面内切换型液晶显示器件及其制造方法.pdf

公开了一种面内切换型液晶显示器件及其制造方法。该面内切换型液晶显示器件包括：第一基板和第二基板；分别水平和垂直地设置在第一基板上的选通线和数据线；由选通线和数据线限定的第一至第四子像素，其按2×2矩阵形式排列；设置在各子像素中的包括第一电极和第二电极的至少一对电极，其用于产生面内电场；第一公共线，其均等地划分第一子像素和第二子像素，并与设置在第一子像素和第二子像素中的第一电极相连接；第二公共线，其对第三子像素和第四子像素进行划分以使所述子像素中的一个的面积大于另一个的面积，并与设置在第三子像素和第四子像素中的第一电极相连接；形成在选通线和数据线的交叉处的开关器件；以及形成在第一基板与第二基板之间的液晶层。

1、  一种面内切换型液晶显示器件，包括：
第一基板和第二基板；
水平设置在第一基板上的多条选通线；
垂直设置在第一基板上的多条数据线，所述多条选通线和所述多条数据线限定了第一子像素、第二子像素、第三子像素以及第四子像素，其中所述多个子像素以2×2矩阵形式排列；
在各子像素中设置的包括第一电极和第二电极的至少一对电极；
根据第一子像素面积比位于第一子像素与第二子像素之间的第一公共线，该第一公共线与设置在第一子像素和第二子像素中的第一电极相连接；
根据第二子像素面积比位于第三子像素与第四子像素之间的第二公共线，所述第二子像素面积比与所述第一子像素面积比不同，并且所述第二公共线与设置在第三子像素和第四子像素中的第一电极相连接；
形成在所述选通线和所述数据线的交叉处的开关器件；以及
形成在第一基板与第二基板之间的液晶层。

2、  根据权利要求1所述的面内切换型液晶显示器件，其中所述第一子像素至第四子像素分别为红色、绿色、蓝色和白色子像素。

3、  根据权利要求2所述的面内切换型液晶显示器件，其中所述第一子像素面积比和所述第二子像素面积比基本上符合如下关系：红色、绿色和蓝色子像素的亮度之和基本上等于白色子像素的亮度。

4、  根据权利要求1所述的面内切换型液晶显示器件，其中所述第一电极是公共电极，而所述第二电极是像素电极。

5、  根据权利要求1所述的面内切换型液晶显示器件，其中所述第一公共线和所述第二公共线被电连接。

6、  根据权利要求1所述的面内切换型液晶显示器件，其中所述薄膜晶体管包括：
栅极；
形成在包括所述栅极的基板的整个表面上的栅绝缘膜；
形成在所述栅绝缘膜上的半导体层；以及
位于所述半导体层上的源极和漏极。

7、  根据权利要求1所述的面内切换型液晶显示器件，还包括像素电极线，其与第一公共线和第二公共线交叠，并且与设置在各子像素中的第二电极相连接。

8、  根据权利要求1所述的面内切换型液晶显示器件，其中所述第一公共线由第一子像素和第二子像素共用。

9、  根据权利要求1所述的面内切换型液晶显示器件，其中所述第二公共线由第三子像素和第四子像素共用。

10、  根据权利要求1所述的面内切换型液晶显示器件，其中所述第一电极和所述第二电极具有曲折形结构。

11、  一种面内切换型液晶显示器件，包括：
第一基板和第二基板；
水平设置在第一基板上的多条选通线；
垂直设置在第一基板上的多条数据线；
由所述多条选通线和所述多条数据线限定的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素以及白色子像素，其中所述多个子像素以2×2矩阵形式排列；
设置在各子像素中的包括公共电极和像素电极的至少一对电极；
根据第一面积比(R/G)位于所述红色子像素与绿色子像素之间的第一公共线，该第一公共线与设置在所述红色子像素和所述绿色子像素中的公共电极相连接；
根据第二面积比(B/W)位于所述蓝色子像素与所述白色子像素之间的第二公共线，所述第二面积比大于1，并且所述第二公共线与设置在所述蓝色子像素和所述白色子像素中的公共电极相连接；
与第一公共线和第二公共线相交叠的像素电极线，其与第一公共线和第二公共线一起形成一存储电容器，并且电连接设置在各子像素中的像素电极；
形成在所述选通线和所述数据线的交叉处的开关器件；以及
形成在第一基板与第二基板之间的液晶层。

12、  根据权利要求11所述的面内切换型液晶显示器件，其中所述第一面积比和所述第二面积比基本上满足如下关系：使所述红色、绿色和蓝色子像素的亮度之和基本上等于所述白色子像素的亮度。

13、  一种面内切换型液晶显示器件的制造方法，包括以下步骤：
提供第一基板和第二基板；
在第一基板上形成多条选通线、一公共电极和一公共线，其中所述公共线包括第一公共线和第二公共线，第一公共线基本上设置在所述多条选通线之间的中央处，第二公共线被设置为偏离所述多条选通线之间的中央，其中第一公共线和第二公共线被电连接；
形成多条数据线、一像素电极线以及一像素电极，所述多条数据线被设置为基本上垂直于所述多条选通线，并与所述选通线、第一公共线和第二公共线一起限定四个子像素；所述像素电极线与第一公共线和第二公共线交叠并形成存储电容器；所述像素电极与所述公共电极基本上平行并电连接到所述像素电极线；以及
在第一基板与第二基板之间形成液晶层。

14、  根据权利要求13所述的方法，进一步包括制备所述第二基板的步骤，其包括以下步骤：
在第二基板上形成黑底；以及
在第二基板上形成滤色器。

15、  一种面内切换型液晶显示器件，包括：
第一基板和第二基板；
水平设置在第一基板上的多条选通线；
垂直设置在第一基板上的多条数据线，所述多条选通线和所述多条数据线限定红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素以及白色子像素，其中所述多个子像素排列成一行；以及
设置在所述各子像素中的包括第一电极和第二电极的至少一对电极。

16、  根据权利要求15所述的面内切换型液晶显示器件，其中所述红色子像素具有第一面积，所述绿色子像素具有第二面积，所述蓝色子像素具有第三面积，所述白色子像素具有第四面积，并且其中所述第一面积、第二面积、第三面积以及第四面积符合如下关系：使所述红色、绿色和蓝色子像素的亮度之和基本上等于所述白色子像素的亮度。

面内切换型液晶显示器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示器件，具体涉及一种面内切换型液晶显示器件及其制造方法，其能够容易地控制排列为2×2矩阵形式的红色、绿色、蓝色和白色子像素的面积。
背景技术
扭曲向列(TN)型液晶显示(LCD)器件通常用作实现高图像质量和低功耗的平板显示器件，其问题在于，由于其液晶分子的折射率表现出各向异性，所以其视角狭窄。这是因为液晶分子在没有电压时取向平行于基板，而在施加电压时取向几乎垂直于基板。
为了克服该缺陷，当前的研究包括积极开发一种面内切换(IPS)型LCD，以通过使液晶分子取向基本上平行于基板来解决所述视角问题。
图1是常规IPS型LCD器件的单元像素的示意图，其中图1A是平面图，而图1B是沿图1中的线I-I’截取的剖面图。
如图1A和图1B所示，R、G和B子像素构成一个单元像素，各个子像素均由在透明的第一基板10上水平和垂直地设置的选通线1和数据线3限定。如在下文中所使用的一样，水平方向对应于选通线的取向；而与水平方向正交的垂直方向对应于数据线的取向。垂直和水平方向都平行于基板表面。虽然在LCD器件中由“n”条选通线1和“m”条数据线3限定了n×m个子像素，但是在此仅仅示出一组红色、绿色和蓝色子像素。如在下文中所使用的一样，将组合的R、G和B子像素限定为一个单元像素。
现有技术的薄膜晶体管9设置在限定子像素的选通线1和数据线3的交叉处。薄膜晶体管9包括栅极1a、半导体层5以及源/漏极2a、2b。
在现有技术的子像素中，与选通线1平行地设置有一公共线4，并且与数据线3平行地设置有至少一对电极：公共电极6和像素电极7。这些电极用于切换液晶分子。在此，公共电极6和像素电极7分别与公共线4和漏极2b相连接。在具有源极2a和漏极2b的第一基板10上还敷设有钝化膜11和第一配向层12a。
此外，与公共线4交叠并与像素电极7相连接的像素电极线14，与公共线4一起形成一存储电容器，其中像素电极线14和公共线4之间设置有栅绝缘膜。
在第二基板20上形成有用于防止光泄漏的黑底21和分别对应于各子像素的R、G和B滤色器23a-23c。此外，向第二基板20敷设了第二配向层12b，其与第一配向层12a一起确定液晶的初始配向状态。
根据现有技术的IPS像素结构，形成在第一基板10与第二基板20之间的液晶层13根据在公共电极6与像素电极7之间施加的电压来透射光。
具有这种结构的现有技术IPS型LCD器件的优点在于可以改进视角，这是由于公共电极和像素电极设置在同一平面上，从而将产生面内电场。然而，现有技术IPS型LCD器件的问题在于：降低了孔径比(apertureratio)，并且，由于公共电极6和像素电极7设置在原本可以透射光以形成图像的像素区域中，所以亮度降低了。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种面内切换型液晶显示器件及其制造方法，其基本上消除了由于现有技术的局限和缺点所引起的一个或更多个问题。
本发明的一个优点是，提供一种通过将红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)子像素构成为一个单元像素而能够提高屏幕亮度的IPS型LCD器件。
本发明的另一个优点是，提供一种通过将红色、绿色、蓝色和白色的四个子像素排列成四方形(2×2排列)而能够有效提高孔径比的IPS型LCD器件。
本发明的又一个优点是，提供一种IPS型LCD器件，其通过在垂直设置的两个子像素之间设置公共线而能够容易地控制子像素的面积，其中所述两个子像素共用所述公共线。
为了实现本发明的这些和其它优点，一种面内切换型液晶显示器件包括：第一基板和第二基板；水平设置在第一基板上的多条选通线；垂直设置在第一基板上的多条数据线，所述多条选通线和所述多条数据线限定了第一子像素、第二子像素、第三子像素以及第四子像素，其中所述多个子像素以2×2矩阵形式排列；在各子像素中设置的包括第一电极和第二电极的至少一对电极；根据第一子像素面积比位于第一子像素与第二子像素之间的第一公共线，该第一公共线与设置在第一子像素和第二子像素中的第一电极相连接；根据第二子像素面积比位于第三子像素与第四子像素之间的第二公共线，所述第二子像素面积比与第一子像素面积比不同，并且所述第二公共线与设置在第三子像素和第四子像素中的第一电极相连接；形成在所述选通线和所述数据线的交叉处的开关器件；以及形成在第一基板与第二基板之间的液晶层。
为了实现本发明的这些和其它优点，一种面内切换型液晶显示器件包括：第一基板和第二基板；水平设置在第一基板上的多条选通线；垂直设置在第一基板上的多条数据线；由所述多条选通线和所述多条数据线限定的红色(R)子像素、绿色(G)子像素、蓝色(B)子像素以及白色(W)子像素，其中所述多个子像素以2×2矩阵形式排列；设置在各子像素中的包括公共电极和像素电极的至少一对电极；根据第一面积比位于所述红色(R)子像素与绿色(G)子像素之间的第一公共线，该第一公共线与设置在所述红色(R)子像素和所述绿色(G)子像素中的公共电极相连接；根据第二面积比(B/W)位于所述蓝色(B)子像素与所述白色(W)子像素之间的第二公共线，所述第二面积比大于1，并且所述第二公共线与设置在所述蓝色(B)子像素和所述白色(W)子像素中的公共电极相连接；与第一公共线和第二公共线相交叠的像素电极线，其与第一公共线和第二公共线一起形成一存储电容器，并且电连接设置在各子像素中的像素电极；形成在所述选通线和所述数据线的交叉处的开关器件；以及形成在第一基板与第二基板之间的液晶层。
为了实现本发明的这些和其它优点，一种面内切换型液晶显示器件的制造方法包括以下步骤：提供第一基板和第二基板；在第一基板上形成多条选通线、一公共电极和一公共线，其中所述公共线包括第一公共线和第二公共线，第一公共线基本上设置在所述多条选通线之间的中央处，第二公共线被设置为偏离所述多条选通线之间地中央，其中第一公共线和第二公共线被电连接；形成多条数据线、一像素电极线以及一像素电极，所述多条数据线被设置为基本上垂直于所述多条选通线，并与所述选通线、第一公共线和第二公共线一起限定四个子像素，所述像素电极线与第一公共线和第二公共线交叠并形成一存储电容器，所述像素电极与所述公共电极基本上平行并电连接到所述像素电极线；以及在第一基板与第二基板之间形成液晶层。
为了实现本发明的这些和其它优点，面内切换型液晶显示器件包括：第一基板和第二基板；水平设置在第一基板上的多条选通线；垂直设置在第一基板上的多条数据线，所述多条选通线和所述多条数据线限定红色(R)子像素、绿色(G)子像素、蓝色(B)子像素以及白色(W)子像素，其中所述多个子像素排列成一行；以及设置在各子像素中的包括第一电极和第二电极的至少一对电极。
应该理解，以上的总体说明和以下的详细说明都是示例性和说明性的，旨在为如权利要求所述的本发明提供进一步的说明。
附图说明
为进一步理解本发明而提供的附图被并入且构成本说明书的一部分，其示出了本发明的实施例，并且与文字说明一起用于解释本发明的原理。
图1A和图1B是示出现有技术IPS型LCD器件的结构的图。
图2是示出根据本发明第一实施例的IPS型LCD器件的图。
图3示出了根据本发明第二实施例的IPS型LCD器件。
图4示出了根据本发明第三实施例的IPS型LCD器件。
图5A和5B涉及根据本发明第四实施例的IPS型LCD器件。
图6A和6B涉及根据本发明的IPS型LCD器件的制造方法。
图7示出根据本发明的IPS型LCD器件，其包括具有曲折形结构的电极。
具体实施方式
现在将详细说明本发明的示例性实施例，其示例示出在附图中。
图2示出了本发明的第一实施例：在每个子像素内具有四个可透射区的面内切换(IPS)型液晶显示(LCD)器件。IPS型LCD器件的该实施例除了具有红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素(100a-100c)之外，还具有白色(W)子像素100d。这里，可以通过减小各个子像素的宽度而保持各子像素的透射面积来容纳W子像素100d。
由水平和垂直设置的选通线101和数据线103限定子像素100a、100b、100c和100d。在各个子像素100a、100b、100c和100d中，像素电极107基本上垂直地与像素电极线114相连接，而公共电极106垂直地与公共线104相连接。像素电极107和公共电极106交替地排列，当在它们之间施加电压时就在像素中产生面内电场。此外，公共线104和像素电极线114可以彼此交叠并与它们之间的栅绝缘膜(未示出)一起形成存储电容器(Cst)。
此外，可以将作为开关器件的薄膜晶体管109设置在选通线101和数据线103的交叉处。薄膜晶体管109通常包括：栅极101a；形成在栅极101a上的半导体层105；形成在半导体层105上的源极102a；以及面对源极102a的漏极102b，其与像素电极线114电连接。另外，虽然未在图中示出，可以在选通线101已形成于其上的基板的整个表面上敷设栅绝缘膜。该栅绝缘膜使得公共电极106和像素电极107彼此电绝缘。
以下是本发明第一实施例与现有技术之间的比较。如图1A所示，像素电极7与公共电极6之间的间距被限定为d₁。如图2所示，本发明第一实施例在像素电极107与公共电极106之间具有间距d₂。由于在该实施例中增加了W子像素100d，所以d₂大约等于0.5d₁。即，如果增加W子像素100d，则可以将亮度提高至一定程度，但是减小了透光区(像素区域中未被像素电极或者公共电极所阻挡的透射面积)。这是因为该实施例的单元像素具有四个子像素：R、G、B和W，并具有与现有技术的单元像素基本上相同的面积。附加的W子像素的电极结构减少了单元像素的透射面积，这可能降低由增加W子像素所带来的增加的亮度。
图3示出了本发明的第二实施例。在第二实施例中，以2×2矩阵形式来排列子像素R、G、B和W，并且每个子像素具有电极206与207之间的6个透射区，其中每个透射区具有宽度D₁，该宽度D₁与现有技术结构的对应宽度基本上相等。相对于现有技术，该子像素排列以及透射区的宽度D₁提高了亮度和孔径比。
如图3所示，根据第二实施例的IPS型LCD器件具有R、G、B和W子像素200a-200d，各子像素具有6个透射区，其中这些子像素排列成2×2矩阵以形成单元像素(P)。子像素200a-200d分别由多条选通线201和多条数据线203限定，并被水平且垂直地排列。在各子像素200a-200d中具有至少一对电极，这一对电极包括连接到像素电极线214的像素电极207和连接到公共线204的公共电极206。像素电极207可以相对于像素电极线214基本上垂直地取向，公共电极206可以相对于公共线204基本上垂直地取向。像素电极207和公共电极206可以交替排列，并且在施加电压时在像素中产生面内电场。此外，像素电极线214可以与公共线204交叠以形成存储电容器(Cst)。
在选通线201上设置有薄膜晶体管209作为开关器件。薄膜晶体管209包括：栅极201a；形成在选通线201上的半导体层205；形成在半导体层205上的源极202a；以及面对源极202a的漏极202b，其电连接到像素电极线214。另外，虽然未在图中示出，但是在其上已形成选通线201的基板的整个表面上可以淀积有一栅绝缘膜(未示出)。该栅绝缘膜使得像素电极207和公共电极206彼此绝缘。
在本实施例的IPS型LCD器件中，像素电极207与公共电极206之间的间距D₁可以与图1A中所示的现有技术四块型(four-block)LCD器件的间距d₁相同。采用依照该实施例以2×2矩阵形式排列的子像素200a-200d，在垂直设置的子像素之间增加了选通线和公共线，这可以形成垂直方向上的长度“H”，“H”比图1A中所示的垂直长度“h”小大约15％。然而，由于在水平方向上设置了两个子像素，所以可以通过增大D₁或者通过进一步添加公共电极和像素电极来增大透光区。通过增大D₁，可以以比高度“H”的减小更大的比例来增大子像素的透射区的宽度，从而增加透射区的面积D₁×H，由此改进亮度和孔径比。
根据本发明的第三实施例，可以通过使垂直设置的子像素共用公共线来改进孔径比。图4示出了本发明的第三实施例，其中IPS型LCD器件具有共用公共线的垂直排列的多个子像素。
第三实施例与第二实施例(图3)基本相似，区别在于公共线的设置。下面说明该区别。
如图4所示，在根据第三实施例的IPS型LCD器件中，由大致穿过像素(P)与选通线301平行的中央的公共线304将单元像素划分为多个子像素，并且以2×2的矩阵形式排列R、G、B和W子像素300a-300d。可以将公共线304上方的区域称为第一区域，而将公共线304下方的区域称为第二区域。如图4所示，将G子像素300b和B子像素300c设置在第一区域中，而将R子像素300a和W子像素300d设置在第二区域中。很明显，该示例性实施例可以将R、G、B和W子像素排列成不同于图4中所示结构的其它结构。
公共线304与设置在各个子像素中的至少一个公共电极306电连接，并且与像素电极线314一起形成存储电容器(Cst)，其中像素电极线314与公共线304交叠。如图4所示，与公共线304交叠的像素电极线314包括：第一像素电极线314a，其与形成在第一区域中的像素电极307电连接；以及第二像素电极线314b，其与形成在第二区域中的像素电极307电连接。
具有这种结构的IPS型LCD器件可以改进孔径比，这是因为设置在像素的上部和下部的多个子像素共用一条公共线。该公共线设置在第一区域与第二区域之间的分界线处，并且垂直设置的子像素共用该公共线，由此减小形成线的面积。
如以上对于其它实施例的说明，增加W子像素和将R、G、B和W子像素排列成2×2矩阵形式提高了亮度和孔径比。根据第三实施例，通过使得垂直设置的两个子像素共用公共线，可以进一步提高孔径比。
一般地，W子像素的亮度高于R、G和B子像素的亮度之和。然而，当理论上计算驱动算法时，认为R、G和B子像素的亮度之和基本上与W子像素的亮度相同。因此，可以将像素设计为使实际R、G和B子像素的亮度之和变得与W子像素的亮度基本上相同。
因此，本发明的第四实施例提供一种IPS型LCD器件，其中多个子像素可以分别具有不同的面积。该实施例的IPS型LCD器件可以将多个子像素排列成2×2矩阵形式。
在图5A和5B中示出了本发明的第四实施例，示出了其中将多个子像素构造得面积不同的IPS型LCD器件。图5A是平面图，而图5B是沿图5A的线II-II’截取的剖面图。本实施例可以具有与第三实施例(图4)基本相似的组件，除了利用第一公共线和第二公共线来将多个子像素分成第一区域和第二区域之外。
第一区域包括G子像素400b和B子像素400c，而第二区域包括R子像素400a和W子像素400d。第一区域的G子像素400b与第二区域的R子像素400a由第一公共线404a分开。如果适当地布置公共线404a，则R子像素400a和G子像素400b可以具有基本上相同的面积，从而可以具有约等于1的子像素面积比(R/G)。第一区域的B子像素400c与第二区域的W子像素400d由设置在这两个子像素区域之间的第二公共线404b分开，并且这两个子像素面积不同。即，B子像素400c的面积大于W子像素400d的面积，从而子像素面积比(B/W)大于1。由于将第二公共线404b设置为偏向第二区域，所以会得到这种面积的不同。换句话说，第二公共线404b比第一公共线404a更靠下。这里，应该电连接第一公共线404a和第二公共线404b。
将B子像素400c和W子像素400d加工得面积不同，以使R、G和B子像素400a-400c的亮度之和变得与W子像素400d的亮度基本上相同。为实现这一点，减小了W子像素400d的面积。
另外，随着W子像素400d的面积减小，B子像素400c的面积成比例地增大。这种增大几乎不影响R、G和B子像素(400a-400c)的亮度之和。即，R、G和B子像素400a-400c对于总亮度的贡献度分别为大约35％、55％和10％。这样，B子像素对于总亮度的贡献很小。因此，尽管B子像素400c的面积增大，但是R、G和B子像素的亮度之和变化甚微，并且W子像素400d的亮度减小了。因此，可以使R、G和B子像素400a-400c的亮度之和与W子像素的亮度之间的差最小化。
根据本发明的第四实施例，由于B子像素对于总亮度的贡献率最小，所以B子像素和W子像素由公共线404b分开以垂直布置。这是因为第二公共线的垂直偏移确定B子像素和W子像素的面积。然而，只要将W子像素400d的面积形成为小于其它子像素的面积，就可以使用R、G和B子像素的任何类型的布置。为了增大B子像素400c的面积且减小W子像素400d的面积，也可以采用其它的子像素配置，并且它们在本发明的范围之内。
可以如下来形成图5B中所示的像素结构。可以在透明的第一基板410上形成公共电极406，并在其上淀积栅绝缘膜408。可以在栅绝缘膜408上形成像素电极407，其与公共电极406一起产生面内电场。可以在像素电极407上淀积钝化膜411和第一配向层412a。
另外，可以在透明的第二基板420上形成用于防止光泄漏的黑底421以及R、G、B和W滤色器423，并在其上敷设第二配向层412b。此外，可以在第一基板410与第二基板420之间形成液晶层413，其由在像素电极407与公共电极406之间产生的横向电场来驱动。
在本发明第四实施例中，可以通过使垂直设置的多个子像素共用一公共线来将多个子像素构造得面积不同，其中所述公共线偏移指定的间隔。特别地，通过偏移B子像素和W子像素共用的公共线，可以使W子像素的亮度与R、G和B子像素的总亮度基本上相同，以便可以实现与理论计算的结果几乎相同的单元像素的颜色。
本发明不限制公共电极和像素电极的位置，公共电极和像素电极可以形成在同一平面上，例如可以形成在钝化膜上。当如上所述在同一平面上形成公共电极和像素电极时，这两个电极之间的电场变得较强，并且液晶层中的液晶分子可以由该较强的电场以更快的速度进行切换。此外，这两个电极可以由透明的导电材料(如ITO或者IZO)制成，从而提高孔径比。另外，如图7所示，公共电极406和像素电极407可以具有曲折形的结构，以便形成多区域并由此改进色彩特性。
现在简要说明第四实施例(图5A和5B)中所述的IPS型LCD器件的示例性制造工序。
图6A和6B是针对第四实施例中所述的LCD器件的制造方法的平面图。首先，如图6A中所示，制备透明的绝缘基板410，例如玻璃。通过溅射方法在基板410上淀积金属，例如Cu、Ti、Cr、Al、Mo、Ta或者Al合金，并在其上进行构图，形成选通线401、公共电极406以及第一公共线404a和第二公共线404b。这里，将第一公共线404a形成为基本上穿过选通线401之间的中央，而将第二公共线404b形成在相对于第一公共线404a较上或者较下的位置处。将这两条公共线404a和404b彼此电连接。
之后，使用等离子体CVD方法在包括选通线401和公共线404的基板410的整个表面上淀积SiNx或者SiOx等，从而形成栅绝缘膜(未示出)。
如图6B所示，在形成栅绝缘膜之后，在该栅绝缘膜(未示出)上层叠非晶硅和n⁺非晶硅，并进行构图，从而在选通线401上形成半导体层405。然后，通过溅射方法在半导体层405和栅绝缘膜(未示出)上淀积金属，例如Cu、Mo、Ta、Al、Cr、Ti或者Al合金。对该金属进行构图以形成数据线403，其被设置为与选通线401基本上垂直，并且该数据线403与选通线401以及第一公共线404a和第二公共线404b一起限定四个子像素。对金属的构图还形成：源极302a/漏极302b，其按预定间隔形成在半导体层405上；像素电极线414，其与第一公共线404a和第二公共线404b交叠并形成存储电容器(Cst)；以及像素电极407，其电连接到像素电极线414并与公共电极406平行。
随后，在其上已经形成有薄膜晶体管409的基板上敷设无机材料(如SiNx或者SiOx)或者有机材料(如苯并环丁烯或者丙稀)，从而形成钝化膜(未示出)。接着，将根据该示例性工序所制造的第一基板与包括滤色器的第二基板相接合，从而完成LCD器件板。
所述公共电极和所述像素电极可以形成在钝化膜上，并且这两个电极可以由透明导电材料(如ITO或者IZO)制成。
如上所述，本发明提供了一种具有大孔径比和高亮度的IPS型LCD器件，其中可以将子像素构造得面积不同。特别地，通过使垂直设置的多个子像素共用一条公共线、减小W子像素的面积并增大B子像素的面积，使得R、G和B子像素的亮度之和变得与W子像素的亮度基本上相同。总而言之，在根据本发明的LCD器件中，通过将R、G、B和W子像素排列成2×2的矩阵形式，提高了亮度。此外，在本发明中，通过使垂直设置的多个子像素共用一条公共线，进一步提高了孔径比。另外，在本发明中，通过垂直偏移由设置为在上方和下方的多个子像素所共用的公共线，可以将多个子像素构造得面积不同，从而使得R、G和B子像素的亮度之和变得与W子像素的亮度相同。
本领域技术人员应该清楚，可以在不脱离本发明的实质或范围的情况下对本发明进行多种修改和变型。因此，本发明将覆盖落入所附权利要求书及其等同物的范围内的对本发明的修改和变型。