一种高效LED恒流驱动电路.pdf

本发明涉及一种高效LED恒流驱动电路。它包括输入整流滤波电路、开关电源管理芯片、隔离式开关变压器、变压器初级钳位电路、输出整流滤波电路、输出电流采样电路、参考电压产生电路、比较电路、光电耦合电路。输入整流滤波电路输入端与交流市电联接，输出端通过开关电源管理芯片与隔离式开关变压器初级绕组联接；变压器初级钳位电路与隔离式开关变压器初级绕组并联；输出整流滤波电路输入端与隔离式开关变压器次级绕组联接，输出端接LED负载；输出电流采样电路与LED负载串联；参考电压产生电路输入端与LED负载联接；比较电路输入端与输出电流采样电路及参考电压产生电路联接，比较电路输出端通过光电耦合电路与开关电源管理芯片联接。本发明提高了电路集成度、可靠性、恒流精度及电路转换效率。

权利要求书
1.  一种高效LED恒流驱动电路，其特征在于：包括输入整流滤波电路1、开关电源管理芯片(2)、隔离式开关变压器(3)、变压器初级钳位电路(4)、输出整流滤波电路(5)、输出电流采样电路(6)、参考电压产生电路(7)、比较电路(8)、光电耦合电路(9)，所述的输入整流滤波电路(1)输入端与交流市电联接，输出端通过开关电源管理芯片(2)与隔离式开关变压器(3)初级绕组联接；所述的变压器初级钳位电路(4)与隔离式开关变压器(3)初级绕组并联；所述的输出整流滤波电路(5)输入端与隔离式开关变压器(3)次级绕组并联，输出端接LED负载(10)；所述的输出电流采样电路(6)与LED负载(10)串联；所述的参考电压产生电路(7)输入端与LED负载(10)联接；所述的比较电路(8)输入端与输出电流采样电路(6)及参考电压产生电路(7)输出端联接，比较电路(8)输出端通过光电耦合电路(9)与开关电源管理芯片(2)联接；
所述的输入整流滤波电路(1)将工频交流电转换成较为平稳的直流高压后作为整个电路的能量供应；所述的开关电源管理芯片(2)内集成了高压大功率MOSFET，可进行高频导通或关断；所述的隔离式开关变压器(3)用于输入-输出间的能量传递；所述的变压器初级钳位电路(4)用于吸收功率MOSFET关断时隔离式开关变压器(3)初级绕组(a)两端产生的尖峰电压，以保护功率MOSFET；所述的输出整流滤波电路(5)将隔离式开关变压器(3)次级绕组(b)的电压平滑成无纹波直流输出；所述的输出电流采样电路(6)检测电路输出电流，并将其转换成电压值；所述的参考电压产生电路(7)用于产生恒流输出时所需参考电压；所述的比较电路(8)将电流采样值与参考值进行比较，产生控制信号；所述的光电耦合电路(9)将控制信号传输至开关电源管理芯片(2)并实现输入与输出之间的电气隔离；所述的开关电源管理芯片(2)根据控制信号调节其内部功率MOSFET的导通、关断时间，以控制隔离式开关变压器(3)的能量传递，最终使输出电流保持恒定。

2.  根据权利要求1所述的高效LED恒流驱动电路，其特征在于所述的输入整流滤波电路(1)由一个熔丝管(F1)、四个二极管(D1-D4)构成的整流桥、两个电容(C1、C2)和一个共模电感(L1)组成，其输入端与交流市电联接。

3.  根据权利要求1所述的高效LED恒流驱动电路，其特征在于所述的开关电源管理芯片(2)为PI公司生产的TNY279，其S端与输入地端联接，BP/M端通过一个电容(C5)与其S端联接。

4.  根据权利要求1所述的高效LED恒流驱动电路，其特征在于所述的隔离式开关变压器(3)初级绕组(a)的同名端与开关电源管理芯片(2)的D端联接，异名端与所述的整流滤波电路(1)直流高压输出端联接。

5.  根据权利要求1所述的高效LED恒流驱动电路，其特征在于所述的变压器初级钳位电路(4)包括一个稳压二极管(VR1)、一个二极管(D5)，所述的稳压二极管(VR1)阴极与二极管(D5)阴极联接，稳压二极管(VR1)阳极与所述的隔离式开关变压器(3)初级绕组(a)的异名端联接，二极管(D5)阳极与隔离式开关变压器(3)初级绕组(a)的同名端联接。

6.  根据权利要求1所述的高效LED恒流驱动电路，其特征在于所述的输出整流滤波电路(5)包括一个二极管(D6)、两个电容(C3、C4)、一个电感(L2)，所述的二极管(D6)阳极与所述的隔离式开关变压器(3)次级绕组(b)的同名端联接，二极管(D6)阴极与由所述两个电容(C3、C4)和电感(L2)组成的π型滤波器联接，隔离式开关变压器(3)次级绕组(b)的异名端与输出地端联接。

7.  根据权利要求1所述的高效LED恒流驱动电路，其特征在于所述的输出电流采样电路(6)包括一个电阻(R1)，所述的电阻(R1)与LED负载(10)串联。

8.  根据权利要求1所述的高效LED恒流驱动电路，其特征在于所述的参考电压产生电路(7)包括三个电阻(R2、R3、R4)、两个电容(C7、C8)、一个三端稳压器(U4)，所述的三端稳压器(U4)参考端与阴极联接，三端稳压器(U4)阴极和阳极分别与由一个电阻(R4)和两个电容(C7、C8)组成的π型滤波器两端联接，同时，三端稳压器(U4)阴极还通过两个电阻(R2、R3)与输出地端联接。

9.  根据权利要求1所述的高效LED恒流驱动电路，其特征在于所述的比较电路(8)包括一个比较器(U3)、一个电阻(R5)、一个电容(C6)，所述的比较器(U3)反相输入端通过一个电阻(R2)与输出地端联接，比较器(U3)同相输入端与三端稳压器(U4)阳极联接，比较器(U3)第一电源端与所述的输出整流滤波电路(5)直流电压输出端联接，比较器(U3)第二电源端与三端稳压器(U4)阳极联接，比较器(U3)输出端通过一个电容(C6)和一个电阻(R5)与其反相输入端联接。

10.  根据权利要求1所述的高效LED恒流驱动电路，其特征在于所述的光电耦合电路(9)包括一个光电耦合器(U2)、一个电阻(R6)，所述的光电耦合器(U2)包括一个发光二极管、一个光电晶体管，所述的发光二极管阳极通过一个电阻(R6)与比较器(U3)输出端联接，发光二极管阴极与三端稳压器(U4)阳极联接，所述的光电晶体管的一端与开关电源管理芯片(2)的EN/PV端联接，另一端与输入地端联接。

说明书一种高效LED恒流驱动电路
技术领域
本发明涉及一种高效LED驱动电路，特别是一种基于隔离式反激变换拓扑结构的高效LED恒流驱动电路，属于LED照明技术领域。
背景技术
LED具有发光效率高、使用寿命长、稳定性好等优点，被广泛应用于照明领域。然而，LED驱动电路在效率、可靠性及稳定性等方面的不足一直阻碍着LED照明系统成本的降低，并制约着LED照明系统的使用寿命及普及范围。
目前，LED驱动电路大致可以分为：
(1)电阻降压驱动方式
(2)线性稳压/恒流电源驱动方式
(3)电荷泵驱动方式
(4)DC-DC转换驱动方式
电阻降压式LED驱动电路成本低、简单易行。LED是电流控制型器件，其导通压降相对较低，因此，最简单的方法是使用电阻限制LED的电流。然而，此驱动方式不具备任何保护功能，且电阻消耗功率较大，电路效率较低。
线性LED驱动电路结构简单、实现方便，电路的核心是利用工作于线性区的功率三极管或MOSFFET作为一动态可调电阻来控制负载。线性LED驱动电路输出线性直流电，可用于要求较高的场合，但由于线性电源的调整管工作在放大状态，因而发热量大，效率较低。
电荷泵驱动电路根据输出方式的不同有电压输出型和电流输出型两种：电压输出型电荷泵驱动电路输出恒定电压，电流输出型电荷泵驱动电路输出恒定电流。电荷泵电路的最大优势是无须使用电感元件，具有成本低、噪声低、辐射EMI小以及控制能力强等优点。然而，电路的效率会随着输入电压和输出电压的比例关系而变化，有时效率会低至70％以下，尤其是电压调节的电荷泵的效率往往不足70％。因此，电荷泵式驱动电路在大功率LED驱动应用中受到了限制。
DC-DC转换驱动方式可分为：开关型LED恒流芯片驱动方式、非隔离式开关电源驱动方式、隔离式开关电源驱动方式。开关型LED恒流芯片驱动方式大多用于便携式设备应用，如用作手机、笔记本、MP3等背光源，或用作汽车前灯照明等，这些驱动芯片的驱动能力有限，输出电流有限，输入电压要求是直流，而且价格比较昂贵。非隔离式开关电源驱动方式，如降压型(Buck)和升压型(Boost)电路等，利用开关技术可获得较高的效率和较宽的电压范围。然而，此类DC-DC变换器输入和输出共地，不能实现良好的电气隔离，因而并不适用于交流输入的场合。隔离式开关电源驱动方式，如正激变换方式(Forward)和反激变换方式(Flyback)等，利用变压器进行输入与输出之间的隔离，并可采用工频交流电供电，具有效率高、适用性好、安全、可靠等优点，成为现阶段LED恒流驱动电路的首选。
请参阅图1，授权公告号为CN101227778的中国专利公开了一种自激振荡式大功率LED恒流驱动电路，包括：整流滤波电路、开关电路、稳压恒流输出电路、变压器、自激振荡式脉宽调制信号产生电路、电流反馈阻塞电路。整流滤波电路将市电接入整流为直流后输出到开关电路进行自激振荡式高频开关，再通过变压器使稳压恒流输出电路的高频电压转变为直流电压用以驱动LED，同时采样电流信号通过电流反馈阻塞电路产生阻塞信号用以控制开关电路的工作。
该电路采用变压器进行能量传输，输入与输出通过变压器及光耦合器实现电气隔离，可采用交流电供电，电路转换效率较高。然而，上述电路几乎全部由分立元件构成，涉及元件较多、电路结构复杂，体积较大，电路稳定性较差，易损坏，不易实现产品商品化。
发明内容
针对现有技术LED恒流驱动电路存在的不足，本发明的目的在于解决现有技术LED恒流驱动电路元件数量多、体积大、结构复杂、稳定性差、效率低等问题，提供一种改进的高效LED恒流驱动电路，减少电路元件数量，提高电路集成度、可靠性、恒流精度及电路转换效率。
本发明要解决的技术问题是：
将现有技术隔离式LED恒流驱动电路中由分立元件构成的电路模块用集成元件代替，降低电路复杂程度、减小电路体积、提高电路可靠性，提供一种结构简单、集成度高、可靠性好及效率高的隔离式反激变换拓扑结构开关电源电路。
为了达到上述目的，本发明的构思是：
本发明实现的LED恒流驱动电路为电气隔离型电路，电路采用反激变换拓扑结构，使用隔离式变压器进行能量的存储和传输。为实现电路结构的简单化，考虑使用集成元件代替现有技术LED驱动电路中的某些电路模块，如使用集成开关调整管的开关电源管理芯片代替现有电路中的开关调整管及其驱动控制电路、使用三端稳压器产生参考电压、使用集成运算放大器作为比较器以产生控制信号等。由上述集成元件构成的LED恒流驱动电路体积小、可靠性好、效率高，易于实现商品化。
为实现上述构思，本发明采用的技术方案是：
一种高效LED恒流驱动电路，包括：输入整流滤波电路、开关电源管理芯片、隔离式开关变压器、变压器初级钳位电路、输出整流滤波电路、输出电流采样电路、参考电压产生电路、比较电路、光电耦合电路。所述的输入整流滤波电路输入端与交流市电联接，输出端通过开关电源管理芯片与隔离式开关变压器初级绕组联接；所述的变压器初级钳位电路与隔离式开关变压器初级绕组并联；所述的输出整流滤波电路输入端与隔离式开关变压器次级绕组联接，输出端接LED负载；所述的输出电流采样电路与LED负载串联；所述的参考电压产生电路输入端与LED负载联接；所述的比较电路输入端与输出电流采样电路及参考电压产生电路输出端联接，比较电路输出端通过光电耦合电路与开关电源管理芯片联接。
所述的输入整流滤波电路将工频交流电转换成较为平稳的直流高压后供给隔离式开关变压器，所述的开关电源管理芯片内集成有高压大功率MOSFET，在MOSFET导通期间，隔离式开关变压器将电能存储在初级绕组中；在MOSFET关断期间，存储在隔离式开关变压器初级绕组中的电能传送至变压器次级绕组，所述的变压器初级钳位电路可吸收功率MOSFET关断时变压器初级绕组两端产生的尖峰电压，以保护功率MOSFET，所述的输出整流滤波电路将隔离式开关变压器次级绕组的电压平滑成无纹波直流输出，所述的输出电流采样电路检测电路输出电流，并将其转换成电压值，所述的参考电压产生电路产生恒流驱动时所需的参考电压，所述比较电路将电流采样值与参考值进行比较，产生控制信号，所述的光电耦合电路将控制信号传输至开关电源管理芯片并实现输入与输出之间的电气隔离，所述的开关电源管理芯片根据控制信号调节其内部功率MOSFET的导通、关断时间，以控制隔离式变压器的能量传递，最终使输出电流保持恒定。
本发明与现有技术相比较，具有如下显而易见的突出实质性特点和显著优点：
1、本发明LED恒流驱动电路采用内部集成高压大功率MOSFET的开关电源管理芯片为控制核心，该芯片具有自偏压功能，不需要偏置绕组或偏置元件，电路结构简单、体积小。
2、本发明LED恒流驱动电路的输入输出部分采用隔离式开关变压器和光电耦合电路进行电气隔离，LED的驱动输出与高压市电无直接电气连接，这样干扰小、可靠性提高，也增强了电路工作时的安全性。
3、本发明LED恒流驱动电路采用反激式拓扑结构，可根据需要设计变压器次级绕组数量，以实现多路输出，简单方便。
4、本发明LED恒流驱动电路输入端使用二极管和稳压二极管串联构成变压器尖峰电压吸收电路，可吸收功率MOSFET关断瞬间变压器初级绕组两端产生的尖峰电压，能较好的保护功率MOSFET，提高了电路的可靠性。
5、本发明LED恒流驱动电路输出电流采样电路、参考电压产生电路及比较电路等仅使用三端稳压器、集成运算放大器及少量的电阻、电容等器件，整个电路功耗较小，电路转换效率高，恒流特性较好。
综上所述，本发明所述的LED恒流驱动电路采用隔离式反激变换拓扑结构，可实现恒流输出，电路转换效率较高、恒流性能较好。同时本发明电路由于采用了开关电源管理芯片，可以节省大量外围电路，从而具有成本低、集成度高、体积小、可靠性好等优点，适合批量生产。
附图说明
图1是一种现有技术LED恒流驱动电路原理图。
图2是本发明的电路框图。
图3是本发明的电路原理图。
具体实施方式
下面，通过本发明的具体实施例并结合附图详细描述本发明的电路结构。
实施例一：如附图2所示，本发明的LED恒流驱动电路包括：输入整流滤波电路1、开关电源管理芯片2、隔离式开关变压器3、变压器初级钳位电路4、输出整流滤波电路5、输出电流采样电路6、参考电压产生电路7、比较电路8、光电耦合电路9。所述的输入整流滤波电路1输入端与交流市电联接，输出端通过开关电源管理芯片2与隔离式开关变压器3初级绕组联接；所述的变压器初级钳位电路4与隔离式开关变压器3初级绕组并联；所述的输出整流滤波电路5输入端与隔离式开关变压器3次级绕组联接，输出端接LED负载10；所述的输出电流采样电路6与LED负载10串联；所述的参考电压产生电路7输入端与LED负载10联接；所述的比较电路8输入端与输出电流采样电路6及参考电压产生电路7输出端联接，比较电路8输出端通过光电耦合电路9与开关电源管理芯片2联接。
输入整流滤波电路1将工频交流市电转换成较为平稳的高压直流信号，从其高压直流信号输出端输出，作为整个电路的能量供应；开关电源管理芯片2根据由光电耦合电路9传递而来的控制信号控制其内部功率MOSFET的导通与关断时间；隔离式开关变压器3具有初级绕组a和次级绕组b，在初级绕组a两端并联有变压器初级钳位电路4，用于吸收功率MOSFET关断时变压器初级绕组a产生的尖峰电压，保护电源管理芯片2；隔离式开关变压器3次级绕组b将感应到的高频交变电压输出至输出整流滤波电路5，经整流滤波后产生直流电压，从输出整流滤波电路5的输出端输出，用以驱动LED负载10；在输出整流滤波电路5的输出回路中串联一个电阻，构成了输出电流采样电路6，该电流采样电路6将流过LED负载10的电流值转换成电压值，该电压值接至比较电路8的实际电压输入端；参考电压产生电路7采用集成三端稳压器产生稳定的参考电压，该参考电压经分压后接至比较电路8的参考电压输入端；比较电路8将电阻采样得到的实际电压与参考电压进行比较，产生控制信号；光电耦合电路9中的光电二极管以电-光-电的形式将控制信号传输至光电耦合电路9中的光电晶体管；开关电源管理芯片2根据传输至光电晶体管的控制信号控制其内部功率MOSFET的导通与关断时间，进而控制隔离式开关变压器3的能量传递，最终使流过LED负载10的电流稳定于恒流设定值。
实施例二：本实施例与实施例一基本相同，特殊之处如下：如附图3所示，所述的输入整流滤波电路1包括由二极管D1、D2、D3、D4构成的全桥整流器、电容C1、C2、共模电感L1，二极管D2的阴极与二极管D1的阳极联接，二极管D4的阴极与二极管D3的阳极联接，交流输入端1、2接交流市电；二极管D1、D3的阴极联接，作为市电整流后的直流高压输出端3；二极管D2、D4的阳极联接，作为整流后的地端4；整流桥直流高压输出端3、4分别与电容C1两端及共模电感L1的两输入端5、6联接，共模电感L1的两输出端7、8分别与电容C2两端联接，电容C2的一端为整理滤波电路1的高压直流信号输出端，另一端与输入地端4联接。
所述的开关电源管理芯片2是PI公司生产的TNY279(U1)，TNY279内部集成了一个高压大功率MOSFET及一个电源控制器，具有自偏置功能，无需偏执绕组或偏置元件，可降低电路复杂度并减小电路体积。TNY279的S端为内部功率MOSFET的源极、D为内部功率MOSFET的漏极、EN/UV端为“使能/欠电压”双功能端，正常工作时通过该端可控制功率MOSFET的开关、BP/M端为外部限流设定端，可根据其联接的旁路电容值的不同选择不同的电流限流值。TNY279的S端与共模电感L1的输出端8联接，BP/M端通过电容C5与S端联接。
所述的隔离式开关变压器3包括初级绕组a及次级绕组b，初级绕组a的异名端9与共模电感L1的输出端7联接，初级绕组a的同名端10与开关电源管理芯片2的D端联接，次级绕组b与输出整流滤波电路5联接。
所述的变压器初级钳位电路4包括稳压管VR1、二极管D5，稳压管VR1的阳极与隔离式开关变压器3初级绕组a的异名端9联接，阴极与二极管D5的阴极联接，二极管D5的阳极与开关电源管理芯片TNY279的D端和隔离式开关变压器3初级绕组a的同名端10联接。
所述的输出整流滤波电路5包括二极管D6、电容C3、C4、电感L2、串并联联接的LED负载10，二极管D6的阳极与隔离式开关变压器3次级绕组b的同名端11联接，二极管D6的阴极与电容C3的一端和电感L2的一端13联接，电感L2的另一端14与电容C4的一端联接，电容C3、C4的另一端均与隔离式开关变压器3次级绕组b的异名端12联接，此异名端12与输出地端联接。
所述的输出电流采样电路6包括电阻R1，电阻R1串联在输出回路中，其一端与隔离式开关变压器3次级绕组b的异名端12联接，另一端与LED负载10的一端16联接。
所述的参考电压产生电路7包括电阻R2、R3、R4、电容C7、C8、三端稳压器U4，所述的三端稳压器包括阴极、参考端17和阳极，U4的阴极与其参考端和电容C8的一端23联接，并通过电阻R2和R3与隔离式开关变压器3次级绕组b的异名端12联接，U4的阳极与电容C8的另一端26及LED负载10的一端16联接，电容C7的一端24通过电阻R4与电容C8的一端23联接，电容C7的另一端25与U4的阳极联接。
所述的比较电路8包括集成运算放大器U3、电阻R5、电容C6，所述的集成运算放大器包括反相输入端18、同相输入端19、第一电源端20、第二电源端21、输出端22，U3的反相输入端通过电阻R2与隔离式开关变压器3次级绕组b的异名端12联接，U3的同相输入端与三端稳压器U4的阳极联接，U3的第一电源端与电感L2的一端14联接，U3的第二电源端与三端稳压器U4的阳极联接，U3的输出端通过电容C6和电阻R5与其反相输入端联接。
所述的光电耦合电路9包括光电耦合器U2、电阻R6，所述的光电耦合器包括一个发光二极管和一个光电晶体管，发光二极管的阳极27通过电阻R6与集成运算放大器U3的输出端联接，发光二极管的阴极28与三端稳压器U4的阳极联接，光电晶体管的一端29与开关电源管理芯片2的EP/VU端联接，光电晶体管的另一端30与开关电源管理芯片2的S端联接。
本发明电路的具体工作过程：本发明电路只要接入交流市电即可正常工作。由于开关电源管理芯片2要求的输入电压为直流，所以必须先将交流市电进行整流滤波，这个功能由输入整流滤波电路1来实现。交流市电经过熔丝管F1输入至由4个二极管D1、D2、D3和D4构成的全波整流桥，整流为全波电压，再经过滤波电容C1、C2及共模电感L1后成为直流高压，该直流高压的有效值为输入交流市电有效值的倍。上述滤波电路中，共模电感L1主要用于抑制共模干扰，电容C1、C2主要用于抑制串模干扰，此外，电容C1、C2还可起到储能的作用。
开关电源管理芯片2(TNY279)内部集成了高压大功率MOSFET，该MOSFET在脉宽调制信号控制下进行高频的导通与关断操作，将直流高压调制成为隔离式开关变压器3初级绕组a上的高频交变电压，利用电磁效应将能量传输至隔离式开关变压器3次级绕组b。在功率MOSFET导通期间，直流高压--初级绕组a--功率MOSFET--输入端地构成回路，电流流过初级绕组a，将能量存储在初级绕组a上，此时初级绕组a的异名端为正、同名端为功率MOSFET的漏极电压，接近0V。根据变压器的性质，此时次级绕组b的同名端也为负，异名端为正，二极管D6反向截至，电容C3上存储的电能为LED负载10供电。当功率MOSFET关断时，初级绕组a产生感应电动势，同名端为正，异名端为负，此时次级绕组b的同名端变为正，异名端变为负，二极管D6正向导通，能量从初级绕组a传递至次级绕组b，此时次级绕组b为LED负载10供电，同时为储能电容C3充电。输出整流滤波电路5中的电感L2用于抑制电路中的电流脉动，平滑电流；电容C4用于滤除输出电压中的高频噪声分量。
由于功率MOSFET关断时，初级绕组a上产生感应电动势，所以功率MOSFET关断瞬间其漏极上的电压为直流高压加上感应电动势，如果考虑绕组漏感尖峰等因素，上述的直流高压加上感应电动势可能会超过功率MOSFET的耐压值而将其损坏。由稳压二极管VR1和二极管D5串联而成的初级绕组吸收钳位电路4，可吸收功率MOSFET关断时变压器初级绕组a产生的尖峰电压，保护功率MOSFET。
由于电阻R1串联在输出回路中，所以流过电阻R1的电流和流过LED负载10的电流是相同的，其压降可代表电流的大小，因此电阻R1可用于采样输出电流，并将其转换成电压，提供给比较电路8。
参考电压产生电路7采用集成三端稳压器TL431，根据其在电路中不同的联接方式，TL431可提供恒定或可调的参考电压。本发明电路中，TL431的阴极与参考端联接，此时TL431阴极可提供恒定的2.5V电压。该电压经过电阻R2、R3分压后得到的电压值为2.5V×R2/(R2+R3)，其中电阻R2、R3根据设定的输出电流值及采样电阻R1进行选取。上述电压也提供给比较电路8，作为设定恒定电流值对应的参考电压。该电路中的电阻R4、电容C7、C8构成了π型滤波器，用以对由三端稳压器TL431产生的参考电压进行高频滤波，以减小参考电压的纹波，提高参考电压产生电路7的稳定性与可靠性。
比较电路8中的集成运算放大器LM358工作于饱和状态，其反相输入端接2.5V参考电压的分压值，同相输入端接电阻R1采样得到的采样电压。该比较电路8中电阻R5、电容C6用于提高集成运算放大器LM358的增益，并抑制其自激振荡，使之工作更加稳定可靠。当LM358同相输入端电压值大于反相输入端电压值，即LED负载10电流大于电流设定值时，LM358就驱动光电耦合器U2(PC817A)导通，PC817A中的发光二极管发光，流过光电晶体管的电流将超过开关电源管理芯片2使能端的阀值电流，就强迫功率MOSFET关断一个开关周期；当LM358同相输入端电压小于反相输入端电压，也即LED负载10电流小于电流设定值时，就强迫功率MOSFET导通一个开关周期，这样通过调节功率MOSFET工作周期的数量，即可对输出电流进行精确的调节，并使之保持恒定。LM358在该发明电路中做比较器使用，将电阻R1采样得到的电压值与参考电压进行比较。电阻R6用于限制流经PC817A中发光二极管的电流，保护光电耦合器U2正常工作。开关电源管理芯片2中的C5主要用于限制流过功率MOSFET的电流，同时还可为开关电源管理芯片2供电。
本发明所述的LED恒流驱动电路采用隔离式反激变换拓扑结构，具有电路结构简单、体积小、集成度高、恒流精度高和转换效率高等优点，可用作LED恒流驱动的备选方案，并适合批量生产。