一种阵列基板及其制造方法、显示装置.pdf

摘要
申请专利号：	CN201310269302.4	申请日：	2013.06.28
公开号：	CN103337497A	公开日：	2013.10.02
当前法律状态：	驳回	有效性：	无权
法律详情：	发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H01L 27/02申请公布日:20131002\|\|\|实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/02申请日:20130628\|\|\|公开
IPC分类号：	H01L27/02; H01L21/77; G02F1/1368	主分类号：	H01L27/02
申请人：	北京京东方光电科技有限公司
发明人：	阎长江; 李靖; 李田生; 谢振宇; 陈旭
地址：	100176 北京市大兴区北京市经济技术开发区西环中路8号
优先权：
专利代理机构：	北京中博世达专利商标代理有限公司 11274	代理人：	申健
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内容摘要

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域，用以降低薄膜晶体管的漏电流，提高TFT的稳定性，提升显示器件的显示效果。该阵列基板包括：透明基板以及位于透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖TFT、第一透明电极位于第一钝化层的表面，对应TFT的沟道位置处具有用于防止光线透射的光阻结构。

权利要求书

1.   一种阵列基板，其特征在于，包括透明基板以及位于所述透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖所述TFT、第一透明电极位于所述第一钝化层的表面；对应所述TFT的沟道位置处具有用于防止光线透射的光阻结构。

2.   根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光阻结构包括连续的多个斜面或者曲面的微结构。

3.   根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述光阻结构包括遮光层：
所述遮光层位于所述TFT与所述第一钝化层之间；
所述遮光层位于所述第一钝化层与所述第二钝化层之间。

4.   根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
制作位于所述TFT与所述第一钝化层之间的所述遮光层的材料包括树脂材料；
制作位于所述第一钝化层与所述第二钝化层之间的所述遮光层的材料包括树脂材料或金属材料。

5.   一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1‑4所述的任一阵列基板。

6.   一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在形成有薄膜晶体管TFT的基板表面形成第一钝化层的图案；
在形成上述图案的基板表面对应所述TFT沟道的位置处形成用于防止光线透射的光阻结构。

7.   根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述光阻结构的制造方法包括：
在形成有所述TFT的基板上形成所述第一钝化层；
在所述第一钝化层的表面对应所述TFT的沟道位置通过构图工艺形成表面具有连续的多个斜面或者曲面的微结构。

8.   根据权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述光阻结构包括：
在形成有所述TFT的基板上形成遮光层；或，
在形成有第一钝化层的基板上形成所述遮光层。

9.   根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在形成有所述TFT的基板上形成的所述遮光层的材料包括树脂材料；
在形成有所述第一钝化层的基板上形成的所述遮光层的材料包括树脂材料或金属材料。

说明书

一种阵列基板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展，TFT‑LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器）作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
TFT‑LCD显示面板的制造工艺包括：制造阵列（Array）基板和彩膜（Color Filter）基板，然后再将阵列基板和彩膜基板进行对位、成盒（Cell）。如图1所示，典型的TFT阵列基板包括透明基板11以及依次位于透明基板表面上TFT的栅极120、栅极绝缘层13、有源层14、位于有源层14两侧的TFT的漏极121和TFT的源级122、位于有源层14、TFT漏极121和TFT源级122表面上的第一钝化层15、位于第一钝化层表面的面状的第一透明电极16以及依次形成于第一透明电极16表面上的第二钝化层17和狭缝结构的第二透明电极18。
现有技术中，如图1所示，半导体源层14和栅极绝缘层13的一部分没有被TFT的源级122或漏极121所遮挡（如图1中区域A所示），因此光线由于没有金属层的反射而直接照射到半导体有源层14和栅极绝缘层13的表面，这样一来，会激活外界环境而产生浅能级缺陷态，在半导体有源层14和栅极绝缘层13的界面处发生载流子捕获效应，进而造成半导体有源层14和栅极绝缘层13产生相对较大的漏电流，从而影响TFT的稳定性，降低显示器件的显示效果。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，用以降低薄膜晶体管的漏电流，提高TFT的稳定性，提升显示器件的显示效果。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例的一方面，提供了一种阵列基板，包括透明基板以及位于所述透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖所述TFT、第一透明电极位于所述第一钝化层的表面；对应所述TFT的沟道位置处具有用于防止光线透射的光阻结构。
本发明实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。
本发明实施例的又一方面，提供一种阵列基板的制造方法，包括：
在形成有薄膜晶体管TFT的基板表面形成第一钝化层的图案；
在形成上述图案的基板表面对应所述TFT沟道的位置处形成用于防止光线透射的光阻结构。
本发明实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，该阵列基板包括透明基板以及位于透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖TFT、第一透明电极位于第一钝化层的表面，对应述TFT的沟道位置处具有用于防止光线透射的光阻结构。这样一来，通过该光阻结构可以降低薄膜晶体管的漏电流，提高TFT的稳定性，提升显示器件的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的阵列基板结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种阵列基板结构示意图；
图4为本发明实施例提供的又一种阵列基板结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
一种阵列基板，如图2所示，可以包括：透明基板11以及位于透明基板11上的薄膜晶体管TFT12，第一钝化层15覆盖TFT12、第一透明电极16位于第一钝化层15的表面，在TFT12远离所述透明基板11的一侧对应TFT12的沟道位置处具有用于防止光线透射的光阻结构20。
本发明实施例提供一种阵列基板，通过在对应述TFT的沟道位置处制作用于防止光线透射的光阻结构，从而可以有效避免现有技术中半导体有源层14和栅极绝缘层13未被TFT的源级122或漏极121所覆盖而产生的漏光现象。这样一来，可以降低薄膜晶体管的漏电流，提高TFT的稳定性，提升显示器件的显示效果。
进一步地，如图2所示，光阻结构20具体可以为连续的多个斜面或者曲面的微结构。
需要说明的是，上述连续的多个斜面或者曲面的微结构可以为锯齿状或者凹凸不平的锯齿状的不规则形状。其中，本发明实施例均是以锯齿状的不规则形状为例进行的说明。
需要说明的是，可以通过构图工艺在第一钝化层15的表面对应TFT12的沟道位置形成表面具有锯齿状的光阻结构20。例如，对形成有第一钝化层15的基板对应TFT12的沟道的位置进行离子轰击刻蚀，再进行灰化光刻胶和离子轰击刻蚀，可得到第一钝化层15的表面对应TFT12的沟道位置形成不规则形状，或可以将其表面粗糙化。
这样一来，当光线照射到半导体源层14和栅极绝缘层13的未被TFT的源级122或漏极121所遮挡的区域（如图1中区域A所示）时，通过表面具有锯齿状的不规则形状的光阻结构20将入射光线散射开，减少了透过该区域A的光线，从而避免了显示器件的漏光现象，降低了薄膜晶体管的漏电流，提高了TFT的稳定性，提升了显示器件的显示效果。
需要说明的是，在本发明中的构图工艺，可以包括光刻工艺，或者包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
此外，第一透明电极16表面具有第二钝化层17，第二钝化层17的表面形成有第二透明电极18。
具体的，第一透明电极16可以为面状结构，第二透明电极18可以为相互间隔的狭缝结构；或，第一透明电极16可以为相互间隔的狭缝结构，第二透明电极18可以为面状结构；或第一透明电极16和第二透明电极18均可以为狭缝结构。
例如，本发明实施例提供的阵列基板可以适用于FFS（Fringe Field Switching，边缘场开关）型或AD‑SDS（Advanced‑Super Dimensional Switching，简称为ADS，高级超维场开关）型等类型的液晶显示装置的生产。以第一透明电极16和第二透明电极18均为间隔设置的狭缝结构的电极为例，这样一种结构的阵列基板通常被用作ADS型液晶显示装置的生产，ADS技术通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，与其他类型的显示装置相比，ADS型液晶显示装置进一步提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。
需要说明的是，在本发明实施例中，第一透明电极16可以为像素电极，第二透明电极18可以为公共电极；或者第一透明电极16可以为公共电极，第二透明电极18可以为像素电极。本发明对此并不作限制。
采用上述的这样一种阵列基板，光阻结构20具体是由第一钝化层15形成的光反射结构，这样一来，通过改变现有层级结构对应TFT的沟道位置的形状即可实现光阻结构的设计，从而无需额外设置新的层级，有效保证了显示装置的厚度。
或者，光阻结构20还可以包括遮光层21。
例如，如图3所示，该遮光层21位于TFT12与第一钝化层15之间。需要说明的是，该遮光层21可以遮挡半导体源层14和栅极绝缘层13未被TFT的源级122或漏极121所覆盖的部分，因此可以将形成于对应TFT12的沟道位置处的遮光层21可以作为光阻结构20。其中，可以将该遮光层的表面通过构图工艺形成具有锯齿状的不规则形状，这样位于该遮光层表面对应TFT12的沟道位置处的第一钝化层15也同样具有锯齿状的不规则形状。这里对该沟道位置处的遮光层和第一钝化层的表面形状不做限定。
或者，如图4所示，该遮光层21位于第一钝化层15与第二钝化层17之间。需要说明的是，在形成有TFT12的基板表面通过构图工艺在对应TFT12的沟道的位置上方逐层形成第一钝化层15和遮光层21，当该位置的第一钝化层15通过构图工艺形成如图4所示的锯齿状的不规则形状时，形成于该第一钝化层表面上的遮光层将具有相同的锯齿状不规则形状，由于第一钝化层15和遮光层21可以采用具有一定光折射率的材料制成，因此可以将形成于对应TFT12的沟道的位置处的第一钝化层15和遮光层21共同作为光阻结构20。
进一步地，制作位于TFT与第一钝化层15之间的遮光层21的材料包括树脂材料；或者如图4所示，制作位于第一钝化层15与第二钝化层17之间的遮光层21的材料包括树脂材料或金属材料。例如，为钼、钛、铝中的至少一种。这样一来，采用遮光层遮挡半导体源层14和栅极绝缘层13未被TFT的源级122或漏极121所覆盖的部分可以起到防止光线透射或将入射光线反射的作用，从而避免了显示面板的漏光现象，降低了薄膜晶体管的漏电流，提高了TFT的稳定性，提升了显示器件的显示效果。
本发明的实施例提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种阵列基板。该显示装置具体可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的液晶显示产品或者部件。
本发明实施例提供一种显示装置，该显示装置包括阵列基板，该阵列基板包括透明基板以及位于透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖TFT、第一透明电极位于第一钝化层的表面，对应述TFT的沟道位置处具有用于防止光线透射的光阻结构。这样一来，通过该光阻结构可以降低薄膜晶体管的漏电流，提高TFT的稳定性，提升显示器件的显示效果。
本发明实施例提供一种阵列基板的制造方法，如图2所示，包括：
S101、在形成有薄膜晶体管TFT12的基板表面形成第一钝化层15的图案。
S102、在形成上述图案的基板表面对应所述TFT12沟道的位置处形成用于防止光线透射的光阻结构20。
本发明实施例提供一种阵列基板的制造方法，该阵列基板包括透明基板以及位于透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖TFT、第一透明电极位于第一钝化层的表面，对应述TFT的沟道位置处具有用于防止光线透射的光阻结构。这样一来，通过该光阻结构可以降低薄膜晶体管的漏电流，提高TFT的稳定性，提升显示器件的显示效果。
进一步地，如图2所示，制作所述光阻结构20的方法可以包括：
S201、在形成有TFT的基板上形成所述第一钝化层15。
S202、在第一钝化层15的表面对应TFT的沟道位置通过构图工艺形成表面具有连续的多个斜面或者曲面的微结构。
需要说明的是，上述连续的多个斜面或者曲面的微结构可以为锯齿状或者凹凸不平的锯齿状的不规则形状。其中，本发明实施例均是以锯齿状的不规则形状为例进行的说明。
具体的，对应TFT12的沟道位置处的第一钝化层15作为表面具有锯齿状不规则形状的光阻结构20。这样一来，当光线照射到半导体源层14和栅极绝缘层13的未被TFT的源级122或漏极121所遮挡的区域（如图1中区域A所示）时，通过表面具有锯齿状不规则形状的光阻结构20将入射光线散射开，减少了透过该区域A的光线，从而避免了显示器件的漏光现象，降低了薄膜晶体管的漏电流，提高了TFT的稳定性，提升了显示器件的显示效果。
或者，在对应TFT12沟道的位置处形成用于防止光线透射的光阻结构20可以包括遮光层21。
例如，如图3所示，该遮光层21可以位于在形成有TFT12的基板上。需要说明的是，该遮光层21可以遮挡半导体源层14和栅极绝缘层13未被TFT的源级122或漏极121所覆盖的部分，因此可以将形成于对应TFT12的沟道位置处的遮光层21可以作为光阻结构20。
或者，如图4所示，该遮光层21可以位于形成有第一钝化层15的基板上。需要说明的是，在形成有TFT12的基板表面通过构图工艺在对应TFT12的沟道的位置上方逐层形成第一钝化层15和遮光层21，当该位置的第一钝化层15通过构图工艺形成如图4所示的锯齿状的不规则形状时，形成于该第一钝化层表面上的遮光层将具有相同的锯齿状不规则形状，由于第一钝化层15和遮光层21可以采用具有一定光折射率的材料制成，因此可以将形成于对应TFT12的沟道的位置处的第一钝化层15和遮光层21共同作为光阻结构20。
进一步地，制作位于TFT与第一钝化层15之间的遮光层21的材料包括树脂材料；或者如图4所示，制作位于第一钝化层15与第二钝化层17之间的遮光层21的材料包括树脂材料或金属材料。例如，为钼、钛、铝中的至少一种。这样一来，采用遮光层遮挡半导体源层14和栅极绝缘层13未被TFT的源级122或漏极121所覆盖的部分可以起到防止光线透射或将入射光线反射的作用，从而避免了显示面板的漏光现象，降低了薄膜晶体管的漏电流，提高了TFT的稳定性，提升了显示器件的显示效果。
具体的，以图2为例，对具有光阻结构20的阵列基板的制作过程进行详细的描述：
S301、在透明基板11的表面通过构图工艺形成TFT的栅极120的图案。
S302、在TFT的栅极120的表面覆盖栅极绝缘层13。
S303、在栅极绝缘层13的表面对应TFT12的沟道位置处采用隔离技术（lift‑out）形成半导体有源层14，该半导体有源层为金属氧化物（IGZO）。
S304、在半导体有源层14的表面形成TFT的源极122和漏极121，该步骤结束后，完成了对薄膜晶体管TFT12的制作。
S305、在形成有TFT12的基板表面形成第一钝化层15的图案。
S306、在形成有上述图案的基板表面对应TFT12的沟道位置处利用特殊设计的掩模板或者干刻蚀工艺可使得该位置处的第一钝化层15的表面形成锯齿状的不规则形状，或将其表面粗糙化。
S307、在形成有上述图案的基板表面形成第一透明电极16，这样就在对应TFT12的沟道位置处形成用于防止光线透射的光阻结构20。
S308、在形成有第一透明电极16的基板表面形成第二钝化层17。
S309、在形成有第二钝化层17的基板表面形成第二透明电极18。
采用上述的这样一种阵列基板，光阻结构20具体是由第一钝化层15形成的光反射结构，这样一来，通过改变现有层级结构对应TFT的沟道位置的形状即可实现光阻结构的设计，从而无需额外设置新的层级，有效保证了显示装置的厚度。
或者，以图4为例，对具有光阻结构（遮光层21）的阵列基板的制作过程进行详细的描述：
S401、在透明基板11的表面通过构图工艺形成TFT的栅极120的图案。
S402、在TFT的栅极120的表面覆盖栅极绝缘层13。
S403、在栅极绝缘层13的表面对应TFT12的沟道位置处采用隔离技术（lift‑out）形成半导体有源层14，该半导体有源层为金属氧化物（IGZO）。
S404、在半导体有源层14的表面形成TFT的源极122和漏极121，该步骤结束后，完成了对薄膜晶体管TFT12的制作。
S405、在形成有TFT12的基板表面形成第一钝化层15的图案。
S406、在形成有上述图案的基板表面对应TFT12的沟道位置处利用特殊设计的掩模板或者干刻蚀工艺可使得该位置处的第一钝化层15的表面形成锯齿状的不规则形状，或将其表面粗糙化。
S407、在形成有上述结构的基板表面对应TFT12的沟道位置处，进行金属材料的沉积，可以形成质地粗个体大的晶粒，得到锯齿状的结构，从而完成遮光层21的制作。
S408、在形成有上述图案的基板表面形成第一透明电极16，这样就在对应TFT12的沟道位置处形成用于防止光线透射的光阻结构20。
S409、在形成有第一透明电极16的基板表面形成第二钝化层17。
S410、在形成有第二钝化层17的基板表面形成第二透明电极18。
需要说明的是，以上仅仅是对图2和图4所示的阵列基板的制作过程进行举例说明，其他具有光阻结构20的阵列基板的制作过程在这里不再一一赘述，但都应当属于本发明的保护范围。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

资源描述

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1、(10)申请公布号 CN 103337497 A(43)申请公布日 2013.10.02CN103337497A*CN103337497A*(21)申请号 201310269302.4(22)申请日 2013.06.28H01L 27/02(2006.01)H01L 21/77(2006.01)G02F 1/1368(2006.01)(71)申请人北京京东方光电科技有限公司地址 100176 北京市大兴区北京市经济技术开发区西环中路8号(72)发明人阎长江李靖李田生谢振宇陈旭(74)专利代理机构北京中博世达专利商标代理有限公司 11274代理人申健(54) 发明名称一种阵列基板及其制造方。

2、法、显示装置(57) 摘要本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域，用以降低薄膜晶体管的漏电流，提高TFT的稳定性，提升显示器件的显示效果。该阵列基板包括：透明基板以及位于透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖TFT、第一透明电极位于第一钝化层的表面，对应TFT的沟道位置处具有用于防止光线透射的光阻结构。(51)Int.Cl.权利要求书1页说明书6页附图2页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页说明书6页附图2页(10)申请公布号 CN 103337497 ACN 103337497 A1/1页21.一种阵列基板，其特征在于。

3、，包括透明基板以及位于所述透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖所述TFT、第一透明电极位于所述第一钝化层的表面；对应所述TFT的沟道位置处具有用于防止光线透射的光阻结构。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光阻结构包括连续的多个斜面或者曲面的微结构。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述光阻结构包括遮光层：所述遮光层位于所述TFT与所述第一钝化层之间；所述遮光层位于所述第一钝化层与所述第二钝化层之间。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，制作位于所述TFT与所述第一钝化层之间的所述遮光层的材料包括树脂材料；制作位于所述第一钝化层与所述第二钝化层之间。

4、的所述遮光层的材料包括树脂材料或金属材料。5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4所述的任一阵列基板。6.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在形成有薄膜晶体管TFT的基板表面形成第一钝化层的图案；在形成上述图案的基板表面对应所述TFT沟道的位置处形成用于防止光线透射的光阻结构。7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述光阻结构的制造方法包括：在形成有所述TFT的基板上形成所述第一钝化层；在所述第一钝化层的表面对应所述TFT的沟道位置通过构图工艺形成表面具有连续的多个斜面或者曲面的微结构。8.根据权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述光阻结构包括：在形成有所述T。

5、FT的基板上形成遮光层；或，在形成有第一钝化层的基板上形成所述遮光层。9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在形成有所述TFT的基板上形成的所述遮光层的材料包括树脂材料；在形成有所述第一钝化层的基板上形成的所述遮光层的材料包括树脂材料或金属材料。权利要求书CN 103337497 A1/6页3一种阵列基板及其制造方法、显示装置技术领域0001 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。背景技术0002 随着显示技术的飞速发展，TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器）。

6、作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。0003 TFT-LCD显示面板的制造工艺包括：制造阵列（Array）基板和彩膜（Color Filter）基板，然后再将阵列基板和彩膜基板进行对位、成盒（Cell）。如图1所示，典型的TFT阵列基板包括透明基板11以及依次位于透明基板表面上TFT的栅极120、栅极绝缘层13、有源层14、位于有源层14两侧的TFT的漏极121和TFT的源级122、位于有源层14、TFT漏极121和TFT源级122表面上的第一钝化层15、位于第一钝化层表面的面状的第一透明电极16以及依次形成于。

7、第一透明电极16表面上的第二钝化层17和狭缝结构的第二透明电极18。0004 现有技术中，如图1所示，半导体源层14和栅极绝缘层13的一部分没有被TFT的源级122或漏极121所遮挡（如图1中区域A所示），因此光线由于没有金属层的反射而直接照射到半导体有源层14和栅极绝缘层13的表面，这样一来，会激活外界环境而产生浅能级缺陷态，在半导体有源层14和栅极绝缘层13的界面处发生载流子捕获效应，进而造成半导体有源层14和栅极绝缘层13产生相对较大的漏电流，从而影响TFT的稳定性，降低显示器件的显示效果。发明内容0005 本发明的实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，用以降低薄膜晶体管的漏电流。

8、，提高TFT的稳定性，提升显示器件的显示效果。0006 为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：0007 本发明实施例的一方面，提供了一种阵列基板，包括透明基板以及位于所述透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖所述TFT、第一透明电极位于所述第一钝化层的表面；对应所述TFT的沟道位置处具有用于防止光线透射的光阻结构。0008 本发明实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。0009 本发明实施例的又一方面，提供一种阵列基板的制造方法，包括：0010 在形成有薄膜晶体管TFT的基板表面形成第一钝化层的图案；0011 在形成上述图案的基板表面对应所述TFT沟道的位置。

9、处形成用于防止光线透射的光阻结构。0012 本发明实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，该阵列基板包括透明基板以及位于透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖TFT、第一透明电极位于第一钝化层的表面，对应述TFT的沟道位置处具有用于防止光线透射的光阻结构。这样一来，通说明书CN 103337497 A2/6页4过该光阻结构可以降低薄膜晶体管的漏电流，提高TFT的稳定性，提升显示器件的显示效果。附图说明0013 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于。

10、本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。0014 图1为现有技术中的阵列基板结构示意图；0015 图2为本发明实施例提供的一种阵列基板结构示意图；0016 图3为本发明实施例提供的另一种阵列基板结构示意图；0017 图4为本发明实施例提供的又一种阵列基板结构示意图。具体实施方式0018 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。001。

11、9 一种阵列基板，如图2所示，可以包括：透明基板11以及位于透明基板11上的薄膜晶体管TFT12，第一钝化层15覆盖TFT12、第一透明电极16位于第一钝化层15的表面，在TFT12远离所述透明基板11的一侧对应TFT12的沟道位置处具有用于防止光线透射的光阻结构20。0020 本发明实施例提供一种阵列基板，通过在对应述TFT的沟道位置处制作用于防止光线透射的光阻结构，从而可以有效避免现有技术中半导体有源层14和栅极绝缘层13未被TFT的源级122或漏极121所覆盖而产生的漏光现象。这样一来，可以降低薄膜晶体管的漏电流，提高TFT的稳定性，提升显示器件的显示效果。0021 进一步地，如图2所示。

12、，光阻结构20具体可以为连续的多个斜面或者曲面的微结构。0022 需要说明的是，上述连续的多个斜面或者曲面的微结构可以为锯齿状或者凹凸不平的锯齿状的不规则形状。其中，本发明实施例均是以锯齿状的不规则形状为例进行的说明。0023 需要说明的是，可以通过构图工艺在第一钝化层15的表面对应TFT12的沟道位置形成表面具有锯齿状的光阻结构20。例如，对形成有第一钝化层15的基板对应TFT12的沟道的位置进行离子轰击刻蚀，再进行灰化光刻胶和离子轰击刻蚀，可得到第一钝化层15的表面对应TFT12的沟道位置形成不规则形状，或可以将其表面粗糙化。0024 这样一来，当光线照射到半导体源层14和栅极绝缘层13的。

13、未被TFT的源级122或漏极121所遮挡的区域（如图1中区域A所示）时，通过表面具有锯齿状的不规则形状的光阻结构20将入射光线散射开，减少了透过该区域A的光线，从而避免了显示器件的漏光现象，降低了薄膜晶体管的漏电流，提高了TFT的稳定性，提升了显示器件的显示效果。说明书CN 103337497 A3/6页50025 需要说明的是，在本发明中的构图工艺，可以包括光刻工艺，或者包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。00。

14、26 此外，第一透明电极16表面具有第二钝化层17，第二钝化层17的表面形成有第二透明电极18。0027 具体的，第一透明电极16可以为面状结构，第二透明电极18可以为相互间隔的狭缝结构；或，第一透明电极16可以为相互间隔的狭缝结构，第二透明电极18可以为面状结构；或第一透明电极16和第二透明电极18均可以为狭缝结构。0028 例如，本发明实施例提供的阵列基板可以适用于FFS（Fringe Field Switching，边缘场开关）型或AD-SDS（Advanced-Super Dimensional Switching，简称为ADS，高级超维场开关）型等类型的液晶显示装置的生产。以第一透明。

15、电极16和第二透明电极18均为间隔设置的狭缝结构的电极为例，这样一种结构的阵列基板通常被用作ADS型液晶显示装置的生产，ADS技术通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，与其他类型的显示装置相比，ADS型液晶显示装置进一步提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。0029 需要说明的是，在本发明实施例中，第一透明电极16可以为像素电极，第二透明电极18可以为公共电极；或者第一透明电极16可以为公共电极，第二透明电极18可以为像素电极。本发明对此并不作限制。0030 。

16、采用上述的这样一种阵列基板，光阻结构20具体是由第一钝化层15形成的光反射结构，这样一来，通过改变现有层级结构对应TFT的沟道位置的形状即可实现光阻结构的设计，从而无需额外设置新的层级，有效保证了显示装置的厚度。0031 或者，光阻结构20还可以包括遮光层21。0032 例如，如图3所示，该遮光层21位于TFT12与第一钝化层15之间。需要说明的是，该遮光层21可以遮挡半导体源层14和栅极绝缘层13未被TFT的源级122或漏极121所覆盖的部分，因此可以将形成于对应TFT12的沟道位置处的遮光层21可以作为光阻结构20。其中，可以将该遮光层的表面通过构图工艺形成具有锯齿状的不规则形状，这样位于。

17、该遮光层表面对应TFT12的沟道位置处的第一钝化层15也同样具有锯齿状的不规则形状。这里对该沟道位置处的遮光层和第一钝化层的表面形状不做限定。0033 或者，如图4所示，该遮光层21位于第一钝化层15与第二钝化层17之间。需要说明的是，在形成有TFT12的基板表面通过构图工艺在对应TFT12的沟道的位置上方逐层形成第一钝化层15和遮光层21，当该位置的第一钝化层15通过构图工艺形成如图4所示的锯齿状的不规则形状时，形成于该第一钝化层表面上的遮光层将具有相同的锯齿状不规则形状，由于第一钝化层15和遮光层21可以采用具有一定光折射率的材料制成，因此可以将形成于对应TFT12的沟道的位置处的第一钝化。

18、层15和遮光层21共同作为光阻结构20。0034 进一步地，制作位于TFT与第一钝化层15之间的遮光层21的材料包括树脂材料；或者如图4所示，制作位于第一钝化层15与第二钝化层17之间的遮光层21的材料包括树脂材料或金属材料。例如，为钼、钛、铝中的至少一种。这样一来，采用遮光层遮挡半导体源说明书CN 103337497 A4/6页6层14和栅极绝缘层13未被TFT的源级122或漏极121所覆盖的部分可以起到防止光线透射或将入射光线反射的作用，从而避免了显示面板的漏光现象，降低了薄膜晶体管的漏电流，提高了TFT的稳定性，提升了显示器件的显示效果。0035 本发明的实施例提供一种显示装置，包括。

19、如上所述的任意一种阵列基板。该显示装置具体可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的液晶显示产品或者部件。0036 本发明实施例提供一种显示装置，该显示装置包括阵列基板，该阵列基板包括透明基板以及位于透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖TFT、第一透明电极位于第一钝化层的表面，对应述TFT的沟道位置处具有用于防止光线透射的光阻结构。这样一来，通过该光阻结构可以降低薄膜晶体管的漏电流，提高TFT的稳定性，提升显示器件的显示效果。0037 本发明实施例提供一种阵列基板的制造方法，如图2所示，包括：0038 S101、在形成有薄膜晶体管TFT12的基板表面形成第。

20、一钝化层15的图案。0039 S102、在形成上述图案的基板表面对应所述TFT12沟道的位置处形成用于防止光线透射的光阻结构20。0040 本发明实施例提供一种阵列基板的制造方法，该阵列基板包括透明基板以及位于透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖TFT、第一透明电极位于第一钝化层的表面，对应述TFT的沟道位置处具有用于防止光线透射的光阻结构。这样一来，通过该光阻结构可以降低薄膜晶体管的漏电流，提高TFT的稳定性，提升显示器件的显示效果。0041 进一步地，如图2所示，制作所述光阻结构20的方法可以包括：0042 S201、在形成有TFT的基板上形成所述第一钝化层15。0043 S202。

21、、在第一钝化层15的表面对应TFT的沟道位置通过构图工艺形成表面具有连续的多个斜面或者曲面的微结构。0044 需要说明的是，上述连续的多个斜面或者曲面的微结构可以为锯齿状或者凹凸不平的锯齿状的不规则形状。其中，本发明实施例均是以锯齿状的不规则形状为例进行的说明。0045 具体的，对应TFT12的沟道位置处的第一钝化层15作为表面具有锯齿状不规则形状的光阻结构20。这样一来，当光线照射到半导体源层14和栅极绝缘层13的未被TFT的源级122或漏极121所遮挡的区域（如图1中区域A所示）时，通过表面具有锯齿状不规则形状的光阻结构20将入射光线散射开，减少了透过该区域A的光线，从而避免了显示器件的漏。

22、光现象，降低了薄膜晶体管的漏电流，提高了TFT的稳定性，提升了显示器件的显示效果。0046 或者，在对应TFT12沟道的位置处形成用于防止光线透射的光阻结构20可以包括遮光层21。0047 例如，如图3所示，该遮光层21可以位于在形成有TFT12的基板上。需要说明的是，该遮光层21可以遮挡半导体源层14和栅极绝缘层13未被TFT的源级122或漏极121所覆盖的部分，因此可以将形成于对应TFT12的沟道位置处的遮光层21可以作为光阻结构20。0048 或者，如图4所示，该遮光层21可以位于形成有第一钝化层15的基板上。需要说说明书CN 103337497 A5/6页7明的是，在形成有TFT1。

23、2的基板表面通过构图工艺在对应TFT12的沟道的位置上方逐层形成第一钝化层15和遮光层21，当该位置的第一钝化层15通过构图工艺形成如图4所示的锯齿状的不规则形状时，形成于该第一钝化层表面上的遮光层将具有相同的锯齿状不规则形状，由于第一钝化层15和遮光层21可以采用具有一定光折射率的材料制成，因此可以将形成于对应TFT12的沟道的位置处的第一钝化层15和遮光层21共同作为光阻结构20。0049 进一步地，制作位于TFT与第一钝化层15之间的遮光层21的材料包括树脂材料；或者如图4所示，制作位于第一钝化层15与第二钝化层17之间的遮光层21的材料包括树脂材料或金属材料。例如，为钼、钛、铝中的至少。

24、一种。这样一来，采用遮光层遮挡半导体源层14和栅极绝缘层13未被TFT的源级122或漏极121所覆盖的部分可以起到防止光线透射或将入射光线反射的作用，从而避免了显示面板的漏光现象，降低了薄膜晶体管的漏电流，提高了TFT的稳定性，提升了显示器件的显示效果。0050 具体的，以图2为例，对具有光阻结构20的阵列基板的制作过程进行详细的描述：0051 S301、在透明基板11的表面通过构图工艺形成TFT的栅极120的图案。0052 S302、在TFT的栅极120的表面覆盖栅极绝缘层13。0053 S303、在栅极绝缘层13的表面对应TFT12的沟道位置处采用隔离技术（lift-out）形成半导体有源。

25、层14，该半导体有源层为金属氧化物（IGZO）。0054 S304、在半导体有源层14的表面形成TFT的源极122和漏极121，该步骤结束后，完成了对薄膜晶体管TFT12的制作。0055 S305、在形成有TFT12的基板表面形成第一钝化层15的图案。0056 S306、在形成有上述图案的基板表面对应TFT12的沟道位置处利用特殊设计的掩模板或者干刻蚀工艺可使得该位置处的第一钝化层15的表面形成锯齿状的不规则形状，或将其表面粗糙化。0057 S307、在形成有上述图案的基板表面形成第一透明电极16，这样就在对应TFT12的沟道位置处形成用于防止光线透射的光阻结构20。0058 S308、在形成。

26、有第一透明电极16的基板表面形成第二钝化层17。0059 S309、在形成有第二钝化层17的基板表面形成第二透明电极18。0060 采用上述的这样一种阵列基板，光阻结构20具体是由第一钝化层15形成的光反射结构，这样一来，通过改变现有层级结构对应TFT的沟道位置的形状即可实现光阻结构的设计，从而无需额外设置新的层级，有效保证了显示装置的厚度。0061 或者，以图4为例，对具有光阻结构（遮光层21）的阵列基板的制作过程进行详细的描述：0062 S401、在透明基板11的表面通过构图工艺形成TFT的栅极120的图案。0063 S402、在TFT的栅极120的表面覆盖栅极绝缘层13。0064 S40。

27、3、在栅极绝缘层13的表面对应TFT12的沟道位置处采用隔离技术（lift-out）形成半导体有源层14，该半导体有源层为金属氧化物（IGZO）。0065 S404、在半导体有源层14的表面形成TFT的源极122和漏极121，该步骤结束后，完成了对薄膜晶体管TFT12的制作。0066 S405、在形成有TFT12的基板表面形成第一钝化层15的图案。说明书CN 103337497 A6/6页80067 S406、在形成有上述图案的基板表面对应TFT12的沟道位置处利用特殊设计的掩模板或者干刻蚀工艺可使得该位置处的第一钝化层15的表面形成锯齿状的不规则形状，或将其表面粗糙化。0068 S407。

28、、在形成有上述结构的基板表面对应TFT12的沟道位置处，进行金属材料的沉积，可以形成质地粗个体大的晶粒，得到锯齿状的结构，从而完成遮光层21的制作。0069 S408、在形成有上述图案的基板表面形成第一透明电极16，这样就在对应TFT12的沟道位置处形成用于防止光线透射的光阻结构20。0070 S409、在形成有第一透明电极16的基板表面形成第二钝化层17。0071 S410、在形成有第二钝化层17的基板表面形成第二透明电极18。0072 需要说明的是，以上仅仅是对图2和图4所示的阵列基板的制作过程进行举例说明，其他具有光阻结构20的阵列基板的制作过程在这里不再一一赘述，但都应当属于本发明的保护范围。0073 以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。说明书CN 103337497 A1/2页9图1图2图3说明书附图CN 103337497 A2/2页10图4说明书附图CN 103337497 A10。

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