修正辅助图案的方法.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 104166304 A (43)申请公布日 2014.11.26 C N 1 0 4 1 6 6 3 0 4 A (21)申请号 201310184909.2 (22)申请日 2013.05.17 G03F 1/36(2012.01) (71)申请人联华电子股份有限公司 地址中国台湾新竹科学工业园区 (72)发明人吴宗晔 林金隆 范耀仁 简韦瀚 蔡佳君 (74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所 11105 代理人史新宏 (54) 发明名称 修正辅助图案的方法 (57) 摘要 本发明提供一种修正辅助图案的方法，包括 下列步骤。首先，由一计算机系统接收一第一布局 图案，并。

2、将第一布局图案分割为多个第一区域。接 着，添加多个辅助图案于第一布局图案中以形成 一第二布局图案，且定义相邻任一第一区域的任 一边线的至少一辅助图案为一选取图案，随后，将 第二布局图案分割为多个第二区域。最后，对具有 选取图案的第二区域进行一检测步骤，且修正第 二布局图案以形成一已修正的第二布局图案。 (51)Int.Cl. 权利要求书2页 说明书9页 附图6页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书9页 附图6页 (10)申请公布号 CN 104166304 A CN 104166304 A 1/2页 2 1.一种修正辅助图案的方法，包括： 由一计。

3、算机系统接收一第一布局图案； 将该第一布局图案分割为多个第一区域； 添加多个辅助图案于该第一布局图案中以形成一第二布局图案，且定义相邻任一该第 一区域的任一边线的至少一该辅助图案为一选取图案； 将该第二布局图案分割为多个第二区域； 对具有该选取图案的该第二区域进行一检测步骤；以及 修正该第二布局图案以形成一已修正的第二布局图案。 2.根据权利要求1所述的修正辅助图案的方法，还包括： 对该已修正的第二布局图案进行至少一次光学邻近修正以形成一已修正的第一布局 图案以及多个已修正的辅助图案。 3.根据权利要求2所述的修正辅助图案的方法，其中该多个已修正的辅助图案的任一 图案的尺寸实质上小于该已修正的。

4、第一布局图案的任一图案的尺寸。 4.根据权利要求2所述的修正辅助图案的方法，还包括： 由该计算机系统输出该已修正的第一布局图案以及该已修正的辅助图案至一光罩；以 及 使用该光罩对一材料层进行一微影制程，以形成该第一布局图案至该材料层。 5.根据权利要求4所述的修正辅助图案的方法，其中未形成该多个辅助图案至该材料 层。 6.根据权利要求1所述的修正辅助图案的方法，其中将该第二布局图案分割为多个第 二区域的方法包括改变至少一该第一区域的大小以形成该第二区域。 7.根据权利要求6所述的修正辅助图案的方法，其中各该第二区域的一边线与相对应 的该第一区域的该边线的间距是实质上大于或等于一特定值。 8.根。

5、据权利要求7所述的修正辅助图案的方法，其中该特定值是实质上大于该多个辅 助图案的一图案的一最大边长。 9.根据权利要求7所述的修正辅助图案的方法，其中该特定值是使用一光罩进行一微 影制程，该光罩中一不会被曝出的图案的最大尺寸。 10.根据权利要求1所述的修正辅助图案的方法，其中各该第二区域部分重迭至少一 相对应的第一区域。 11.根据权利要求1所述的修正辅助图案的方法，其中该多个第二区域的个数是实质 上不等于该多个第一区域的个数。 12.根据权利要求1所述的修正辅助图案的方法，其中将该第二布局图案分割为多个 第二区域的方法包括沿任一方向移动各该第一区域。 13.根据权利要求12所述的修正辅助图。

6、案的方法，其中各该第二区域的一面积实质上 等于相对应的各该第一区域的一面积。 14.根据权利要求1所述的修正辅助图案的方法，其中将该第二布局图案分割为多个 第二区域的方法包括以该选取图案为一参考点，选取一特定范围。 15.根据权利要求14所述的修正辅助图案的方法，其中该特定范围包括以该选取图案 的一端点为圆心，一特定值为半径的一圆形区域。 权 利 要 求 书CN 104166304 A 2/2页 3 16.根据权利要求15所述的修正辅助图案的方法，其中该特定值实质上大于该辅助图 案的一图案的一最大边长。 17.根据权利要求1所述的修正辅助图案的方法，其中该检测步骤包括确认该选取图 案是否符合一。

7、辅助图案的制程规则检测的规则。 18.根据权利要求1所述的修正辅助图案的方法，其中该检测步骤包括： 合并该选取图案以及与该选取图案相邻的任一该辅助图案以形成一判别图案；以及 确认该判别图案是否符合一辅助图案的制程规则检测的规则。 19.根据权利要求18所述的修正辅助图案的方法，其中修正该第二布局图案的方法包 括： 分别修正对应该判别图案的该多个辅助图案以形成多个已修正的子辅助图案；以及 组合该多个已修正的子辅助图案以形成一已修正的判别图案。 20.根据权利要求19所述的修正辅助图案的方法，其中在该已修正的第二布局图案 中，该已修正的判别图案的尺寸以及各该辅助图案的尺寸均是实质上大于该第一布局图。

8、案 的任一图案的尺寸。 权 利 要 求 书CN 104166304 A 1/9页 4 修正辅助图案的方法 技术领域 0001 本发明是关于一种修正辅助图案的方法，尤指一种在光学邻近修正(optical proximity correction,OPC)方法修正原始布局图案之前，先行修正辅助图案的方法。 背景技术 0002 由于电子产品及其周边产品是朝轻薄短小方向发展，在半导体制程中，元件缩小 化与积集化是必然的趋势，也是各界积极发展的重要课题，其中微影技术(lithography) 是决定元件性能的关键技术。 0003 现行的半导体制程是先将集成电路(integrated circuits)的。

9、布局图案形成于一 光罩上，随后将光罩上的图案藉由曝光与显影步骤，以一定比例转移到半导体芯片上的光 阻层中，并进一步配合相关的蚀刻制程，将元件逐步形成于半导体芯片上。随着集成电路的 积集度的提升，元件尺寸缩小，元件与元件间的距离也随之缩小。然而，由于光学邻近效应 (optical proximity effect,OPE)等因素的影响，上述元件的距离在曝光制程中已面临到 其极限。举例来说，为了得到微小尺寸的元件，光罩的透光区的间隔(pitch)将配合元件尺 寸而缩小，但若透光区之间的间隔缩小至特定范围时(曝光波长为1/2或以下时)，通过光 罩的光线会发生绕射、干涉等现象，进而影响转移后图案的分辨。

10、率，使得光阻上的图形产生 偏差(deviation)，例如直角转角圆形化(right-angled corner rounded)、直线末端紧缩 (line end shortened)以及直线线宽增加或缩减(line width increase/decrease)等，都 是常见的光学邻近效应所导致的光阻图案缺陷。 0004 为了解决上述的问题，已知技术藉由在光罩上集成电路的布局图案之间形成辅助 图案(assist pattern)例如：虚置图案(dummy pattern)或分散条(scattering bar)，以 减少光阻图案缺陷的发生。而如何形成合适的辅助图案，以进一步于目标层中形成。

11、预期的 布局图案实为相关技术者所欲改进的课题。 发明内容 0005 本发明的目的之一在于提供一种修正辅助图案的方法，以提高光罩图案的正确 度，进而形成预期的布局图案。 0006 本发明的一较佳实施例是提供一种修正辅助图案的方法，包括下列步骤。首先，由 一计算机系统接收一第一布局图案，并将第一布局图案分割为多个第一区域。接着，添加多 个辅助图案于第一布局图案中以形成一第二布局图案，且定义相邻任一第一区域的任一边 线的至少一辅助图案为一选取图案，随后，将第二布局图案分割为多个第二区域。最后，对 具有选取图案的第二区域进行一检测步骤，且修正第二布局图案以形成一已修正的第二布 局图案。 0007 本发。

12、明的特点在于，对布局图案进行光学邻近修正运算之前，先对布局图案进行 两次的分割运算，以改善添加的辅助图案的正确性。更详细地说，首先，对布局图案进行第 一次分割以形成多个第一区域，并选择相邻第一区域的边界的辅助图案作为选取图案；接 说 明 书CN 104166304 A 2/9页 5 着，进行第二次分割，例如：扩大包含选取图案的第一区域或平移此第一区域以形成第二区 域，使第二区域的边界未重迭选取图案，且第二区域包含的图案不同于第一区域包含的图 案，以进一步确认选取图案与相邻图案(尤指原先此第一区域未包含的辅助图案)的相对 关系。据此，可避免不适当的辅助图案的设置，提高光罩图案的正确度，以形成预期。

13、的布局 图案。 附图说明 0008 图1绘示了本发明的一较佳实施例的修正辅助图案的方法的流程图。 0009 图2至图9绘示了本发明的一较佳实施例的修正辅助图案的方法的示意图。 0010 图10绘示了本发明的一较佳实施例的修正辅助图案的方法的流程图。 0011 标号说明 0012 10，12，14，16，18，20，22，24，步骤 0013 26，28，30，301，302，303，304 0014 100 第一布局图案 0015 102，104 第一区域 0016 106 第二布局图案 0017 108，110 已修正的第二布局图案 0018 112，114 已修正的第一布局图案 0019 。

14、202，204，202，204第二区域 0020 D1 水平方向 I 间距 0021 IP 端点 0022 L1，L2，L3，L4 边线 0023 P1 图案 P1 辅助图案 0024 P1” 修正后的辅助图案 0025 P11，S1 已修正的子辅助图案 0026 P2 判别图案 P2 已修正的判别图案 0027 P3，P4 已修正的辅助图案 0028 S1，S2，S3 选取图案 0029 W 宽度 具体实施方式 0030 为使熟悉本发明所属技术领域的一般技艺者能更进一步了解本发明，下文特列举 本发明的较佳实施例，并配合所附图式，详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。 0031 请参考图1。

15、。图1绘示了本发明的一较佳实施例的修正辅助图案的方法的流程图。 如图1所示，首先，进行步骤10，由一计算机系统接收一第一布局图案，第一布局图案是指 后续欲转移至一光罩或半导体芯片上的一材料层(图未示)例如：光阻层的理想图案，其包 含多个可转印性图案(printable feature)，且该等可转印性图案又可包任何用以构成集 成电路(integrated circuits，IC)的特征图案例如掺杂区图案、元件图案、电路的布局图 案(layout)等。随着集成电路的特征图案的复杂度与积集度的增加，为降低计算机系统的 说 明 书CN 104166304 A 3/9页 6 运算负荷及后续步骤的运算时。

16、间，可进行步骤12，先由一计算机系统将第一布局图案分割 为多个第一区域，例如：当第一布局图案为一矩形图案，将第一布局图案分割成大小相同的 多个矩形第一区域，然后，再将多个第一区域分别输入至其它计算机系统，以多个计算机系 统同时进行后续的处理步骤，节省运算处理时间。在一实施例中，当第一布局图案为一边长 100微米(micrometer,m)的正方形，是将第一布局图案分割为100个成矩阵排列的第一 区域，且各第一区域为一边长10微米的正方形。 0032 由于第一布局图案中可转印性图案与相邻的另一可转印性图案的间距不一定相 同，因此，若直接将第一布局图案形成于光罩上，并使用该光罩进行后续的微影制程，。

17、部分 可转印性图案的两侧的透光量将可能有所不同，也就是说，部分形成于材料层上的图案将 发生偏移或形变的现象，因此，为提高第一布局图案转移至材料层上的正确性，将进行步 骤14，添加多个辅助图案于第一布局图案中以形成一第二布局图案。辅助图案为一非可转 印性图案(non-printable feature)，更详细地说，当使用具有第一布局图案以及该些辅 助图案的光罩对晶圆上的一感光的材料层进行一微影制程时，仅有对应第一布局图案的图 案会形成于材料层上，而对应辅助图案的图案将不会形成于材料层上。在一实施例中，第 一布局图案包含多个矩形图案，且添加的辅助图案的形状与第一布局图案的图案相类似， 以均匀化第。

18、二布局图案的图案密集度，也就是说，当光源通过具有第二布局图案的光罩时， 第二布局图案的各可转印性图案的两侧的透光量将较为一致，以于后续进行微影制程时， 能在材料层上形成预期的布局图案。辅助图案的尺寸、形状、数量与排列方式均可根据制 程需求进行调整，此外，辅助图案的尺寸范围与排列方式均需符合辅助图案的制程规则检 测(process rule check；PRC)的规则例如：临界线宽(critical dimension)和临界间距 (critical space)的限制。在一实施例中，各辅助图案的宽度是小于一特定值，亦即光罩 在此微影制程中不会被曝出的图案的最大尺寸，且大于光罩制作机台的曝光极限。

19、亦即可由 光罩制作机台形成的图案的最小尺寸，更详细地说，以特征尺寸为20纳米(nanometer，nm) 的半导体制程为例，光罩中不会被曝出的图案的最大尺寸实质上约为32纳米，而光罩制作 机台的曝光极限实质上约为13纳米，因此辅助图案的宽度是实质上介于13纳米与32纳米 之间，但不以此为限。 0033 另外，为节省计算机系统的运算时间，辅助图案较佳是由多个计算机系统同时分 别添加至各个第一区域的第一布局图案中，亦即，本发明是利用多个计算机系统来同时对 多个不同第一区域中的第一布局图案分别进行修正，而且是对各不同第一区域中的第一布 局图案进行独立的修正处理，以添加需要的辅助图案。随后，将各第一区。

20、域的第一布局图案 以及辅助图案重新合并以形成一第二布局图案。值得注意的是，由于各第一区域是仅分别 包含部分第一布局图案，而不同于完整的原始第一布局图案，也就是说，计算机系统根据部 分第一布局图案添加的辅助图案所提供的修正效果将可能不同于计算机系统根据完整第 一布局图案添加的辅助图案所提供的修正效果，因此，本发明会进一步以两相邻的第一区 域中的辅助图案互相参照，确认各第一区域的辅助图案的正确性。为缩短确认辅助图案正 确性所需时间，本发明挑选邻近第一区域的边线的辅助图案进行后续的第一检测步骤，在 一实施例中，即定义接触任一第一区域的任一边线的至少一辅助图案为一选取图案。在其 它实施例中，也可定义与。

21、任一第一区域的任一边线的间距少于一限定值的至少一辅助图案 为一选取图案。 说 明 书CN 104166304 A 4/9页 7 0034 接下来，进行步骤16，将第二布局图案重新分割为多个第二区域。将第二布局图案 分割为多个第二区域的方法可包含： 0035 a.改变第一区域的大小以形成第二区域；或是 0036 b.沿任一方向移动各原第一区域以形成第二区域；或是 0037 c.以选取图案为一参考点，选取一特定范围。 0038 进而使重新分割的第二区域的边线较佳是未接触任一辅助图案，且单一第二区域 包含的图案亦即第二区域包含的第一布局图案与辅助图案不同于相对应的单一第一区域 包含的图案亦即相对应的。

22、第一区域包含的第一布局图案与辅助图案。值得注意的是，改变 第一区域的大小以形成第二区域，又包含扩大第一区域或缩小第一区域，而且分割后第二 区域的数量可以不等于第一区域的数量，再者，分割后第二区域可部分重迭相对应的第一 区域。例如，扩大第一区域的方法包含沿任一方向移动各第一区域的至少一边线，特别是辅 助图案所接触或相邻的第一区域的边线，将其平移以作为第二区域的一边线，且各第二区 域(重新分割)的边线与相对应的第一区域(原始分割)的边线的间距(亦即第一区域的 边线的移动距离)是实质上大于或等于一特定值，而使第二区域的面积大于第一区域的面 积；又或者是，直接原位扩大第一区域，亦即外移各第一区域的每个。

23、边线以形成相对应的第 二区域，此时，重新分割后的第二区域的数量等于第一区域的数量，且重新分割后的各第二 区域将彼此部分重迭，例如：各第一区域为一边长10微米的正方形，各第二区域为一边长 13微米的正方形。而以选取图案为参考点，选取特定范围以分割第二布局图案的方法中特 定范围包含以选取图案的一端点为圆心，一特定值为半径的一圆形区域。其中，特定值的设 定可对应于辅助图案的尺寸，例如：特定值是实质上大于该些辅助图案的一图案的一最大 边长，或对应于辅助图案的临界线宽，例如：特定值是使用一光罩进行一微影制程，光罩中 一不会被曝出的图案的最大尺寸。 0039 之后，进行步骤18，对第二布局图案进行一第一检。

24、测步骤，特别是选取具有选取图 案的第二区域进行一第一检测步骤。值得注意的是，在一较佳实施例中，是由多个计算机系 统同时分别检测各个第二区域的辅助图案(其中具有选取图案)，亦即，本发明是利用多个 计算机系统来同时分别对各个第二区域中的辅助图案(其中具有选取图案)分别进行独立 的检测，以确认辅助图案，尤其是选取图案是否符合辅助图案的制程规则检测的规则例如： 辅助图案的临界线宽和临界间距的限制。此外，在另一较佳实施例中，亦可以直接筛选具有 选取图案的第二区域进行独立的检测，例如第二布局图案分割为100个第二区域，但其中 仅有50个第二区域具有选取图案，则只需利用多个计算机系统来同时分别对这50个第二。

25、 区域中的辅助图案分别进行独立的检测，以确认辅助图案是否符合辅助图案的制程规则检 测的规则；或者是，直接对这50个第二区域中的选取图案分别进行独立的检测。此外，在又 一较佳实施例中，进行第一检测步骤的方法亦可以包含直接对单一选取图案进行第一检测 步骤，以确认选取图案是否符合辅助图案的制程规则检测的规则例如：辅助图案的临界线 宽和临界间距的限制，或是先合并选取图案以及与选取图案相邻的任一辅助图案以形成一 判别图案，再确认判别图案是否符合辅助图案的制程规则检测。 0040 当任一辅助图案例如：选取图案或判别图案无法通过第一检测步骤时，则进行步 骤20，修正第二布局图案以形成一已修正的第二布局图案。。

26、修正第二布局图案的方法包含 修正选取图案，例如：增加选取图案的边长，使修正后的选取图案的边长大于辅助图案的边 说 明 书CN 104166304 A 5/9页 8 长的最小长度限制，令修正后的选取图案能达到设置辅助图案的功能例如：均匀化后续形 成的光罩的透光量；或是减少选取图案的边长，使修正后的选取图案的边长小于光罩中不 会被曝出的图案的最大尺寸，也就是说，修正后的选取图案将不会通过后续形成的光罩被 形成于目标材料层上。据此，已修正的第二布局图案包含第一布局图案、部分原始的辅助图 案以及已修正的选取图案。 0041 同样地，也可以上述方式分别修正对应判别图案的该些辅助图案以形成多个已修 正的子。

27、辅助图案，随后，组合该些已修正的子辅助图案以形成一已修正的判别图案，例如： 当判别图案的边长大于光罩中不会被曝出的图案的最大尺寸时，分别缩减选取图案的边长 以及判别图案中相邻选取图案的辅助图案的边长，以形成多个已修正的子辅助图案(包含 已修正的选取图案与已修正的辅助图案)，随后，再将修正后的子辅助图案组合为已修正的 判别图案，使已修正的判别图案不会通过后续形成的光罩被形成于目标材料层上。在其它 实施例中，修正判别图案也可仅修正判别图案中的选取图案以及判别图案中与选取图案相 邻的辅助图案的任一者。据此，已修正的第二布局图案包含第一布局图案、部分原始的辅助 图案以及已修正的判别图案。 0042 接。

28、着，进行步骤22，在修正部分的辅助图案(尤其是选取图案)后，对已修正的第 二布局图案进行至少一次光学邻近修正(optical proximity correction,OPC)以形成一 已修正的第一布局图案以及多个已修正的辅助图案。光学邻近修正(OPC)可包括先收集已 修正的第二布局图案中各几何图案(亦即第一布局图案、原始的辅助图案以及已修正的选 取图案/已修正的判别图案)的宽度、疏密度以及相对位置，然后，比对数据库中的修正基 准，且计算出各几何图案的修正值，以对各几何图案中的各线段的线宽、直线末端以及转角 处进行修正。一般来说，修正的方式包括调整线段的线宽，或是于直线末端或转角处加入辅 助块。

29、例如边角截线(serif)或锤头状(hammerhead)的图案。 0043 然后，进行步骤24，亦即进行一第二检测步骤，检查完成第一检测步骤以及光学 邻近修正运算的已修正的第一布局图案以及已修正的辅助图案是否分别符合布局图案的 制程规则检测的规则以及辅助图案的制程规则检测的规则，以进一步确认此已修正的第一 布局图案以及已修正的辅助图案的正确性。举例来说，通过计算机系统的仿真方式，输入 一制程规则，利用制程规则检测来检测已修正的第一布局图案中各线段的直线末端和转 角处，以判断这些几何图案是否符合所设计的集成电路的特征图案的临界线宽(critical dimension)和临界间距(critic。

30、al space)的限制或其它因应制程设计的规则。当已修正 的第一布局图案以及已修正的辅助图案完全符合各自制程规则检测的规则时，如步骤26 所示，则可由计算机系统输出已修正的第一布局图案以及已修正的辅助图案至一光罩；然 而，若已修正的第一布局图案以及/或已修正的辅助图案有部份或全部不符合制程规则检 测的规则时，则可将已修正的第一布局图案以及/或已修正的辅助图案再次利用计算机系 统以前述步骤进行部分或全部的再修正。最后，如步骤28所示，使用此光罩对一材料层进 行一微影制程，以形成第一布局图案至一材料层，且未形成任何该些辅助图案及已修正的 辅助图案至材料层。材料层包括设置于一晶圆上的一光阻层。 0。

31、044 此外，当完成如步骤18所示的第一检测步骤，且第二布局图案均通过检测步骤 时，则可进行类似步骤22所示的光学邻近修正(OPC)步骤，亦即如步骤30所示，直接对第 二布局图案进行至少一次光学邻近修正(OPC)以形成一已修正的第一布局图案以及多个 说 明 书CN 104166304 A 6/9页 9 已修正的辅助图案。随后，同样地进行步骤24：检查已修正的第一布局图案以及已修正的 辅助图案在完成光学邻近修正(OPC)后是否分别符合布局图案的制程规则检测的规则以 及辅助图案的制程规则检测的规则，若是，则进行步骤26：由计算机系统输出已修正的第 一布局图案以及已修正的辅助图案至一光罩，若否，则将。

32、已修正的第一布局图案以及/或 已修正的辅助图案再次利用计算机系统以前述步骤进行部分或全部的再修正。最后，如步 骤28所示，使用此光罩对材料层进行一微影制程，以形成第一布局图案至一材料层，且未 形成任何辅助图案至材料层。 0045 为更详细说明上述步骤，请参考图2至图9，图2至图9绘示了本发明的一较佳实 施例的修正辅助图案的方法的示意图，并请对照图1较佳实施例的各流程步骤。 0046 步骤10：由一计算机系统接收一第一布局图案。 0047 步骤12：将第一布局图案分割为多个第一区域。 0048 如图2所示，首先，由一计算机系统(图未示)的一储存媒介接收一第一布局图案 100，并将第一布局图案10。

33、0分割为多个第一区域102/104，其中第一布局图案100包含多个 可转印性图案P1，即用以构成集成电路(IC)的特征图案。在本实施例中，是将第一布局图 案100分割为二个相同面积的第一区域102/104，但不以此为限，可将第一布局图案100分 割为更多个第一区域以缩减更多后续步骤的处理时间，且各第一区域可包含不同形状、个 数或排列方式的可转印性图案。 0049 步骤14：添加多个辅助图案以形成一第二布局图案，且定义相邻任一第一区域的 任一边线的至少一辅助图案为一选取图案。 0050 接着，如图3所示，为避免因光学邻近效应所导致的图案缺陷形成于材料层上，由 不同的计算机系统分别针对不同的第一区。

34、域102/104添加多个辅助图案P1，然后组合已 具有辅助图案的第一区域102/104以形成一第二布局图案106，此时第二布局图案106的 图案P1与辅助图案P1均尚未经过光学邻近修正(OPC)的修正。辅助图案P1的尺寸、形 状、数量与排列方式可根据制程需求进行调整。在本实施例中，辅助图案P1的尺寸是实质 上大于第一布局图案100的原始图案P1的尺寸。此外，可预先挑选接近第一区域102/104 边缘的辅助图案P1，以进行后续的检测步骤，而省略其它辅助图案P1的检测步骤，以缩 减光罩的制作时间，其中检测步骤即参照两相邻第一区域102/104中的辅助图案P1，确认 各第一区域102/104的辅助图。

35、案P1的正确性。在本实施例中，是将接触第一区域102的 一边线L1的辅助图案P1定义为一选取图案S1。在其它实施例中，也可将第二布局图案 106中与第一区域104的边线L2的间距少于一限定值的辅助图案P1为选取图案S2。此 外，当第二布局图案106中两相邻第一区域102/104在相同的边线L1两侧均分别具有一辅 助图案P1可作为选取图案时，则仅选取其中任一者例如：第一区域102的选取图案S1作 为标的图案进行后续的第一检测步骤，而跳过以另一者例如：第一区域104的选取图案S3 作为标的图案进行后续的检测步骤，以避免重复计算增加计算机系统的负荷。以下实施例 将以定义选取图案S1作为标的图案的实施。

36、态样进行描述。 0051 步骤16：将第二布局图案分割为多个第二区域。 0052 接下来，将第二布局图案106分割为多个第二区域202/204，使第二区域202的边 线未直接接触选取图案S1，且第二区域202/204包含的第一布局图案100(亦即图案P1)与 辅助图案P1不同于相对应的第一区域102/104包含的第一布局图案100与辅助图案P1。 说 明 书CN 104166304 A 7/9页 10 将第二布局图案106分割为多个第二区域202/204的方法包括沿任一方向移动各第一区域 例如扩大具有选取图案S1的第一区域102以形成第二区域202，如图4所示，沿各方向移动 第一区域102/1。

37、04的边线一特定距离例如：沿水平方向D1移动第一区域102的边线L1亦 即移动辅助图案P1(选取图案S1)所接触的第一区域102的边线L1，以作为第二区域202 的边线L3，且第二区域202的边线L3与相对应的第一区域102的边线L1的间距I实质上 大于或等于一特定值，为有效确认辅助图案P1的正确性，特定值可以是大于第二布局图案 106中辅助图案P1的一图案的最大边长，较佳为辅助图案P1的临界线宽，例如：使用一 光罩进行微影制程时，光罩中一不会被曝出的图案的最大尺寸，更佳为辅助图案P1的一临 界线宽与一临界间距之和。在本实施例中，是仅沿水平方向D1移动各第一区域102/104的 右侧边线L1/。

38、L2，而保留各第一区域102/104的其它原始边线，以将第二布局图案106以不 同于第一布局图案100的单位间隔进行分割，更详细地说，第二区域202的左侧边线为相对 应的第一区域102的原始左侧边线，而右侧边线为水平移动后相对应的第一区域102的右 侧边线L1亦即边线L3。同样地，第二区域204的左侧边线为相对应的第一区域104的原始 左侧边线(亦即第一区域102的右侧边线L1)，而右侧边线为水平移动后的相对应的第一 区域104的右侧边线L2亦即边线L4。此时，各第二区域202/204的边线L3/L4与相对应的 第一区域102/104的边线L1/L2的间距相等，且第二区域的总个数是实质上等于第。

39、一区域 的总个数，但各第二区域202/204的所占面积将实质上大于相对应的第一区域102/104的 所占面积，例如：第一区域为一边长10微米的正方形，第二区域为一边长13微米与边长10 微米的长方形。 0053 将第二布局图案106分割为多个第二区域的方法不以上述为限，在其它实施例 中，也可仅沿水平方向D1移动第一区域102的右侧边线L1亦即仅移动选取图案S1所接触 的边线L1，以作为一第二区域的右侧边线L3，而保留第一区域104的右侧原始边线，例如： 未移动第一区域104的边线L2，使另一第二区域的右侧边线将重迭第一区域104的边线 L2，此时，部分第二区域(包含选取图案S1)的所占面积将实。

40、质上大于相对应的第一区域的 所占面积，而部分第二区域(未包含选取图案S1)的所占面积将实质上小于相对应的第一 区域的所占面积。 0054 此外，在另一实施例中，又可以直接针对选取图案进行选取。如图5所示，以选取 图案S1作为参考点，并以选取图案S1的一端点IP为圆心，选取半径为上述特定值的一圆 形区域作为一第二区域202，并将第二布局图案106中的其它图案定义为另一第二区域 204。 0055 步骤18：选取具有选取图案的第二区域进行一第一检测步骤。 0056 接下来，利用二计算机系统同时分别检测各第二区域202/204内的辅助图案，以 确认各辅助图案，尤其是选取图案S1、S2、S3是否符合辅。

41、助图案的制程规则检测的规则。例 如对具有选取图案S1、S3的第二区域202进行第一检测步骤。进行第一检测步骤的方法包 含直接对选取图案S1进行第一检测步骤，以确认选取图案S1是否符合辅助图案P1的制 程规则检测的规则例如：辅助图案P1的临界线宽和临界间距的限制，以及辅助图案P1和 可转印性图案P1的间距的限制。或是先合并选取图案S1以及与选取图案S1相邻的辅助 图案P1例如：选取图案S3以形成一判别图案P2，再确认判别图案P2是否符合辅助图案 P1的制程规则检测。 说 明 书CN 104166304 A 10 8/9页 11 0057 步骤20：修正第二布局图案以形成一已修正的第二布局图案。 。

42、0058 当选取图案S1或判别图案P2无法通过第一检测步骤时，需修正第二布局图案 106，亦即修正选取图案S1或判别图案P2。其中，修正选取图案S1的方法说明如下。由于 选取图案S1接触相邻的辅助图案P1(选取图案S3)，不符合辅助图案制程规则检测，因此， 可缩减选取图案S1的尺寸，例如减少选取图案S1的一宽度，或是移除选取图案S1，使修正 后的辅助图案P1”例如：已修正的选取图案S1与邻接的辅助图案P1(选取图案S3)的合 并图案，或是剩余的邻接的辅助图案P1(选取图案S3)，可符合辅助图案制程规则检测的 规则，以形成一已修正的第二布局图案108，如图6所示。 0059 另外，修正判别图案P。

43、2的方法说明如下。将临近第一区域102/104交界处亦即边 线L1的选取图案S1与辅助图案P1(选取图案S3)合并为判别图案P2后，当判别图案P2 的一宽度W实质上大于辅助图案P1的临界线宽时，可减少判别图案P2的宽度W例如：减 少选取图案S1的宽度形成已修正的子辅助图案S1以及/或减少组成判别图案P2的辅助 图案P1的宽度形成已修正的子辅助图案P11，然后，组合该些已修正的子辅助图案S1/ P11以形成一已修正的判别图案P2，使已修正的判别图案P2的边长实质上小于光罩中不 会被曝出的图案的最大尺寸，符合辅助图案制程规则检测的规则，以形成一已修正的第二 布局图案110，如图7所示。此时，已修正。

44、的第二布局图案110中已修正的判别图案P2的 尺寸以及各辅助图案P1的尺寸仍均是实质上大于第一布局图案100的任一图案P1的尺 寸。 0060 步骤22：在修正部分选取图案后，对已修正的第二布局图案进行光学邻近修正 (OPC)以形成一已修正的第一布局图案以及多个已修正的辅助图案。 0061 在修正部分选取图案S1，改善辅助图案P1的正确性后，如图8以及图9所示，对 已修正的第二布局图案108/110中的各几何图案的各线段的线宽、直线末端以及转角处进 行至少一次光学邻近修正(OPC)修正，以形成一已修正的第一布局图案112/114以及多个 已修正的辅助图案P3/P4。此时，已修正的辅助图案P3/。

45、P4的任一图案的尺寸将实质上小于 已修正的第一布局图案112/114的任一图案的尺寸。 0062 步骤24：进行一第二检测步骤，检查完成第一检测步骤以及光学邻近修正运算的 已修正的第一布局图案以及已修正的辅助图案是否分别符合布局图案的制程规则检测的 规则以及辅助图案的制程规则检测的规则。 0063 步骤26：由计算机系统输出已修正的第一布局图案以及已修正的辅助图案至一 光罩。 0064 步骤28：使用光罩对材料层进行一微影制程，以形成第一布局图案至一材料层。 0065 最后，再度确认已修正的第一布局图案112/114以及多个已修正的辅助图案P3/ P4是否符合布局图案的制程规则检测的规则以及辅。

46、助图案的制程规则检测的规则。确认符 合后，即可进行后续的步骤(步骤26以及步骤28)，以形成第一布局图案100至一材料层， 且未形成该些辅助图案P1至材料层。 0066 简言之，请参考图10。图10绘示了本发明的一较佳实施例的修正辅助图案的方 法的流程图。如步骤301所示，首先由一计算机系统接收一第一布局图案，并将第一布局图 案分割为多个第一区域。如步骤302所示，本发明即是先利用多个计算机系统来同时分别 对各个第一区域中的布局图案分别进行独立的修正处理，以添加需要的辅助图案，然后合 说 明 书CN 104166304 A 11 9/9页 12 并已具有辅助图案的多个第一区域以形成一第二布局图。

47、案。接着，如步骤303所示，将包含 暂时性的辅助图案与第一布局图案的第二布局图案重新分割成多个第二区域，然后，如步 骤304所示，再利用多个计算机系统来同时分别对各个第二区域中的辅助图案(包含选取 图案)分别进行独立的检测，以确认辅助图案，尤其是确认选取图案，是否符合辅助图案的 制程规则检测的规则，并进行修正以得到进行光学邻近修正前的最终辅助图案。此外，可再 额外对已修正的第二布局图案(亦即光学邻近修正前的最终辅助图案与第一布局图案)进 行至少一次光学邻近修正(OPC)。换句话说，本发明会进行二次图案分割，第一次图案分割 是用以添加需要的辅助图案于各第一区域中，而第二次图案分割则是用于确认各第。

48、二区域 中的辅助图案，尤其是选取图案，是否符合辅助图案的制程规则检测的规则。 0067 综上所述，本发明的特点在于，对布局图案进行光学邻近修正运算之前，先对布局 图案进行两次的分割运算，以改善添加的辅助图案的正确性。更详细地说，首先，对布局图 案进行第一次分割以形成多个第一区域，并选择相邻第一区域的边界的辅助图案作为选取 图案；接着，进行第二次分割，例如：扩大包含选取图案的第一区域或平移此第一区域以形 成第二区域，使第二区域的边界未重迭选取图案，且第二区域包含的图案不同于第一区域 包含的图案，以进一步确认选取图案与相邻图案(尤指原先此第一区域未包含的辅助图 案)的相对关系。据此，可避免不适当的辅助图案的设置，提高光罩图案的正确度，以形成 预期的布局图案。 说 明 书CN 104166304 A 12 1/6页 13 图1 说 明 书 附 图CN 104166304 A 13 2/6页 14 图2 图3 说 明 书 附 图CN 104166304 A 14 3/6页 15 图4 图5 说 明 书 附 图CN 104166304 A 15 4/6页 16 图6 图7 说 明 书 附 图CN 104166304 A 16 5/6页 17 图8 图9 说 明 书 附 图CN 104166304 A。