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1、(10)申请公布号 CN 103038908 A (43)申请公布日 2013.04.10 CN 103038908 A *CN103038908A* (21)申请号 201080068373.2 (22)申请日 2010.08.06 H01L 51/50(2006.01) H05B 33/10(2006.01) H05B 33/12(2006.01) H05B 33/22(2006.01) H05B 33/26(2006.01) (71)申请人 松下电器产业株式会社 地址 日本大阪府 (72)发明人 西山诚司 (74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 段承恩 徐健 (5。
2、4) 发明名称 发光元件、 具备发光元件的发光装置以及发 光元件的制造方法 (57) 摘要 本发明的目的在于提供一种具有良好的发光 特性的发光元件、 具备该发光元件的发光装置以 及发光元件的制造方法。具体而言， 构成有机 EL 元件 10a、 10b、 10c， 其在第 1 电极 2 与第 2 电极 8 之间至少层叠有空穴注入层4和发光层6、 且在由 堤 5 规定的区域存在发光层 6。在此， 将空穴注入 层 4 形成为在由堤 5 规定的区域上面下沉的凹入 构造。空穴注入层 4 的凹入构造的凹部的边缘 4c 由堤 5 的一部分覆盖。 (85)PCT申请进入国家阶段日 2013.01.31 (86。
3、)PCT申请的申请数据 PCT/JP2010/004962 2010.08.06 (87)PCT申请的公布数据 WO2012/017491 JA 2012.02.09 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 9 页 附图 8 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 9 页 附图 8 页 1/2 页 2 1.一种发光元件， 所述发光元件在第1电极与第2电极之间至少夹插有电荷注入层、 电 荷输送层和发光层的层叠体， 并且由堤规定其形状， 所述电荷注入层在由所述堤规定的区域中形成为上面下沉的凹入构造， 所述电荷注入层的凹入构造的凹部的边。
4、缘由所述堤的一部分覆盖， 所述电荷输送层形成为其边缘与由所述堤的一部分覆盖的所述电荷注入层的所述凹 部的所述下沉的部分对向。 2. 如权利要求 1 所述的发光元件， 所述电荷输送层与所述堤的覆盖所述电荷注入层的凹部的边缘的覆盖部接触。 3. 如权利要求 1 所述的发光元件， 所述电荷输送层形成在通过由所述堤规定的区域中所述电荷注入层的所述凹部的所 述下沉的部分和所述堤的覆盖所述电荷注入层的凹部的边缘的覆盖部包围的区域。 4. 如权利要求 1 所述的发光元件， 构成所述电荷注入层的材料为被在形成所述堤时所使用的液体侵蚀的材料。 5. 如权利要求 4 所述的发光元件， 所述液体为水或 TMAH 溶。
5、液。 6. 如权利要求 1 所述的发光元件， 构成所述电荷注入层的材料为金属氧化物、 金属氮化物或金属氮氧化物。 7. 如权利要求 1 所述的发光元件， 所述堤的一部分到达所述电荷注入层的凹入构造的凹部的底面， 所述堤的侧面从到达 所述凹部底面的到达点到顶点为上升斜面。 8. 如权利要求 1 所述的发光元件， 所述堤的一部分没有到达所述电荷注入层的凹入构造的凹部的底面。 9. 如权利要求 1 所述的发光元件， 所述堤包含具有绝缘性的材料。 10. 如权利要求 1 所述的发光元件， 所述发光层为有机 EL 层。 11. 如权利要求 1 所述的发光元件， 所述电荷注入层沿着所述堤的底面向所述堤的侧。
6、方延伸出去。 12. 如权利要求 1 所述的发光元件， 所述电荷注入层的所述凹部的边缘为由在所述电荷注入层的上面没有凹入的区域和 所述凹部的侧面形成的凸角部分。 13. 一种发光装置， 具备多个权利要求 1 12 的任一项所述的发光元件。 14. 一种发光元件的制造方法， 所述发光元件在第 1 电极与第 2 电极之间， 至少夹插有 电荷注入层、 电荷输送层和发光层的层叠体， 并且由堤规定其形状， 所述制造方法包括 ： 形成所述电荷注入层的工序 ； 在所述电荷注入层上形成由构成堤的材料构成的堤材料层的工序 ； 除去所述堤材料层的一部分使所述电荷注入层的一部分露出的工序 ； 对所述电荷注入层上的所。
7、述堤材料层的残留部实施热处理的工序 ； 在所述热处理工序后， 在所述露出的所述电荷注入层上形成电荷输送层的工序 ； 和 权 利 要 求 书 CN 103038908 A 2 2/2 页 3 在形成的所述电荷输送层上形成发光层的工序， 所述电荷注入层由被在所述电荷注入层的一部分露出的状态下所使用的液体侵蚀的 材料构成， 所述电荷注入层的露出面， 通过所述液体的侵蚀而形成为从所述堤材料层的残留部底 面的水平面下沉的凹入构造， 在所述热处理工序中， 通过对所述堤材料层的残留部赋予流动性， 使构成所述堤的材 料从所述残留部延伸到所述凹入构造的凹部的边缘， 在所述电荷输送层形成工序中， 所述电荷输送层形。
8、成为其边缘与由所述堤材料层的一 部分覆盖的所述电荷注入层的所述凹部的露出面对向。 权 利 要 求 书 CN 103038908 A 3 1/9 页 4 发光元件、 具备发光元件的发光装置以及发光元件的制造 方法 技术领域 0001 本发明涉及发光元件、 具备发光元件的发光装置以及发光元件的制造方法。 背景技术 0002 近年来， 研究、 开发不断进展的有机电致发光元件 （下面， 记载为 “有机 EL 元件” 。 ） 是利用了有机材料的场致发光现象的发光元件。有机 EL 元件具有在第 1 电极 （阳极） 与第 2 电极 （阴极） 之间夹插有发光层的结构。在发光层的侧方形成有由绝缘材料构成的堤， 。
9、通 过该堤规定发光层的形状。在第 1 电极与发光层之间， 例如根据需要夹插有空穴注入层， 在 第 2 电极与发光层之间， 根据需要夹插有电子注入层 （下面， 将空穴注入层以及电子注入层 总称并记载为 “电荷注入层” ） 。 0003 在以往的有机 EL 元件中， 使用 PEDOT（聚噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物） 等的导 电性高分子材料形成了电荷注入层， 但提出了使用过渡金属氧化物等的金属化合物形成电 荷注入层的方案 （例如参照专利文献 1 等） 。金属化合物与 PEDOT 相比， 其电压 - 电流密度 特性优异， 另外， 认为即使在使大电流流动而提高发光强度的情况下也不容易劣化。因此， 金属化。
10、合物在电荷注入层的利用备受期待。 0004 现有技术文献 0005 专利文献 1 ： 日本特开 2005-203339 号公报 发明内容 0006 发明要解决的课题 0007 但是， 在如上所述作为电荷注入层应用了金属化合物的结构中， 也需要对发光特 性谋求进一步改善。 0008 因此， 本发明的目的在于提供一种具有良好的发光特性的发光元件、 具备发光元 件的发光装置以及发光元件的制造方法。 0009 用于解决问题的手段 0010 作为本发明的一个技术方案的发光元件， 所述发光元件在第 1 电极与第 2 电极之 间至少夹插有电荷注入层、 电荷输送层和发光层的层叠体， 并且由堤规定其形状， 所述。
11、电荷 注入层在由所述堤规定的区域形成为上面下沉的凹入构造， 所述电荷注入层的凹入构造的 凹部的边缘由所述堤的一部分覆盖， 所述电荷输送层形成为其边缘与由所述堤的一部分覆 盖的所述电荷注入层的所述凹部的所述下沉的部分对向。 0011 发明的效果 0012 根据上述结构， 形成于电荷注入层的凹部的边缘由堤的一部分覆盖， 因此能够抑 制发光时电场集中于凹部的边缘， 其结果， 能够抑制经由电荷输送层在发光层局部流动电 流。因此， 能够抑制发光面内的辉度不均， 能够进一步改善发光特性。 说 明 书 CN 103038908 A 4 2/9 页 5 附图说明 0013 图 1 是用于说明得到本发明的一个技。
12、术方案的经过的剖面图。 0014 图 2 是表示本发明的实施方式涉及的有机 EL 显示器的一部分的俯视图。 0015 图3是示意表示本发明的实施方式涉及的有机EL显示器的一部分剖面的剖面图。 0016 图 4 是图 3 中由一点划线包围的 B 部的放大剖面图。 0017 图 5 是说明本发明的实施方式涉及的有机 EL 显示器的制造方法的工序图。 0018 图 6 是说明本发明的实施方式涉及的有机 EL 显示器的制造方法的工序图。 0019 图 7 是说明本发明的实施方式涉及的有机 EL 显示器的制造方法的工序图。 0020 图 8 是示意表示本发明的变形例涉及的有机 EL 显示器的一部分剖面的。
13、剖面图。 0021 图 9 是说明本发明的变形例涉及的有机 EL 显示器的制造方法的工序图。 0022 图 10 是示意表示本发明的变形例涉及的有机 EL 显示器的一部分剖面的剖面图。 0023 图 11 是表示本发明的变形例涉及的有机 EL 显示器的一部分的俯视图。 具体实施方式 0024 （得到本发明的一个技术方案的经过） 0025 本发明人， 对于在 “背景技术” 一栏中记载的应用了金属化合物的有机 EL 元件， 通 过锐意研究新发现了 ： 由于发光面内产生辉度不均和 / 或局部劣化存在会导致的寿命降低 的可能性。 0026 并且， 本发明人对这点进行不断研究， 结果得到了下面的见解。 。
14、0027 图 1 是表示有机 EL 显示器的制造工序的剖面图。图 1（a） 示出了在 TFT 基板 1 上形成有第 1 电极 2、 ITO 层 3、 空穴注入层 4 以及堤 5 的状态。另外， 图 1（b） 示出了还形 成有发光层 6、 电子注入层 7、 第 2 电极 8 以及封止层 9 的状态。 0028 根据在电荷注入层 （在该例中为空穴注入层 4） 应用了金属化合物的结构， 在堤 5 的形成过程中在空穴注入层 4 的上面形成了凹部 4a（参照图 1（a） ） 。在该状态下形成发 光层 6B 的情况下 （参照图 1（b） ） ， 在发光时电场会集中到凹部的边缘 4c 附近。其结果， 有 时。
15、电流会在发光层 6B 局部流动， 由于产生该局部的电流， 有可能会发生由发光面内的辉度 不均和 / 或局部劣化导致的短寿命化的问题。 0029 认为上述问题以及见解是应用了金属化合物的有机 EL 元件所特有的， 并且在此 之前并没有得到明确， 在这一点上具有技术上的意义。 0030 如上所述， 通过一系列的研究以及探讨， 本发明人想到了如下所述的技术特征 ： 通 过堤的一部分覆盖形成于电荷注入层的凹部的边缘， 从而抑制发光时在凹部边缘附近的电 荷集中， 其结果， 抑制发光层中流动局部电流。 0031 （发明的一个技术方案的概要） 0032 作为本发明的一个技术方案的发光元件， 所述发光元件在第。
16、 1 电极与第 2 电极之 间至少夹插有电荷注入层、 电荷输送层和发光层的层叠体， 并且由堤规定其形状， 所述电荷 注入层在由所述堤规定的区域形成为上面下沉的凹入构造， 所述电荷注入层的凹入构造的 凹部的边缘由所述堤的一部分覆盖， 所述电荷输送层形成为其边缘与由所述堤的一部分覆 盖的所述电荷注入层的所述凹部的所述下沉的部分对向。 0033 根据上述结构， 形成于电荷注入层的凹部的边缘由堤的一部分覆盖， 因此能够抑 说 明 书 CN 103038908 A 5 3/9 页 6 制发光时电场集中于凹部的边缘， 其结果， 能够抑制在发光层局部流动电流。因此， 能够抑 制发光面内的辉度不均， 能够进一。
17、步改善发光特性。 0034 另外， 也可以为如下结构 ： 所述电荷输送层与所述堤的覆盖所述电荷注入层的凹 部的边缘的覆盖部接触。 0035 另外， 也可以为如下结构 ： 所述电荷输送层形成在通过由所述堤规定的区域中的 所述电荷注入层的所述凹部的所述下沉的部分和所述堤的覆盖所述电荷注入层的凹部的 边缘的覆盖部包围的区域。 0036 另外， 构成所述电荷注入层的材料可以为被在形成所述堤时所使用的液体侵蚀的 材料。 0037 在该情况下， 作为本发明的另一技术方案， 所述液体也可以为水或 TMAH 溶液。由 此， 在形成堤的工序中， 不必特别追加工序就能够形成凹部。 0038 另外， 构成所述电荷注。
18、入层的材料可以为金属氧化物、 金属氮化物或金属氮氧化 物。这些材料一般是亲水性的。因此， 能够在形成堤的工序中的以纯净水进行的洗净工序 中形成凹部。 0039 另外， 可以为 ： 所述堤的一部分到达所述电荷注入层的凹入构造的凹部的底面， 所 述堤的侧面从到达所述凹部底面的到达点到顶点为上升斜面。由此， 在通过喷墨法等印刷 技术形成发光层的情况下， 能够使墨容易进入到由堤规定的区域内的各角落， 能够抑制空 隙 （void） 等的产生。 0040 另外， 所述堤的一部分也可以没有到达所述电荷注入层的凹入构造的凹部的底 面。 考虑如下情况 ： 要使凹部的边缘由堤的一部分覆盖， 例如通过对堤材料实施热。
19、处理来使 堤材料流动， 使凹部的边缘由堤材料的一部分覆盖。 根据上述结构， 可以无需使堤材料流动 至凹部底面， 因此能够将热处理的温度和时间设为低温且短时间。 0041 另外， 所述堤可以包含具有绝缘性的材料。由此， 能够使相邻的发光层彼此绝缘。 0042 另外， 所述发光层可以为有机 EL 层。 0043 另外， 所述电荷注入层可以沿着所述堤的底面向所述堤的侧方延伸出去。 0044 另外， 所述电荷注入层的凹部的边缘可以为由在所述电荷注入层的上面没有凹入 的区域和所述凹部的侧面形成的凸角部分。 0045 作为本发明的一个技术方案的发光装置， 具备多个上述的发光元件。 0046 另外， 作为本。
20、发明的一个技术方案的发光元件的制造方法， 所述发光元件在第 1 电极与第 2 电极之间， 至少夹插有电荷注入层、 电荷输送层和发光层的层叠体， 并且由堤规 定其形状， 所述制造方法包括 ： 形成所述电荷注入层的工序 ； 在所述电荷注入层上形成由 构成堤的材料构成的堤材料层的工序 ； 除去所述堤材料层的一部分使所述电荷注入层的一 部分露出的工序 ； 对所述电荷注入层上的所述堤材料层的残留部实施热处理的工序 ； 在所 述热处理工序后， 在所述露出的电荷注入层上形成电荷输送层的工序 ； 和在形成的所述电 荷输送层上形成发光层的工序， 所述电荷注入层由被在所述电荷注入层的一部分露出的状 态下所使用的液。
21、体侵蚀的材料构成， 所述电荷注入层的露出面， 通过所述液体的侵蚀而形 成为从所述堤材料层的残留部底面的水平面下沉的凹入构造， 在所述热处理工序中， 通过 对所述堤材料层的残留部赋予流动性， 使构成所述堤的材料从所述残留部延伸到所述凹入 构造的凹部的边缘， 在所述电荷输送层形成工序中， 所述电荷输送层形成为其边缘与由所 说 明 书 CN 103038908 A 6 4/9 页 7 述堤材料层的一部分覆盖的所述电荷注入层的所述凹部的露出面对向。 0047 下面， 参照附图对用于实施本发明的技术方案进行详细说明。 在此， 作为发光元件 以在发光层使用了有机 EL 材料的有机 EL 元件为例、 作为具。
22、备多个发光元件的发光装置以 有机 EL 显示器为例进行说明。另外， 各附图中的部件的比例尺与实际不同。 0048 （概略构成） 0049 图 2 是表示本发明的实施方式涉及的有机 EL 显示器的一部分的俯视图。 0050 有机 EL 显示器 100 为将具备 RGB 的任一方的发光层的有机 EL 元件 10a、 10b、 10c 呈矩阵状配置而成的顶部发射型的有机 EL 显示器。各有机 EL 元件作为子像素起作用， 以 RGB 的 3 色的有机 EL 元件为一组而作为像素起作用。 0051 在图 2 的例子中， 采用了井字格状的像素堤 55， 通过在 Y 轴方向延伸的堤要素 55a 将在 X 。
23、轴方向相邻的发光层 56a1、 56b1、 56c1 划分开， 并且将发光层 56a2、 56b2、 56c2 划分 开。 0052 另一方面， 通过在X方向延伸的堤要素55b将在Y轴方向相邻的发光层56a1、 56a2 划分开， 将发光层 56b1、 56b2 划分开， 并且将发光层 56c1、 56c2 划分开。 0053 图3是示意表示本发明的实施方式涉及的有机EL显示器的一部分剖面的剖面图， 示出了图 2 的 A-A 的剖面。图 4 是图 3 中由一点划线包围的 B 部的放大剖面图。 0054 在 TFT 基板 1（下面简称为 “基板 1” ） 上， 呈矩阵状形成有作为阳极的第 1 电。
24、极 2， 在第 1 电极 2 上按顺序层叠有 ITO（氧化铟锡） 层 3、 空穴注入层 4、 空穴输送层 6A。另外， 相对于 ITO 层 3 仅在第 1 电极 2 上层叠， 空穴注入层 4 则不仅在第 1 电极 2 上而是遍及基 板 1 的整个上面而形成。 0055 在第1电极2的周边上部隔着空穴注入层4形成有堤5， 在由堤5规定的区域内层 叠有空穴输送层 6A 以及发光层 6B。而且， 在发光层 6B 上， 电子注入层 7、 作为阴极的第 2 电极 8 以及封止层 9 分别形成为超过由堤 5 规定的区域并与相邻的有机 EL 元件 10a、 10b、 10c 的电子注入层 7、 作为阴极的第。
25、 2 电极 8 以及封止层 9 连续。 0056 （各部构成） 0057 基板 1 是由例如无碱玻璃、 钠钙玻璃 (soda glass)、 无荧光玻璃、 磷酸系玻璃、 硼 酸系玻璃、 石英、 丙烯酸系树脂 （acrylic resin） 、 苯乙烯系树脂、 聚碳酸酯系树脂、 环氧系 树脂、 聚乙烯、 聚酯、 硅系树脂或者氧化铝 (alumina) 等绝缘性材料形成。 0058 第 1 电极 2 由 Ag（银） 形成。另外， 第一电极 2 可以由例如 APC（银、 钯、 铜的合 金） 、 ARA（银、 铷、 金的合金） 、 MoCr（钼与铬的合金） 、 NiCr（镍与铬的合金） 等形成。在顶部。
26、 发射型的发光元件的情况下， 优选由高反射性的材料形成。 0059 ITO 层 3 介于第 1 电极 2 和空穴注入层 4 之间， 具有使各层间的接合性良好的功 能。 0060 空穴注入层 4 由 WOx（氧化钨） 或者 MoxWyOz（钼钨氧化物） 形成。另外， 空穴注入 层 4 只要是由具备空穴注入功能的金属化合物形成即可， 作为这样的金属化合物， 举例有 例如金属氧化物、 金属氮化物或者金属氮氧化物。 0061 在空穴注入层 4 由特定的金属化合物形成的情况下， 能够容易地注入空穴， 在发 光层 6B 内电子有效地有助于发光， 因此能够得到良好的发光特性。作为所述特定的金属化 合物， 优。
27、选过渡金属。过渡金属能够通过取多个氧化数而取多个能级， 其结果， 空穴注入变 说 明 书 CN 103038908 A 7 5/9 页 8 得容易， 能够降低驱动电压。 0062 如图 4 所示， 空穴注入层 4 沿着堤 5 的底面 5a、 5b 向侧方延伸出去， 并且上面的一 部分凹入而形成凹部 4a。作为凹部 4a 的内底面部的底面 4b， 比堤底面 5a 的水平面 5c 下 沉。凹部 4a 由底面 4b 和与其连接的作为内侧面部的侧面 4d 构成， 凹部 4a 的深度大致为 5nm 30nm 左右。凹部的边缘 4c 为由在空穴注入层 4 的上面没有凹入的区域 4e 和凹部的 侧面 4d 。
28、形成的凸角部分， 由作为堤 5 的一部分的覆盖部 5d 覆盖。 0063 凹部的边缘 4c 相对于凹部的底面 4b 突出， 所以如果凹部的边缘 4c 没有被绝缘性 的覆盖部 5d 覆盖， 则会在此处发生电场集中， 经由电荷输送层 6A 在发光层 6B 局部地流动 电流， 其结果， 产生由在发光面内的辉度不均和 / 或发光层 6B 的局部劣化所导致的产品的 短寿命化的问题。然而， 在本实施方式中， 因为凹部的边缘 4c 被绝缘性的覆盖部 5d 覆盖， 所以能够抑制产生这种问题。另外， 为了有效地抑制电场集中， 优选将覆盖部 5d 的厚度 （从 凹部的边缘 4c 到电荷输送层 6A 的最短距离） 。
29、设为 2nm 5nm。 0064 另外， 凹部的边缘4c的形状， 相比于作为一例示出的图4所示的棱角形状， 通过使 之为多边形或者带圆角的形状， 能够进一步抑制电场集中。 0065 另外， 在本实施方式中， 覆盖部 5d 到达凹部 4a 的底面 4b， 堤 5 的侧面从到达凹部 底面 4b 的到达点到顶点为上升斜面。由此在通过喷墨法等印刷技术形成发光层 6B 的情况 下， 能够使墨易于进入由堤规定的区域内的各角落， 能够抑制空隙等的产生。 0066 堤5是用于按每个子像素划分发光层6B的构件， 由树脂等有机材料形成并具有绝 缘性。作为有机材料的例子， 可以列举丙烯类树脂、 聚酰亚胺类树脂、 酚。
30、醛清漆型酚醛树脂 等。堤 5 优选具有耐有机溶剂性。进而， 堤 5 有时被实施蚀刻处理、 烘烤 （bake） 处理等， 所 以优选由对于这些处理不会过度变形、 变质等耐性高的材料形成。 0067 空穴输送层 6A 是厚度为 10nm 20nm 左右的层， 具有将从空穴注入层 4 注入的空 穴 （hole） 向发光层 6B 内输送的功能。作为空穴输送层 6A， 使用空穴输送性的有机材料。 空穴输送性的有机材料是指具有通过分子间的电荷移动反应来传递所生成的空穴的性质 的有机物质。这也被称为 p- 型的有机半导体。 0068 空穴输送层可以是高分子材料也可以是低分子材料， 通过湿式印刷法来成膜。在 。
31、形成作为上层的发光层 6B 时， 为了不容易在此熔析， 优选包含交联剂。作为空穴输送性的 材料的例子， 可以使用包含芴部位和三芳胺部位的共聚合体或低分子量的三芳胺衍生物。 作为交联剂的例子， 可以使用双季戊四醇六丙烯酸酯等。 该情况下， 优选由掺杂了聚苯乙烯 磺酸的聚 （3， 4- 乙撑二氧噻吩单体） （PEDOT-PSS） 或其衍生物 （共聚合体等） 形成。 0069 发光层 6B 是厚度为 50nm 80nm 左右的有机发光层， 优选由例如日本特开平 5-163488 号公报中所记载的类喔星 （oxinoid） 化合物、 苝化合物、 香豆素化合物、 氮杂香豆 素化合物、 噁唑化合物、 噁二。
32、唑化合物、 紫环酮 （perinone） 化合物、 吡咯并吡咯化合物、 萘化 合物、 蒽化合物、 芴化合物、 荧蒽化合物、 并四苯化合物、 芘化合物、 晕苯化合物、 喹诺酮化合 物及氮杂喹诺酮化合物、 吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、 若丹明化合物、（chrysene） 化合物、 菲化合物、 环戊二烯化合物、 茋化合物、 二苯基苯醌化合物、 苯乙烯基化合物、 丁二 烯化合物、 双氰亚甲基吡喃化合物、 双氰亚甲基噻喃化合物、 荧光素化合物、 吡喃鎓化合物、 噻喃鎓化合物、 硒杂环己二烯鎓化合物、 碲杂环己二烯鎓化合物、 芳香族坎利酮化合物、 低 聚亚苯基化合物、 噻吨化合物、 蒽化合物、 花青苷化。
33、合物、 吖啶化合物、 8- 羟基喹啉化合物的 说 明 书 CN 103038908 A 8 6/9 页 9 金属配合物、 2,2 - 联吡啶化合物的金属配合物、 席夫碱与 III 族金属的配合物、 8- 羟基喹 啉 （喔星） 金属配合物、 稀土类配合物等荧光物质形成。 0070 电子注入层 7 具有将从第 2 电极 8 注入的电子向发光层 6B 输送的功能， 例如， 优 选由钡、 酞菁、 氟化锂或者这些物质的组合形成。 0071 第 2 电极 8 由例如 ITO、 IZO（氧化铟锌） 等形成。在顶部发射型的发光元件的情 况下， 优选由透光性的材料形成。 0072 封止层9具有能够抑制发光层6B。
34、等暴露于水分中或者暴露于空气中的功能， 由例 如 SiN（氮化硅） 、 SiON（氮氧化硅） 等材料形成。在顶部发射型的发光元件的情况下， 优选 由透光性的材料形成。 0073 （制造方法） 0074 图 5 图 7 是说明本发明的实施方式涉及的有机 EL 显示器的制造方法的工序图。 0075 首先， 如图 5（a） 所示， 在基板 1 上通过例如溅射法形成 Ag 薄膜， 通过例如光刻法 使该 Ag 薄膜图案化， 由此将第 1 电极 2 形成为矩阵状。另外， Ag 薄膜也可以通过真空蒸镀 法等形成。 0076 接下来， 如图 5 （b） 所示， 通过例如溅射法形成 ITO 薄膜， 通过例如光刻。
35、法使该 ITO 薄膜图案化， 由此形成 ITO 层 3。接着， 使用包含 WOx 或 MoxWyOz 的组成物通过溅射法等技 术形成 WOx 或 MoxWyOz 的薄膜 11。 0077 接下来， 如图 5（c） 所示， 在薄膜 11 上使用由有机材料构成的堤材料形成堤材料 层 12， 除去堤材料层 12 的一部分使薄膜 11 的一部分露出。堤材料层 12 的形成能够通过例 如涂敷等来进行。 堤材料层12的除去能够通过使用预定的显影液 （四甲基氢氧化铵 （TMAH） 溶液等） 进行图案化来进行。 0078 此时， 由于作为构成薄膜11的材料的WOx或MoxWyOz具有容易溶于纯净水或TMAH 。
36、溶液的性质， 所以能通过所述显影液洗净 ( 清洗 ) 附着于薄膜 11 表面的堤残渣， 且如图 6 （a） 所示， 薄膜 11 的露出部分被侵蚀而形成凹入构造。其结果， 形成具备凹部 4a 的空穴注 入层。 0079 接下来， 如图 6（b） 所示， 实施热处理， 对堤材料层 12 的残留部赋予某种程度的流 动性， 使堤材料从残留部延伸至凹部的边缘 4c。由此， 凹部的边缘 4c 被覆盖部 5d 覆盖。热 处理例如可以采用热硫化 （heat cure） 。热硫化的温度以及时间只需根据堤材料的种类和 / 或所需要的覆盖部 5d 的厚度等适当设定即可。然后， 根据需要， 对堤材料层 12 的残留部。
37、 表面， 实施例如由氟等离子体等进行的拨液处理， 形成堤 5。 0080 接下来， 在堤 5 内所规定的区域， 基于例如湿式印刷法形成空穴输送层 6A。作 为湿式印刷法， 并没有特别限定， 可以使用喷墨法所代表的喷嘴喷射、 分配器 （分墨器、 dispenser） 法。该情况下， 喷墨法将墨化的有机成膜材料从喷嘴向金属氧化物层喷射。由 此形成空穴输送层 6A。 0081 接下来， 如图 6（c） 所示， 在由堤 5 规定的区域内， 通过例如喷墨法从所述形成的 空穴输送层 6A 上滴下包含有机 EL 材料的组成物墨 （下面简称为 “墨” ） ， 使该墨干燥而形成 发光层 6B。另外， 也可以通过。
38、分配器法、 喷嘴涂敷 （nozzle coat） 法、 旋涂法、 凹版印刷、 凸 版印刷等滴下墨。 0082 接下来， 如图 7（a） 所示， 通过例如真空蒸镀法形成成为电子注入层 7 的钡薄膜， 说 明 书 CN 103038908 A 9 7/9 页 10 如图 7（b） 所示， 通过例如溅射法形成成为第 2 电极 8 的 ITO 薄膜， 如图 7（c） 所示， 进一 步形成封止层 9。 0083 根据上述制造方法， 即使在制造过程中在空穴注入层 4 的露出部分形成有凹部 4a， 也因为凹部的边缘 4c 由覆盖部 5d 覆盖， 并在其后依次形成空穴输送层 6A 以及发光层 6B， 所以能够。
39、抑制电场集中到凹部的边缘 4c。 0084 另外， 根据上述制造方法， 在暂且形成了厚度一样的薄膜 11 之后使用纯净水洗净 ( 清洗 ) 蚀刻残渣时， 通过使其表面部分的一部分溶解而形成为具有凹入构造， 从而使发光 区域的厚度变薄， 形成空穴注入层4。 如此， 在实际的成膜工艺中， 与从最初就形成薄的膜相 比， 暂且形成厚的膜并在之后调节厚度， 能够发挥更稳定的生产性。 0085 也就是说， 一般而言， 在成膜工艺中成膜非常薄的膜的情况下， 需要以较短的时间 实施从开始成膜直到结束， 但如此薄的膜， 其膜厚、 膜质等不稳定而容易产生不均。这是因 为 ： 在成膜条件稳定之前的时间 （例如在溅射。
40、法中， 由于放电在室内生成等离子体， 等离子 体稳定之前的时间） 也进行成膜， 因此在该时间内成膜的具有不稳定特性的膜的厚度占整 个膜厚的比例增大之故。 与此相对， 根据上述制造方法， 通过在最初形成一定厚度的薄膜11 之后， 使部分表面溶解而形成凹入构造， 能够高效地制造电荷注入输送性能优良、 且发光区 域膜厚薄的空穴注入层， 因此有利。 0086 以上基于实施方式进行了说明， 但本发明并不限于这些实施方式。例如可以考虑 如下的变形例。 0087 （1） 在上述实施方式中， 作为构成空穴注入层 4 的材料， 使用 WOx 或 MoxWyOz 进行 了说明， 但一般而言， 因为金属氧化物、 金。
41、属氮化物、 金属氮氧化物容易被纯净水侵蚀， 所以 在使用了 Mo（钼） 、 W（钨） 以外的金属的情况下， 也可以通过应用本实施方式起到同样的效 果。 0088 （2） 在上述实施方式中， 空穴注入层在洗净时被纯净水侵蚀而形成了凹部， 但只要 采用本发明， 即使通过除此以外的理由来形成凹部， 也能够获得抑制电场集中到凹部的边 缘的效果。所谓除此以外的理由， 例如可以举出 ： 空穴注入层在蚀刻时被蚀刻液侵蚀的情 况 ； 在抗蚀剂剥离时被剥离剂侵蚀的情况等的例子。 如此， 在空穴注入层由被在形成堤时所 使用的液体侵蚀的材料构成的情况下、 更详细而言在由被在空穴注入层的一部分露出的状 态下所使用的液。
42、体侵蚀的材料构成的情况下， 本发明有效。 0089 （3） 在上述实施方式中， 从堤延伸出去的覆盖部超越凹部的边缘 4c 而到达凹部的 底面 4b， 但本发明只要覆盖凹部的边缘 4c 即可， 并不限于此。例如， 如图 8 所示， 在覆盖部 5d没有到达凹部的底面4b的情况下也没关系。 在采用了图8的结构的情况下， 因为可以不 必使堤材料流至凹部底面， 所以能够将热处理的温度和时间设为低温且短时间。 0090 在上述实施方式中， 作为形成空穴注入层 4 的凹部 4a 的方法的一例， 示出了由在 堤形成工序中的蚀刻后的洗净进行的工序， 但本发明作为其他的形成方法也可以使用掩模 图案化等。 0091。
43、 （4） 在图 6（a） 中， 堤材料 12 的斜面的下端与凹部的边缘 4c 一致， 但并不限于此。 根据堤材料， 有时也可以如图 9（a） 所示， 通过使堤材料 12 的斜面后退， 从而使没有凹入的 区域4e的一部分露出。 在该情况下， 也通过对堤材料12适当实施热处理， 使凹部的边缘4c 由堤材料的一部分覆盖即可 （参照图 9（b） ） 。 说 明 书 CN 103038908 A 10 8/9 页 11 0092 （5） 此外， 在通过空穴输送层的材料暂且形成了空穴输送层之后实施堤形成工序 并进行蚀刻后的洗净的情况下， 如图 10 所示， 也设想在空穴输送层的表面形成凹部的情 况。在该情。
44、况下， 在空穴输送层 13 的上面形成凹部， 使形成于空穴输送层的凹部的边缘被 覆盖部覆盖， 因此仍可防止驱动时在凹部的边缘发生电场集中。 0093 （6） 在上述实施方式中， 由 Ag 薄膜形成第 1 电极 2， 因此在其上形成 ITO 层 3。在 使第 1 电极 2 为铝类时， 可以无需 ITO 层 3 而使阳极为单层构造。 0094 （7） 在上述实施方式中， 作为具备多个发光元件的发光装置， 以有机 EL 显示器为 例进行了说明， 但本发明并不限于此， 也可以适用于照明装置等。 0095 （8） 在上述实施方式中， 采用了所谓的像素堤 （井字格状堤） ， 但本发明并不限于 此。例如可以。
45、采用线堤 （线状的堤） 。在图 11 的例子中， 采用了线堤 65， 将在 X 轴方向相邻 的发光层 66a、 66b、 66c 划分开。另外， 如图 11 所示， 在采用线堤 65 的情况下， 在 Y 轴方向 相邻的发光层彼此没有通过堤要素来规定， 但通过适当设定驱动方法和阳极的尺寸以及间 隔等， 能够不相互影响地使其发光。 0096 （9） 在上述实施方式中， 以顶部发射型进行了说明， 但并不限于此， 也可以是底部 发射型。 0097 （10） 在上述实施方式中， 在发光层与第 2 电极之间仅夹插有电子注入层， 但除此 以外还也可以夹插有电子输送层。 0098 （11） 在上述实施方式中，。
46、 作为堤材料使用了有机材料， 但也可以使用无机材料。 0099 该情况下， 堤材料层的形成， 与使用有机材料的情况同样， 可以通过例如涂敷等来 进行。 堤材料层的除去可以通过如下工序来进行 ： 在堤材料层上形成抗蚀剂图案， 然后使用 预定的蚀刻液 （四甲基氢氧化铵 （TMAH） 溶液等） 进行蚀刻。抗蚀剂图案在蚀刻后通过例如 水系或非水系的剥离剂来除去。接着， 使用纯净水洗净蚀刻残渣。此时， 因为作为构成薄膜 的材料的 WOx 或 MoxWyOz 具有易于溶解于纯净水或 TMAH 溶液的性质， 所以与图 6（a） 所示 的情况同样， 薄膜的露出部分被侵蚀而形成为凹入构造。 其结果， 形成具备凹。
47、部的空穴注入 层。因此， 在作为堤材料使用无机材料的情况下， 与使用有机材料的情况同样， 也能够适用 本发明。 0100 产业上的可利用性 0101 本发明能够利用于有机 EL 显示器等。 0102 附图标记说明 0103 1 ： TFT 基板 0104 2 ： 第 1 电极 0105 3 ： ITO 层 0106 4 ： 空穴注入层 0107 4a ： 凹部 0108 4b ： 凹部的底面 0109 4c ： 凹部的边缘 0110 4d ： 凹部的侧面 0111 4e ： 在空穴注入层的上面没有凹入的区域 0112 5 ： 堤 说 明 书 CN 103038908 A 11 9/9 页 12。
48、 0113 5a、 5b ： 堤的底面 0114 5c ： 堤的底面的水平面 0115 5d ： 覆盖部 0116 6A ： 空穴输送层 0117 6B ： 发光层 0118 7 ： 电子注入层 0119 8 ： 第 2 电极 0120 9 ： 封止层 0121 10a、 10b、 10c ： 有机 EL 元件 0122 11 ： 薄膜 0123 12 ： 堤材料层 0124 13 ： 空穴输送层 0125 55 ： 像素堤 0126 55a ： 堤要素 0127 55b ： 堤要素 0128 56a1、 56a2、 56b1、 56b2、 56c1、 56c2 ： 发光层 0129 65 ：。
49、 线堤 0130 66a、 66b、 66c ： 发光层 0131 100 ： 有机 EL 显示器 说 明 书 CN 103038908 A 12 1/8 页 13 图 1 说 明 书 附 图 CN 103038908 A 13 2/8 页 14 图 2 说 明 书 附 图 CN 103038908 A 14 3/8 页 15 图 3 图 4 说 明 书 附 图 CN 103038908 A 15 4/8 页 16 图 5 说 明 书 附 图 CN 103038908 A 16 5/8 页 17 图 6 说 明 书 附 图 CN 103038908 A 17 6/8 页 18 图 7 说 明 书 附 图 CN 103038908 A 18 7/。