《照相机组件及其制造方法.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《照相机组件及其制造方法.pdf（18页珍藏版）》请在专利查询网上搜索。
1、(10)申请公布号 CN 102279505 A (43)申请公布日 2011.12.14 C N 1 0 2 2 7 9 5 0 5 A *CN102279505A* (21)申请号 201110072022.5 (22)申请日 2011.03.18 135368/2010 2010.06.14 JP G03B 17/00(2006.01) H04N 5/335(2006.01) (71)申请人株式会社东芝 地址日本东京都 (72)发明人山田学 (74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司 72002 代理人周欣 陈建全 (54) 发明名称 照相机组件及其制造方法 (57) 摘要 本发明提供。
2、一种照相机组件及其制造方法， 该照相机组件的制造方法具备：准备图像传感器 的步骤；准备第1构件的步骤，所述第1构件具备 第1非导体、覆盖第1非导体的第1金属膜、和覆 盖第1金属膜的第1绝缘膜；准备第2构件的步 骤，所述第2构件具备第2非导体、覆盖第2非导 体的第2金属膜、和覆盖第2金属膜的第2绝缘 膜；将第1构件配置在图像传感器上的步骤；将第 2构件配置在第1构件上或者上方的步骤；对第1 构件与第2构件之间或者图像传感器与第2构件 之间施加规定的电压，使第1绝缘膜和第2绝缘膜 中的至少一部分破坏的步骤。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)。
3、发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 8 页 附图 7 页 CN 102279510 A 1/2页 2 1.一种照相机组件的制造方法，其具备： 准备图像传感器的步骤； 准备第1构件的步骤，所述第1构件具备第1非导体、覆盖所述第1非导体的第1金属 膜、和覆盖所述第1金属膜的第1绝缘膜； 准备第2构件的步骤，所述第2构件具备第2非导体、覆盖所述第2非导体的第2金属 膜、覆盖所述第2金属膜的第2绝缘膜； 将所述第1构件配置在所述图像传感器上的步骤； 将所述第2构件配置在所述第1构件上或者上方的步骤；和 对所述第1构件与所述第2构件之间或者所述图像传感器与所述第2构件之间施加规 定的电压，使所述第。
4、1绝缘膜和第2绝缘膜中的至少一部分破坏的步骤。 2.根据权利要求1所述的照相机组件的制造方法，其中，将所述第2构件配置在所述第 1构件上或者上方的步骤包含介由第1导电性材料将所述第2构件配置在所述第1构件上 或者上方的步骤。 3.根据权利要求2所述的照相机组件的制造方法，其中，在将所述第1绝缘膜和所述第 2绝缘膜中的至少一部分破坏时，在所述第1绝缘膜和所述第2绝缘膜的破坏部位，所述第 1金属膜与所述第2金属膜介由所述第1导电性材料电连接。 4.根据权利要求1所述的照相机组件的制造方法，其中，将所述第1构件配置在所述图 像传感器上的步骤包含介由第2导电性材料将所述第1构件配置在所述图像传感器上的。
5、步 骤。 5.根据权利要求4所述的照相机组件的制造方法，其中，在将所述第1绝缘膜和所述第 2绝缘膜中的至少一部分破坏时，在所述第1绝缘膜的破坏部位，所述图像传感器与所述第 1金属膜介由所述第2导电性材料电连接。 6.根据权利要求1所述的照相机组件的制造方法，其还具备在所述第1构件与所述第 2构件之间配置第3构件的步骤，所述第3构件具备第3非导体、覆盖所述第3非导体的第 3金属膜、和覆盖所述第3金属膜的第3绝缘膜， 在施加所述规定的电压时，所述第3绝缘膜中的至少一部分被破坏。 7.根据权利要求6所述的照相机组件的制造方法，其中，将所述第3构件配置在所述 第1构件与所述第2构件之间的步骤包含：介由。
6、第3导电性材料将所述第3构件配置在所 述第1构件上或者上方的步骤；和介由第4导电性材料将所述第2构件配置在所述第3构 件上或者上方的步骤。 8.根据权利要求7所述的照相机组件的制造方法，其中，在将所述第1绝缘膜、所述第 2绝缘膜和所述第3绝缘膜中的至少一部分破坏时，在所述第1绝缘膜和所述第3绝缘膜的 破坏部位，所述第1绝缘膜与所述第3金属膜介由所述第3导电性材料电连接，在所述第3 绝缘膜和所述第2绝缘膜的破坏部位，所述第3金属膜与所述第2金属膜介由所述第4导 电性材料电连接。 9.根据权利要求1所述的照相机组件的制造方法，其中， 所述规定的电压被施加在所述第1构件的第1施加部和所述第2构件的第。
7、2施加部处。 10.根据权利要求9所述的照相机组件的制造方法，其中， 所述第1施加部和第2施加部是凹部或凸部。 权 利 要 求 书CN 102279505 A CN 102279510 A 2/2页 3 11.根据权利要求9所述的照相机组件的制造方法，其还具备： 在施加所述规定的电压之前，除去所述第1施加部的所述第1绝缘膜和所述第2施加 部的所述第2绝缘膜的步骤。 12.根据权利要求1所述的照相机组件的制造方法，其中， 所述规定电压被施加在所述图像传感器的第3施加部和所述第2构件的第2施加部 处。 13.一种照相机组件，其具备： 图像传感器； 第1构件，其被配置在所述图像传感器上，所述第1构件。
8、包含第1非导体、覆盖所述第 1非导体的第1金属膜、和覆盖所述第1金属膜的第1绝缘膜；和 第2构件，其被配置在所述第1构件上或者上方，且与所述第1构件电连接，所述第2 构件包含第2非导体、覆盖所述第2非导体的第2金属膜、和覆盖所述第2金属膜的第2绝 缘膜； 所述第1绝缘膜和所述第2绝缘膜的一部分被破坏。 14.根据权利要求13的照相机组件，其中， 所述第2构件介由第1导电性材料配置在所述第1构件上或者上方。 15.根据权利要求14所述的照相机组件，其中， 在所述第1绝缘膜和所述第2绝缘膜的破坏部位，所述第1金属膜与所述第2金属膜 介由所述第1导电性材料电连接。 16.根据权利要求13所述的照相机。
9、组件，其中， 所述第1构件介由第2导电性材料配置在所述图像传感器上。 17.根据权利要求16所述的照相机组件，其中， 在所述第1绝缘膜的破坏部位，所述图像传感器与所述第1金属膜介由所述第2导电 性材料电连接。 18.根据权利要求13所述的照相机组件，其中， 在所述第1构件与所述第2构件之间还具备第3构件，所述第3构件包含第3非导体、 覆盖所述第3非导体的第3金属膜、和覆盖所述第3金属膜且局部被破坏的第3绝缘膜，且 所述第3构件与所述第1构件和所述第2构件电连接。 19.根据权利要求18所述的照相机组件，其中， 所述第3构件介由第3导电性材料设置在所述第1构件上或者上方，所述第2构件介 由第4导。
10、电性材料配置在所述第3构件上或者上方。 20.根据权利要求19所述的照相机组件，其中， 在所述第1绝缘膜和所述第3绝缘膜的破坏部位，所述第1金属膜与所述第3金属膜 介由所述第3导电性材料电连接，在所述第3绝缘膜和所述第2绝缘膜的破坏部位，所述第 3金属膜与所述第2金属膜介由所述第4导电性材料电连接。 权 利 要 求 书CN 102279505 A CN 102279510 A 1/8页 4 照相机组件及其制造方法 0001 本申请基于2010年6月14日提交的日本专利申请No.2010-135368并主张其优 先权，在此引用其全部内容以供参考。 技术领域 0002 本发明涉及照相机组件及其制造。
11、方法。 背景技术 0003 作为照相机组件的部件材质，可以采用例如由非导体(塑料)形成的部件。并且， 有时需要对该部件进行相对于EMC、ESD等的对策。作为该对策，对该部件实施金属蒸镀，将 该部件的电阻值控制在恒定的电阻值之内。但是，有时在照相机组件中采用多个这样的部 件。并且，有时在被金属蒸镀的各部件的表面上形成了氧化膜。这样，各部件的连接部分存 在上述氧化膜，因此，存在各部件的连接部分的电阻值提高这样的问题。因此，难以形成降 低了电阻值的照相机组件。 发明内容 0004 本发明所要解决的课题在于提供一种能够降低电阻值的照相机组件及其制造方 法。 0005 本发明的实施方式的照相机组件的制造。
12、方法具备： 0006 准备图像传感器的步骤； 0007 准备第1构件的步骤，所述第1构件具备第1非导体、覆盖上述第1非导体的第1 金属膜、和覆盖上述第1金属膜的第1绝缘膜； 0008 准备第2构件的步骤，所述第2构件具备第2非导体、覆盖上述第2非导体的第2 金属膜、和覆盖上述第2金属膜的第2绝缘膜； 0009 将上述第1构件配置在上述图像传感器上的步骤； 0010 将上述第2构件配置在上述第1构件上或者上方的步骤；和 0011 对上述第1构件与上述第2构件之间或者上述图像传感器与第2构件之间施加规 定的电压，使上述第1绝缘膜和第2绝缘膜中的至少一部分破坏的步骤。 0012 本发明的另一实施方式。
13、的照相机组件具备： 0013 图像传感器； 0014 第1构件，其被配置在上述图像传感器上，具备第1非导体、覆盖上述第1非导体 的第1金属膜、和覆盖上述第1金属膜的第1绝缘膜；和 0015 第2构件，其被配置在上述第1构件上或者上方，且与上述第1构件电连接，具备 第2非导体、覆盖上述第2非导体的第2金属膜、和覆盖上述第2金属膜的第2绝缘膜， 0016 上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜中的一部分被破坏。 0017 根据上述结构的照相机组件及其制造方法，能够降低电阻值。 说 明 书CN 102279505 A CN 102279510 A 2/8页 5 附图说明 0018 图1A是示意性地表示实施方。
14、式的照相机组件的基本结构的立体图，图1B是图1A 的图像传感器保护部与透镜保护部的边界的剖视图。 0019 图2是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本制造方法的图。 0020 图3是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本制造方法的立体图。 0021 图4A是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本制造方法的立体图，图4B是 局部地表示图4A的层叠构造的剖视图。 0022 图5是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本制造方法的立体图。 0023 图6是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本制造方法的立体图。 0024 图7A是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本制造方法的立体图，图7B是 局部。
15、地表示图7A的层叠构造的剖视图。 0025 图8是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本制造方法的立体图。 0026 图9A是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本制造方法的立体图，图9B是 图9A的图像传感器保护部与透镜保护部的边界的剖视图。 0027 图10是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本制造方法的立体图。 0028 图11是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本结构的其他例子的立体图。 0029 图12A是示意性地表示变形例的照相机组件的基本结构的立体图，图12B是图12A 的第1透镜保护部与第2透镜保护部的边界的剖视图，图12C是图12A的图像传感器保护 部与第1透镜保护部的边。
16、界的剖视图。 0030 图13A是示意性地表示变形例的照相机组件的基本制造方法的立体图，图13B是 局部地表示图13A的层叠构造的剖视图。 0031 图14A是示意性地表示变形例的照相机组件的基本制造方法的立体图，图14B是 局部地表示图14A的层叠构造的剖视图。 0032 图15是示意性地表示变形例的照相机组件的基本制造方法的立体图。 0033 图16A是示意性地表示变形例的照相机组件的基本制造方法的立体图，图16B是 图16A的第1透镜保护部与第2透镜保护部的边界的剖视图，图16C是图16A的图像传感 器保护部与第1透镜保护部的边界的剖视图。 具体实施方式 0034 通常，根据本发明的1个。
17、实施方式，照相机组件的制造方法具备：准备图像传感器 的步骤；准备第1构件的步骤，所述第1构件具备第1非导体、覆盖第1非导体的第1金属 膜和覆盖第1金属膜的第1绝缘膜；准备第2构件的步骤，所述第2构件具备第2非导体、 覆盖第2非导体的第2金属膜和覆盖第2金属膜的第2绝缘膜；将第1构件配置在图像传 感器上的步骤；将第2构件配置在第1构件上或者上方的步骤；对第1构件与第2构件之间 或者图像传感器与第2构件之间施加规定的电压，使第1绝缘膜和第2绝缘膜中的至少一 部分破坏的步骤。 0035 下面，参照附图说明实施方式的详细内容。 0036 (实施方式) 0037 采用图1A、1B来概略地说明本实施方式的。
18、照相机组件的基本结构。图1A是示意 说 明 书CN 102279505 A CN 102279510 A 3/8页 6 性地表示本实施方式的照相机组件的基本结构的立体图，图1B是图1A的图像传感器保护 部与透镜保护部的边界的剖视图。该照相机组件例如可用于将其作为图像输入设备而在摄 像部中使用的诸如带照相机的便携式电话装置、视频电话装置等电子信息设备中。 0038 如图1A、1B所示，照相机组件包括图像传感器10、图像传感器保护部(第1构 件)20、透镜30以及透镜保护部(第2构件)40。 0039 图像传感器10是例如电荷耦合器件(charge coupled device，CCD)、互补式金。
19、属 氧化物半导体(complementary metal oxide semiductor，CMOS)等摄像元件。图像传感器 10根据经由透镜30入射到未图示的摄像区域(像素区域)的光而生成电信号，并输出电信 号。另外，在图像传感器10的表面(第1表面)具有未图示的像素区域、包括模拟电路和 数字电路的电路区域。并且，图像传感器10的背面(与第1表面平行的第2表面)例如具 有未图示的多个焊球。 0040 图像传感器保护部20通过设置在图像传感器10的表面的周围的Ag(银)系的导 电性粘接剂50连接。该图像传感器保护部20用于保护图像传感器10的像素区域。但是， 导电性粘接剂50的透光率小于100。
20、。于是，在图像传感器保护部20和图像传感器10之 间设有不存在导电性粘接剂50的区域。这是为了防止下述现像：如果在设置于图像传感器 10的像素区域的未图示的微透镜上涂覆导电性粘接剂50，则透光率减少、性能降低。另外， 该图像传感器保护部20例如由非导体(塑料)形成，被金属膜和金属氧化膜(绝缘膜)的 层叠膜覆盖。 0041 透镜30具有期望的光学特性，例如，由未图示的IR(红外线)截止滤波器和多个 透镜构成。透镜保护部40保持透镜30，利用导电性粘接剂51而与传感器保护部20电连 接。另外，该透镜保护部40例如由非导体(塑料)形成，被金属膜和金属氧化膜的层叠膜 覆盖。 0042 图像传感器保护部。
21、20在非导体(塑料)部21的表面形成有金属膜22，在金属 膜22的表面形成有金属氧化膜(也简称为氧化膜或绝缘膜)23。金属膜22具备例如由 Cu(铜)形成的底板(下层金属膜)22a、和形成在底板22a上的例如由SUS(不锈钢)形成 的顶板(上层金属膜)22b。并且，在该金属膜22的表面形成有由金属膜22的一部分(表 面)氧化而成的氧化膜23。该氧化膜23在通过导电性粘接剂51而与透镜保护部40连接 的面上例如不连续(断断续续)地形成。另外，该氧化膜23即使不是不连续的，也可以一 部分(局部)被破坏。 0043 透镜保护部40在非导体(塑料)部41的表面形成有金属膜42，在金属膜42的 表面形成。
22、有金属氧化膜(简称为氧化膜或绝缘膜)43。金属膜42与金属膜22同样具备例 如由Cu(铜)形成的底板(下层金属膜)42a、和形成在底板42a上的例如由SUS(不锈钢) 形成的顶板(上层金属膜)42b。并且，在该金属膜42的表面形成有由金属膜42的一部分 (表面)氧化而成的氧化膜43。该氧化膜43在通过导电性粘接剂51而与透镜保护部20 连接的面上例如不连续(断断续续)地形成。另外，该氧化膜43即使不是不连续的，也可 以一部分(局部)被破坏。 0044 因此，图像传感器保护部20和透镜保护部40通过导电性粘接剂51电连接。 0045 另外，金属膜22、42也可以不形成为底板和顶板的层叠构造，而由。
23、铝形成。 0046 下面，采用图2、3、4A、4B、5、6、7A、7B、8、9A、9B、10来说明本实施方式的照相机组 说 明 书CN 102279505 A CN 102279510 A 4/8页 7 件的制造方法。图2是示意性地表示本实施方式的照相机组件的基本制造方法的流程图。 图3、图5、6、8、10是示意性地表示本实施方式的照相机组件的基本制造方法的立体图。图 4A、7A是示意性地表示本实施方式的照相机组件的基本制造方法的立体图，图4B、图7B是 局部地表示图4A、图7A的层叠构造的剖视图。图9A是示意性地表示本实施方式的照相机 组件的基本制造方法的立体图，图9B是图9A的图像传感器保。
24、护部与透镜保护部的边界的 立体图。 0047 步骤S1001 0048 首先，如图3所示，准备经由图像传感器的制造工序等形成的图像传感器10。 0049 步骤S1002 0050 接着，准备用于保护图像传感器10的图像传感器保护部20。作为该图像传感器保 护部20的形成方法，如图4A、4B所示，在非导体(塑料)部21的表面利用金属蒸镀(金属 化蒸镀)的方法蒸镀成为底板22a的Cu。之后，在底板22a的表面利用金属蒸镀的方法蒸 镀成为顶板22b的SUS。由此，得到金属膜22。之后，顶板22b与外部空气接触，顶板22b 的表面被氧化而形成氧化膜23。由此，形成由非导体部21、金属膜22以及氧化膜2。
25、3的层 叠构造构成的传感器保护部20。 0051 步骤S1003 0052 接着，如图5所示，在图像传感器10的像素区域之外的区域或者图像传感器保护 部20的与图像传感器10的粘接面上涂覆导电性粘接剂50的Ag。并且，如图6所示，使图 像传感器10和图像传感器保护部20粘接。此时，导电性粘接剂50被涂覆成不露出到图像 传感器10和图像传感器保护部20之间的外侧那样的程度。 0053 步骤S1004 0054 接着，准备由透镜30和透镜保护部40构成的透镜单元。如图7A、7B所示，该透镜 保护部40的形成方法与上述图像传感器保护膜20同样，首先利用金属蒸镀的方法在非导 体(塑料)部41的表面蒸镀。
26、成为底板42a的Cu。之后，在底板42a的表面蒸镀成为顶板 42b的SUS。由此，得到金属膜42。之后，顶板42b与外部空气接触，顶板42b的表面被氧化 而形成氧化膜43。由此，形成由非导体部41、金属膜42以及氧化膜43的层叠构造构成的 透镜保护部40。 0055 步骤S1005 0056 接着，如图8所示，在图像传感器保护部20的与透镜保护部40的粘接面或者在透 镜保护部40的与图像传感器保护部20的粘接面上涂覆导电性粘接剂51的Ag。并且，如图 9A、9B所示，以保持透镜30的方式使图像传感器保护部20与透镜保护部40粘接。 0057 步骤S1006 0058 接着，如图10所示，对图像。
27、传感器保护部20和透镜保护部40施加不会对图像传 感器10加载负荷的5V左右的弱电压(破坏电压)。另外，在施加电压时，对在外观规格上 没有问题的部位施加电压。另外，通过施加该电压，图像传感器保护部20和透镜保护部40 之间的氧化膜23、43被局部破坏。即、氧化膜23、43的与导电性粘接剂51接触的面局部地 被破坏。在被破坏的部位流入导电性粘接剂51，从而金属膜22、42与导电性粘接剂51接 触，因此，彼此电连接。 0059 另外，如图11所示，优选在图像传感器保护部20上，例如预先在被施加破坏电压 说 明 书CN 102279505 A CN 102279510 A 5/8页 8 的部位设有标。
28、记24，在透镜保护部40上，例如预先在被施加破坏电压的部位设有标记44。 优选标记24例如是图像传感器保护部20的侧面的照相机组件的角度识别部。另外，标记 44例如优选设置在透镜保护部40的上表面。并且，标记24、44更优选为凹形状或者凸形 状。 0060 另外，在施加破坏电压时，也可以在将被施加破坏电压的部位的绝缘膜除去之后， 施加破坏电压。 0061 根据上述实施方式，本实施方式的照相机组件的制造方法包括：准备图像传感器 10；准备第1构件20，该第1构件20具备第1非导体21、覆盖第1非导体21的第1金属膜 22、和覆盖第1金属膜22的第1绝缘膜23；准备第2构件40，该第2构件40具备。
29、第2非导 体41、覆盖第2非导体41的第2金属膜42、和覆盖第2金属膜42的第2绝缘膜43；将第1 构件20配置在图像传感器10上；将第2构件40配置在第1构件20上；对第1构件20和 第1构件20上的第2构件40之间施加规定的电压，使第1绝缘膜23和第2绝缘膜43中 的一部分破坏。另外，介由第1导电性材料50将第1构件20配置在图像传感器10上，介 由第2导电性材料51将第2构件40配置在第1构件20上。 0062 因此，能够将形成在各部件之间的氧化膜(绝缘膜)局部地除去(破坏)。另外， 通过除去该绝缘膜，能够介由导电性粘接剂将各部件电连接起来。因此，在采用了多个由非 导体部(塑料)、形成在。
30、非导体部上的金属膜以及形成在金属膜上的绝缘膜构成的部件的 照相机组件中也能够降低电阻值。其结果是，能够得到被降低了电阻值的高品质的照相机 组件。 0063 另外，图像传感器保护部20的照相机组件的角度识别部被用作被施加破坏电压 的标记24，从而能够抑制对金属膜22的除了角度识别部之外的部位造成损伤。即使对角度 识别部施加破坏电压，也几乎不会对性能、品质产生影响。 0064 并且，在透镜保护部40的上表面设有被施加破坏电压的标记44，从而在FTA工序 (检查工序)后由保护照相机组件的未图示的保护部覆盖标记44。由此，能够在外观上隐 去对金属膜42(标记44)造成的损伤。 0065 另外，通过将标。
31、记24、44形成为凹形状或者凸形状，能够将对金属膜24、42造成的 损伤的范围限制在凹部或者凸部。 0066 这样，通过设置被施加破坏电压的标记24、44，能够保证期望的照相机组件的品 质，并且形成具有期望的电阻值的照相机组件。 0067 (变形例) 0068 下面，采用图12A、12B、12C、13A、13B、14A、14B、15、16A、16B、16C说明上述实施方 式的变形例的照相机组件。在上述的实施方式中，对使用2个部件的情况进行了说明，该部 件由非导体部(塑料)、形成在非导体部上的金属膜以及形成在金属膜上的绝缘膜构成。在 本变形例中，对采用3个上述部件的情况进行说明。另外，在该说明中。
32、，省略与上述实施方 式重复的部分的说明。 0069 采用图12A、12B、12C来概略地说明本变形例的照相机组件的基本结构。图12A示 意性地表示本变形例的照相机组件的基本结构的立体图，图12B是图12A的第1透镜保护 部与第2透镜部的边界的剖视面。另外，图12C是图12A的图像传感器保护部与第1透镜 保护部的边界的剖视图。 说 明 书CN 102279505 A CN 102279510 A 6/8页 9 0070 如图12A、12B、12C所示，照相机组件具备图像传感器10、图像传感器保护部(第1 构件)20、透镜30、第1透镜保护部(第3构件)60以及第2透镜保护部(第2构件)70。 0。
33、071 透镜30由第1透镜保护部60和第2透镜保护部保持。第1透镜保护部60例如 保持透镜30的下侧，通过导电性粘接剂52而与图像传感器保护部20电连接。另外，该第1 透镜保护部60例如由非导体(塑料)形成，被金属膜和金属氧化膜的层叠膜覆盖。第2透 镜保护部70例如保持透镜30的上侧，通过导电性粘接剂53而与第1透镜部保护部60电 连接。另外，该第2透镜保护部70例如由非导体(塑料)形成，被金属膜和金属氧化膜的 层叠膜覆盖。 0072 第1透镜保护部60在非导体(塑料)部61的表面形成有金属膜62，在金属膜62 的表面形成有金属氧化膜(简称为氧化膜或者绝缘膜)63。金属膜62具备例如由Cu(铜。
34、) 形成的底板(下层金属膜)62a、和形成在底板62a上的例如由SUS(不锈钢)形成的顶板 (上层金属膜)62b。并且，在该金属膜62的表面形成有由金属膜62的一部分(表面)氧化 而成的氧化膜63。该氧化膜63在通过导电性粘接剂52而与透镜保护部20连接的面上例 如不连续(断断续续)地形成。另外，该氧化膜63即使不是不连续的，也可以一部分(局 部)被破坏。 0073 同样，第2透镜保护部70在非导体(塑料)部71的表面形成有金属膜72，在金 属膜72的表面形成有金属氧化膜(简称为氧化膜或者绝缘膜)73。金属膜72与金属膜62 同样地具备例如由Cu(铜)形成的底板(下层金属膜)72a、和形成在底。
35、板72a上的例如由 SUS(不锈钢)形成的顶板(上层金属膜)72b。并且，在该金属膜72的表面形成有由金属 膜72的一部分(表面)氧化而成的氧化膜73。该氧化膜73在通过导电性粘接剂53而与 第1透镜保护部60连接的面上例如不连续(断断续续)地形成。另外，该氧化膜73即使 不是不连续的，也可以一部分(局部)被破坏。 0074 因此，图像传感器保护部20和第1透镜保护部60通过导电性粘接剂52电连接。 另外，第1透镜保护部60和第2透镜保护部70通过导电性粘接剂53电连接。即，图像传 感器保护部20和第2透镜保护部70通过导电性粘接剂52、53以及第1透镜保护部60电 连接。 0075 另外，金。
36、属膜62、72也可以不形成底板和底板的层叠构造，而由铝形成。 0076 下面，采用图2、12A、12B、12C、13A、13B、14A、14B、15、16A、16B、16C说明本变形例 的照相机组件的制造方法。图15是示意性地表示本变形例的照相机组件的基本制造方法 的立体图，图13A、14A是示意性地表示本变形例的照相机组件的基本制造方法的立体图， 图13B、14B是局部地表示图13A、14A的层叠构造的剖视图。图16A是示意性地表示本变形 例的照相机组件的基本制造方法的立体图，图16B是表示图16A的第1透镜保护部与第2透 镜保护部的边界的剖视图。另外，图16C是表示图16A的图像传感器透镜。
37、保护部与第1透 镜保护部的边界的剖视图。 0077 步骤S1001 0078 首先，准备经由图像传感器的制造工序等形成的图像传感器10(参照图3)。 0079 步骤S1002 0080 接着，准备用于保护图像传感器10的图像传感器保护部20。作为该图像传感器保 护部20的形成方法，首先，在非导体(塑料)部21的表面利用金属蒸镀的方法蒸镀成为底 说 明 书CN 102279505 A CN 102279510 A 7/8页 10 板22a的Cu。之后，在底板22a的表面利用金属蒸镀的方法蒸镀成为顶板22b的SUS。并 且，顶板22b与外部空气接触，顶板22b的表面被氧化而形成氧化膜23(参照图4。
38、A、4B)。 0081 步骤S1003 0082 接着，在图像传感器10的像素区域之外的区域或者图像传感器保护部20的与图 像传感器10的粘接面上涂覆导电性粘接剂50的Ag。并且，使图像传感器10和图像传感器 保护部20粘接(参照图5、6)。 0083 步骤S1004 0084 接着，准备由透镜30、第1透镜保护部60以及第2透镜保护部70构成的透镜单 元。该第1透镜保护部60的形成方法与上述图像传感器保护部20同样，首先利用金属蒸 镀的方法在非导体(塑料)部61的表面蒸镀成为底板62a的Cu。之后，在底板62a的表面 蒸镀成为顶板62b的SUS。由此，得到金属膜62。之后，如图13A、13B。
39、所示，顶板62b与外 部空气接触，顶板62b的表面被氧化而形成氧化膜63。该第2透镜保护部70的形成方法与 上述图像传感器保护部20同样，首先利用金属蒸镀的方法在非导体(塑料)部71的表面 蒸镀成为底板72a的Cu。之后，在底板72a的表面蒸镀成为顶板72b的SUS。由此，得到金 属膜72。之后，如图14A、14B所示，顶板72b与外部空气接触，顶板72b的表面被氧化而形 成氧化膜73。 0085 然后，在第1透镜保护部60的与第2透镜保护部70的粘接面或者第2透镜保护 部70的与第1透镜保护部60的粘接面上涂覆导电性粘接剂53的Ag。然后，以保持透镜 30的方式使第1透镜保护部60和第2透镜。
40、保护部70粘接。 0086 步骤S1005 0087 接着，如图15所示，在图像传感器保护部20的与第1透镜保护部60的粘接面或 者在第1透镜保护部60的与图像传感器保护部20的粘接面上涂覆导电性粘接剂52的Ag。 并且，如图16A、16B、16C所示，将图像传感器保护部20与第1透镜保护部60粘接。 0088 步骤S1006 0089 接着，与上述实施方式同样地对图像传感器保护部20和第2透镜保护部70施加 不会对图像传感器10加载负荷的5V左右的弱电压(破坏电压)。另外，在施加电压时，对 在外观规格上没有问题的部位施加电压。通过施加该电压，图像传感器保护部20和第1透 镜保护部60之间的氧。
41、化膜23、63、第1透镜保护部60和第2透镜保护部70之间的氧化膜 63、73被局部破坏。即、氧化膜23、63的与导电性粘接剂52接触的面局部地被破坏。另外， 同样，氧化膜63、73的与导电性粘接剂53接触的面局部地被破坏。由此，金属膜22、62与 导电性粘接剂52接触。此外，金属膜62与金属膜72接触。 0090 另外，优选在图像传感器保护部20上，例如预先在被施加破坏电压的部位设置标 记，在第2透镜保护部70上，例如预先在被施加破坏电压的部位设置标记。优选标记例如设 置在图像传感器保护部20的侧面的照相机组件的角度识别部或透镜保护部70的上表面。 并且，标记更优选为凹形状或者凸形状。 00。
42、91 另外，在施加破坏电压时，也可以在将被施加破坏电压的部位的绝缘膜除去之后， 施加破坏电压。 0092 根据上述变形例，本变形例的照相机组件的制造方法包括：准备图像传感器10； 准备第1构件20，该第1构件20具备第1非导体21、覆盖第1非导体21的第1金属膜22、 说 明 书CN 102279505 A CN 102279510 A 8/8页 11 和覆盖第1金属膜22的第1绝缘膜23；准备第2构件70，该第2构件70具备第2非导体 71、覆盖第2非导体71的第2金属膜72、和覆盖第2金属膜72的第2绝缘膜73；将第1构 件20配置在图像传感器10上；将第2构件70配置在第1构件20上；对。
43、第1构件20和第 1构件20上的第2构件70之间施加规定的电压，使第1绝缘膜23和第2绝缘膜73的一部 分破坏。另外，在第1构件20和第2构件70之间配置具备第3非导体61、覆盖第3非导体 61的第3金属膜62、和覆盖第3金属膜62的第3绝缘膜63的第3构件60，在施加规定的 电压时，第3绝缘膜63的一部分被破坏。另外，介由第1导电性材料50将第1构件20配 置在图像传感器10上，介由导电性材料52将第3构件60配置在第1构件20上，介由导电 性材料53将第2构件70配置在第3构件60上。 0093 因此，与上述实施方式同样，能够将形成在各部件之间的氧化膜(绝缘膜)局部除 去(破坏)。另外，通。
44、过除去该绝缘膜，能够通过导电性粘接剂将各部件电连接。因此，采用 了多个由非导体部(塑料)、形成在非导体部上的金属膜以及形成在金属膜上的绝缘膜构 成的部件的照相机组件也能够降低电阻值。其结果是，能够得到降低了电阻值的高品质的 照相机组件。 0094 另外，在上述实施方式和变形例中，对采用2个或者3个由非导体部(塑料)、形成 在非导体部上的金属膜、和形成在金属膜上的绝缘膜构成的部件的情况进行了说明，但不 限于此。 0095 另外，在上述实施方式和变形例中，对图像传感器保护部和透镜保护部施加破坏 电压，但也可以替代图像传感器保护部，对图像传感器施加破坏电压。在该情况下，设置在 图像传感器与图像传感器。
45、保护部之间的绝缘膜被局部破坏。 0096 另外，在上述实施方式和变形例中说明的照相机组件具有图像传感器和透镜或该 部件，但不限于此。例如，只要是具备多个由非导体部(塑料)、形成在非导体部上的金属 膜、和形成在金属膜上的绝缘膜构成的部件的结构，就能够采用同样的电压施加方法，可得 到同样的效果。 0097 虽然记载了某些实施方式，但这些实施方式只是例示，并不用于限定本发明的范 围。实际上，上述新方法和系统能够以其他变形方式来实施，并且，在不脱离本发明的精神 实质的范围内，可以对上述方法和系统进行各种删减、替代、改变。所附的权利要求书及其 等同内容包含落入本发明的范围和精神实质内的方式或变更。 说 。
46、明 书CN 102279505 A CN 102279510 A 1/7页 12 图1 图2 图3 说 明 书 附 图CN 102279505 A CN 102279510 A 2/7页 13 图4 图5 图6 说 明 书 附 图CN 102279505 A CN 102279510 A 3/7页 14 图7 图8 说 明 书 附 图CN 102279505 A CN 102279510 A 4/7页 15 图9 图10 图11 说 明 书 附 图CN 102279505 A CN 102279510 A 5/7页 16 图12 图13 说 明 书 附 图CN 102279505 A CN 102279510 A 6/7页 17 图14 图15 说 明 书 附 图CN 102279505 A CN 102279510 A 7/7页 18 图16 说 明 书 附 图CN 102279505 A 。