一种集成电路芯片热沉材料.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201510546651.5

申请日:

2015.08.24

公开号:

CN105253881A

公开日:

2016.01.20

当前法律状态:

公开

有效性:

审中

法律详情:

著录事项变更IPC(主分类):C01B 31/06变更事项:申请人变更前:刘南林变更后:刘南林变更事项:地址变更前:421800 湖南省耒阳市湘南监狱十四监区变更后:518017 广东省深圳市福田区益田村104栋2A|||公开

IPC分类号:

C01B31/06; B01J3/06

主分类号:

C01B31/06

申请人:

刘南林

发明人:

刘南林

地址:

421800湖南省耒阳市湘南监狱十四监区

优先权:

专利代理机构:

代理人:

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内容摘要

DLC集成电路芯片热沉材料是采用类金刚石粉压制成型技术方案制造的。这种热沉材料具有接近金刚石的导热性能,能够避免集成电路在超高速运算状态下因过热而损毁。从而有助于解决进一步提高集成电路运算速度必须面对的安全稳定运行问题,适用于智能手机、笔记本电脑、大型计算机制造行业。该技术属于功能新材料应用领域。

权利要求书

1.一种集成电路芯片热沉材料是采用类金刚石(英文简称DLC)粉压制成型技术方案制造的,这种热沉材料具有接近金刚石的导热性能,能够避免集成电路在超高速运算状态下因过热而损毁,从而有助于解决进一步提高集成电路运算速度面对的安全稳定运行问题,其独有的与现有技术不同的技术特征是采用类金刚石粉(3)为原料制作DLC集成电路芯片热沉材料(4)。 2.根据权利要求1所述的DLC集成电路芯片热沉材料(4),其特征是使用凸型模具(1)与凹形模具(2)将类金刚石粉(3)压制成型。 3.根据权利要求1所述的DLC集成电路芯片热沉材料(4),其特征是包含类金刚石粉(3)成分的DLC集成电路芯片热沉材料(4)。 4.根据权利要求1所述的DLC集成电路芯片热沉材料(4),其特征是包含类金刚石粉(3)成分的用于传热的装置。

说明书

一种集成电路芯片热沉材料

1、技术领域

一种集成电路芯片热沉材料是采用类金刚石(英文简称DLC)粉压制成型技术方案制造的。这种热沉材料具有接近金刚石的导热性能,能够避免集成电路在超高速运算状态下因过热而损毁。从而有助于解决进一步提高集成电路运算速度面对的安全稳定运行问题,适用于智能手机、笔记本电脑、大型计算机制造行业。该技术属于功能新材料应用领域。

2、背景技术

现有技术通常采用三氧化二铝粉末压制成型制造集成电路芯片热沉材料。由于三氧化二铝材料本身的导热性能限制,难以进一步提高传热速度,因而限制了集成电路运算速度进一步提高。只能以导热系数更高的材料替换,才能真正解决集成电路在超高速运算状态下因过热而损毁的问题。现有已知材料中金刚石的导热系数是最高的,采用金刚石粉作为热沉材料,不仅成本高而且很难加工成型。类金刚石导热系数接近金刚石、但成本远低于金刚石,并且具有一定的柔韧性易于压制成型,因此类金刚石可以成为最佳的热沉材料。采用高频等离子体化学气相沉积设备大量制备类金刚石粉的技术已经成熟,所以类金刚石将成为新一代热沉材料。无疑,这将极大的促进电脑行业发展。

3、发明内容

将高频等离子体化学气相沉积设备制备的类金刚石粉装入模具中,在常温、高压条件下压制成型,即可获得DLC集成电路芯片热沉材料。

4、附图说明

图1是DLC集成电路芯片热沉材料(4)制作模具示意图。

模具包括凸型模具(1)与凹形模具(2)。

图2是DLC集成电路芯片热沉材料(4)制作过程示意图。

将凹形模具(2)的凹型槽内装入类金刚石粉(3),再将凸型模具(1)与凹形模具(2)对接后加压,类金刚石粉(3)在凸型模具(1)与凹形模具(2)对接形成的腔体内成型为DLC集成电路芯片热沉材料(4)。

图3是DLC集成电路芯片热沉材料(4)示意图。

5、具体实施方式

==》按照用户要求的规格设计制作凸型不锈钢模具(1)与凹形不锈钢模具(2)==》将凹形模具(2)的凹型槽内装填类金刚石粉(3),再将凸型模具(1)与凹形模具(2)对接后加压,使类金刚石粉(3)在凸型模具(1)与凹形模具(2)对接形成的腔体内成型为DLC集成电路芯片热沉材料(4)==》从模具中取出DLC集成电路芯片热沉材料(4)成品。

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DLC集成电路芯片热沉材料是采用类金刚石粉压制成型技术方案制造的。这种热沉材料具有接近金刚石的导热性能,能够避免集成电路在超高速运算状态下因过热而损毁。从而有助于解决进一步提高集成电路运算速度必须面对的安全稳定运行问题,适用于智能手机、笔记本电脑、大型计算机制造行业。该技术属于功能新材料应用领域。 。

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