一种旋转式喷头流量调整装置 【技术领域】
本发明为一种旋转式喷头流量调整装置，尤指适用于调整喷头流量的喷头流量调整装置。
背景技术
在半导体工业中，晶圆的加工均匀性是非常重要的，且为了达到最好的晶圆加工均匀性所以通常借着改变许多的制程参数，尤其当晶圆(Wafer)进行化学气相沉积(CVD)，电浆辅助化学气相沉积(PECVD)，蚀刻(etch)等制程时，通常藉由喷头喷出气体并使气体与晶圆表面产生反应，且借着改变喷头的气体流率、压力、温度等以达到晶圆的加工均匀性，并于加工制程时，常为了达到晶圆均匀性的要求而需改变多种加工参数，因此需花费许多时间及人力，但利用此改变多种加工参数方式仍在晶圆上常产生加工边际效应，因此非为最佳的制程方式。
缘是，发明人乃根据此缺点及依据多年来从事制造产品的相关经验，悉心观察且研究，乃潜心研究并配合学理的运用，而提出一种设计合理且有效改善该缺点的本发明。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种旋转式喷头流量调整装置，藉以增加此独立调整的加工参数，且即可因此减少晶圆其它加工参数调整，俾可达到晶圆均匀性的要求。
依据前述发明目的，本发明为一种旋转式喷头流量调整装置，其包括至少二圆盘体及数个相对的穿槽组；其中，所述的二圆盘体同轴迭设一起；所述的相对的穿槽组分别形成于所述的圆盘体上，且该圆盘体组装于一喷头上，且所述的穿槽组连通于该喷头的出口，且该圆盘体相对旋转地控制相对穿槽组连通面积大小，俾以控制一流体通过连通穿槽而流出喷头地流量大小。
为了使贵审查员能进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明及附图，然而所附图示仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。
【附图说明】
图1为本发明的旋转式喷头流量调整装置的上圆盘体俯视图。
图2为系本发明的旋转式喷头流量调整装置的下圆盘体俯视图。
图3为本发明的旋转式喷头流量调整装置的中心部的穿槽连通面积较大而周缘面积较小示意图。
图4为本发明的旋转式喷头流量调整装置的中心部的穿槽连通面积较小而周缘面积较大示意图。
图中标号说明
圆盘体10
上圆盘体10′
下盘体10”
穿槽组20
穿槽21
中心位置22
连通面积23
【具体实施方式】
请参阅图1至图4所示，本发明为一种旋转式喷头流量调整装置，其包括二圆盘体10及其上的数个穿槽组20，且二圆盘体10迭设一起，并所述的穿槽组20分别相对地设置于所述的圆盘体10上，且圆盘体10组装于一喷头上，并使所述的穿槽组20连通该喷头的出口，并藉由所述的圆盘体10相对旋转，以控制相对的穿槽组20连通面积大小，俾以控制流体通过连通穿槽组20而流出喷头的流量大小。
请参阅图1及图2所示，其中有四穿槽组20分别具有四个呈同心圆弧状穿槽21，且以不同半径的方式设置于所述的圆盘体10上，请参阅图1所示，其为上圆盘体10′，该上盘体10′的穿槽组20上的弧状穿槽21具有相同的弧角；请参阅图2所示，系为下圆盘体10”，其上的穿槽组20具有下圆盘体10”上不同半径的数个穿槽21，且该穿槽21长度的中心位置22相互错开，且该中心位置22呈顺时针方向错开地排列于所述的下圆盘体10”上，并且所述的下盘体10”的穿槽组20的弧状穿槽21的弧角相同，但所述的下圆盘体10”的穿槽组20的弧状穿槽21的弧角大于上圆盘体10′(图1所示)的穿槽组20的弧状穿槽21的弧角，且上盘体10′上的弧状穿槽21长于相对的下圆盘体10”的弧状穿槽21。
再请参阅图1至图3所示，所述的上圆盘体10′与下盘体10”系同轴地迭合一起，且该上圆盘体10′逆时针旋转时，使上圆盘体10′与下盘体10”的中心部的相对穿槽21连通面积23渐加大，但上圆盘体10′与下盘体10”的周缘处的相对穿槽21连通面积渐减小，请参阅图1、图2及图4所示，且当上圆盘体10′顺时针旋转时则相反，如此该旋转式喷头流量调整装置组装于喷头时，通过圆盘体10相对旋转以控制喷头中心部及周缘的相对流量，以致于利用于化学气相沉积(CVD)，电浆辅助化学气相沉积(PECVD)，蚀刻(etch)等制程时，即多增加一独立的控制参数，且于控制晶圆的均匀分布时即可减少一些其它的控制参数的操作。因此当为减少制程中晶圆的边际效应而达到增加晶圆边缘的气体流量且减少晶圆中心的气体流量目的时，通过顺时针旋转上盘体10′以控制该喷头中心部流量减少且周缘的流量增加，所以能有效控制制程中的气体流量，且因此减少其它的参数调整，并更能使晶圆达到均匀分布的要求。
惟以上所述仅为本发明的较佳可行实施例，非因此拘限本发明的专利范围，故举凡运用本发明的说明书及图示内容所为的等效结构变化，均同理皆包含于本发明的范围内，给予陈明。