化合物、包含其的有机光电子元件及显示装置技术领域
公开了化合物、包括其的有机光电子器件以及显示装置。
背景技术
有机光电子器件(有机光电二极管)是将电能转换成光能的器件，反
之亦然。
根据其驱动原理，有机光电子器件可以分为以下类别。一种是光电子
器件，其中激子由光能产生，分离为电子和空穴，并且所述电子和空穴被
转移至不同的电极以产生电能，并且另一种是发光器件，其中将电压或电
流供给电极以由电能生成光能。
有机光电子器件的实例可以是有机光电器件、有机发光二极管、有机
太阳能电池和有机感光鼓。
对于这些，由于对于平板显示器需求的增加，有机发光二极管(OLED)
近来已经吸引了关注。这样的有机发光二极管通过将电流施加到有机发光
材料而将电能转化为光。它具有这样的结构，其中有机层插在阳极和阴极
之间。本文中，有机层可以包括发射层和可选的辅助层，且辅助层可以包
括，例如选自以下的至少一个：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、
电子传输层、电子注入层、以及空穴阻挡层，以增加有机发光二极管的效
率和稳定性。
有机发光二极管的性能可以受有机层特性的影响，且在此之中，可以
主要受有机层的有机材料特性的影响。
具体地，需要开发能够增加空穴和电子迁移率，且同时增加电化学稳
定性的有机材料，从而可以将有机发光二极管应用于大尺寸的平板显示
器。
发明内容
[技术问题]
一个实施方式提供了能够实现具有高效率和长寿命的有机光电子器
件的化合物。
提供了包括该化合物的有机光电子器件以及包括有机光电子器件的
显示装置。
[技术方案]
在本发明的一个实施方式中，提供由化学式1表示的化合物。
[化学式1]
在化学式1中，L是取代或未取代的C6至C30亚芳基、或取代或未
取代的C2至C30杂亚芳基，m是范围为0至3的整数，Ar是取代或未取
代的C6至C30芳基或取代或未取代的C2至C30杂芳基，且X是O、S、
SO2(O＝S＝O)、PO(P＝O)、NR'、CR'R”或SiR'R”，
R'和R”独立地是氢、氘、卤素、氰基、羟基、氨基、取代或未取代的
C1至C20胺基、硝基、羧基、二茂铁基、取代或未取代的C1至C20烷
基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C2至C30杂芳基、
取代或未取代的C1至C20烷氧基、取代或未取代的C6至C20芳氧基、
取代或未取代的C3至C40甲硅烷基氧基(甲硅烷氧基，硅氧基，silyloxy)、
取代或未取代的C1至C20酰基、取代或未取代的C2至C20烷氧羰基、
取代或未取代的C2至C20酰氧基、取代或未取代的C2至C20酰氨基、
取代或未取代的C2至C20烷氧基羰基氨基(alkoxycarbonylamino)、取代
或未取代的C7至C20芳氧基羰基氨基(aryloxycarbonylamino)、取代或
未取代的C1至C20氨磺酰氨基(sulfamoylamino)、取代或未取代的C1
至C20磺酰基、取代或未取代的C1至C20烷基硫醇基、取代或未取代的
C6至C20芳基硫醇基、取代或未取代的C1至C20杂环硫醇基、取代或
未取代的C1至C20酰脲基、取代或未取代的C3至C40甲硅烷基、或其
组合，并且
R1和R2各自独立地是氢、氘、卤素、氰基、羟基、氨基、取代或未
取代的C1至C20胺基、硝基、羧基、二茂铁基、取代或未取代的C1至
C20烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C2至C30
杂芳基、取代或未取代的C1至C20烷氧基、取代或未取代的C6至C20
芳氧基、取代或未取代的C3至C40甲硅烷基氧基、取代或未取代的C1
至C20酰基、取代或未取代的C2至C20烷氧羰基、取代或未取代的C2
至C20酰氧基、取代或未取代的C2至C20酰氨基、取代或未取代的C2
至C20烷氧基羰基氨基、取代或未取代的C7至C20芳氧基羰基氨基、取
代或未取代的C1至C20氨磺酰氨基、取代或未取代的C1至C20磺酰基、
取代或未取代的C1至C20烷基硫醇基、取代或未取代的C6至C20芳基
硫醇基、取代或未取代的C1至C20杂环硫醇基、取代或未取代的C1至
C20酰脲基、取代或未取代的C3至C40甲硅烷基、或其组合。
在本发明的另一个实施方式中，有机光电子器件包括彼此面对的阳极
和阴极；以及
阳极和阴极之间的至少一个有机层，
其中有机层包括根据本发明的一个实施方式的化合物。
在本发明的又一个实施方式中，提供了包括根据本发明的一个实施方
式的有机光电子器件的显示装置。
[有益效果]
可以实现具有高效率和长寿命的有机光电子器件。
附图说明
图1和图2是示出根据各种实施方式的有机发光二极管的截面图。
<指示附图中的主要元件的参考标号的说明>
100：有机发光二极管200：有机发光二极管
105：有机层
110：阴极
120：阳极
130：发射层230：发射层
140：空穴辅助层
具体实施方式
[最佳方式]
在下文中，详细描述本发明的实施方式。然而，这些实施方式是示例
性的，并且本公开并不局限于此。
在本说明书中，当没有另外提供定义时，术语“取代的”是指被选自
以下的取代基取代来代替取代基或化合物：氘、卤素、羟基、氨基、取代
或未取代的C1至C30胺基、硝基、取代或未取代的C1至C40甲硅烷基、
C1至C30烷基、C1至C10烷基甲硅烷基、C3至C30环烷基、C6至C30
芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基(如三氟甲基等)或
氰基。
此外，选自以下的两个相邻的取代基可以相互稠合以形成环：取代的
卤素、羟基、氨基、取代或未取代的C1至C20胺基、硝基、取代或未取
代的C3至C40甲硅烷基、C1至C30烷基、C1至C10烷基甲硅烷基、C3
至C30环烷基、C6至C30芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三
氟烷基(如三氟甲基等)或氰基。具体地，取代的C6至C30芳基可以与
另一个相邻的取代的C6至C30芳基稠合，形成取代或未取代的芴环。
在本说明书中，当没有另外提供具体定义时，“杂”指包含选自N、O、
S、和P的1至3个杂原子，并且在一个官能团中保留碳。
在本说明书中，当没有另外提供定义时，“烷基”是指脂肪族烃基。
烷基可以是没有任何双键或三键的“饱和烷基”。
烷基可以为C1至C20烷基。更具体地，烷基可以是C1至C10烷基
或C1至C6烷基。例如，C1至C4烷基在烷基链中可具有1至4个碳原
子，其可选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、以
及叔丁基。
烷基的具体实例可以是甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、
叔丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基等。
在本说明书中，术语“芳基”是指包括所有环的元素具有p-轨道的取
代基，该p-轨道形成共轭，且可以为单环或稠环的多环(即环共享相邻的
碳原子对)官能团。
在本说明书中，术语“杂芳基”是指包含1至3个选自N、O、S和P
的杂原子，并保留碳的芳基。当杂芳基是稠环时，每个环可以包括1至3
个杂原子。
更具体地。取代或未取代的C6至C30芳基和/或取代或未取代的C2
至C30杂芳基可以是取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或
未取代的蒽基(anthracenyl)、取代或未取代的菲基、取代或未取代的并四
苯基(naphthacenyl)、取代或未取代的芘基、取代或未取代的联苯基、取
代或未取代的对三联苯基、取代或未取代的间三联苯基、取代或未取代的
屈基、取代或未取代的三亚苯基(triphenylenyl)、取代或未取代的二萘嵌
苯基(perylenyl)、取代或未取代的茚基、取代或未取代的呋喃基、取代或
未取代的苯硫基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的吡唑基、取代
或未取代的咪唑基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的噁唑基、取
代或未取代的噻唑基、取代或未取代的噁二唑基、取代或未取代的噻二唑
基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡
嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取
代的苯并苯硫基、取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的吲哚基、
取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑
啉基(quinazolinyl)、取代或未取代的喹喔啉基(quinoxalinyl)、取代或未
取代的萘啶基、取代或未取代的苯并噁嗪基、取代或未取代的苯并噻嗪基
(benzthiazinyl)、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩嗪基、取代
或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的吩噁嗪基(phenoxazinyl)、取代或
未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、
取代或未取代的二苯并苯硫基(dibenzothiophenyl)、或其组合，但不限于
此。
对于具体实例，包括在取代的C6至C30芳基内的取代或未取代的芴
基可以是化学式30或化学式31。
[化学式30]
[化学式31]
在化学式30和化学式31中，R25至R28独立地是氢、氘、卤素、羟基、
氨基、取代或未取代的C1至C30胺基、硝基、取代或未取代的C1至C40
甲硅烷基、C1至C30烷基、C1至C10烷基甲硅烷基、C3至C30环烷基、
C6至C30芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基(诸如三
氟甲基等)、或氰基，且*表示连接至碳原子或除碳以外的原子的位置。
在本说明书中，空穴特性是指由于根据HOMO能级的导电特性，在
阳极中形成的空穴容易注入发射层并在发射层内传输的特性。更具体地,
这与推电子(电子排斥，electron-repelling)特性相似。
电子特性是指由于根据LUMO能级的导电特性，在阴极中形成的电
子容易注入发射层并在发射层内传输的特性。更具体地，这与吸电子特性
相似。
在本发明的一个实施方式中，提供由化学式1表示的化合物。
[化学式1]
在化学式1中，L是取代或未取代的C6至C30亚芳基、或取代或未
取代的C2至C30杂亚芳基，m是范围为0至3的整数，Ar是取代或未取
代的C6至C30芳基或取代或未取代的C2至C30杂芳基，且X是O、S、
SO2(O＝S＝O)、PO(P＝O)、NR'、CR'R”或SiR'R”，
R'和R”独立地是氢、氘、卤素、氰基、羟基、氨基、取代或未取代的
C1至C20胺基、硝基、羧基、二茂铁基、取代或未取代的C1至C20烷
基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C2至C30杂芳基、
取代或未取代的C1至C20烷氧基、取代或未取代的C6至C20芳氧基、
取代或未取代的C3至C40甲硅烷基氧基、取代或未取代的C1至C20酰
基、取代或未取代的C2至C20烷氧羰基、取代或未取代的C2至C20酰
氧基、取代或未取代的C2至C20酰氨基、取代或未取代的C2至C20烷
氧基羰基氨基、取代或未取代的C7至C20芳氧基羰基氨基、取代或未取
代的C1至C20氨磺酰氨基、取代或未取代的C1至C20磺酰基、取代或
未取代的C1至C20烷基硫醇基、取代或未取代的C6至C20芳基硫醇基、
取代或未取代的C1至C20杂环硫醇基、取代或未取代的C1至C20酰脲
基、取代或未取代的C3至C40甲硅烷基、或其组合，并且
R1和R2各自独立地是氢、氘、卤素、氰基、羟基、氨基、取代或未
取代的C1至C20胺基、硝基、羧基、二茂铁基、取代或未取代的C1至
C20烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C2至C30
杂芳基、取代或未取代的C1至C20烷氧基、取代或未取代的C6至C20
芳氧基、取代或未取代的C3至C40甲硅烷基氧基、取代或未取代的C1
至C20酰基、取代或未取代的C2至C20烷氧羰基、取代或未取代的C2
至C20酰氧基、取代或未取代的C2至C20酰氨基、取代或未取代的C2
至C20烷氧基羰基氨基、取代或未取代的C7至C20芳氧基羰基氨基、取
代或未取代的C1至C20氨磺酰氨基、取代或未取代的C1至C20磺酰基、
取代或未取代的C1至C20烷基硫醇基、取代或未取代的C6至C20芳基
硫醇基、取代或未取代的C1至C20杂环硫醇基、取代或未取代的C1至
C20酰脲基、取代或未取代的C3至C40甲硅烷基、或其组合。
根据本发明的一个实施方式的化合物同时具有空穴特性和电子特性，
并有效地传输空穴和电子。
由化学式1表示的化合物可以通过各种取代基而具有各种能带间隙。
当将具有取决于取代基的合适能级的化合物用于制造有机光电子器
件时，化合物加强空穴传输能力或电子传输能力，从而在效率和驱动电压
方面带来优异的效果，而且，具有优异的电化学和热稳定性，因此可以改
善有机光电子器件的寿命特性。
具体地，R1可以是氢、氘、取代或未取代的C1至C20烷基、或取代
或未取代的C3至C40甲硅烷基，并且Ar是具有电子特性的取代或未取
代的C6至C30芳基、或取代或未取代的C2至C30杂芳基。
当R1和Ar如上所示时，可以进一步改善空穴和电子特性。
更具体地，Ar可以是由化学式ET-1至ET-35之一表示的化合物。
[化学式ET-1][化学式ET-2][化学式ET-3][化学式ET-4]
[化学式ET-5][化学式ET-6][化学式ET-7]
在化学式ET-1至ET-7中，*表示与碳(C)或除碳以外的元素相连的
位置，并且R100至R110可以独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C30
烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、或取代或未取代的C2至C30杂
芳基。
在化学式1中，X可以是NR'或CR'R”，并且
R'和R”可以独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C20烷基、取代
或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C2至C30杂芳基，且R'可
以是由化学式X-1表示的化合物。
[化学式X-1]
在化学式X-1中，*表示与氮(N)相连的位置，L1是取代或未取代
的C6至C30亚芳基、或取代或未取代的C2至C30杂亚芳基，n是范围
为0至3的整数，且Ar1是取代或未取代的C6至C30芳基或取代或未取
代的C2至C30杂芳基。
具体地，化学式X-1可以是由化学式X-2或化学式X-3表示的化合物：
[化学式X-2][化学式X-3]
在化学式X-2或X-3中，*表示与氮(N)相连的位置，L1是取代或
未取代的C6至C30亚芳基、或取代或未取代的C2至C30杂亚芳基，n
是范围为0至3的整数，X1是NR’、O或S，其中R'独立地是氢、氘、取
代或未取代的C1至C20烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、或取代
或未取代的C2至C30杂芳基。
在化学式1中，R1可以是氢、氘、取代或未取代的C1至C10烷基、
或取代或未取代的甲硅烷基，并且
R2可以是氢、氘、取代或未取代的C1至C20烷基、取代或未取代的
C6至C30芳基、或取代或未取代的C2至C30杂芳基。本文中，取代或
未取代的C6至C30芳基可以是取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘
基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、
或取代或未取代的三亚苯基(苯并菲基，triphenylenyl)。
取代或未取代的C2至C30杂芳基可以是由化学式X-4至化学式X-6
之一表示的化合物。
[化学式X-4][化学式X-5][化学式X-6]
在化学式X-4至X-6中，
*表示与碳(C)相连的位置，
在化学式X-4中，X2是N，且
在化学式X-5和X-6中，X2是NR'、O或S，其中R'是氢、氘、取代
或未取代的C1至C20烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、或取代或
未取代的C2至C30杂芳基。
取代或未取代的C2至C30杂芳基可以是由化学式X-7表示的化合物。
[化学式X-7]
在化学式X-7中，*表示与碳(C)相连的位置，且R100是取代或未取
代的C1至C30烷基、或取代或未取代的C6至C30芳基。
当X如上时，增加空穴特性。
此外，可以选择性地调整L以测定化合物的共轭长度，从而可以基于
L的调整来调整三线态能带间隙。因此，可以实现有机光电子器件中所需
的材料特性。可以通过改变邻位、对位、和间位的键合位置来调节三线态
能带间隙。
L的具体实例可以是取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯
基、取代或未取代的对亚三联苯基、取代或未取代的间亚三联苯基、取代
或未取代的邻亚三联苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚蒽
基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚芘基、或取代或未取代的
亚芴基等。
更具体地，取代或未取代的亚苯基可以是化学式S-1、S-2和S-3。
[化学式S-1][化学式S-2][化学式S-3]
更具体地，取代或未取代的亚联苯基可以是化学式S-4、S-5和S-6。
[化学式S-4][化学式S-5][化学式S-6]
根据一个实施方式的化合物的具体实例如下，但不限于此。
本发明的化合物可以是具有2.0eV或更大的三线态激子能量(T1)的
化合物。
在下文中描述了包括该化合物的有机光电子器件。
有机光电子器件可以是任何将电能转换为光能，反之亦然的器件，没
有特定限制，且可以是例如有机光电器件、有机发光二极管、有机太阳能
电池、和有机感光鼓。
本文中，将有机发光二极管作为一个有机光电子器件的实例来描述。
图1和2是根据一个实施方式的有机发光二极管的截面图。
参照图1，根据一个实施方式的有机光电子器件(100)包括彼此相对
的阳极(120)和阴极(110)，以及在阳极(120)和阴极(110)之间的
有机层(105)。
阳极(120)可由具有高功函数(workfunction)以帮助空穴注入的导
体制成，例如金属、金属氧化物和/或导电聚合物。阳极(120)可以包括
例如金属或其合金，诸如镍、铂、钒、铬、铜、锌和金；金属氧化物，诸
如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、以及氧化铟锌(IZO)；金属和氧
化物的组合，诸如ZnO和Al或SnO2和Sb；导电聚合物，诸如聚(3-甲基
噻吩)、聚(3,4-(乙烯基-1,2-二氧基)噻吩)(PEDT)、聚吡咯和聚苯胺，但不
限于此。
阴极(110)可由具有低功函数以帮助电子注入的导体制成，例如金
属、金属氧化物和/或导电聚合物。阴极(110)可以包括例如金属或其合
金，诸如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、铅、铯、
钡等；多层结构材料，诸如LiF/Al、LiO2/Al、LiF/Ca、LiF/Al和BaF2/Ca，
但不限于此。
有机层(105)包括含有所述化合物的发射层(130)。
发射层(130)可以包括例如单独的所述化合物、或至少两种化合物、
或作为与其他不同于所述化合物的化合物的混合物。当所述化合物与另一
化合物混合时，例如它们可以包括为主体和掺杂剂，其中所述化合物可以
是例如包括为主体。主体可以是例如磷光主体或荧光主体，例如绿色磷光
主体。
当化合物作为主体包括时，掺杂剂可以选自作为掺杂剂的众所周知的
无机、有机、有机/无机化合物。
参考图2，有机发光二极管(200)进一步包括空穴辅助层(140)以
及发射层(230)。空穴辅助层(140)可以进一步增加阳极(120)和发射
层(230)之间的空穴注入和/或空穴迁移率并阻挡电子。空穴辅助层(140)
可为例如空穴传输层、空穴注入层、和/或电子阻挡层，且可以包括至少一
层。所述化合物可包括在发射层(230)和/或空穴辅助层(140)中。
虽然未在图1或图2中示出，但有机层(105)可以进一步包括电子
注入层、电子传输层、辅助电子传输层、空穴传输层、辅助空穴传输层、
空穴注入层、或其组合。本发明的化合物可包括在有机层中。有机发光二
极管(100，200)可以如此制造：在基板上形成阳极或阴极；依照干法涂
覆诸如蒸发、溅射、等离子镀、和离子镀，或湿法涂覆诸如旋涂、浸镀、
和浇涂形成有机层；并在其上形成阴极或阳极。
有机发光二极管可以应用于有机发光二极管显示器。
[发明方式]
下面将通过实施例更详细地说明实施方式。然而，这些实施例不应以
任何方式解释为限制本发明的范围。
(用于有机光电子器件的化合物的制备)
用于有机光电器件的化合物
[通式1]
表1中提供了根据本发明的一个实施方式的上述合成法制造的具体化
合物。
[表1]
实施例1：化合物B-94的合成
[反应方案1]
第一步：中间产物(A)的合成
将36.12g(144.79mmol)的2-溴-5-氯-苯甲酸甲酯、20.0g(144.79
mmol)的2-硝基-苯胺、0.28g(4.34mmol)的Cu、以及30.02g(217.19
mmol)的K2CO3在160℃下，在氮气流下搅拌36小时。当反应完成时，
将其中的产物溶解于二氯甲烷，并经二氧化硅过滤，并从其中除去有机溶
剂。将残留物利用己烷:二氯甲烷＝7:3(v/v)过硅胶柱(silicagel
columned)，得到24.88g的中间产物(A)(产率：56％)。
第二步：中间产物(B)的合成
使24.0g(78.25mmol)的中间产物(A)和44.51g(234.76mmol)
的SnCl2·2H2O悬浮在200ml的乙醇中，并在氮气流下，在80℃下搅拌悬
浮生成物12小时。当反应完成时，将其中的产物溶解于二氯甲烷，并利
用二氯甲烷和乙酸乙酯经二氧化硅过滤，并从其中除去有机溶剂。将残留
物利用己烷:乙酸乙酯＝6:4(v/v)过二氧化硅柱，得到14.4g的中间产
物(B)(产率：70％)
第三步：中间产物(C)的合成
使14.0g(53.29mmol)的中间产物(B)和5.65g(53.29mmol)的
苯甲醛(benzoaldehyde)悬浮在170mL的DMF中，将12.16g(63.95mmol)
的Na2S2O5加入其中，并在氮气流中，在150℃下搅拌混合物5小时。将
生成物使用二氯甲烷和蒸馏水萃取，经硅胶过滤有机层。然后从其中除去
有机溶液，并将残留物利用己烷:二氯甲烷＝7:3(v/v)过硅胶柱，得到
18.37g的中间产物(C)(产率：95％)。
第四步：中间产物(D)的合成
将18.0g(49.61mmol)的中间产物(C)与150mL的THF在氮气流
下悬浮，将124.03mL(124.03mmol)的BrMgPh在0℃下缓慢加入其中，
并搅拌混合物24小时。当反应完成时，将生成物在0℃下使用氯化铵骤
冷，并使用二氯甲烷和蒸馏水萃取，并从其中除去有机溶剂，得到22.5g
的中间产物(D)(产率：93％)。
第五步：中间产物(E)的合成
将22.5g(46.20mmol)的中间产物(D)和150mL的二氯甲烷在氮
气流下，在0℃下悬浮，将8.55mL(69.30mmol)的BF3(C2H5)2O缓慢
加入其中，并搅拌混合物12小时。当反应完成时，将生成物用NaHCO3
在0℃下骤冷，并使用二氯甲烷和蒸馏水萃取，从其中除去有机溶剂，并
将残留物使用二氯甲烷和乙酸乙酯再结晶，得到16.5g的中间产物(E)
(产率：76％)。
第六步：化合物B-94的合成
将16.0g(34.12mmol)的中间产物(E)、6.85g(40.94mmol)的咔
唑、4.92g(51.17mmol)的NaO(t-Bu)，以及0.62g(0.68mmmol)的Pd2(dba)3
悬浮在150mL的甲苯中，在其中加入0.33mL(1.36mmol)的P(t-Bu)3，
并将混合物在氮气流中回流和搅拌24小时。将生成物使用二氯甲烷和蒸
馏水萃取，从其中经硅胶过滤有机层。然后，除去有机溶液，并将残留物
利用己烷:二氯甲烷＝7:3(v/v)过硅胶柱并使用二氯甲烷和乙酸乙酯再
结晶，得到17.8g的化合物B-94(产率：87％)。
实施例2：化合物B-51的合成
将除使用吡啶-4-甲醛(pyridine-4-carboaldehyde)代替实施例1的第
三步骤中的苯甲醛以外，根据与实施例1相同的方法得到的10.0g(21.28
mmol)的中间产物(F)、6.85g(27.66mmol)的咔唑、3.07g(31.92mmol)
的NaO(t-Bu)、以及0.39g(0.43mmmol)的Pd2(dba)3悬浮在100mL的
甲苯中，在其中加入0.21mL(0.85mmol)的P(t-Bu)3，并将混合物在氮
气流下回流和搅拌24小时。将生成物使用二氯甲烷和蒸馏水萃取，从其
中经硅胶过滤有机层。然后，从其中除去有机溶液，并将残留物利用己烷:
二氯甲烷＝7:3(v/v)过硅胶柱并使用二氯甲烷和乙酸乙酯再结晶，得到
10.7g的化合物B-51(产率：84％)。
实施例3：化合物B-77的合成
将10.0g(21.28mmol)的中间产物(F)、5.34g(23.41mmol)的4-
二苯并噻吩硼酸、5.88g(42.56mmol)的K2CO3，以及0.25g(0.21mmmol)
的Pd(PPh3)4悬浮在100ml的甲苯和50ml的蒸馏水中，并将悬浮生成物
在氮气流中回流和搅拌12小时。当反应完成时，将反应溶液使用二氯甲
烷萃取，经硅胶过滤，在减压下蒸馏，利用己烷:二氯甲烷＝8:2(v/v)
过二氧化硅柱，并使用二氯甲烷和乙酸乙酯再结晶，得到10.5g的化合物
B-77(产率：80％)。
实施例4：化合物B-97的合成
将除使用2-溴-4-氯-苯甲酸甲酯代替实施例1的第一步骤中的2-溴-5-
氯-苯甲酸甲酯以外，根据与实施例1相同的方法得到的10.0g(21.28
mmol)的中间产物(G)、6.85g(27.66mmol)的咔唑、3.07g(31.92mmol)
的NaO(t-Bu)、以及0.39g(0.43mmmol)的Pd2(dba)3悬浮在100mL的
甲苯中，在其中加入0.21mL(0.85mmol)的P(t-Bu)3，并将混合物在氮
气流下回流和搅拌24小时。将生成物使用二氯甲烷和蒸馏水萃取，经硅
胶过滤其中的有机层。然后，除去有机溶液，并将残留物利用己烷:二氯
甲烷＝7:3(v/v)过硅胶柱，并且然后使用二氯甲烷和乙酸乙酯再结晶，得
到11.4g的化合物B-97(产率：89％)。
实施例5：化合物A-51的合成
[反应方案2]
第一步：中间产物(A)的合成
将36.12g(144.79mmol)的2-溴-5-氯-苯甲酸甲酯、20.0g(144.79
mmol)的2-硝基-苯胺、0.28g(4.34mmol)的Cu、以及30.02g(217.19mmol)
的K2CO3在氮气流下，在160℃下搅拌36小时。当反应完成时，将其中
的产物溶解于二氯甲烷，并经二氧化硅过滤，并从其中除去有机溶剂。将
生成物利用己烷:二氯甲烷＝7:3(v/v)过硅胶柱，得到24.88g的中间产
物(A)(产率：56％)。
第二步：中间产物(B)的合成
将24.0g(78.25mmol)的中间产物(A)和44.51g(234.76mmol)
的SnCl2·2H2O悬浮在200ml的乙醇中，并在80℃下，在氮气流下搅拌悬
浮生成物12小时。当反应完成时，将其中的产物溶解于二氯甲烷，并利
用二氯甲烷和乙酸乙酯经二氧化硅过滤，并从其中除去有机溶剂。将生成
物使用己烷:乙酸乙酯＝6:4(v/v)过二氧化硅柱，得到14.4g的中间产
物(B)(产率：70％)。
第三步：中间产物(C)的合成
将15.0g(54.21mmol)的中间产物(B)和6.06mL(59.63mmol)
的4-吡啶甲醛(4-pyridinecarboaldehyde)悬浮在170mL的DMF中，将
14.43g(75.89mmol)的Na2S2O5加入其中，并在氮气流中，在150℃下
搅拌混合物5小时。将生成物使用二氯甲烷和蒸馏水萃取，从其中经硅胶
过滤有机层。然后从其中除去有机溶液，并将残留物利用己烷:乙酸乙酯
＝8:2(v/v)过硅胶柱，得到17.75g的中间产物(C)(产率：90％)。
第四步：中间产物(D)的合成
将15.0g(41.23mmol)的中间产物(C)在氮气流下悬浮在150mL
的THF中，将32.96mL(98.96mmol)的BrMgMe在0℃下缓慢加入其
中，并搅拌混合物24小时。当反应完成时，将生成物在0℃下使用氯化
铵骤冷，并使用二氯甲烷和蒸馏水萃取，并从其中除去有机溶剂，得到13.7
g的中间产物(D)(产率：91％)。
第五步：中间产物(E)的合成
将15.0g(41.23mmol)的中间产物(D)在氮气流下，悬浮在150mL
的二氯甲烷中，将7.63mL(61.84mmol)的BF3(C2H5)2O缓慢加入其中，
并搅拌混合物12小时。当反应完成时，将生成物用NaHCO3在0℃下骤
冷，并使用二氯甲烷和蒸馏水萃取，从其中除去有机溶剂，并将残留物使
用二氯甲烷和乙酸乙酯再结晶，得到9.3g的中间产物(E)(产率：65％)。
第六步：化合物A-51的合成
将10.0g(28.92mmol)的中间产物(E)、5.80g(34.70mmol)的咔
唑、4.17g(43.38mmol)的NaO(t-Bu)，以及0.53g(0.59mmmol)的
Pd2(dba)3悬浮在150mL的甲苯中，在其中加入0.28mL(1.16mmol)的
P(t-Bu)3，并将混合物在氮气流中回流和搅拌24小时。将生成物使用二氯
甲烷和蒸馏水萃取，经硅胶过滤有机层。从其中除去有机溶液之后，将残
留物用己烷:乙酸乙酯＝7:3(v/v)过硅胶柱并使用二氯甲烷和乙酸乙酯
再结晶，得到11.4g的化合物A-51(产率：83％)。
实施例6：化合物A-77的合成
将10.0g(28.92mmol)的实施例5的第五步得到的中间产物(E)、
7.91g(34.70mmol)的4-二苯并噻吩硼酸、5.99g(43.38mmol)的K2CO3、
以及0.33g(0.29mmmol)的Pd(PPh3)4悬浮在100ml的甲苯和50ml的
蒸馏水中，并将混合物在氮气流下回流和搅拌12小时。当反应完成时，
将反应溶液使用二氯甲烷萃取，经硅胶过滤，在减压下蒸馏，利用己烷:乙
酸乙酯＝8:2(v/v)过硅胶柱，并使用二氯甲烷和乙酸乙酯再结晶，得到
11.4g的化合物A-77(产率：80％)。
实施例7：化合物A-94的合成
将除使用苯甲醛代替实施例5的步骤三中的吡啶-4-甲醛
(pyridine-4-carboaldehyde)以外，根据与实施例5相同的方法得到的10.0
g(29.00mmol)的中间产物(F)、5.82g(34.80mmol)的咔唑、4.18g
(43.49mmol)的NaO(t-Bu)、以及0.53g(0.58mmmol)的Pd2(dba)3悬
浮在150mL的甲苯中，在其中加入0.28mL(1.16mmol)的P(t-Bu)3，并
将混合物在氮气流下回流和搅拌24小时。将生成物使用二氯甲烷和蒸馏
水萃取，经硅胶过滤其中的有机层。从其中除去有机溶液之后，将残留物
用己烷:乙酸乙酯＝7:3(v/v)过硅胶柱并使用二氯甲烷和乙酸乙酯再结
晶，得到11.0g的化合物A-94(产率：80％)。
实施例8：化合物A-74的合成
将10.0g(29.00mmol)的根据实施例7的中间产物(F)、7.94g(34.80
mmol)的4-二苯并噻吩硼酸、6.01g(43.50mmol)的K2CO3、以及0.34g
(0.29mmmol)的Pd(PPh3)4悬浮在100ml的甲苯和50ml的蒸馏水中，
并将悬浮生成物在氮气流下回流和搅拌12小时。当反应完成时，将反应
溶液使用二氯甲烷萃取，经硅胶过滤，在减压下蒸馏，用己烷:乙酸乙酯
＝8:2(v/v)过硅胶柱，并使用二氯甲烷和乙酸乙酯再结晶，得到12.1g的
化合物A-74(产率：85％)。
实施例9：化合物C-17的合成
[反应方案3]
第一步：中间产物(A)的合成
将20.0g(99.00mmol)的2-溴-硝基苯、10.71g(99.00mmol)的1,2-
苯二胺、14.27g(148.51mmol)的NaO(t-Bu)，以及1.81g(1.98mmmol)
的Pd2(dba)3悬浮在400mL的甲苯中，在其中加入0.96mL(3.96mmol)
的P(t-Bu)3，并将混合物在氮气流下回流和搅拌24小时。将生成物使用二
氯甲烷和蒸馏水萃取，从其中经硅胶过滤有机层。除去有机溶液之后，将
残留物利用己烷:乙酸乙酯＝7:3(v/v)过硅胶柱，得到13.84g的中间产
物(A)(产率：61％)。
第二步：中间产物(B)的合成
将13.0g(56.71mmol)的中间产物(A)和6.07g(56.71mmol)的
吡啶-4-甲醛悬浮在220mL的DMF中，在其中加入12.94g(68.05mmol)
的Na2S2O5，并在氮气流下，在150℃下搅拌混合物5小时。将生成物使
用二氯甲烷和蒸馏水萃取，经硅胶过滤有机层。除去有机溶液之后，将残
留物利用己烷:二氯甲烷＝7:3(v/v)过硅胶柱，得到16.32g的中间产物
(B)(产率：91％)。
第三步：中间产物(C)的合成
将16.0g(50.58mmol)的中间产物(B)和44.0mL(252.92mmol)
的亚磷酸三乙酯在氮气流下回流和搅拌4小时。当反应完成时，从其中除
去反应溶剂，并将残留物利用己烷:二氯甲烷＝7:3(v/v)过硅胶柱，得
到11.6g的中间产物(C)(产率：81％)。
第四步：化合物C-17的合成
将10.0g(35.17mmol)的中间产物(C)、12.47g(38.69mmol)的
4-溴-N-咔唑、4.06g(42.21mmol)的NaO(t-Bu)，以及0.32g(0.35mmmol)
的Pd2(dba)3悬浮在150mL的甲苯中，在其中加入0.17mL(0.70mmol)
的P(t-Bu)3，并将混合物在氮气流中回流和搅拌24小时。将生成物使用二
氯甲烷和蒸馏水萃取，从其中经硅胶过滤有机层。从其中除去有机溶液之
后，将残留物利用己烷:二氯甲烷＝7:3(v/v)过硅胶柱并使用二氯甲烷
和丙酮再结晶，得到16.2g的化合物C-17(产率：88％)。
实施例10：化合物C-21的合成
将10.0g(35.17mmol)的实施例5中合成的中间产物(C)、13.13g
(38.69mmol)的4-(4-溴苯基)-二苯并噻吩、4.06g(42.21mmol)的
NaO(t-Bu)，以及0.32g(0.35mmmol)的Pd2(dba)3悬浮在150mL的甲苯
中，在其中加入0.17mL(0.70mmol)的P(t-Bu)3，并将混合物在氮气流
中回流和搅拌24小时。将生成物使用二氯甲烷和蒸馏水萃取，经硅胶过
滤有机层。除去有机溶液之后，将残留物利用己烷:二氯甲烷＝7:3(v/v)
过硅胶柱并使用二氯甲烷和丙酮再结晶，得到16.2g的化合物C-21(产率：
85％)。
实施例11：化合物C-11的合成
将除使用苯甲醛代替实施例5的第三步中的4-吡啶甲醛以外，根据与
实施例5相同的方法合成的10.0g(35.29mmol)的中间产物(D)、12.51
g(38.82mmol)的4-溴-N-咔唑、4.07g(42.35mmol)的NaO(t-Bu)、以
及0.32g(0.35mmmol)的Pd2(dba)3悬浮在150mL的甲苯中，在其中加
入0.17mL(0.70mmol)的P(t-Bu)3，并将混合物在氮气流下回流和搅拌
24小时。将生成物使用二氯甲烷和蒸馏水萃取，经硅胶过滤有机层。除去
有机溶液之后，将残留物利用己烷:二氯甲烷＝7:3(v/v)过硅胶柱并使
用二氯甲烷和丙酮再结晶，得到16.1g的化合物C-11(产率：87％)。
实施例12：化合物C-15的合成
将除使用苯甲醛代替实施例5的第三步中的4-吡啶甲醛以外，根据与
实施例5相同的方法合成的10.0g(35.29mmol)的中间产物(D)、13.17
g(38.82mmol)的4-(4-溴苯基)-二苯并噻吩、4.07g(42.35mmol)的
NaO(t-Bu)、以及0.32g(0.35mmmol)的Pd2(dba)3悬浮在150mL的甲苯
中，在其中加入0.17mL(0.70mmol)的P(t-Bu)3，并将混合物在氮气流
下回流和搅拌24小时。将生成物使用二氯甲烷和蒸馏水萃取，经硅胶过
滤有机层。除去有机溶液之后，将残留物利用己烷:二氯甲烷＝7:3(v/v)
过硅胶柱，并且然后使用二氯甲烷和丙酮再结晶，得到15.5g的化合物
C-15(产率：81％)。
(有机发光二极管的制造)
实施例13
用蒸馏水超声波清洗ITO(氧化铟锡)涂覆形成厚度的薄膜的
玻璃基板。在用蒸馏水清洗之后，使用溶剂(诸如异丙醇、丙酮、甲醇等)
超声波清洗玻璃基板，并移至等离子体清洁器，并且然后使用氧等离子体
清洗5分钟并移至真空沉积器。该ITO透明电极用作阳极，且将HTM(具
有如下的材料结构)真空沉积在ITO基板上以形成厚度的空穴注
入层。
[HTM]
将实施例1合成的材料作为主体，使用7wt％的PhGD(指以下结构)
作为绿色磷光掺杂剂掺杂，真空沉积在空穴传输层上以形成厚度的
发射层。
[PhGD]
厚的BAlq[双(2-甲基-8-喹啉-N1,O8)-(1,1'-二苯基-4-醇根)铝]
([bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-biphenyl-4-olato)aluminum])和
厚的Alq3[三(8-羟基喹啉)铝]([tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum])
顺序沉积在发射层上以形成电子传输层。在电子传输层上，顺序真空沉积
厚的LiF和厚的Al以形成阴极，从而制造有机发光二极管。
实施例14
除使用实施例2的化合物(B-51)形成发射层之外，根据与实施例13
相同的方法制造有机发光二极管。
实施例15
除使用实施例3的化合物(B-77)形成发射层之外，根据与实施例13
相同的方法制造有机发光二极管。
实施例16
除使用实施例4的化合物(B-97)形成发射层之外，根据与实施例13
相同的方法制造有机发光二极管。
实施例17
除使用实施例5的化合物(A-51)形成发射层之外，根据与实施例
13相同的方法制造有机发光二极管。
实施例18
除使用实施例6的化合物(A-77)形成发射层之外，根据与实施例
13相同的方法制造有机发光二极管。
实施例19
除使用实施例7的化合物(A-94)形成发射层之外，根据与实施例
13相同的方法制造有机发光二极管。
实施例20
除使用实施例8的化合物(A-74)形成发射层之外，根据与实施例
13相同的方法制造有机发光二极管。
实施例21
除使用实施例9的化合物(C-17)形成发射层之外，根据与实施例13
相同的方法制造有机发光二极管。
实施例22
除使用实施例10的化合物(C-21)形成发射层之外，根据与实施例
13相同的方法制造有机发光二极管。
实施例23
除使用实施例11的化合物(C-11)形成发射层之外，根据与实施例
13相同的方法制造有机发光二极管。
实施例24
除使用实施例12的化合物(C-15)形成发射层之外，根据与实施例
13相同的方法制造有机发光二极管。
比较例1
除使用以下根据比较例1的化合物成发射层之外，根据与实施例1相
同的方法制造有机发光二极管。
(有机发光二极管的性能测量)
测量根据实施例13至24和比较例1的每种有机发光二极管取决于电
压的电流密度和亮度变化以及发光效率。具体的测量方法如下，且结果在
下表1中示出。
1)取决于电压变化的电流密度变化测量
将电压增加时，用电流-电压计(Keithley2400)对根据13至24和比
较例1制造的有机发光二极管进行在单元器件(unitdevice)中流动的电
流值的测量，并将电流的测量值除以面积以提供结果。
2)取决于电压变化的亮度变化测量
当电压增加时，使用亮度计(MinoltaCs-1000A)测量根据13至24
和比较例1制造的有机发光二极管的亮度。
3)发光效率和功率效率的测量
将由“1)取决于电压变化的电流密度变化测量”以及“2)取决于电
压变化的亮度变化测量”得到的亮度、电流密度和电压用于计算电流效率
和功率效率，且结果在表2中示出。
4)色坐标
使用亮度计(keithley2635B)测量关于根据实施例13至24和比较例
1的每种有机发光二极管在6000cd/m2下的色坐标。
[表2]
如在表2中所示，与根据比较例1的有机发光二极管相比，根据实施
例13至24的有机发光二极管在驱动电压、发光效率和/或功率效率方面示
出了改善的特性。
尽管已经连同目前认为是实用的示例性实施方式一起描述了本发明，
但是应该理解的是，本发明并不限于所公开的实施方式，而是，相反，旨
在涵盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等价安排。因
此，上述实施方式应理解为示例性的，但不以任何方式限制本发明。