磁光记录介质和它们的擦除方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN90101980.1

申请日:

1990.04.06

公开号:

CN1046240A

公开日:

1990.10.17

当前法律状态:

终止

有效性:

无权

法律详情:

|||授权||||||公开||||||

IPC分类号:

G11B7/24

主分类号:

G11B7/24

申请人:

三井石油化学工业株式会社

发明人:

山浩二

地址:

日本

优先权:

1989.04.06 JP 87309/1989

专利代理机构:

上海专利事务所

代理人:

全永留

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内容摘要

本发明提供了一种磁光记录介质,它包括一层基片,其磁化方向垂直于层表面的两层记录层以及插入所述两层记录层中间的一层磁屏蔽层。本发明也提供了所述磁光记录介质的擦除方法。

权利要求书

1: 一种磁光记录介质,它具有两层磁光记录层,其各自的磁化方向垂直于介质表面,其特征在于由抑制磁力线渗入的磁屏蔽材料组成的磁屏蔽层插在所述磁光记录层的中间。
2: 根据权利要求1所述的磁光记录介质,其特征在于其中的磁屏蔽层由超导材料组成。
3: 一种磁光记录介质擦除的方法,它包括擦除记录在两层记录层每层中的信息,该记录层具有垂直于所述磁光记录介质表面的磁化方向,其特征在于它包括将含有抑制磁力线渗入的磁屏蔽材料的磁屏蔽层插在所述两层记录层中,并从两层记录层的任一面将一个方向的磁力线作用上去以擦除记录层,使其磁化方向都沿着层表面按同一方向均匀排列,从而擦除了记录的信息。
4: 根据权利要求3所述的磁光记录介质的擦除方法,其特征在于其中由产生磁力线的磁力发生器所产生的磁场强度是5-20KOe。
5: 根据权利要求3所述的磁光记录介质的擦除方法,其特征在于在旋转磁光记录介质时将磁力线作用于所述的磁光记录介质的一面。
6: 根据权利要求3所述的磁光记录介质的擦除方法,其特征在于将磁力线同时作用于磁光记录介质的两面,从而在两面擦除其记录的信息。
7: 根据权利要求3所述的磁光记录介质的擦除方法,其特征在于磁力线基本上垂直地作用于磁光记录介质的表面。

说明书


本发明涉及具有能重写其中已记录信息的两层记录层的磁光记录介质和它们的擦除方法。

    已开发出的磁光记录介质是这类典型的光记录介质,它们有能重写其中已记录信息的记录层。

    设计磁光记录介质,使它通过光照可在垂直于介质表面方向磁化的记录层而改变记录层光照部分的磁化方向,从而可能记录或擦掉信息。

    在上述的磁光记录介质产物装载前,或者在所述的介质中通过光盘启动重新记录信息前,其中应无信息记录,因此,这类磁光记录介质需要擦除。

    用有效地擦除记录在磁光介质的记录层里的信息的常规已知方法时,以激光的能量来逐点地照射记录层的表面,而同时允许能量束和记录层作相对移动,从而记录层的整个表面用该能量束来照射,并使记录层的磁化方向沿着层表面是确定的。

    为了在这些记录层中记录高密度的信息,人们已开发出具有两层记录层的磁光记录介质。按照常规方法擦除这类磁光记录介质时,有如下的不足,即使只清除一层记录层时也需要费很长时间来用能量逐点地照射记录层。

    本申请者开发出一种擦除方法,其中来自一个方向的强磁场磁力线作用到已有记录层在上面形成的磁光记录介质上,使所述的记录层的磁化方向沿着层的表面是确定的,它可作为在磁光记录层与时间内擦除记录信息的方法。

    但是,当采用上述方法清除具有两层记录层的光记录介质时有这样的不足,即两层的磁化方向同时相同地沿着层表面且只有一层记录层被消除。此外,在此情况下当两层磁光记录层的磁化方向指向相同方向时,刚从相反的方向用激光束照射每层记录层使之再生。由于那个原因,为了同时擦除两层记录层,两层记录层的磁化方向必须同样是逆向的方向且都是沿着层表面的相同方向。因此,上述的方法不能满足该要求。

    由于这个关系,日本专利特开昭第24410/1988揭示了在磁光记录介质中磁光记录层的外表面上叠上一层磁屏蔽以屏蔽外界磁化的技术。但是,该揭示的技术只能单纯屏蔽外界磁场的影响,它全然没有揭示本发明的对磁光记录介质有效擦除的技术构思。

    就此而论则产生了本发明,本发明的一个目的是提供磁光记录介质其中能在短时间里有效地擦除两层记录层之一的信息记录,并提供出它们的擦除方法。

    为了实施上述的发明目的,本发明的磁光记录介质包括两层磁光记录层,它们的磁化方向垂直于层表面,其特征在于包含抑制磁力线渗入的磁屏蔽材料的磁屏蔽层被插在所述的两层磁光记录层中间。

    本发明磁光记录介质的擦除方法包括擦除两层磁光记录层之一的记录的信息,两层磁光记录层的磁化方向垂直于磁光记录介质的层表面,该清除方法的特征在于包含磁屏蔽材料的磁屏蔽层被插在所述的两层磁光记录介质中间,将指向一个方向的磁力线用在记录层的表面以从两层记录层中的任一层中擦除,从而使所述记录层的磁化方向都沿着层表面,以致擦除记录在所述记录层中的信息。

    在本发明的擦除记录介质和擦除方法中,它具有一层插在两层记录层之间的磁屏蔽层,当将磁力线从两层记录层之一的一面作用于整个磁光记录介质上时,磁力线通过磁屏蔽层而被屏蔽,并且不会对介质的相对另一侧造成任何影响。并且施以磁力线的所述记录层的磁化方向将被强行排列成沿着层表面的相同方向(在层表面中),且只有这种记录尽可被擦除。此外,为了将磁力线用于整个磁光记录介质上可在短时间内进行操作,结果在短时间内也可有效地擦除所述的介质。更可取的是使磁力线基本垂直作用于记录层表面而使之进行擦除。此外,将磁力线同时从这些记录层的两面作用,则在信息信息介质上形成的两层记录层所记录的信息可同时被擦除。

    下面参照附图对本发明的磁光记录介质和它们的擦除方法作详尽的阐述:

    图1是说明本发明磁光记录介质一个具体实例的横截面图。

    图2是说明本发明擦除方法的一个具体实例的示意图。

    图3是本发明中用来产生磁力线的方法的斜剖图。

    图4是说明本发明擦除方法的一个具体实例的示意图。

    如图1所示,本发明的磁光记录介质2具有两层磁光记录层4和6和一层插在两层间的磁屏蔽层8。在图1所示的实例中,磁光记录介质2由分别在基片10和12上各自形成记录层4和6的两层磁光记录介质叠合而成,所述的叠合是使磁屏蔽层8插在磁光记录层4和6之间。在本发明的另一个实例中,磁光记录介质可由两个在一个基片上形成的磁光记录层以及插在磁光记录层4和6之间的磁屏蔽层所组成。

    虽然对制备上述基片10和12的材料无特定的限制,但是这些基片是所需的透明基片,例如,诸如玻璃、铝等的无机材料,诸如聚(甲基甲基丙烯酸酯)、聚碳酸酯、聚碳酸酯和聚苯乙烯酯的聚合物合金,诸如在美国专利第4,614,778揭示的环烯烃聚合物,包括乙烯与1,4,5,8-二甲桥-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氢化萘(四环十二碳烯)的共聚物、乙烯与2-甲基-1,4,5,8-二甲桥-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氢化萘(四环十二碳烯)的共聚物、乙烯与2-甲基-1,4,5,8-二甲桥-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氢化萘(甲基四环十二碳烯)的共聚物,乙烯与2-乙基-1,4,5,8-二甲桥-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氢化萘的共聚物、聚-4-甲基-1-戊烯、环氧树脂、聚醚砜、聚砜、聚醚亚酰胺等的有机物质。

    在上述例举的这些物质中,较好的是聚(甲基甲基丙烯酸酯)、聚碳酸酯及在美国专利第4,614,778中揭示的环烯烃聚合物,最好的是美国专利第4,614,778中揭示的环烯烃聚合物,因为它对记录层的粘结良好且具有低的双折射指数。

    基片10和12可有任何厚度只要它对整个记录介质2足以提供适当的坚韧性,例如,较好的是0.5-2.5毫米,最好是约1-1.5毫米。

    对于用于本发明中具有垂直于层表面的单轴各向异性磁光记录层4和6的材料无特定的限制。但是,这些记录层较好地包含这类物质,例如,包括至少一种选自(ⅰ)3d过渡金属和至少一种选自(ⅲ)稀土元素,或者包括至少一种选自(ⅰ)3d过渡金属和至少一种选自(ⅱ)耐腐蚀金属和(ⅲ)稀土元素。

    上述的3d过渡金属(ⅰ)包括Fe、Co、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu和Zn,而择优地选用Fe或Co,或两种都选用。

    当在磁光记录层4中掺入耐腐蚀金属(ⅱ)时,则可改善记录层的抗氧化性。所用的耐腐蚀金属包括Pt、Pd、Ti、Zr、Ta、Mo、Nb等。在这些金属中,较好的是Pt、Pd和Ti,最好的是Ft或Pd,或者Pt和Pd同时用。

    所用的稀土元素(ⅲ)包括,例如Gb、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、rb、Lu、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm和Eu。在这些元素中,较好的是Gb、Tb    Dy、Ho、Nd、Sm和Pr。

    虽然对薄膜厚度无特定的限制,但是本发明的磁光记录层每层的厚度较好为50-5000,最好是100-200。

    用于本发明的磁屏蔽层是由抑制磁力线渗入的磁屏蔽材料所组成的。有用的磁屏蔽材料包括高导磁材料例如坡莫合金(Permalloy)(Ni-Fr系磁性合金)和Sendust(Si-Al-Fe系磁性合金)以及超导材料。超导材料包括(作为实例但不受限制)诸如Nb N、Nb3Sn、V3Ga、V3Si、Nb3Al和Nb3Ge的金属超导材料;诸如Ba(Pb,Bi)O、La-Ba-Cu-0、La-Sr-On-O、Y-Ba-Cu-O、Y-Ba-Ca-O、Y-Ba-Cu-0-F、Bi-Ca-Sr-Cu-O和Tl-Ca-Ba-Cu-O的陶瓷超导材料系列以及诸如TTF(四硫代富瓦烯-X型(其中X是阴离子)、[TMTSF(四甲基四硒代富瓦烯)2]-X型和(BEDT TIF)-X型(BEDT∶双(亚乙基二硫羟基)四硫代富瓦烯)的有机超导材料。

    虽然对磁屏蔽层的薄膜厚度无特别的限定,但是较好的是1000-0.5mm或在此附近。用本发明方法擦除的磁光记录介质2可以是任何形状而无特别的限制,例如卡片式、片状、盘状等。

    在本发明中,用下列擦除所述信息方法可以擦除磁光记录介质2的磁光记录层中记录的信息。

    例如如图2所示,磁光记录介质2具有在它上面形成的磁光记录介质4和6,在擦除前,将磁光记录介质2放在传送带14上。传送带14被设计成可按箭头的方向进行传送。

    磁力发生器18可发射磁光记录介质2一面表面方向上的磁力线16,该磁力发生器18直接放在传送所述磁光记录介质2的传送带14上。

    从磁力发生器18中发射的磁力线16被设计成几乎垂直于A方向移动的传送带14的表面。

    例如所使用的磁力发生器18包括,电磁体和永磁体,较好的是如图3所示的电磁体。在图3所示的电磁体中,线圈22围绕由导体材料组成的芯部分20绕线。如图3所示,芯部分20较好地具有扁平板状形状,它沿着磁力线的方向放置,而在传送介质的垂直方向上发射磁力线。磁力发生器具有上述形状以使使预期的擦除在线圈22的匝数较少且电流耗量较少时能进行。

    由磁力发生器18发射的磁场可具有任何的强度,只要它的强度足以使磁光记录介质2的一层记录层4的磁化方向在同一方向上均匀地排列,磁场强度择优地选用5千奥-20千奥(KOe)。由磁力发生器18发射的磁力线可如图2所示从顶部指向底部,或者可从底部指向顶部。

    根据本发明一个实例的擦除方法,用磁力发生器18发射的强磁力线16对磁光记录介质2的一层记录层4进行照射,并通过传送带14将磁光记录介质2在几乎垂直于所发射的磁力线的方向上作相对运动。因此,在相对运动中,整个一层记录层4按一个方向磁化,从而能在短时间内实现记录层4的擦除。

    此外,在这种情况下,因为磁力线16被磁屏蔽层8所屏蔽,所以在磁光记录介质2相背对一面的磁光记录层6中记录的信息就不能被擦除。用上述相同的过程,将磁光记录介质2翻过来放在传送带14上也可擦除记录层6。

    在本发明的方法中,磁力线可通过各种方法作用于磁光记录介质的一面,而不限于上述方法。

    例如,当擦除如图4所示盘状磁光记录介质2a一面上的记录层时,可将盘状磁光记录介质2a放在用作旋转装置的旋转台24上,在旋转台24时,从磁力发生器18中发射的磁力线16至少在经向上作用于磁光记录介质2一边的整个面上。在此情况下,通过旋转台一次旋转,磁光记录介质2a一侧上的记录层则完全擦除干净。

    就此而论,通过各种装置诸如链、遥控手、气缸等,而不仅限于传送带14和旋转台24,使磁光记录介质2可以几乎垂直于磁力线16的方向作相对运动。磁力发生器18可以适当的方法作相对运动而磁光记录介质2则不运动。此外,可将磁力线同时作用于所述磁光记录介质的两侧而使在磁光记录介质上形成的两层记录层中记录的信息同时擦除。

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本发明提供了一种磁光记录介质,它包括一层基片,其磁化方向垂直于层表面的两层记录层以及插入所述两层记录层中间的一层磁屏蔽层。本发明也提供了所述磁光记录介质的擦除方法。。

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