LED镜面铝基板封装工艺.pdf

本发明公开了一种LED镜面铝基板封装工艺，其包括以下步骤：铝基板布线并电镀镜面银，形成镜面反光层；芯片固晶；固晶胶固化，将固晶有LED芯片的铝基板放入恒温烤箱内，加热烘烤1.5～2小时，烘烤温度为150℃～180℃，待固晶胶固化后，取出降至室温；焊接键合线；荧光胶涂覆。本发明省去了常规的贴片及回流焊的工艺过程，减少生产中的设备投入，降低了生产成本，提高了生产时效，利用该工艺生产的LED产品具有高光效，低热阻，光分布均匀，无炫光，光穿透能力强，可靠性好等优点。

权利要求书1.  一种LED镜面铝基板封装工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1，铝基板布线并电镀镜面银，形成镜面反光层； S2，芯片固晶，在铝基板上涂覆固晶胶，将LED芯片固定于覆有固晶胶处； S3，固晶胶固化，将固晶有LED芯片的铝基板放入恒温烤箱内，加热烘烤 1.5～2小时，烘烤温度为150°～180°，待固晶胶固化后，取出降至室温； S4，焊接键合线，通过焊线机台用键合线将LED芯片的PN极分别铝基板 的电极上； S5，荧光胶涂覆，将荧光胶均匀涂覆于LED芯片上，之后放入恒温烤箱内， 加热烘烤2.5～3小时，烘烤温度为120°～150°。 2.  根据权利要求1所述的LED镜面铝基板封装工艺，其特征在于：在完成 所述步骤S4之后，还包括步骤S41光源模块导通检测，通过恒流恒压电源驱动 测试LED光源模块是否导通。 3.  根据权利要求2所述的LED镜面铝基板封装工艺，其特征在于：在完成所 述步骤S41之后，还包括步骤S42荧光胶参数调整，根据产品需要，配荧光粉试 点确认出需要色温、显色参数。 4.  根据权利要求1或2或3所述的LED镜面铝基板封装工艺，其特征在于：所 述步骤S5中，键合线为纯度为99.99％的金线。 5.  根据权利要求1或2或3所述的LED镜面铝基板封装工艺，其特征在于：所 述铝基板长度为0.6m或1.2m。

说明书LED镜面铝基板封装工艺
技术领域
本发明属于LED技术领域，具体涉及一种LED镜面铝基板封装工艺。
背景技术
传统的室内照明常采用贴片灯、节能灯发光，光损失大，组装复杂，光效 低的缺点造成巨大的能源浪费；该类灯寿命短，维护成本高；显色性能低，物 体的视觉还原能力差，容易引起视觉疲劳；光衰性能差，一年能下降30％以上。 因此开发高光效、节能、寿命周期长、显色指数高、环保的新型封装LED灯对城 市照明节能具有十分重要的意义。
现有LED灯在封装时，LED器件需要先贴片，再通过回流焊的方式固定到PCB 板上，加工工艺复杂，需要专门的贴片机，造成生产成本高，时效慢，影响了 LED灯的大众化推广使用。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种LED镜面铝基板封装工艺，省去了常规的贴片 及回流焊的工艺过程，减少生产中的设备投入，降低了生产成本，提高了生产 时效。
其技术方案如下：
一种LED镜面铝基板封装工艺，其包括以下步骤：
S1，铝基板布线并电镀镜面银，形成镜面反光层；
S2，芯片固晶，在铝基板上涂覆固晶胶，将LED芯片固定于覆有固晶胶处；
S3，固晶胶固化，将固晶有LED芯片的铝基板放入恒温烤箱内，加热烘烤 1.5～2小时，烘烤温度为150°～180°，待固晶胶固化后，取出降至室温；
S4，焊接键合线，通过焊线机台用键合线将LED芯片的PN极分别铝基板 的电极上；
S5，荧光胶涂覆，将荧光胶均匀涂覆于LED芯片上，之后放入恒温烤箱内， 加热烘烤2.5～3小时，烘烤温度为120°～150°。
采用以上工艺，省去了常规的贴片及回流焊的工艺过程，减少生产中的设 备投入，降低了生产成本，提高了生产时效，由于采用了镜面铝基板，大大提 高了LED光源模块的反光率
优选地，为保证产品合格率，在完成所述步骤S4之后，还包括步骤S41光源 模块导通检测，通过恒流恒压电源驱动测试LED光源模块是否导通。
优选地，完成所述步骤S41之后，还包括步骤S42荧光胶参数调整，根据产 品需要，配荧光粉试点确认出需要色温、显色参数，以获得更好的发光效果。
优选地，所述步骤S5中，键合线为纯度为99.99％的金线，以保证其具有足 够的导电系数和延展性。
优选地，所述铝基板长度为0.6m或1.2m，这样，在制造成品时，不需要过 多的拼接工序，能够提高组装时效20％左右。
有益效果：
采用以上技术方案的LED镜面铝基板封装工艺，省去了常规的贴片及回流 焊的工艺过程，减少生产中的设备投入，降低了生产成本，提高了生产时效， 利用该工艺生产的LED产品具有高光效，低热阻，光分布均匀，无炫光，光穿 透能力强，可靠性好等优点。
附图说明
图1为本发明的工艺流程图；
图2为本发明的LED镜面铝基板封装结构的示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例， 并结合附图，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实 施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
如图1和图2所示，一种LED镜面铝基板封装工艺，包括以下步骤：
S1，铝基板1布线并电镀镜面银，形成镜面反光层2，铝基板1长度优选为 0.6m或1.2m，镜面反光层2位于铝基板1上表面；
S2，芯片固晶，芯片固晶，在铝基板上涂覆固晶胶3，将LED芯片4固定 于覆有固晶胶3处，LED芯片按1/3～1/2固晶胶量布于铝基板1上；
S3，固晶胶固化，将固晶有LED芯片4的铝基板1放入恒温烤箱内，加热 烘烤1.5～2小时，烘烤温度为150°～180°，待固晶胶3固化后，取出降至室温；
S4，焊接键合线，通过焊线机台用键合线5将LED芯片4的PN极分别铝 基板1的电极6上，构成LED光源模块，键合线5为99.99％纯度的金线；
S41，光源模块导通检测，通过恒流恒压电源驱动测试LED光源模块是否 导通；
S42，荧光胶参数调整，根据产品需要，配荧光粉试点确认出需要色温、显 色参数；
S5，荧光胶涂覆，将荧光胶7均匀涂覆于LED芯片4上，之后放入恒温烤 箱内，加热烘烤2.5～3小时，烘烤温度为120°～150°。封装完成后，由于采用 了镜面铝基材，能够在LED芯片4外侧形成镜面反射区8，提高LED光源模块 的反光率。
最后需要说明的是，上述描述仅仅为本发明的优选实施例，本领域的普通 技术人员在本发明的启示下，在不违背本发明宗旨及权利要求的前提下，可以 做出多种类似的表示，这样的变换均落入本发明的保护范围之内。