多片沉积PECVD非晶硅薄膜反应盒的电极板及非晶硅薄膜沉积方法.pdf

一种多片沉积PECVD非晶硅薄膜反应盒的电极板，电极板体用于承载PECVD基片的侧表面外形轮廓不大于PECVD基片的外形轮廓，电极板体前后两端分别通过活动连接装置安装有边缘端盖。由于PECVD基片将电极板体侧表面覆盖住，因此镀膜工艺中会将膜层镀到两侧的两个边缘端盖上，而电极板体不会附着镀膜层。当镀膜工艺完成后，将边缘端盖从电极板体上拆卸，然后将边缘端盖上的膜层进行清洗，清洗完毕后再安装到原电极板体上。因此可以减少硅粉在反应盒电极板和镀膜芯片的附着，有效增加反应盒的使用次数，降低清洗清洁的劳动强度，提高反应盒的利用率，并提高镀膜质量。

权利要求书1.  一种多片沉积PECVD非晶硅薄膜反应盒的电极板，其特征在于：电极板体（1）用于承载PECVD基片的侧表面外形轮廓不大于PECVD基片的外形轮廓，所述电极板体（1）前后两端分别通过活动连接装置安装有边缘端盖（8），当边缘端盖（8）固定于电极板体（1）左右两端时，边缘端盖侧表面（10）表面分别与电极板体（1）的两侧表面相平齐，两个边缘端盖（8）与电极板体（1）组合后的侧表面外形轮廓大于PECVD基片的外形轮廓。 2.  根据权利要求1所述的多片沉积PECVD非晶硅薄膜反应盒的电极板，其特征在于：所述活动连接装置包括分别设置于电极板体（1）前后两端的插头部（6）、设置于边缘端盖（8）内且与插头部（6）相匹配的卡槽（9），边缘端盖（8）通过卡槽（9）插装于电极板体（1）前端或后端的插头部（6）中后通过防脱机构固定，且边缘端盖侧表面（10）与电极板前表面（4）或电极板后表面（5）相贴合。 3.  根据权利要求1或2所述的多片沉积PECVD非晶硅薄膜反应盒的电极板，其特征在于：所述边缘端盖（8）与电极板体（1）等高，当边缘端盖（8）固定于电极板体（1）左端或右端时，边缘端盖上表面（11）以及缘端盖下表面（12）分别与电极板上表面（2）和电极板下表面（3）相平齐。 4.  根据权利要求2所述的多片沉积PECVD非晶硅薄膜反应盒的电极板，其特征在于：上所述防脱机构包括自上而下设置于插头部（6）上的数目大于等于2的滑槽（7），所述滑槽（7）外侧端开口，其从外侧端向内侧端由上而下倾斜设置，所述边缘端盖（8）的卡槽（9）内横向设置有与滑槽（7）相对应的销轴（13）。 5.  一种非晶硅薄膜沉积方法，其特征在于：包括如下步骤： a)将非晶硅薄膜太阳能PECVD基片置于权利要求1中的电极板体（1）上，并使非晶硅薄膜太阳能PECVD基片前后两端边缘突出与电极板体（1）前后边缘； b)将电极板体（1）前后两端固定边缘端盖（8），使非晶硅薄膜太阳能PECVD基片前后两端边缘不超过两端的边缘端盖（8）的边缘； c)将电极板体（1）至于反应盒中在等离子体增强型化学气相沉积装置中进行沉积镀膜； d)镀膜后将两个边缘端盖（8）从电极板体（1）上拆下，之后再将PECVD基片从电极板体（1）上拆下； e)将PECVD基片进行清洗； f)将清洗后的PECVD基片再按步骤a)安装到电极板体（1）上，再执行下一道工序。

说明书多片沉积PECVD非晶硅薄膜反应盒的电极板及非晶硅薄膜沉积方法
技术领域
本发明涉及一种多片沉积PECVD非晶硅薄膜反应盒的电极板及非晶硅薄膜沉积方法。
背景技术
为使非晶硅薄膜在衬底上沉积的厚度一致，在等离子体增强型化学气相沉积装置的等离子体电场分布必须均匀，因此要求电极板边缘突出于沉积衬底，即电极板上会留下一块无法被衬底完全覆盖的部分。而且为了电场能够均匀分布，电极板必须为一块整体。衬底未覆盖的电极板边缘在镀膜过程就不可避免的也被镀上一层PECVD膜。在反应盒出炉、下料、移动过程中，电极板边缘的膜层（硅粉）会脱落，还会散落到电极板内部和表面，这不仅需要在下一次反应盒使用之前花费较多时间和人力去进行电极板边缘的处理，而且会严重缩短反应盒的使用次数，增加反应盒的清洗频次。造成人力、物力等成本增加。 
发明内容
本发明为了克服以上技术的不足，提供了一种可减少硅粉在反应盒电极板和镀膜芯片的附着、提高反应盒的利用率及镀膜质量的多片沉积PECVD非晶硅薄膜反应盒的电极板及非晶硅薄膜沉积方法。
本发明克服其技术问题所采用的技术方案是：
多片沉积PECVD非晶硅薄膜反应盒的电极板，电极板体用于承载PECVD基片的侧表面外形轮廓不大于PECVD基片的外形轮廓，所述电极板体前后两端分别通过活动连接装置安装有边缘端盖，当边缘端盖固定于电极板体左右两端时，边缘端盖侧表面表面分别与电极板体的两侧表面相平齐，两个边缘端盖与电极板体组合后的侧表面外形轮廓大于PECVD基片的外形轮廓。
上述活动连接装置包括分别设置于电极板体前后两端的插头部、设置于边缘端盖内且与插头部相匹配的卡槽，边缘端盖通过卡槽插装于电极板体前端或后端的插头部中后通过防脱机构固定，且边缘端盖侧表面与电极板前表面或电极板后表面相贴合。
为了便于放置到反应盒中，上述边缘端盖与电极板体等高，当边缘端盖固定于电极板体左端或右端时，边缘端盖上表面以及缘端盖下表面分别与电极板上表面和电极板下表面相平齐。
上述防脱机构包括自上而下设置于插头部上的数目大于等于的滑槽，所述滑槽外侧端开口，其从外侧端向内侧端由上而下倾斜设置，所述边缘端盖的卡槽内横向设置有与滑槽相对应的销轴。
一种非晶硅薄膜沉积方法，包括如下步骤：
a)将非晶硅薄膜太阳能PECVD基片置于权利要求中的电极板体上，并使非晶硅薄膜太阳能PECVD基片前后两端边缘突出与电极板体前后边缘；
b)将电极板体前后两端固定边缘端盖，使非晶硅薄膜太阳能PECVD基片前后两端边缘不超过两端的边缘端盖的边缘；
c)将电极板体至于反应盒中在等离子体增强型化学气相沉积装置中进行沉积镀膜；
d)镀膜后将两个边缘端盖从电极板体上拆下，之后再将PECVD基片从电极板体上拆下；
e)将PECVD基片进行清洗；
f)将清洗后的PECVD基片再按步骤a)安装到电极板体上，再执行下一道工序。
 本发明的有益效果是：将PECVD基片放置到电极板体上执行镀膜工艺时，由于PECVD基片将电极板体侧表面覆盖住，因此镀膜工艺中会将膜层镀到两侧的两个边缘端盖上，而电极板体不会附着镀膜层。当镀膜工艺完成后，将边缘端盖从电极板体上拆卸，然后将边缘端盖上的膜层进行清洗，清洗完毕后再安装到原电极板体上。因此可以减少硅粉在反应盒电极板和镀膜芯片的附着，有效增加反应盒的使用次数，可减少用于清洗反应盒的去离子水的使用以及清洗后的反应盒烘烤至干燥状态时的电力使用，降低清洗清洁的劳动强度，提高反应盒的利用率，并提高镀膜质量。
附图说明
图1为本发明的电极板立体结构示意图；
图2为本发明的边缘端盖立体结构示意图；
图中，1.电极板体 2.电极板上表面 3.电极板下表面 4.电极板前表面 5.电极板后表面 6.插头部 7.滑槽 8.边缘端盖 9.卡槽 10.边缘端盖侧表面 11.边缘端盖上表面 12.边缘端盖下表面 13.销轴。
具体实施方式
下面结合附图1、附图2对本发明做进一步说明。
一种多片沉积PECVD非晶硅薄膜反应盒的电极板，电极板体1用于承载PECVD基片的侧表面外形轮廓不大于PECVD基片的外形轮廓，所述电极板体1前后两端分别通过活动连接装置安装有边缘端盖8，当边缘端盖8固定于电极板体1左右两端时，边缘端盖侧表面10表面分别与电极板体1的两侧表面相平齐，两个边缘端盖8与电极板体1组合后的侧表面外形轮廓大于PECVD基片的外形轮廓。将PECVD基片放置到电极板体1上执行镀膜工艺时，由于PECVD基片将电极板体1侧表面覆盖住，因此镀膜工艺中会将膜层镀到两侧的两个边缘端盖8上，而电极板体1不会附着镀膜层。当镀膜工艺完成后，将边缘端盖8从电极板体1上拆卸，然后将边缘端盖8上的膜层进行清洗，清洗完毕后再安装到原电极板体1上。因此可以减少硅粉在反应盒电极板和镀膜芯片的附着，有效增加反应盒的使用次数，降低清洗清洁的劳动强度，提高反应盒的利用率，并提高镀膜质量。
活动连接装置可以为如下结构，其包括分别设置于电极板体1前后两端的插头部6、设置于边缘端盖8内且与插头部6相匹配的卡槽9，边缘端盖8通过卡槽9插装于电极板体1前端或后端的插头部6中后通过防脱机构固定，且边缘端盖侧表面10与电极板前表面4或电极板后表面5相贴合。使用时将便于端盖8插入到电极板体1两端的插头部6上即可，使用简单快捷。
进一步的，边缘端盖8与电极板体1等高，当边缘端盖8固定于电极板体1左端或右端时，边缘端盖上表面11以及缘端盖下表面12分别与电极板上表面2和电极板下表面3相平齐。边缘端盖8与电极板体1等高且安装后上下对齐可以确保顺利安装到反应盒中，提高了工作效率。
防脱机构包括自上而下设置于插头部6上的数目大于等于2的滑槽7，所述滑槽7外侧端开口，其从外侧端向内侧端由上而下倾斜设置，所述边缘端盖8的卡槽9内横向设置有与滑槽7相对应的销轴13。边缘端盖8通过销轴13滑动插入滑槽7中，在重力的作用下边缘端盖8沿倾斜的滑槽7向斜下方向滑动，最终与电极板体1锁止，防止边缘端盖8从电极板体1上脱离，结构简单，安装拆除方便。
一种非晶硅薄膜沉积方法，包括如下步骤：
a)将非晶硅薄膜太阳能PECVD基片置于权利要求1中的电极板体1上，并使非晶硅薄膜太阳能PECVD基片前后两端边缘突出与电极板体1前后边缘；b)将电极板体1前后两端固定边缘端盖8，使非晶硅薄膜太阳能PECVD基片前后两端边缘不超过两端的边缘端盖8的边缘；c)将电极板体1至于反应盒中在等离子体增强型化学气相沉积装置中进行沉积镀膜；d)镀膜后将两个边缘端盖8从电极板体1上拆下，之后再将PECVD基片从电极板体1上拆下；e)将PECVD基片进行清洗；f)将清洗后的PECVD基片再按步骤a)安装到电极板体1上，再执行下一道工序。通过上述步骤可以防止PECVD基片在镀膜过程中，边缘端盖附着的膜层（硅粉）散落到电极板内部和表面，从而减少了反应盒的清洗频次，增长了反应盒的使用次数，降低了人力、物力成本。