电致发光显示装置及其制造方法 【技术领域】
本发明涉及电致发光显示装置及其制造方法。特别涉及提升电致发光显示装置的显示品位的技术。背景技术
近年来，采用电致发光(Electro luminescence，以下称为EL)元件的EL显示装置，作为替代CRT及LCD的显示装置，而受到瞩目。
图6是表示有机EL板构造的概略图。该有机EL板构造在装置玻璃基板1上形成像素区域及周边驱动电路区域。像素区域由多数个像素所成，而各像素包含有机EL元件、及有机EL元件驱动用TFTa或像素选择用TFT(未图示)。而且，有机EL元件驱动用TFTa具有例如由多晶硅层形成的有源层。有机EL元件驱动用TFTa下层，则经绝缘膜2配置由铬所构成的遮光层3。
该遮光层3是以避开有机EL元件驱动用TFTa有源层直下方而形成。其理由如下：因有机EL元件驱动用TFTa的有源层是将非晶硅以受激准分子激光(excimer laser)照射予以加热而结晶化。此时，若在有机EL元件驱动用TFTa的有源层直下方设有由铬形成的遮光层3，使导热率变高，因而使该有源层结晶粒径的控制困难，其结果将导致TFTa的特性劣化。
另一方面，配置在像素区域周边的周边驱动电路，由多数TFTb形成。根据上述同样的理由，在TFTb下层没有由铬形成的遮光层3。
然后，将装置玻璃基板1经由环氧树脂等所制成的密封树脂4与封装玻璃基板5贴合。
发明所要解决的问题
如上所述，因于周边驱动电路不形成遮光层3，于是从封装玻璃基板5侧射入的光线，透过装置玻璃基板1。为此使有机EL的轮廓模糊，而有导致显示的对比下降的问题存在。发明内容
因此，本发明的特征是具备：第一基板，包含电致发光元件的像素区域与提供用于驱动该电致发光元件驱动信号地周边驱动电路区域；与上述第一基板贴合的第二基板，及在上述第二基板侧遮断射入上述周边驱动电路区域的光线的遮光层。
根据该构成，是在第二基板侧设置遮断射入上述周边驱动电路区域的光线的遮光层，因而能解决由于有机EL板的轮廓模糊而导致显示对比下降的问题。并且因不需在构成周边驱动电路的TFT下层形成遮光层，可将TFT有源层的结晶粒径控制于均匀状态。附图说明
图1表示本发明实施方式的装置玻璃基板200构成的平面图。
图2表示构成图1中像素区域300的一像素的等价电路图。
图3表示本发明实施方式的有机EL板构造的剖面图。
图4表示像素区域300与周边驱动电路区域(如；垂直驱动电路302区域)的部份剖面的剖面图。
图5(A)至(F)表示封装玻璃基板100的制造方法的剖面图。
图6表示现有例的有机EL板构造的概略图。
符号说明：1装置玻璃基板；2绝缘膜；3遮光层；4密封树脂；5封装玻璃基板；50栅极信号线；60漏极信号线；100封装玻璃基板；101密封树脂；102袋区域；103干燥剂层；104遮光层；105光敏抗蚀层；106 TFT；110 TFT；120有机EL元件；121阳极；122阴极；123发光元件层；130保持电容；131保持电容电极；200装置玻璃基板；201遮光层；202绝缘性基板；210绝缘膜；211有源层；212栅极绝缘膜；213栅极电极；214层间绝缘膜；215电源线；216第一平坦化绝缘膜；217源极电极；218阳极层；219第二平坦化绝缘膜；220空穴传输层；221发光层；222电子传输层；223阴极层；300像素区域；301水平驱动电路；302垂直驱动电路。具体实施方式
下面就本发明的实施方式、参照附图详述如下：首先，参照图1及图2说明适用于本发明的装置玻璃基板200的构造。
如图1所示，在装置玻璃基板200上配置像素区域300，配置水平驱动电路301及垂直驱动电路302作为周边驱动电路。垂直驱动电路302是对像素区域300的各像素供给栅极信号Gn(水平扫描信号)。水平驱动电路301是依据水平扫描信号对像素区域300的各像素供给漏极信号(视频信号Dm)。
图2是表示构成像素区域300的一像素的等价电路图。其中，供给栅极信号Gn的栅极信号线50，是与供给漏极信号，即视频信号Dm的漏极信号线60相互交差。
而于该两信号线的交差点附近，配置有机EL元件120及驱动该有机EL元件120的TFT106、及选择像素的TFT110。
在驱动有机EL元件120的TFT106的漏极106d供应正电源电压PVdd。且源极106s连接有机EL元件120的阳极121。
通过连接栅极信号线50而向像素选择用的TFT110的栅极110g供应栅极信号Gn，而通过连接漏极信号线60向漏极110d供应视频信号Dm。TFT110的源极110s是连接于上述TFT106的栅极106g。由未图示的垂直驱动电路302将栅极信号Gn予以输出。该视频信号Dm即由未图示的水平驱动电路301输出。
有机EL元件120是由阳极121、阴极122，及形成于该阳极121与阴极122间的发光元件层123所构成。且在阴极122上施加负电源电压CV。
保持电容130与TFT106的栅极106g连接。即将保持电容130的一方电极连接于栅极106g，而将另一方的电极连接于保持电容电极131。而该保持电容130的设置是为了通过保持对应于视频信号Dm的电荷，而保持显示像素1栏(field)期间视频信号。
继之说明具有上述构造的EL显示装置的动作如下：当栅极信号Gn在一水平期间成为「高」电平时，TFT110导通(on)。即由漏极信号线60经由TFT110，将视频信号Dm施加于TFT106的栅极106g。然后，对应于供应栅极106g的视频信号Dm，使TFT106的电导(conductance)变化，以对应的驱动电流经TFT106供应于有机EL元件120，点亮有机EL元件120。
其次，参照图3说明贴合上述的装置玻璃基板200及封装玻璃基板100而成的有机EL板构造。图3是对应于图1中A-A线的剖面图。
将装置玻璃基板200及封装玻璃基板100的周边部，以具有黏著作用的树脂材料如环氧树脂所成的密封树脂101予以贴合，以防止外部水分的侵入。该装置玻璃基板200及封装玻璃基板100的厚度分别为0.7mm左右。
装置玻璃基板200的像素区域300是以矩阵方式配置多数个像素。而于各像素中包含有机EL元件120、及有机EL元件驱动用TFTa，或像素选择用TFT(未图示)。其中，有机EL元件驱动用TFTa是以多晶硅层形成有源层。有机EL元件驱动用TFTa下层，是经绝缘膜210配置由铬形成的遮光层201。该遮光层201是以避开有机EL元件驱动用TFTa的有源层直下方而形成。其理由是如前面所述。
封装玻璃基板100的与装置玻璃基板200相对的一侧的表面即以蚀刻形成凹部(以下简称：袋区域102)。该袋区域102的深度是以0.1至0.3mm为宜，而在该袋区域102底部收容干燥剂层103。该干燥剂层103是以例如粉末状的氧化钙或氧化钡等与黏着剂溶解于树脂的状态涂布于袋区域102底部，再以UV照射，或加热处理予以硬化。形成袋区域102的理由是为保持干燥剂层103与有机EL元件120的间隔，以防止因接触而导致元件破坏。
在袋区域102的周边凸部，以氧化铬及铬的堆积构造形成遮光层104。该遮光层104是配置于覆盖垂直驱动电路302上位置。在图3虽未图示，同样的遮光层104也延伸于水平驱动电路301上。
根据如上所述构成，在垂直驱动电路302及水平驱动电路301上配置遮光层104，因此，可将由封装玻璃基板100侧射入的光线予以遮断。由此，可使有机EL板的轮廓鲜明而提升显示的对比。
该范例中，遮光层104虽是形成于袋区域102的周边凸部，但不限于此，若无袋区域102时，也可以形成在垂直驱动电路302上及水平驱动电路301上配置遮光层104。也可以不在封装玻璃基板100侧，而将遮光层104形成于装置玻璃基板200的表面。
图4表示像素区域300与周边驱动电路区域(如：垂直驱动电路302区域)的部分剖面的剖面图。在像素区域中，表示有机EL元件120及驱动用TFTa，表示周边驱动电路TFTb。在像素区域中，是由石英玻璃、无碱玻璃等形成的石英玻璃，或在由无碱玻璃等形成的绝缘性基板202上，经绝缘膜210形成有驱动用TFTa。而且，在驱动用TFTa中，将激光照射于非晶硅膜予以多晶化，依序形成有源层211、栅极绝缘膜212，及由Cr、Mo等高融点金属所形成的栅极电极213，而在该有源层211设有沟道及该沟道两侧的源极211s及漏极211d。
在驱动用TFTa下层的绝缘性基板202上，形成遮光层201。遮光层201是形成于有源层211直下方以外的区域。
然后，在栅极绝缘膜212及有源层211上的全面形成由SiO2膜、SiN膜及SiO2膜依序堆积而成的层间绝缘膜214。而且，配置驱动用电源线215(漏极电极)，向对应于漏极211d而设置的接触孔中充填Al等金属而与驱动电源PVdd连接。再在全面具备例如由有机树脂形成的为使表面平坦化的第一平坦化绝缘膜216。然后、在对应于该平坦化绝缘膜216的源极211s位置形成接触孔，并在第一平坦化绝缘膜216上设置经该接触孔与源极电极217连接的由ITO形成的透明电极、即有机EL元件120的阳极层218。该阳极层218是每一像素部分离形成为岛状。
再将第二平坦化绝缘膜219形成于阳极层218周边，且将阳极层218上的第二平坦化绝缘膜219予以去除。有机EL元件是依序堆积形成阳极层218、空穴传输层220、发光层221、电子传输层222及阴极层223。
另一方面，在周边驱动电路区域形成TFTb。该TFTb的构造是与像素区域的TFTa同样的构造，只在该下层不设遮光层201。如上所述，将遮光层104设于封装玻璃基板100侧。
其次，参照图5说明具备如此遮光层104的封装玻璃基板100的制造方法。
首先、如图5(A)所示，在封装玻璃基板100上，以溅射方法(sputtering)形成氧化铬层及铬层104a。再如图5(B)所示，在氧化铬层及铬层104a上形成光敏抗蚀层105。该光敏抗蚀层105形成于对应周边驱动电路的位置。
其次、如图5(C)所示，以光敏抗蚀层105为掩膜(mask)，蚀刻氧化铬层及铬层104a而予以去除。结果可在光敏抗蚀层105下层残留遮光层104。
然后，如图5(D)所示，以光敏抗蚀层105及遮光层104为掩膜，将封装玻璃基板100表面，使用氟酸(HF)予以蚀刻。该蚀刻时间约为2小时，蚀刻量大约为0.3mm。此时，遮光层104是与光敏抗蚀层105同样作为蚀刻掩膜使用。由此，可形成袋区域102。
之后，如图5(E)所示，去除光敏抗蚀层105。只有遮光层104不去除而予以留存。然后，如图5(F)所示，在袋区域102底部形成干燥剂层103。然后，将该加工后的封装玻璃基板100，以密封树脂101而与装置玻璃基板200贴合。由此完成图3所示的有机EL板。
按照上述的制造方法，将在形成袋区域102时使用的氧化铬层及铬层104a做为遮光层104而利用，因而在具有袋区域102的有机EL板中，无需特别设置形成遮光层的工序，于是，得以简化制造过程。
根据本发明，是在装置玻璃基板200设置遮断射入周边驱动电路区域的光线的遮光层104，因此，可以使有机EL板的轮廓显明，而有提升显示的对比的效果。
而且在构成周边驱动电路的TFTb下层，无需形成遮光层，因而，可以将TFTb有源层的结晶粒径控制为均匀一致。