《一种单分散纳米ZNO压敏陶瓷粉体的制备方法.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《一种单分散纳米ZNO压敏陶瓷粉体的制备方法.pdf(8页珍藏版)》请在专利查询网上搜索。
1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201410582462.9 (22)申请日 2014.10.28 C01G 9/02(2006.01) C04B 35/453(2006.01) (71)申请人常州市创捷防雷电子有限公司 地址 213016 江苏省常州市钟楼开发区银杏 路62号 (72)发明人王茂华 束静 马小玉 江雯 (74)专利代理机构南京知识律师事务所 32207 代理人卢亚丽 (54) 发明名称 一种单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方 法 (57) 摘要 本发明涉及纳米氧化锌,特指一种单分散纳 米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方法,属于电子陶瓷 制备及应用技术领域。。
2、本发明主要采用十二烷基 磺酸钠(SDS)作为分散剂合成纳米复合ZnO粉体, 从而制得高性能的ZnO压敏陶瓷材料;采用十二 烷基磺酸钠(SDS)作为分散剂合成纳米复合ZnO, 得到的粉体颗粒尺寸较小、形貌均一、物相分散均 匀、粉体纯度高,有效的提高了ZnO压敏陶瓷的电 性能。 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (10)申请公布号 CN 104402038 A (43)申请公布日 2015.03.11 CN 104402038 A 1/1页 2 1.一种单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方法,包括配置Zn(NO。
3、 3 ) 2 、Bi(NO 3 ) 2 、 Co(NO 3 ) 2 、SbCl 3 、 MnCl 2 和Cr(NO 3 ) 3 水溶液,进行混合得到混合溶液的步骤、将NaOH加入到 混合溶液中制备单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的步骤,其特征在于:在将NaOH加入到混合 溶液中之前,将十二烷基磺酸钠加入到混合溶液中,使得后续制备的单分散纳米ZnO压敏 陶瓷粉体颗粒尺寸较小,为2030nm,形貌均一、物相分散均匀。 2.如权利要求1所述的一种单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方法,其特征在于步 骤如下: (1)分别配置Zn(NO 3 ) 2 、Bi(NO 3 ) 2 、Co(NO 3 ) 2 、Sb。
4、Cl 3 、 MnCl 2 和Cr(NO 3 ) 3 水溶液,以摩尔百 分含量计算,按照97%的ZnO,1%的Sb 2 O 3 ,0.5%的Bi 2 O 3 ,0.5%的Co 3 O 4 ,0.5%的CrO 3 和0.5% 的MnO的配比混合,搅拌均匀; (2)配置十二烷基磺酸钠水溶液,将十二烷基磺酸钠水溶液加入到配制好的混合溶液 中,加热搅拌均匀,SDS与Zn(NO 3 ) 2 6H 2 O的物质量之比为110:1; (3)量取适量的NaOH溶液,快速加入混合溶液中,得到沉淀物,加热搅拌均匀,氢氧化 钠与Zn(NO 3 ) 2 6H 2 O的物质量之比为24:1; (4)最后将得到的粉体抽滤。
5、,并用去离子水和乙醇充分洗涤去除杂质,最后在真空干燥 箱中干燥。 3.如权利要求2所述的一种单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方法,其特征在于: 所述步骤1中配置的Zn(NO 3 ) 2 6H 2 O,Bi(NO 3 ) 2 5H 2 O,Co(NO 3 ) 2 6H 2 O,SbCl 3 ,MnCl 2 4H 2 O 水溶液浓度均为1mol/L。 4.如权利要求2所述的一种单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方法,其特征在于: 所述步骤2中配置十二烷基磺酸钠水溶液浓度为4mol/L。 5.如权利要求2所述的一种单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方法,其特征在于: 所述步骤2中加热温度为6090。
6、,搅拌时间为30min。 6.如权利要求2所述的一种单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方法,其特征在于: 所述步骤3中配置氧化钠溶液为4mol/L,加热温度为6090,搅拌时间为2h。 7.如权利要求2所述的一种单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方法,其特征在于: 所述步骤4中的干燥指于80下干燥6h。 8.采用如权利要求1所述的单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体制备ZnO压敏陶瓷的方法, 所述ZnO压敏陶瓷为黑灰色固体,收缩率8%15%,压敏电压V 1mA 为400500V/mm,漏电流J Leak 为1.250.09A,非线性系数为(42.16 0.56);其特征在于步骤如下: (1)配制质量分。
7、数为5%的聚乙烯醇( PVA)溶液,加入纳米复合ZnO粉体中,在研钵中 研磨,用200目的筛子过筛造粒,在3080MPa下压制成片状; (2)将步骤(1)制得的片状素坯在10501200下烧结,于空气气氛下保温2h,升降温 速率均为5/min,降温至200后,室温下自然冷却,得到ZnO压敏陶瓷; (3)将步骤(2)制得的ZnO压敏陶瓷表面打磨,抛光,被银,制作电极。 权 利 要 求 书CN 104402038 A 1/4页 3 一种单分散纳米 ZnO 压敏陶瓷粉体的制备方法 技术领域 0001 本发明涉及纳米氧化锌,特指一种单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方法,属 于电子陶瓷制备及应用技术领。
8、域。 背景技术 0002 氧化锌(ZnO)是一种n-型直接宽带隙金属氧化物半导体材料(3.36V),具有高的 激子结合能(60meV),良好的化学和热稳定性;ZnO掺杂微量的Bi、Pr、Co、Cr、Mn等元素制备 的压敏陶瓷具有超常的非线性特性;氧化锌压敏陶瓷工作原理是基于所具有的伏安(I-V) 非线性特性,即当电压低于某一临界值时,压敏陶瓷的阻值非常高,相当于绝缘体,当电压 超过这一临界值时,电阻急剧减小,接近于导体,因为这种效应的存在,压敏电阻器被广泛 应用于过压保护和稳压方面;随着工业化步伐的加快,对电力系统的需求增多、要求提高, 高层建筑和大型工业设备的增多,对高压ZnO压敏电阻的需求。
9、量逐年上升,同时对其性能 也提出了更高的要求;高压ZnO压敏电阻的优点是电压梯度高、大电流特性好,但能量容量 小,容易损坏,解决这一问题的有效方法是开发高压高能型压敏电阻;ZnO压敏电阻电性能 的提高主要取决于ZnO粉体的形貌尺寸,以及颗粒的分散程度, 因此制备形貌均一,颗粒 尺寸小,分散性好的纳米复合ZnO粉体是生产过程的关键所在。 0003 目前制备ZnO压敏陶瓷材料除了固相法以外,主要采用液相法,液相法主要包括 沉淀法,水热法,溶胶凝胶法,微乳液法等;在这些方法中沉淀法应用最为普遍,因为沉淀法 具有便于操作,工艺简单,适用于大型工业生产等优点;但是通常情况下在不采用额外辅助 手段时,沉淀。
10、法制备得到的纳米ZnO粉体分散性较差,产物产率较低,颗粒大小不均;因此, 目前研究的重点是探讨一种新的方法 从而制得高性能的ZnO压敏陶瓷材料。 0004 本发明主要采用十二烷基磺酸钠(SDS)作为分散剂合成纳米复合ZnO粉体,从而 制得高性能的ZnO压敏陶瓷材料;十二烷基磺酸钠(SDS)是一种典型的阴离子表面活性剂, 其结构同时包含亲水性基团磺酸基和亲油性基团十二烷基,这种不对称的两亲结构基团赋 予十二烷基磺酸钠在溶液中的特殊性能,十二烷基磺酸钠(SDS)在水中活性增强易受外界 因素的影响而诱发化学反应,这种变化可以使表面活性剂活性增强,其亲油基和亲水基在 溶液中更容易体现其亲水能力,增强表。
11、面活性剂降低表面张力的能力;采用十二烷基磺酸 钠(SDS)作为分散剂合成纳米复合ZnO,得到的粉体颗粒尺寸较小、形貌均一、物相分散均 匀、粉体纯度高,有效的提高了ZnO压敏陶瓷的电性能。 发明内容 0005 本发明的目的在于提供一种ZnO压敏陶瓷材料的制备方法,克服传统固相法和液 相法制备纳米复合ZnO粉体存在的缺点,和解决当前ZnO压敏陶瓷材料制备粉体颗粒尺寸 较大,且得到的氧化锌形貌不均匀,颗粒大小不一的问题,根据选用合适分散剂来改善ZnO 粉体微观结构,提高ZnO压敏陶瓷材料的电性能。 说 明 书CN 104402038 A 2/4页 4 0006 本发明所采用的方法涉及到许多因素,如反。
12、应物的配比、反应温度、反应时间等, 它包括以下步骤: 1、纳米复合ZnO粉体的制备 (1)以分析纯的Zn(NO 3 ) 2 6H 2 O,Bi(NO 3 ) 2 5H 2 O,Co(NO 3 ) 2 6H 2 O,SbCl 3, MnCl 2 4H 2 O, Cr(NO 3 ) 3 9H 2 O为原料,分别配置Zn(NO 3 ) 2 、Bi(NO 3 ) 2 、Co(NO 3 ) 2 、SbCl 3 、 MnCl 2 和Cr(NO 3 ) 3 水溶液,以摩尔百分含量计算,按照97%的ZnO,1%的Sb 2 O 3 ,0.5%的Bi 2 O 3 ,0.5%的Co 3 O 4 ,0.5%的CrO 。
13、3 和0.5%的MnO的配比混合,搅拌均匀。 0007 (2)配置十二烷基磺酸钠水溶液,将十二烷基磺酸钠水溶液加入配制好的混合溶 液中,加热搅拌均匀,SDS与Zn(NO 3 ) 2 6H 2 O的物质量之比为110:1。 0008 (3)量取适量的NaOH溶液,快速加入混合溶液中,得到沉淀物,加热搅拌均匀,氢 氧化钠与Zn(NO 3 ) 2 6H 2 O的物质量之比为24:1。 0009 (4)最后将得到的粉体抽滤,并用去离子水和乙醇充分洗涤去除杂质,最后在真空 干燥箱中干燥。 0010 所述步骤1中配置的Zn(NO 3 ) 2 6H 2 O,Bi(NO 3 ) 2 5H 2 O,Co(NO 。
14、3 ) 2 6H 2 O,SbCl 3 , MnCl 2 4H 2 O水溶液浓度均为1mol/L。 0011 所述步骤2中配置十二烷基磺酸钠水溶液的浓度为4mol/L。 0012 所述步骤2中加热温度为6090,搅拌时间为30min。 0013 所述步骤3中配置氧化钠溶液为4mol/L,加热温度为6090,搅拌时间为2h。 0014 所述步骤4中的干燥指于80下干燥6h。 0015 2、ZnO压敏陶瓷的制备 (1)配制质量分数为5%的聚乙烯醇( PVA)溶液,加入纳米复合ZnO粉体中,在研钵中 研磨,用200目的筛子过筛造粒,在3080MPa下压制成片状。 0016 (2)将步骤(1)制得的片。
15、状素坯在10501200下烧结,于空气气氛下保温2h,升 降温速率均为5/min,降温至200后,室温下自然冷却,得到ZnO压敏陶瓷。 0017 (3)将步骤(2)制得的ZnO压敏陶瓷表面打磨,抛光,被银,制作电极。 0018 本发明提供的材料配方和制备方法所制得的纳米复合ZnO粉体为棕色,ZnO压 敏陶瓷片为黑灰色固体,收缩率8%15%,压敏电压V 1mA 为400500V/mm,漏电流J Leak 为 1.250.09A,非线性系数为(42.16 0.56);由于电位梯度相对较高,可以用于制 造高压、超高压电力系统的过电压保护产品等。 0019 本发明采用上述技术方案的优点是: 该方法制备。
16、的纳米复合ZnO颗粒尺寸较小,形貌均一,分散性好。 0020 采用本发明制备的ZnO压敏陶瓷,非线性系数较大,漏电流小,符合高压电力系 统的过电压保护产品的要求。 附图说明 0021 图1 是本发明所制得纳米复合ZnO粉体的TEM图,从图中可以看出纳米ZnO粉体 颗粒大小均一,分散性较好,粉体颗粒大小为2030nm。 0022 图2 是本发明所制得的ZnO压敏陶瓷的SEM图,图中的ZnO压敏陶瓷材料致密性 良好,形貌均一,颗粒大小为79m。 说 明 书CN 104402038 A 3/4页 5 0023 图3(a),(b)分别为是本发明所制得的ZnO粉体和ZnO压敏陶瓷的XRD图,从图 中可以。
17、看出在后期热处理后,有新的尖晶石相产生即Zn 7 Sb 2 O 12 相。 具体实施方式 0024 下面结合附图和实施例,对本发明做进一步的描述,但绝不限制本发明的范围: 实施例1 1、纳米复合ZnO粉体的制备 (1)配置Zn(NO 3 ) 2 、Bi(NO 3 ) 2 、Co(NO 3 ) 2 、SbCl 3 、 MnCl 2 和Cr(NO 3 ) 3 水溶液,(溶液浓度均 为1M)以摩尔百分含量计算,按照97%的ZnO,1%的Sb 2 O 3 ,0.5%的Bi 2 O 3 ,Co 3 O 4 ,CrO 3 ,MnO的 配比混合,搅拌均匀。 0025 (2)量取20mL十二烷基磺酸钠(SDS。
18、)水溶液,加入配制好的混合溶液中,90 加 热搅拌30min。 0026 (3)配制4M 的NaOH溶液,量取30mL快速加入混合溶液中,得到沉淀物,90水浴 加热,继续快速搅拌2h。 0027 (4)将得到的粉体抽滤,并用去离子水和乙醇充分洗涤去除杂质,最后在真空干燥 箱中80干燥6h。 0028 2、ZnO压敏陶瓷的制备 (1)配置质量分数为5%的聚乙烯醇( PVA),加入纳米复合ZnO粉体中,在研钵中研磨, 用200目的筛子过筛造粒,在50MPa下压制成片。 0029 (2)将步骤(1)制得的片状素坯在1050下烧结,于空气气氛下保温2h,升降温速 率5/min,降温至200后,室温下自。
19、然冷却,得到ZnO压敏陶瓷。 0030 实施例2 本实施例中,制备纳米复合ZnO粉体时,各组份重量与实施例1一样,加入20mL十二烷 基磺酸钠(SDS)水溶液,80 加热搅拌, 30min后快速加入30mL4M的NaOH溶液,80水浴 加热,继续快速搅拌2h,将上述所得沉淀物抽滤洗涤去除杂质,最后在真空干燥箱中80 干燥6h;上述材料采用与实施例1相同的工艺步骤,制备成ZnO压敏陶瓷,其不同之处在于 陶瓷烧结温度为1100。 0031 实施例3 本实施例中,制备纳米复合ZnO粉体时,各组份重量与实施例1一样,加入20mL十二 烷基磺酸钠(SDS) 水溶液,70 加热搅拌, 30min后快速加入。
20、30mL4M的NaOH溶液,70 水浴加热,继续快速搅拌2h,将上述所得沉淀物抽滤洗涤去除杂质,最后在真空干燥箱中 80干燥6h;上述材料采用与实施例1相同的工艺步骤,制备成ZnO压敏陶瓷,其不同之处 在于陶瓷烧结温度为1150。 0032 实施例4 本实施例中,制备纳米复合ZnO粉体时,各组份重量与实施例1一样,加入20mL十二烷 基磺酸钠(SDS) 水溶液,60 加热搅拌,30min后快速加入30mL4M的NaOH溶液,60水浴 加热,继续快速搅拌2h,将上述所得沉淀物抽滤洗涤去除杂质,最后在真空干燥箱中80 干燥6h;上述材料采用与实施例1相同的工艺步骤,制备成ZnO压敏陶瓷,其不同之处。
21、在于 陶瓷烧结温度为1050。 说 明 书CN 104402038 A 4/4页 6 0033 实施例5 本实施例中,制备纳米复合ZnO粉体时,各组份重量与实施例1一样,加入20mL十二 烷基磺酸钠(SDS) 水溶液,90 加热搅拌, 30min后快速加入30mL4M的NaOH溶液,90 水浴加热,继续快速搅拌2h,将上述所得沉淀物抽滤洗涤去除杂质,最后在真空干燥箱中 80干燥6h;上述材料采用与实施例1相同的工艺步骤,制备成ZnO压敏陶瓷,其不同之处 在于陶瓷烧结温度为1200。 说 明 书CN 104402038 A 1/2页 7 图1 图2 说 明 书 附 图CN 104402038 A 2/2页 8 图3 说 明 书 附 图CN 104402038 A 。