控制单片机进入工作状态 ； 在所 述工作状态下， 若接收到所述实时时钟芯片发送的休眠指令， 则控制单片机进入所述休眠 状态。 权 利 。
9、要 求 书 CN 103092062 A 3 1/7 页 4 用于实时时钟芯片的精度调节方法及系统 技术领域 0001 本发明涉及电气设备领域， 尤其涉及用于实时时钟芯片的精度调节方法及系统。 背景技术 0002 实时时钟芯片 （RTC） 广泛应用在电气设备 （例如各种智能终端， 包括 ： 智能电表， 考勤机， 精密时钟， 等） 中， 用于为电气设备提供时间信息 ； RTC应用在上述电气设备中时， 可 提供时钟、 日历、 闹钟等功能。 0003 RTC 的工作电流较小， 且自身携带有工作电池 ； 当 RTC 未检测到电气设备的工作电 压信号时 （即电气设备关机时） ， RTC 依靠自身的工作电。
10、池连续运行 （即连续走时） ， 当 RTC 检 测到电气设备的工作电压信号时 （即电气设备开机时） ， RTC 根据当前运行的时间为电气设 备提供初始化时间信息， 进而持续为电气设备提供稳定的走时。 0004 因为 RTC 是通过连接的频率为 32.768kHz 的石英晶体为其提供走时频率的， 该石 英晶体按照 32.768kHz 的频率向 RTC 发送脉冲信号， 进而触发 RTC 进行走时 ； 然而， 石英晶 体的频率随着环境温度的变化而变化， 因此， 在非恒温环境下， 石英晶体的频率经常变化， 也就使得 RTC 的走时频率不稳定， 进而导致 RTC 的走时精度较差， 一般每个月误差几分钟。。
11、 然而， 随着电气设备的发展， 其对 RTC 的走时精度的要求越来越高， 每个月几分钟的误差已 经不能满足当前的精度要求 ； 而且目前也不存在对 RTC 的走时精度进行调节的方法。 发明内容 0005 本发明提出了用于实时时钟芯片的精度调节方法及系统， 能够有效提高实时时钟 芯片 （RTC） 的走时精度。 0006 为了达到上述目的， 本发明的技术方案是这样实现的 ： 0007 用于实时时钟芯片的精度调节方法， 所述实时时钟芯片与频率为 32.768kHz 的石 英晶体连接 ； 预先确定所述石英晶体的实际频率与环境温度的对应关系 ； 0008 该方法还包括 ： 0009 获取当前的环境温度 ；。
12、 0010 根据确定的所述对应关系、 以及获取的所述当前的环境温度， 确定所述石英晶体 的实际频率 ； 0011 根据所述石英晶体的实际频率以及石英晶体的标准频率， 获得频率误差值 ； 0012 根据所述频率误差值， 调节所述石英晶体的频率。 0013 优选地， 所述对应关系为石英晶体的实际频率与环境温度的曲线函数 ； 0014 所述对应关系的确定， 包括 ： 0015 针对每一种当前的环境温度， 测得所述石英晶体的实际频率 ； 0016 根据所有当前的环境温度以及对应的所述实际频率， 拟合得到所述曲线函数。 0017 优选地， 所述实际频率的测得包括 ： 0018 对所述实时时钟芯片输出秒信。
13、号的频率进行测量， 得到所述实际频率。 说 明 书 CN 103092062 A 4 2/7 页 5 0019 优选地， 该方法进一步包括 ： 在未检测到电气设备的工作电压信号的情况下， 进入 休眠状态 ； 0020 在所述获取当前的环境温度之前， 该方法进一步包括 ： 若接收到所述实时时钟芯 片发送的唤醒脉冲信号， 则进入工作状态， 进而执行所述获取当前的环境温度的步骤 ； 在所 述工作状态下， 若接收到所述实时时钟芯片发送的休眠指令， 则进入所述休眠状态。 0021 优选地， 所述实时时钟芯片每隔 3 分钟发送一个所述唤醒脉冲信号。 0022 优选地， 所述调节所述石英晶体的频率， 包括 。
14、： 0023 根据所述频率误差值， 向所述实时时钟芯片发送频率调节命令 ； 0024 所述实时时钟芯片根据所述频率调节命令， 调节所述石英晶体的频率。 0025 本发明还提供了用于实时时钟芯片的精度调节系统， 包括 ： 实时时钟芯片， 频率为 32.768kHz 的石英晶体， 单片机 ； 所述实时时钟芯片分别与所述石英晶体以及单片机连接 ； 0026 所述单片机， 用于预先确定所述石英晶体的实际频率与环境温度的对应关系 ； 获 取当前的环境温度， 并根据确定的所述对应关系、 以及获取的所述当前的环境温度， 确定所 述石英晶体的实际频率 ； 根据所述石英晶体的实际频率以及石英晶体的标准频率， 获。
15、得频 率误差值 ； 并根据所述频率误差值， 调节所述石英晶体的频率。 0027 优选地， 0028 该系统还包括 ： 该系统还包括 ： 温度传感器， 用于测得所述当前的环境温度并输 送至所述单片机 ； 频率测定装置， 用于针对每一种所述当前的环境温度， 测得所述石英晶体 的实际频率， 并将所述实际频率输送至单片机 ； 0029 所述单片机包括 ： 拟合模块， 用于根据接收到的所有当前环境温度以及对应的所 述实际频率， 拟合得到石英晶体的实际频率与环境温度的曲线函数 ； 存储模块， 用于保存所 述曲线函数。 0030 优选地， 所述频率测定装置为频率计数器， 该频率计数器用于对所述实时时钟芯 片。
16、输出的秒信号的频率进行测量， 得到所述实际频率。 0031 优选地， 所述单片机还包括状态转换模块， 用于在未检测到电气设备的工作电压 信号时， 控制单片机进入休眠状态 ； 若接收到所述实时时钟芯片发送的唤醒脉冲信号， 控制 单片机进入工作状态 ； 在所述工作状态下， 若接收到所述实时时钟芯片发送的休眠指令， 则 控制单片机进入所述休眠状态。 0032 与现有技术相比， 本发明提供的用于实时时钟芯片的精度调节方法及系统， 其中， 实时时钟芯片与频率为 32.768kHz 的石英晶体连接 ； 首先， 预先确定石英晶体的实际频率 与环境温度的对应关系 ； 下面根据确定的对应关系对非恒温环境下石英晶。
17、体的频率进行调 节， 具体地， 获取当前的环境温度， 并根据预先确定的所述对应关系、 以及获取的当前的环 境温度， 确定石英晶体的实际频率 ； 进而根据该实际频率以及石英晶体的标准频率， 得到频 率误差值， 该标准频率为 32.768kHz ； 进而根据该频率误差值， 调节石英晶体的频率， 使石 英晶体当前的频率达到 32.768kHz 这个标准值 ； 这样， 在非恒温环境下， 通过计算得到当前 的环境温度下石英晶体的频率误差值， 并根据该频率误差值调节石英晶体的频率， 使其接 近标准值， 从而使得非恒温环境中每个时刻石英晶体的频率均接近于 32.768kHz， 进而使得 在每一种当前环境温度。
18、下石英晶体的频率趋于稳定值， 这就保障了实时时钟芯片的走时精 度较为稳定， 有效提高了实时时钟芯片的走时精度。 说 明 书 CN 103092062 A 5 3/7 页 6 附图说明 0033 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案， 下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图是本发 明的一些实施例， 对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根 据这些附图获得其他的附图。 0034 图 1 为本发明实施例一提供的一种用于实时时钟芯片的精度调节方法的流程图 ； 0035 图 2 本发明实施例二提供的另一种。
19、用于实时时钟芯片的精度调节方法的流程图 ； 0036 图 3 为本发明实施例二提供的精度调节方法的原理框图 ； 0037 图 4 为本发明实施例三提供的一种用于实时时钟芯片的精度调节系统的模块图 ； 0038 图 5 为本发明实施例四提供的另一种用于实时时钟芯片的精度调节系统的模块 图 ； 0039 图 6 为本发明实施例四提供的精度调节系统的一种优选物理结构示意图。 具体实施方式 0040 为使本发明实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将结合本发明实施例 中的附图， 对本发明实施例中的技术方案进行清楚、 完整地描述， 显然， 所描述的实施例是 本发明一部分实施例， 而不是全部的实施。
20、例。 基于本发明中的实施例， 本领域普通技术人员 在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。 0041 实施例一 0042 本发明实施例一提供了一种用于实时时钟芯片的精度调节方法， 其中， 所述实时 时钟芯片与频率为 32.768kHz 的石英晶体连接， 石英晶体主要用来为实时时钟芯片提供走 时的频率信号， 石英晶体频率的稳定性直接影响到实时时钟芯片的走时精度 ； 参见图 1， 该 方法包括 ： 0043 步骤 S101 ： 预先确定所述石英晶体的实际频率与环境温度的对应关系 ； 0044 步骤 S102 ： 获取当前的环境温度 ； 0045 步骤 S103 。
21、： 根据确定的所述对应关系、 以及获取的所述当前的环境温度， 确定所 述石英晶体的实际频率 ； 0046 步骤 S104 ： 根据所述石英晶体的实际频率以及石英晶体的标准频率， 获得频率误 差值 ； 0047 步骤 S105 ： 根据所述频率误差值， 调节所述石英晶体的频率。 0048 本发明实施例一提供的用于实时时钟芯片的精度调节方法， 其中， 实时时钟芯片 与频率为 32.768kHz 的石英晶体连接 ； 首先， 预先确定石英晶体的实际频率与环境温度的 对应关系 ； 下面根据确定的对应关系对非恒温环境下石英晶体的频率进行调节， 具体地， 获 取当前的环境温度， 并根据预先确定的所述对应关系。
22、、 以及获取的当前的环境温度， 确定石 英晶体的实际频率 ； 进而根据该实际频率以及石英晶体的标准频率， 得到频率误差值， 该标 准频率为 32.768kHz ； 进而根据该频率误差值， 调节石英晶体的频率， 使石英晶体当前的频 率达到 32.768kHz 这个标准值 ； 这样， 在非恒温环境下， 通过计算得到当前的环境温度下石 英晶体的频率误差值， 并根据该频率误差值调节石英晶体的频率， 使其接近标准值， 从而使 说 明 书 CN 103092062 A 6 4/7 页 7 得非恒温环境中每个时刻石英晶体的频率均接近于 32.768kHz， 进而使得在每一种当前环 境温度下石英晶体的频率趋于。
23、稳定值， 这就保障了实时时钟芯片的走时精度较为稳定， 有 效提高了实时时钟芯片的走时精度。 0049 为了进一步说明上述实施例一提供的用于实时时钟芯片的精度调节方法所带来 的较佳效果， 下面给出该调节方法的一种优选实施方式， 请参见实施例二。 0050 实施例二 0051 本发明实施例二提供了另一种用于实时时钟芯片的精度调节方法， 该方法中， 采用 STM32F103T 单片机实现上述实施例一中的操作， RTC 采用 ISL1208， 采用分辨率为 0.03125 C、 静态电流为 1A 的温度传感器 ADT7301 测得环境温度并输送至单片机， 以及 频率为 32.768kHz 的石英晶体为。
24、实时时钟芯片提供走时频率的脉冲信号 ； 其中， 参见图 3， 单片机 301 与温度传感器 302 通过串行外设接口 （SPI） 连接， RTC303 外接 32.768kHz 的石 英晶体 304， RTC 还通过集成电路总线 （I2C） 连接单片机 301 ； 此外， RTC 还通过输出引脚对 外连接频率计数器， 用来向频率计数器输出秒信号 ； RTC 还通过 I2C 对外连接数字设备， 用 于输出时间信息 ； 0052 该方法主要包括两个阶段 ： 产品制造阶段和产品使用阶段， 在产品制造阶段需要 确定石英晶体的实际频率与环境温度的对应关系， 在产品使用阶段需要根据对应关系以及 获取的当前。
25、的环境温度对石英晶体的频率进行调节 ； 其中， 对应关系在产品制造阶段确定 后则保存在单片机中， 在产品使用阶段该对应关系不再变化 ； 0053 具体地， 参见图 2， 该方法包括 ： 0054 步骤 201 ： 在某一当前的环境温度下， 对实时时钟芯片输出秒信号的频率进行测 量， 得到石英晶体的实际频率 ； 0055 优选地， 可以在 RTC 外连接频率计数器， 在每一种当前的环境温度下， 均通过频率 计数器测得 RTC 输出的秒脉冲的频率， 进而得到石英晶体的实际频率， 从而得到非恒温环 境中各种当前的环境温度下石英晶体的实际频率的一组数据 ； 0056 步骤 202 ： 将上述测得的石英。
26、晶体的实际频率以及对应的当前的环境温度输送至 单片机 ； 0057 步骤 203 ： 单片机将接收到的所有实际频率以及对应的当前的环境温度， 按照温 度由低到高的顺序保存到数据表中 ； 0058 步骤 204 ： 单片机将所述数据表中的数据拟合成以频率和温度为参数的曲线函 数， 并存储至掉电保存存储器 （E2PROM） 中 ； 0059 上述步骤201-步骤204是在产品制造阶段完成的， 实现了预先确定石英晶体的实 际频率与环境温度的对应关系， 其中， 该对应关系即为石英晶体的实际频率与当前的环境 温度的曲线函数 ； 0060 下面则需要应用该曲线函数对非恒温环境下石英晶体的频率进行调节 ； 。
27、0061 步骤 205 ： 若未检测到电气设备的工作电压信号， 单片机进入休眠状态 ； 0062 也就是说， 当电气设备关机， RTC 依靠自身的工作电池进行走时的情况下， 单片机 一直处于休眠状态， 不进行温度测定、 频率误差计算以及频率调节等的操作 ； 0063 步骤 206 ： 单片机判断是否接收到 RTC 发送的唤醒脉冲信号， 是则进入工作状态 ； 0064 其中， RTC 每隔 3 分钟向单片机发送一个唤醒脉冲信号， 以将单片机由休眠状态转 说 明 书 CN 103092062 A 7 5/7 页 8 换至工作状态 ； 0065 在电池供电时， 单片机绝大部分时间处于休眠状态， 在被。
28、实时时钟芯片输出的周 期性唤醒脉冲唤醒后， 进入工作状态， 进行下述步骤中的温度测量、 频率补偿运算和补偿操 作， 保持 RTC 的准确运行 ； 工作状态下， 实时时钟对外输出秒信号， 外部数字设备可通过 I2C 总线读取实时时钟的时间信息， 和相关的控制操作 ； 0066 单片机在休眠状态下只能接收 I2C 传输的唤醒命令， 不能接收其它命令， 唤醒后 立即检查工作电压， 具体处理包括以下两种情况 ： 0067 1、 若工作电压正常就进入工作状态并保持， 直到工作电压为 0 或收到 I2C 数据总 线发来的休眠指令 ； 也就是说， 在工作状态下， 完成上述温度测量、 频率补偿运算和补偿操 作。
29、后， 若接收到实时时钟芯片发送的休眠指令， 则又进入休眠状态， 进一步降低功耗 ； 0068 2、 若工作电压为 0， 则立即回到休眠状态 ； 0069 步骤 207 ： 单片机向温度传感器发送温度测量命令 ； 0070 步骤 208 ： 温度传感器在接收到单片机发送的温度测量命令后， 测得当前的环境 温度， 并发送至单片机 ； 0071 步骤 209 ： 单片机根据接收到的当前的环境温度以及曲线函数， 运算得到石英晶 体的实际频率， 进而由该实际频率与 32.768kHz 这个标准频率之间的差值得到频率误差 值 ； 0072 具体地， 上述曲线函数是以频率和温度作为参数的函数， 将获取的当前。
30、的环境温 度作为参数值带入曲线函数中， 则可以计算得到当前的环境温度下石英晶体的实际频率， 该实际频率即为石英晶体频率的真值 ； 并由该真值与 32.768kHz 这一标准值计算得到频率 误差值 ； 0073 步骤 210 ： 单片机根据该频率误差值生成频率调节命令， 并将该频率调节命令输 送至 RTC ； 0074 步骤 211 ： RTC 根据接收到的频率调节命令， 调节石英晶体的频率 ； 调节完成后， 若 未检测到工作电压， 则单片机进入休眠状态。 0075 其中， RTC 根据频率调节命令中携带的频率误差值， 将石英晶体的频率调节至 32.768kHz， 当然在调节过程中会存在难以避免。
31、的较小误差， 但是仍然使得在非恒温环境下 石英晶体的频率都趋向于 32.768kHz， 也就使得石英晶体的频率趋向于稳定值 ； 进而保障 了 RTC 的走时频率趋向于稳定值， 有效提高了 RTC 的走时精度 ； 0076 而且， 当 RTC 应用在各种智能终端设备上时， 例如智能电表、 考勤机、 精密时钟等， 经过实际电路测试， 在 0 50的环境温度范围内， RTC 的走时精度可达到一个月仅误差 1 秒 ； 0077 此外， 本实施例中， 单片机还采用了降低功耗的处理方法 ； 具体地， 单片机在接收 到 RTC 发送的唤醒脉冲信号后才进行温度测定、 频率误差计算以及频率调节等操作， 而在 未。
32、检测到电气设备的工作电压信号时， 单片机进入休眠状态 ； 例如在工作电压为 3.3V 的情 况下， 休眠状态时单片机的工作电流为 1A， 工作状态时单片机的工作电流为 1mA， 一般工 作状态的持续时间为 0.2 秒， 这样在每个唤醒周期内单片机的平均工作电流为 1.11A ； 因 此， 在精度调节过程中， 主要有三个装置需要消耗电能， 其中， RTC 的电流为 1A、 单片机的 平均工作电流为 1.11A、 温度传感器的电流为 1A， 这三部分的电能消耗则实现了精度 说 明 书 CN 103092062 A 8 6/7 页 9 的调节过程 ； 由上可知， 精度调节过程中工作电流较小， 因此功。
33、耗较小， 节约了成本 ； 0078 而且， 在频率调节过程中， RTC还可以通过I2C对外输出时间信息， 从而用户可根据 输出的时间判断出时间的走时精度， 以方便用户对整个精度调节的准确性进行评估 ； 当然， RTC 本身还可以通过 I2C 接收外部的时间设置信息， 以对当前运行的时间进行调整。 0079 实施例三 0080 针对实施例一， 本发明实施例三提供了一种用于实时时钟芯片的精度调节系统， 具体地， 参见图 4， 该系统包括 ： 0081 实时时钟芯片 1， 频率为 32.768kHz 的石英晶体 2， 单片机 3 ； 所述实时时钟芯片 1 分别与所述石英晶体 2 以及单片机 3 连接。
34、 ； 0082 所述单片机 3， 用于预先确定所述石英晶体 2 的实际频率与环境温度的对应关系 ； 获取当前的环境温度， 确定所述石英晶体的实际频率 ； 根据所述石英晶体的实际频率以及 石英晶体的标准频率， 获得频率误差值 ； 并根据所述频率误差值， 调节所述石英晶体 2 的频 率。 0083 实施例四 0084 针对实施例二， 本发明实施例四提供了另一种用于实时时钟芯片的精度调节系 统， 该系统中， 采用STM32F103T单片机实现精度调节， RTC采用ISL1208， 温度测量装置采用 分辨率为 0.03125 C、 静态电流为 1A 的温度传感器 ADT7301， 以及频率为 32.7。
35、68kHz 的 石英晶体 ； 图 6 给出了该系统的物理结构示意图， 其中， 601-STM32F103T， 602-32.768kHz 晶 体， 603-ISL1208， 604-ADT7301， 四个装置集成在印刷电路板上 ； 0085 具体地， 参见图 5， 该系统包括 ： 频率测定装置 51， 单片机 52， 温度传感器 53， RTC54， 石英晶体 55 ； 0086 频率测定装置 51， 与单片机 53 连接， 用于在某一当前的环境温度下， 对实时时钟 芯片输出秒信号的频率进行测量， 得到石英晶体的实际频率 ； 并将上述测得的石英晶体的 实际频率以及对应的当前的环境温度输送至单片。
36、机 53 ； 优选地， 该频率测定装置 51 为频 率计数器， 该频率计数器是一种通用的频率、 周期、 时差测量仪器， 如 Agilent 的 53131A、 53132 等 ； 0087 温度传感器 52， 与单片机 53 连接， 用于测定当前的环境温度并发送至单片机 53 ； 0088 单片机 53， 包括 ： 接口 531， 数据表 532， 拟合模块 533， 存储器 534， 状态转换模块 535， 频率误差模块 536， 频率调节命令模块 537 ； 具体地， 0089 接口531， 用于接收频率测定装置51发送的所有实际频率以及温度传感器52发送 的与该实际频率对应的当前的环境温。
37、度 ； 0090 数据表 532， 用于按照温度由低到高的顺序保存所有实际频率以及对应的当前的 环境温度 ； 0091 拟合模块 533， 用于将所述数据表中的数据拟合成以频率和温度为参数的曲线函 数 ； 0092 存储器 534， 用于存储所述曲线函数 ； 优选地， 该存储器为掉电保存存储器 （E2PROM） ； 0093 状态转换模块 535， 用于在未检测到电气设备的工作电压信号时， 控制单片机进入 休眠状态 ； 若接收到 RTC 发送的唤醒脉冲信号， 则控制单片机进入工作状态 ； 在所述工作状 说 明 书 CN 103092062 A 9 7/7 页 10 态下， 若接收到 RTC 发。
38、送的休眠指令， 则控制单片机进入休眠状态 ； 0094 相应地， 接口 531 进一步用于在接收到唤醒脉冲信号后， 向温度传感器 52 发送温 度测量命令 ； 0095 进而， 温度传感器 52， 进一步用于在接收到单片机 53 发送的温度测量命令后， 测 得当前环境温度， 并发送至单片机 53 ； 0096 相应地， 单片机 53， 还包括 ： 0097 频率误差模块 536， 用于根据接收到的当前的环境温度以及曲线函数， 运算得到石 英晶体的实际频率， 进而由该实际频率与 32.768kHz 这个标准频率之间的差值得到频率误 差值 ； 0098 频率调节命令模块 537， 用于根据该频率误。
39、差值生成频率调节命令， 并将该频率调 节命令输送至 RTC54 ； 0099 RTC54， 分别与单片机 53 和石英晶体 55 连接， 包括 ： 秒信号输出模块 541， 唤醒脉 冲信号模块 542， 频率调节模块 543 ； 0100 秒信号输出模块 541， 用于向频率测定装置 51 输出标准的秒脉冲信号， 以供频率 测定装置 51 对 RTC 输出秒脉冲信号的频率进行测量， 得到石英晶体的实际频率 ； 0101 唤醒脉冲信号模块 542， 用于定时生成唤醒脉冲信号， 并发送至单片机 53 ； 优选 地， 唤醒脉冲信号的生成间隔时间为 3 分钟 ； 0102 频率调节模块 543， 用于。
40、接收单片机发送的频率调节命令， 并根据该频率调节命令 中携带的频率误差值， 调节石英晶体 55 的频率 ； 0103 RTC 还包括 ： 时间信息输出模块 544， 时间设置模块 545 ； 0104 时间信息输出模块 544， 用于通过 I2C 对外输出时间信息 ； 0105 进而， 用户可根据输出的时间判断出时间的走时精度， 以方便用户对整个精度调 节的准确性进行评估 ； 0106 时间设置模块 545， 用于通过 I2C 接收外部的时间设置信息， 以对当前运行的时间 进行调整。 0107 本领域普通技术人员可以理解 ： 实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过 程序指令相关的硬件来完成。
41、， 前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中， 该程序 在执行时， 执行包括上述方法实施例的步骤 ； 而前述的存储介质包括 ： ROM、 RAM、 磁碟或者 光盘等各种可以存储程序代码的介质。 0108 最后应说明的是 ： 以上实施例仅用以说明本发明的技术方案， 而非对其限制 ； 尽 管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明， 本领域的普通技术人员应当理解 ： 其依然 可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改， 或者对其中部分技术特征进行等同替 换 ； 而这些修改或者替换， 并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精 神和范围。 说 明 书 CN 103092062 A 10 1/5 页 11 图 1 说 明 书 附 图 CN 103092062 A 11 2/5 页 12 图 2 说 明 书 附 图 CN 103092062 A 12 3/5 页 13 图 3 图 4 说 明 书 附 图 CN 103092062 A 13 4/5 页 14 图 5 说 明 书 附 图 CN 103092062 A 14 5/5 页 15 图 6 说 明 书 附 图 CN 103092062 A 15 。