射频振荡器 【技术领域】
本发明是关于一种射频(RF)振荡器，特别是指一种抑制谐波的射频振荡器的改良，利用多重反馈来增加电路振荡的稳定性，并在主波增强时，可由振荡器将谐波控制在一合理的要求范围内。
背景技术
习用的射频(RF)振荡器是由数个晶体管所组成，在制作过程上较为复杂，另外习用的射频(RF)振荡器都有谐波过大的问题，且又无法同时符合“主波强度要大，谐波干扰要小”的要求，尤其是对于二次谐波的抑制更是习用射频(RF)振荡器最大的问题所在。
有人将数个晶体管所组成习用的射频(RF)振荡器，改良成只须利用一颗晶体管就能达一样的效果(如图1所示)，虽是将射频(RF)振荡器简单化，但是一样都有谐波过大的问题，也无法同时符合“主波强度要大，谐波干扰要小”的要求，又该电路中的C2、C3以及ANT的谐波频率在共振器X可谐振的频率点时，此电路才会振荡。
由此可见，上述习射频(RF)振荡器仍有诸多缺失，而亟待加以改良。
【发明内容】
本发明地目的即在于提供一射频(RF)振荡器，只使用了一颗晶体管，和习用的射频(RF)振荡器的数个晶体管相较之下，减少了在制作上的成本。
本发明的次一目的在于提供一种射频(RF)振荡器，利用多重反馈，增加电路振荡的稳定性，使工作电压在一定范围的降压时，仍能正常工作。
本发明的另一目的是在于提供一种射频(RF)振荡器，由振荡器改善了一般电路谐波过大的问题。
本发明的又一目的是在于提供一种射频(RF)振荡器，同时符合“主波强度要大，谐波干扰要小”的要求。
可达成上述目的的射频(RF)振荡器之一，包括有：
一晶体管；
一负载电路，接于晶体管的集极，以控制晶体管的工作点；
一振荡电路，由共振器与电容器C11串接所成，接于晶体管的基极，以降低振荡时所产生的谐波；
一匹配电路，由电感器L12、电容器C16及电容器C17所组成，接于晶体管的集极，使电路的信号与天线L13相互匹配；
第一反馈电路，由电容器C14、电容器C15及电感器L11与匹配电路产生反馈的振荡信号，由此反馈的振荡信号保持电路的振荡；
第二反馈电路，由电容器C12及电容器C13作反馈于晶体管的基极与射极之间，增加电路的稳定度。
其中该振荡器的工作频率可为300MHz-900MHz之间。
可达成上述目的的射频(RF)振荡器之二，包括有：
一晶体；
一负载电路，接于晶体管的集极，以控制晶体管的工作点；
一振荡电路，是由共振器与电容器C21串接所成，接于晶体管的基极，以降低振荡时所产生的谐波；
一匹配电路，是由电感器L22、电容器C26、电容器C27及电感器L24所组成，接于晶体管的集极，使电路的信号与天线L23相互匹配；
第一反馈电路，是由电容器C24及电感器L21与匹配电路产生反馈的振荡信号，由此反馈的振荡信号保持电路的振荡；
第二反馈电路，是由电容器C22及电容器C23作反馈于晶体管的基极与射极之间，增加振荡信号的反馈。
其中该振荡器的工作频率可为300MHz-900MHz之间。
本发明的射频(RF)振荡器改良的输入信号是以脉波信号为主，当有脉波信号输入时，电路才会振荡，而振荡的频率是由该振荡器中的共振器加以决定，并由该第一反馈电路及第二反馈电路来增加电路振荡的稳定性，最后的输出信号会经由该匹配电路加以处理，进而和天线完成匹配的作动。
【附图说明】
请参阅以下有关本发明一较佳实施例的详细说明及其附图，可进一步了解本发明的技术内容及其目的功效。
图1为习用射频(RF)振荡器的电路图。
图2为本发明射频(RF)振荡器的改良的架构图。
图3为该射频(RF)振荡器的改良的第1个实施例电路图。
图4为该射频(RF)振荡器的改良的第2个实施例电路图。
【具体实施方式】
请参阅图2所示，本发明所提供的射频(RF)振荡器改良的示意图，主要包括有：一晶体管26、一负载电路25、一匹配电路24、第一反馈电路23、第二反馈电路22及一振荡电路21；本发明的射频(RF)振荡器改良的输入信号是以脉波信号20为主，当有脉波信号20输入时，电路才会振荡，而振荡的频率是由该振荡电路21中的共振器211加以决定；该第一反馈电路23接于晶体管26的集极与射极之间，由第一反馈电路23以及第二反馈电路22来增加电路振荡的稳定性，该第二反馈电路22接于晶体管26的基极与射极之间，最后的输出信号会经由匹配电路24和天线27完成谐波的抑制；该负载电路25的目的为控制晶体管26的基本工作点。
请参阅图3所示，为射频(RF)振荡器改良的第1实施例，其中：
1.匹配电路为L12、C16及C17所组成，由L12、C16及C17所产生的并联谐振进而抑制谐波；
2.天线(ANT)为L13；
3.振荡电路为共振器211与C11串接，主要的目的是由C11降低谐波强度；
4.由C14、C15和匹配电路以及天线的谐振会形成第一个反馈且产生振荡信号，由此反馈的振荡信号保持电路的振荡。
5.当C14、C15、匹配电路及天线的谐阶在共振器的谐振频率点时，此电路才振荡，但在C11、匹配电路及天线等元件抑制谐强度时，使得电路的振荡条件易受到电压的降低而造成不起振，为改善此现象是利用第二反馈电路的C12与C13由晶体管26的射集与基集间作正反馈，由此增加振荡信号的反馈，以改善因电压降低而不起振的问题；
6.另在C14及C15间由一电感L11接于晶体管26的射集，主要目的是在抑制谐波的产生。
请参阅图4所示，此为射频(RF)振荡器改良的第2实施例，可改善第1实施例受到环境的杂散电容的影响而产生频偏的问题，其中：
1.匹配电路为L22、C27、C26及L24所组成，由L22、C27、C26及L24所产生的并联谐振进而抑制谐波；
2.天线(ANT)为L23；
3.该匹配电路的L24主要目的为降低环境所产生的杂散电容而导致频偏的情形以及天线(L23)对电路振荡时的影响；
4.振荡电路为共振器211与C21串接，主要的目的是由C21降低谐波强度；
5.C24和匹配电路以及天线的谐振会形成第1个反馈且产生振荡信号，由此反馈的振荡信号保持电路的振荡。
6.当C24、匹配电路及天线的谐阶在共振器的谐振频率点时，此电路才振荡，但在C21、匹配电路及天线等元件抑制谐强度时，使得电路的振荡条件易受到电压的降低而造成不起振，为改善此现象是利用C22与C23由晶体管26的射集与基集间作第二反馈电路，由此增加振荡信号的反馈，以改善因电压降低而不起振的问题；
7.另C24串接一电感L21于晶体管26的射集，主要目的是在抑制谐波的产生。
此两种实施例功能皆为相同，可分别运用于不同的环境中，该实施例的实际测试谐波的结果也在法规合格的要求范围内，并取得合格证书，请参阅附件。
本发明所提供的射频(RF)振荡器，与前述习用射频(RF)振荡器技术相互比较时，更具有下列的优点：
本发明提供一种只使用了一颗晶体管的射频(RF)振荡器，和习用的射频(RF)振荡器的数个晶体管相较之下，减少了在制作上的成本。
本发明提供一种利用多重反馈的射频(RF)振荡器，增加电路振荡的稳定性，使工作电压在一定范围的降压时，仍能正常工作。
本发明提供一种抑制谐波的射频(RF)振荡器，由此振荡器改善了一般电路谐波过大的问题。
本发明提供一种抑制谐波的射频(RF)振荡器，同时符合“主波强度要大，谐波干扰要小”的要求。
上列详细说明是针对本发明的一可行实施例的具体说明，但该实施例并非用以限制本发明的专利范围，凡未脱离本发明技艺精神所为的等效实施或变更，均应包含于本案的专利范围中。