磁头超声波清洗方法 本发明涉及计算机硬盘磁头技术领域，更具体地说，涉及一种对T/F磁头进行超声波清洗的T/F磁头超声波清洗方法。
计算机硬盘磁头技术的发展，T/F磁头已基本取代MIG磁头，T/F磁头的基本结构与MIG磁头的基本结构相似，但用NiFe磁轭取代了单晶铁氧体铁芯，用刻蚀的环形薄膜线圈取代了合成式磁头磁线线圈，T/F磁头超声波清洗与MIG磁头超声波清洗有较大不同。它更敏感，更易受到损伤。《精细清洗》(PrecisionCleadning)97年第4期论及T/F磁头的弹性臂舌片(FlexureTongue)在超声波清洗时较易断裂，同时T/F磁头的Slider与磁线采用超声波焊接，超声波清洗HAS时焊点处容易产生焊线离起和断开的问题。由于焊点处涂有一层保护胶，即使在高倍(1000倍)显微镜下都不能目检出此类缺陷，用万用表测试显示开路现象(习惯上，此类缺陷称为万用表废品)。这是MIG磁头不曾有而T/F磁头超声波清洗必须解决的问题。
本发明的目的在于提供一种T/F磁头超声波清洗方法，这种T/F磁头超声波清洗方法可以克服现有技术的缺点，大大降低由于磁头超声波清洗带来的掉头及舌片断裂、目检断线率、万用表废品率及总废品率，从而提高产品合格率。
本发明的目的是这样实现的，构造一种T/F磁头超声波清洗方法，包括以下步骤：
在装有清洗剂的清洗缸内对T/F磁头进行超声波清洗的步骤；
在装有DI循环水的预漂洗缸内对T/F磁头进行超声波预漂洗的步骤；
在装有DI循环水地最终漂洗缸内对T/F磁头进行超声波最终漂洗的步骤；
以热风将T/F磁头烘干的步骤，以及将T/F磁头置于真空烘干缸内将其烘干的步骤。
本发明的T/F磁头超声波清洗方法，其特征在于，在所述在装有清洗剂的清洗缸内对T/F磁头进行超声波清洗的步骤中，所用超声波强度为200W而频率为40KHz，温度为摄氏50±5度，清洗时间为3分钟。
本发明的T/F磁头超声波清洗方法，其特征在于，在所述以热风将T/F磁头烘干的步骤中，缸内温度为摄氏80±5度，烘干时间为10分钟。
本发明的T/F磁头超声波清洗方法，其特征在于，在所述将T/F磁头置于真空烘干缸内将其烘干的步骤中，所用温度为摄氏80±5度，烘干时间为4分钟。
本发明的T/F磁头超声波清洗方法，其特征在于，在所述装有DI循环水的预漂洗缸内对T/F磁头进行超声波预漂洗的步骤中，所用超声波强度为200W而频率为68KHz，温度为摄氏50±5度，清洗时间为3分钟。
本发明的T/F磁头超声波清洗方法，其特征在于，在所述装有DI循环水的最终漂洗缸内对T/F磁头进行超声波最终漂洗的步骤中，所用超声波强度为200W而频率为68KHz，温度为摄氏50±5度，清洗时间为3分钟。
实施本发明的T/F磁头超声波清洗方法，比起国外相关公司和厂家所采用的技术，清洗效果大大改善，可以有效降低由于磁头超声波清洗带来的掉头及乱片断裂、目检断线率、万用表废品率及总废品率，从而提高了产品合格率。
结合附图和实施例，进一步说明本发明的特点，附图中：
图1是本发明的T/F磁头超声波清洗方法的流程说明图。
在图1中，按照本发明提供的T/F磁头超声波清洗方法包括以下步骤：
1)在装有清洗剂的清洗缸内对T/F磁头进行超声波清洗的步骤；其中，所用超声波强度为200W而频率为40KHz，温度为摄氏50±5度，清洗时间为4分钟。
2)在装有DI循环水(无洗涤剂)的预漂洗缸内对T/F磁头进行超声波预漂洗的步骤；其中，所用超声波强度为200W而频率为68KHz，温度为摄氏50±5度，清洗时间为3分钟。
3)在装有DI循环水(无洗涤剂)的最终漂洗缸内对T/F磁头进行超声波最终漂洗的步骤；其中，所用超声波强度为200W而频率为68KHz，温度为摄氏50±5度，清洗时间为5分钟。
4)以热风将T/F磁头烘干的步骤，其中，缸内温度为摄氏80±5度，烘干时间为10分钟。
5)将T/F磁头置于真空烘干缸内将其烘干的步骤，其中，所用温度为摄氏80±5度，烘干时间为4分钟。
将以本发明方法对T/F磁头超声清洗与MIC磁头超声清洗所产生的效果比较如下：MIG磁头设置T/F磁头设置掉头离及乱片断裂 2.50％ 0.30％目检断线率 1.50％ 0.20％万用表废品率 2.00％ 0.80％脏污比率 9％ 15％产生的总废品数 588K 81.9K
其中，脏污是指Slider和HGA排线位脏，在净化间用棉签可较易清洗干净。
从上可见，利用本发明提供的超声清洗方法处理T/F磁头的效果是显著的。由于较大限度地减少了废品的产生，清洗质量满足用户要求。