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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201410752244.5(22)申请日 2014.12.09C07C 55/07(2006.01)C07C 51/41(2006.01)(71)申请人 英德佳纳金属科技有限公司地址 513056 广东省清远市英德市青塘镇英德佳纳金属科技有限公司(72)发明人 钟晖 黄铁熙 黄苏勇 彭灿(74)专利代理机构 广州粤高专利商标代理有限公司 44102代理人 罗晓林 李志强(54) 发明名称一种大粒径草酸钴及其制备方法(57) 摘要本发明公开了一种大粒径草酸钴及其制备方法。本发明所述大粒径草酸钴D50为22.6109.2m。本发明所述草酸钴。
2、的制备方法是将钴盐溶液中加入铵盐进行络合,然后再一起加入到草酸铵溶液中进行沉淀,经过陈化、过滤、洗涤、烘干,得到 D50 为 22.6109.2m 的草酸钴。本发明所述大粒径草酸钴迎合了现有市场上对于D50大于20m的草酸钴的需求,并具有氯离子含量较低等优点,解决了传统方法制得的草酸钴颗粒粒度有限,很难达到 D50 大于 20m,以及氯离子含量较高等问题,具有很好的应用前景。(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明书3页 附图10页(10)申请公布号 CN 104478700 A(43)申请公布日 2015.04.01CN 104478。
3、700 A1/1页21.一种大粒径草酸钴,其特征在于所述草酸钴D50为22.6 109.2m,氯离子含量0.03%;其制备方法包括以下步骤:(1)在钴盐溶液中加入铵盐进行络合,得到钴液;所述钴盐溶液和铵盐中,钴铵摩尔比为1:1.52.5;(2)将草酸铵溶液加入沉淀槽中,经搅拌、升温后,将步骤(1)所得钴液加入草酸铵溶液中进行沉淀;当沉淀槽中的浆液pH值为23时,完成沉淀;(3)将步骤(2)沉淀完成后所得浆液陈化后过滤、洗涤、烘干,得到大粒径草酸钴;其中,步骤(1)中,所述钴盐为硫酸钴溶液、氯化钴溶液或硝酸钴溶液;所述铵盐为氯化铵或硫酸铵。2.根据权利要求1所述大粒径草酸钴,其特征在于步骤( )。
4、中,所述钴盐溶液中,钴离子的浓度为80g/L。3.根据权利要求1所述大粒径草酸钴,其特征在于步骤(2)中,所述草酸铵溶液的浓度为80120g/L。4.根据权利要求1所述大粒径草酸钴,其特征在于步骤(2)中,所述升温是指将温度升到6065。5.根据权利要求1所述大粒径草酸钴,其特征在于步骤(3)中,所述陈化时间至少30min。权 利 要 求 书CN 104478700 A1/3页3一种大粒径草酸钴及其制备方法技术领域0001 本发明涉及工业草酸钴制备技术领域,具体涉及一种D50为22.6 109.2m,Cl-含量20m的草酸钴有一定的需求量,特别是国际市场的需求更大。0003 草酸钴在进行氢还原。
5、过程中,其中的氯离子会挥发出来,会对还原设备产生腐蚀作用,造成对钴粉的污染,影响钴粉的应用。因此草酸钴中对氯离子的要求也越来越高。特别是电子行业,要求氯离子含量小于0.03%。0004 常规的草酸钴生产都是将草酸铵溶液加入氯化钴溶液中(硫酸钴造成草酸钴中夹带硫酸根离子更严重,因此一般不用硫酸钴来生产草酸钴),进行中和沉淀,过滤后对沉淀产物进行洗涤,烘干得到的。通过对加料速度,料液温度,料液浓度及沉淀酸度的调整,达到对草酸钴粒度控制的目的。但这种控制都仅限于D5020m的范围内,不能满足特殊钴粉的制造要求。而且,由于底液是氯化钴溶液,钴离子大量存在,当加入草酸铵溶液时,由于钴离子过饱和度高,会产。
6、生大量的晶核,使草酸钴颗粒不能有效的长大。只有在后期,钴离子浓度下降后,晶核生成速度减慢,草酸钴颗粒才能慢慢生长。而此时因为钴离子浓度有限,导致最终所得的草酸钴颗粒大小也有限,其激光粒度分布平均值D50一般不会超过10m。由于底液中含有大量的氯离子,在形成草酸钴沉淀时,氯离子也会被夹带在沉淀物中,导致所制得的草酸钴中氯离子含量高的问题。0005 申请号为201110212720.0的发明专利申请,公开了一种大粒径钴粉及其制备方法,其中,反应过程中需要在反应底液中加入草酸铵和钴盐溶液,经反应后得到草酸钴沉淀,其D50粒径可达60m。该专利申请虽然也可以制得D50为60m的草酸钴,但是根据其公开的。
7、反应过程可知,该方法是以水或者加有草酸钴晶体的水为底液,再分别加入草酸铵和钴盐进行反应。此方法无法达到草酸钴D50可控的效果。发明内容0006 本发明的目的在于根据目前草酸钴制造领域中存在的氯离子含量高、制得的草酸钴D50不可控等技术缺陷,提供一种低氯、大粒径草酸钴,具有D50为22.6109.2m,氯离子含量0.03%的优点。0007 本发明另一目的在于提供上述草酸钴的制备方法。0008 本发明上述目的通过以下技术方案予以实现:一种大粒径草酸钴,其D50为22.6109.2m,氯离子含量0.03%。说 明 书CN 104478700 A2/3页40009 上述大粒径草酸钴的制备方法包括以下步。
8、骤:(1)在钴盐溶液中加入铵盐进行络合,得到钴液;所述钴盐溶液和铵盐中,钴铵摩尔比为1:1.52.5;(2)将草酸铵溶液加入沉淀槽中,经搅拌、升温后,将步骤(1)所得钴液加入草酸铵溶液中进行沉淀;当沉淀槽中的浆液pH值为23时,完成沉淀;(3)将步骤(2)沉淀完成后所得浆液陈化后过滤、洗涤、烘干,得到大粒径草酸钴;其中,步骤(1)中,所述钴盐为硫酸钴溶液、氯化钴溶液或硝酸钴溶液;所述铵盐为氯化铵或硫酸铵。0010 作为一种优选方案,步骤(1)中,所述钴盐溶液中,钴离子的浓度为80g/L。0011 作为一种优选方案,步骤(2)中,所述草酸铵溶液的浓度为80120g/L。0012 作为一种优选方案。
9、,步骤(2)中,所述升温是指将温度升到6065。0013 作为一种优选方案,步骤(3)中,所述陈化时间至少为30min。0014 与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:(1)本发明通过加入铵盐与钴形成络合物,可以降低反应初始阶段钴离子的过饱和度,使沉淀过程中,草酸钴颗粒的生长速度优于晶核的生成,从而草酸钴颗粒能有效长大;(2)本发明通过反加的方法,用草酸铵做底液,避免在含有大量氯离子的环境中生成草酸钴,所以本发明方法制得的草酸钴中,氯离子的含量可低于0.03%;(3)本发明通过调整草酸铵的含量,可以将草酸钴的D50控制在22.6109.2m之间,实现了草酸钴D50在大于20m时可控。附图说明。
10、0015 图1为实施例 1所得草酸钴的SEM图。0016 图2为实施例 1所得草酸钴的粒度分析报告。0017 图3为实施例 2所得草酸钴的SEM图。0018 图4为实施例 2所得草酸钴的粒度分析报告。0019 图5为实施例 3所得草酸钴的SEM图。0020 图6为实施例 3所得草酸钴的粒度分析报告。0021 图7为实施例 4所得草酸钴的SEM图。0022 图8为实施例 4所得草酸钴的粒度分析报告。0023 图9为实施例 5所得草酸钴的SEM图。0024 图10 为实施例5所得草酸钴的粒度分析报告。具体实施方式0025 以下结合具体实施例来进一步解释本发明,但实施例并不对本发明做任何形式的限定。。
11、0026 实施例1(1)原料配制:氯化钴溶液钴离子溶液为80g/L,按钴铵比为1:2.5(摩尔比)配入氯化铵,搅拌均匀。配制80g/L的草酸铵溶液。0027 (2)沉淀过程:先将草酸铵溶液加入沉淀槽中,开启搅拌,升温到60,慢慢加入说 明 书CN 104478700 A3/3页5钴液。当沉淀浆液pH达到终点要求(pH=2)时,完成沉淀。陈化30分钟后过滤,洗涤,烘干,得到成品草酸钴。其平均粒度分布D50=22.618m ;氯离子含量为0.018%(图12 )。0028 实施例2(1)原料配制:硫酸钴溶液钴离子溶液为80g/L,按钴铵比为1:1.5(摩尔比)配入氯化铵,搅拌均匀。配制90g/L的。
12、草酸铵溶液。0029 (2)沉淀过程:先将草酸铵溶液加入沉淀槽中,开启搅拌,升温到65,慢慢加入钴液。当沉淀浆液pH达到终点要求(pH=3)时,完成沉淀。陈化30分钟后过滤,洗涤,烘干,得到成品草酸钴。其平均粒度分布D50=30.722m ;氯离子含量为0.0003%(图34 )。0030 实施例3(1)原料配制:氯化钴溶液钴离子溶液为80g/L,按钴铵比为1:2(摩尔比)配入氯化铵,搅拌均匀。配制100g/L的草酸铵溶液。0031 (2)沉淀过程:先将草酸铵溶液加入沉淀槽中,开启搅拌,升温到63,慢慢加入钴液。当沉淀浆液pH达到终点要求(pH=2.5)时,完成沉淀。陈化30分钟后过滤,洗涤,。
13、烘干,得到成品草酸钴。其平均粒度分布D50=43.149m ;氯离子含量为0.013%(图56 )。0032 实施例4(1)原料配制:氯化钴溶液钴离子溶液为80g/L,按钴铵比为1:1.8(摩尔比)配入氯化铵,搅拌均匀。配制110g/L的草酸铵溶液。0033 (2)沉淀过程:先将草酸铵溶液加入沉淀槽中,开启搅拌,升温到62,慢慢加入钴液。当沉淀浆液pH达到终点要求(pH=2.2)时,完成沉淀。陈化30分钟后过滤,洗涤,烘干,得到成品草酸钴。其平均粒度分布D50=87.878m ;氯离子含量为0.018%(图78 )。0034 实施例5(1)原料配制:氯化钴溶液钴离子溶液为80g/L,按钴铵比为。
14、1:2.2(摩尔比)配入氯化铵,搅拌均匀。配制120g/L的草酸铵溶液。0035 (2)沉淀过程:先将草酸铵溶液加入沉淀槽中,开启搅拌,升温到62,慢慢加入钴液。当沉淀浆液pH达到终点要求(pH=2.7)时,完成沉淀。陈化30分钟后过滤,洗涤,烘干,得到成品草酸钴。其平均粒度分布D50=109.289m ;氯离子含量为0.026%(图910)。说 明 书CN 104478700 A1/10页6图1说 明 书 附 图CN 104478700 A2/10页7图2说 明 书 附 图CN 104478700 A3/10页8图3说 明 书 附 图CN 104478700 A4/10页9图4说 明 书 附 图CN 104478700 A5/10页10图5说 明 书 附 图CN 104478700 A。