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一种FinFET器件及其制作方法,包括:提供衬底,在衬底上形成鳍部;在衬底以及鳍部上覆盖牺牲层;图形化牺牲层以形成空隙,空隙用于暴露出用作沟道区的部分鳍部;去除暴露出的鳍部的材料,使暴露出的鳍部的截面呈上小下大的形状;在空隙中填充介质层材料;去除部分介质层材料,保留空隙的侧壁上的部分介质层材料以形成侧墙;在空隙中的侧墙之间填充并形成栅极。本发明具有以下优点:使鳍部的侧壁倾斜以便于在覆盖介质材料层后。