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1、(10)申请公布号 CN 102700220 A(43)申请公布日 2012.10.03CN102700220A*CN102700220A*(21)申请号 201110301563.0(22)申请日 2011.09.30B32B 37/06(2006.01)B32B 37/10(2006.01)(71)申请人深圳光启高等理工研究院地址 518000 广东省深圳市南山区高新区中区高新中一道9号软件大厦申请人深圳光启创新技术有限公司(72)发明人刘若鹏 缪锡根(54) 发明名称一种介质基板的制备方法(57) 摘要本发明实施例提供了一种介质基板的制备方法，该介质基板的制备方法包括：采用流延法制备陶瓷。
2、坯料片材；根据所需介质基板的厚度对陶瓷坯料片材进行叠层；在预设的温度下对叠层的陶瓷坯料片材进行真空热压，获得介质基板。以提高介质基板的质量，降低流延法制备陶瓷坯料片材过程中对工艺参数的要求。(51)Int.Cl.权利要求书1页 说明书3页 附图2页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 2 页1/1页21.一种介质基板的制备方法，其特征在于，包括：采用流延法制备陶瓷坯料片材；根据所需介质基板的厚度对陶瓷坯料片材进行叠层；在预设的温度下对叠层的陶瓷坯料片材进行真空热压，获得介质基板。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述陶瓷坯。
3、料片材为氧化铝陶瓷坯料片材。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述采用流延法制备陶瓷坯料片材，具体包括：将氧化铝陶瓷粉末与分散剂、粘合剂、溶剂、以及表面活性剂混合制成氧化铝陶瓷浆料，经流延制成氧化铝陶瓷坯料片材。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述氧化铝陶瓷浆料还包括助烧剂。5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述根据所需介质基板的厚度对陶瓷坯料片材进行叠层，具体包括：根据所需介质基板的厚度，采用粘合剂将至少两个氧化铝陶瓷坯料片材上下对齐叠层在一起。6.根据权利要求5所述制备方法，其特征在于，所述粘合剂为聚乙烯醇聚丁醛。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特。
4、征在于，所述陶瓷坯料片材为氮化铝陶瓷坯料片材。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述采用流延法制备陶瓷坯料片材，具体包括：将氮化铝陶瓷粉末与分散剂、粘合剂、溶剂、以及表面活性剂混合制成氮化铝陶瓷浆料，经流延制成氮化铝陶瓷坯料片材。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述氮化铝陶瓷浆料还包括助烧剂。10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述根据所需介质基板的厚度对陶瓷坯料片材进行叠层，具体包括：根据所需介质基板的厚度，采用粘合剂将至少两个氮化铝陶瓷坯料片材上下对齐叠层在一起。权 利 要 求 书CN 102700220 A1/3页3一种介质基板的制备方法【 技术领域。
5、 】0001 本发明涉及复合材料技术领域，特别涉及一种介质基板的制备方法。【 背景技术 】0002 纤维增强树脂基复合材料作为电路板以及超材料的衬底而被广泛应用。传统的纤维增强树脂基复合材料由环氧树脂、填充剂、以及玻璃纤维制备而成。其特点是价格便宜，但热胀系数大，结构与性能的均匀性差。而陶瓷基板具有热胀系数小，结构与性能的均匀性好的特点，因此在日益发展的电子陶瓷工业中占很重要的地位。0003 现有技术中，采用流延法制备陶瓷基板，具体工艺是将陶瓷粉末与分散剂、粘合剂等添加剂在有机溶剂中混合，形成均匀悬浮的浆料；将浆料从料斗下部流至基带上，通过基带与刮刀的相对运动形成素坯，在表面张力的作用下形成光。
6、滑的上表面，坯膜的厚度由刮刀控制，待溶剂蒸发，形成具有一定强度和柔韧性的素坯，干燥的素坯与基带剥离后卷轴，经过烧结得到成品。0004 但是，现有技术中对工艺参数的精确度要求高，如果控制不好就会导致陶瓷基板的结构缺陷。例如，如果干燥工艺制定不当，素坯常会出现气泡、针孔、皱纹、干裂，甚至不易从基带上脱落等缺陷。【 发明内容 】0005 本发明所要解决的技术问题是提供一种介质基板的制备方法，能够降低对工艺参数的要求，提高介质基板的质量。0006 为解决上述技术问题，本发明一实施例提供了一种介质基板的制备方法，该制备方法包括：0007 采用流延法制备陶瓷坯料片材；0008 根据所需介质基板的厚度对陶瓷。
7、坯料片材进行叠层；0009 在预设的温度下对叠层的陶瓷坯料片材进行真空热压，获得介质基板。0010 与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：将流延法制备的陶瓷坯料片材进行叠层，并进行低温真空热压，从而实现介质基板的均匀性，提高介质基板的质量，降低流延法制备陶瓷坯料片材过程中对工艺参数的要求。【 附图说明 】0011 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。0012 图1是本发明实施例一提供的一种介。
8、质基板的制备方法流程图；0013 图2是本发明实施例二提供的一种介质基板的制备方法流程图；说 明 书CN 102700220 A2/3页40014 图3是本发明实施例三提供的一种介质基板的制备方法流程图。【 具体实施方式 】0015 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。0016 实施例一、0017 参见图1，是本发明实施例一提供的一种介质基板的制备方法流程图，该制备方法包括。
9、：0018 S11：采用流延法制备陶瓷坯料片材。0019 其中，陶瓷介质片材可以是氧化铝陶瓷介质片材，也可以是氮化铝陶瓷介质片材。0020 S12：根据所需介质基板的厚度对陶瓷坯料片材进行叠层。0021 具体的，根据所需介质基板的厚度，采用粘合剂将至少两个陶瓷坯料片材上下对齐叠层在一起。0022 S13：在预设的温度下对叠层的陶瓷坯料片材进行真空热压，获得介质基板。0023 在具体的实施过程中，可采用环氧树脂的真空热压法对叠层的陶瓷坯料片材进行真空热压。0024 本实施例中，将流延法制备的陶瓷坯料片材进行叠层，并进行低温真空热压，从而实现介质基板的均匀性，提高介质基板的质量，降低流延法制备陶瓷。
10、坯料片材过程中对工艺参数的要求。0025 实施例二、0026 参见图2，是本发明实施例二提供的一种介质基板的制备方法流程图，该制备方法包括：0027 S21：采用流延法制备氧化铝陶瓷坯料片材。0028 具体的，将氧化铝陶瓷粉末与分散剂、粘合剂、溶剂、以及表面活性剂混合制成氧化铝陶瓷浆料，经流延制成氧化铝陶瓷坯料片材。0029 在具体的实施过程中，还可以在氧化铝陶瓷浆料中加入助烧剂，以调整烧结的温度。0030 S22：根据所需介质基板的厚度，采用粘合剂将至少两个氧化铝陶瓷坯料片材上下对齐叠层在一起。0031 其中，粘合剂可以采用聚乙烯醇聚丁醛，也可以采用环氧体系粘合剂，丙烯酸体系粘合剂。0032。
11、 S23：在预设的温度下对叠层的氧化铝陶瓷坯料片材进行真空热压，获得介质基板。0033 在具体的实施过程中，可采用环氧树脂的真空热压法对叠层的氧化铝陶瓷坯料片材进行真空热压。0034 本实施例相对于实施例一，描述了氧化铝陶瓷介质基板的制备过程，能够获得均匀的氧化铝介质基板，降低了流延法制备氧化铝陶瓷坯料片材过程中对工艺参数的要求。说 明 书CN 102700220 A3/3页50035 实施例三、0036 参见图3，是本发明实施例三提供的一种介质基板的制备方法流程图，该制备方法包括：0037 S31：采用流延法制备氮化铝陶瓷坯料片材。0038 具体的，将氮化铝陶瓷粉末与分散剂、粘合剂、溶剂、以。
12、及表面活性剂混合制成氮化铝陶瓷浆料，经流延制成氮化铝陶瓷坯料片材。0039 在具体的实施过程中，还可以在氮化铝陶瓷浆料中加入助烧剂，以调整烧结的温度。0040 S32：根据所需介质基板的厚度，采用粘合剂将至少两个氮化铝陶瓷坯料片材上下对齐叠层在一起。0041 其中，粘合剂可以采用聚乙烯醇聚丁醛，也可以采用环氧体系粘合剂，丙烯酸体系粘合剂。0042 S33：在预设的温度下对叠层的氮化铝陶瓷坯料片材进行真空热压，获得介质基板。0043 在具体的实施过程中，可采用环氧树脂的真空热压法对叠层的陶瓷坯料片材进行真空热压。0044 本实施例相对于实施例二，描述了氮化铝陶瓷介质基板的制备过程，能够获得均匀的。
13、氧化铝介质基板，降低了流延法制备氮化铝陶瓷坯料片材过程中对工艺参数的要求，氮化铝陶瓷介质基板相对与氧化铝陶瓷介质基板来说，绝缘电阻、绝缘耐压要高些，介电常数更低些，在具体的实施过程中，根据需求选择适合的实施例。0045 以上对本发明实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。说 明 书CN 102700220 A1/2页6图1图2说 明 书 附 图CN 102700220 A2/2页7图3说 明 书 附 图CN 102700220 A。