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1、10申请公布号CN104046271A43申请公布日20140917CN104046271A21申请号201410292073222申请日20140626C09G1/0220060171申请人青岛宝泰新能源科技有限公司地址266000山东省青岛市李沧区郑佛路17号8室72发明人范向奎54发明名称一种存储器抗震抛光液57摘要本发明公开了一种存储器抗震抛光液，其特征在于，包括下列重量份数的物质十二烷基苯磺酸813份，纳米氧化镁25份，硬脂酸盐59份，乙烯基双硬脂酰胺1217份，乙酸正丁酯1316份，盐酸16份，纳米氧化铜27份，纳米氧化锌12份，过氧化苯甲酰910份，酸洗剂34份，二氧化氯1116。
2、份，甲基硅油49份，除蜡水58份，硬脂酰胺13份。本发明的抛光液性能稳定，抛光效果好，可满足制备纳电子相变存储器中工艺的需要。51INTCL权利要求书1页说明书1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书1页10申请公布号CN104046271ACN104046271A1/1页21一种存储器抗震抛光液，其特征在于，包括下列重量份数的物质十二烷基苯磺酸813份，纳米氧化镁25份，硬脂酸盐59份，乙烯基双硬脂酰胺1217份，乙酸正丁酯1316份，盐酸16份，纳米氧化铜27份，纳米氧化锌12份，过氧化苯甲酰910份，酸洗剂34份，二氧化氯1116份，甲基硅油49份，除蜡水。
3、58份，硬脂酰胺13份。权利要求书CN104046271A1/1页3一种存储器抗震抛光液技术领域0001本发明涉及一种存储器抗震抛光液。背景技术0002相变存储器因具有高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗强震动和抗辐射、成本具有竞争力等优点，而被国际半导体行业协会认为是最有可能取代目前的闪存存储器的下一代非易失性存储器。相变存储器技术的基本原理是以硫系化合物为存储介质，利用电能使材料在晶态与非晶态高阻之间相互转换实现信息的写入与擦除，信息的读出则靠测量电阻的变化实现。存储单元包括由电介质材料定义的细孔，相变材料沉积在细孔中，相变材料在细孔的一端上连接电极。电极接触使电流通过。
4、该通道产生焦耳热对该单元进行编程，或者读取该单元的电阻状态。0003目前，在构建相变存储单元时，通行的做法是先通过磁控溅射的方法沉积相变材料在由电介质材料定义的细孔中，然后通过反应离子刻蚀CRIE或者化学机械抛光的方法，将细空上方的相变材料进行去除。发明内容0004本发明所要解决的技术问题是提供一种存储器抗震抛光液。0005为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是一种存储器抗震抛光液，其特征在于，包括下列重量份数的物质十二烷基苯磺酸813份，纳米氧化镁25份，硬脂酸盐59份，乙烯基双硬脂酰胺1217份，乙酸正丁酯1316份，盐酸16份，纳米氧化铜27份，纳米氧化锌12份，过氧化苯甲酰910份，酸洗剂34份，二氧化氯1116份，甲基硅油49份，除蜡水58份，硬脂酰胺13份。0006本发明的抛光液性能稳定，抛光效果好，可满足制备纳电子相变存储器中工艺的需要。具体实施方式0007实施例1一种存储器抗震抛光液，其特征在于，包括下列重量份数的物质十二烷基苯磺酸813份，纳米氧化镁25份，硬脂酸盐59份，乙烯基双硬脂酰胺1217份，乙酸正丁酯1316份，盐酸16份，纳米氧化铜27份，纳米氧化锌12份，过氧化苯甲酰910份，酸洗剂34份，二氧化氯1116份，甲基硅油49份，除蜡水58份，硬脂酰胺13份。说明书CN104046271A。