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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201410745957.9(22)申请日 2014.12.08H01L 23/31(2006.01)H01L 21/56(2006.01)H01L 21/60(2006.01)(71)申请人杰群电子科技（东莞）有限公司地址 523000 广东省东莞市黄江镇裕元工业园区精成科技园区B栋(72)发明人江伟 徐振杰 黄源炜(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司 11332代理人路凯 胡彬(54) 发明名称一种半导体器件及其封装方法(57) 摘要本发明公开了一种半导体器件及其封装方法，该封装方法包括：提供导线架，所述导线架包括芯片座、芯片。
2、管脚、第一管脚和第二管脚，所述芯片管脚与所述芯片座连接，所述第一管脚和所述第二管脚与所述芯片座断开；在所述芯片座之上焊接芯片，所述芯片的漏极与所述芯片座连接；焊接铝箔，所述铝箔连接所述芯片的源极和所述第一管脚；压焊所述芯片之上的铝箔拱起的部分和/或所述第一管脚之上的铝箔拱起的部分；焊接导线，所述导线连接所述芯片的栅极和所述第二管脚。本发明所述的半导体器件的封装方法有效地降低了半导体器件的电流密度，进而能够延长半导体器件的寿命，并提高半导体器件的可靠性。(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明书4页 附图2页(10)申请公布号 CN 10。
3、4409430 A(43)申请公布日 2015.03.11CN 104409430 A1/1页21.一种半导体器件的封装方法，其特征在于，包括：提供导线架，所述导线架包括芯片座、芯片管脚、第一管脚和第二管脚，所述芯片管脚与所述芯片座连接，所述第一管脚和所述第二管脚与所述芯片座断开；在所述芯片座之上焊接芯片，所述芯片的漏极与所述芯片座连接；焊接铝箔，所述铝箔连接所述芯片的源极和所述第一管脚；压焊所述芯片之上的铝箔拱起的部分和/或所述第一管脚之上的铝箔拱起的部分；焊接导线，所述导线连接所述芯片的栅极和所述第二管脚。2.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述在所述芯片座之上焊接芯。
4、片包括：在所述芯片座之上制备导电结合材；采用回流焊技术在所述导电结合材上焊接芯片。3.根据权利要求2所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述在所述芯片座之上焊接芯片之后，所述焊接铝箔之前还包括：对焊接芯片之后得到的半导体器件进行清洗。4.根据权利要求3所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述提供导线架具体包括：提供引线框架，所述引线框架包括单排连接的多个导线架，所述焊接导线之后还包括：对焊接导线之后得到的半导体器件进行注塑封装和分离。5.一种半导体器件，其特征在于，包括：导线架，所述导线架包括芯片座、芯片管脚、第一管脚和第二管脚，所述芯片管脚与所述芯片座连接，所述第一管脚和所述第二管脚。
5、与所述芯片座断开；导电结合材，所述导电结合材位于所述芯片座之上；芯片，所述芯片位于所述导电结合材之上，所述芯片的漏极与所述芯片座连接；铝箔，所述铝箔连接所述芯片的源极和所述第一管脚；导线，所述导线连接所述芯片的栅极和所述第二管脚。权 利 要 求 书CN 104409430 A1/4页3一种半导体器件及其封装方法技术领域0001 本发明涉及涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其封装方法。背景技术0002 随着半导体器件封装技术的不断进步，要求半导体器件的尺寸越来越小，但是处理速度和功率要求越来越高。但是，现有半导体器件的小尺寸、高功率引起的高电流密度，即半导体器件的源极和漏极上的电流密度。
6、较高，成为阻碍半导体发展的主要问题。较高的电流密度大大减小了半导体器件的寿命，并降低了半导体器件的可靠性。发明内容0003 本发明是为了解决现有技术中的上述不足而完成的，本发明的目的在于提出一种半导体器件及其封装方法，该半导体器件的封装方法能够减小封装的半导体器件的电流密度。0004 为达此目的，本发明采用以下技术方案：0005 第一方面，本发明公开了一种半导体器件的封装方法，包括：0006 提供导线架，所述导线架包括芯片座、芯片管脚、第一管脚和第二管脚，所述芯片管脚与所述芯片座连接，所述第一管脚和所述第二管脚与所述芯片座断开；0007 在所述芯片座之上焊接芯片，所述芯片的漏极与所述芯片座连接。
7、；0008 焊接铝箔，所述铝箔连接所述芯片的源极和所述第一管脚；0009 压焊所述芯片之上的铝箔拱起的部分和/或所述第一管脚之上的铝箔拱起的部分；0010 焊接导线，所述导线连接所述芯片的栅极和所述第二管脚。0011 进一步地，所述在所述芯片座之上焊接芯片包括：0012 在所述芯片座之上制备导电结合材；0013 采用回流焊技术在所述导电结合材上焊接芯片。0014 进一步地，所述在所述芯片座之上焊接芯片之后，所述焊接铝箔之前还包括：0015 对焊接芯片之后得到的半导体器件进行清洗。0016 进一步地，所述提供导线架具体包括：0017 提供引线框架，所述引线框架包括单排连接的多个导线架，0018 。
8、所述焊接导线之后还包括：0019 对焊接导线之后得到的半导体器件进行注塑封装和分离。0020 第二方面，本发明公开了一种半导体器件，包括：0021 导线架，所述导线架包括芯片座、芯片管脚、第一管脚和第二管脚，所述芯片管脚与所述芯片座连接，所述第一管脚和所述第二管脚与所述芯片座断开；0022 导电结合材，所述导电结合材位于所述芯片座之上；0023 芯片，所述芯片位于所述导电结合材之上，所述芯片的漏极与所述芯片座连接；说 明 书CN 104409430 A2/4页40024 铝箔，所述铝箔连接所述芯片的源极和所述第一管脚；0025 导线，所述导线连接所述芯片的栅极和所述第二管脚。0026 本发明所。
9、述的半导体器件的封装方法通过焊接连接芯片的源极和第一管脚的铝箔后再对铝箔上拱起的部分进行压焊，在有限的焊接区域内增加了铝箔与半导体器件的接触面积，有效地降低了半导体器件的电流密度，进而能够延长半导体器件的寿命，并提高半导体器件的可靠性。附图说明0027 为了更加清楚地说明本发明示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本发明所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。0028 图1是本发明实施例一提供的半导体器件的封装方法的流程图。0029 图2是本发明。
10、实施例二提供的半导体器件的结构图。具体实施方式0030 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本发明实施例中的附图，通过具体实施方式，完整地描述本发明的技术方案。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本发明的保护范围之内。0031 实施例一：0032 图1是本发明实施例一提供的半导体器件的封装方法的流程图。如图1所示，该方法包括：0033 步骤101、提供引线框架，引线框架包括单排连接的多个导线架，导线架包括芯片座、芯片管脚、第一管脚和第二管脚，芯片管脚与芯片座。
11、连接，第一管脚和第二管脚与芯片座断开。0034 本步骤中，可以同时对包括多个导线架的引线框架进行操作，可以一次同时制作多个半导体器件。0035 步骤102、在芯片座之上制备导电结合材。0036 本步骤中，导电结合材可以是导电胶或焊锡膏，可以通过点或刷的方式，将导电结合材涂在芯片座上。0037 步骤103、采用回流焊技术在导电结合材上焊接芯片，芯片的漏极与芯片座连接。0038 本步骤中，正装芯片，芯片的漏极朝下。由于芯片管脚与芯片座连接，且结合材为导电的，所以，芯片管脚即为封装后的半导体器件的漏极。0039 步骤104、对焊接芯片之后得到的半导体器件进行清洗。0040 本步骤中，经过清洗之后可以。
12、去掉粘附在半导体器件表面的结合材助焊剂防止焊线不牢及填充注塑后出现分层现象。0041 步骤105、焊接铝箔，铝箔连接芯片的源极和第一管脚。0042 本步骤中，芯片的源极位于芯片的上表面，焊接的铝箔在芯片的源极上可以有两说 明 书CN 104409430 A3/4页5个焊点，焊接后，第一管脚与芯片的源极连接，所以，第一管脚即为封装后的半导体器件的源极。0043 与现有技术中焊接导线将芯片的源极与源极管脚连接相比，通过焊接铝箔，增大了铝箔与芯片的源极的接触面积，有效地降低了源极的电流密度。0044 步骤106、压焊芯片之上的铝箔拱起的部分和/或第一管脚之上的铝箔拱起的部分。0045 步骤105焊接。
13、的铝箔不可避免地会有拱起，不接触芯片源极的部分。本步骤106中，将焊线头返回对铝箔拱起的部分进行二次压焊，进一步增大了铝箔与芯片的源极的接触面积，有效地降低了源极的电流密度。0046 步骤106之后还可以多次将焊线头返回对铝箔拱起的部分进行压焊，使得铝箔与芯片的源极的接触面积尽量地大，能够尽量地降低源极的电流密度。0047 步骤107、焊接导线，导线连接芯片的栅极和第二管脚。0048 本步骤中，芯片的栅极位于芯片的上表面，第二管脚与芯片的栅极连接，所以，第二管脚即为封装后的半导体器件的栅极。因为栅极的电流密度较小，故用导线连接即可。0049 步骤108、对焊接导线之后得到的半导体器件进行注塑封。
14、装和分离。0050 本步骤中，经过注塑封装和分离之后，可以得到多个单独的半导体器件。0051 本发明实施例一所述的半导体器件的封装方法通过焊接连接芯片的源极和第一管脚的铝箔后再对铝箔上拱起的部分进行压焊，在有限的焊接区域内增加了铝箔与半导体器件的接触面积，有效地降低了半导体器件的电流密度，进而能够延长半导体器件的寿命，并提高半导体器件的可靠性。0052 实施例二：0053 图2是本发明实施例二提供的半导体器件的结构图。如图2所示，该半导体器件包括：0054 导线架201，导线架201包括芯片座211、芯片管脚221、第一管脚231和第二管脚241，芯片管脚221与芯片座211连接，第一管脚23。
15、1和第二管脚241与芯片座211断开。0055 导电结合材202，位于芯片座210之上。0056 本实施例中，导电结合材可以是导电胶或焊锡膏。0057 芯片203，位于导电结合材202之上，芯片203的漏极与芯片座211连接。0058 本实施例中，芯片的下表面均为漏极，与芯片座连接，由于芯片管脚与芯片座连接，且结合材为导电的，所以，芯片管脚即为封装后的半导体器件的漏极。0059 铝箔204，连接芯片203的源极和第一管脚231。0060 本实施例中，芯片的源极位于芯片的上表面，铝箔与芯片的源极可以有两个接触点，第一管脚与芯片的源极连接，第一管脚即为封装后的半导体器件的源极。0061 与现有技术。
16、中采用导线将芯片的源极与源极管脚连接相比，通过铝箔将芯片的源极和第一管脚相连，增大了铝箔与芯片的源极的接触面积，有效地降低了源极的电流密度。0062 导线205，连接芯片203的栅极和第二管脚241。0063 本实施例中，芯片的栅极位于芯片的上表面，第二管脚与芯片的栅极连接，所以，第二管脚即为封装后的半导体器件的栅极。因为栅极的电流密度较小，故用导线连接即可。0064 本实施例二提供的半导体器件通过铝箔连接芯片的源极和第一管脚，在有限的焊说 明 书CN 104409430 A4/4页6接区域内增加了铝箔与半导体器件的接触面积，有效地降低了半导体器件的电流密度，进而能够延长半导体器件的寿命，并提高半导体器件的可靠性。0065 上述仅为本发明的较佳实施例及所运用的技术原理。本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行的各种明显变化、重新调整及替代均不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由权利要求的范围决定。说 明 书CN 104409430 A1/2页7图1说 明 书 附 图CN 104409430 A2/2页8图2说 明 书 附 图CN 104409430 A。