冷却装置,电子设备和制造该冷却装置的方法.pdf

一种小型、薄型并且冷却性能高的冷却装置、电子设备和制造所述冷却装置的方法。所述冷却装置(1)具有由具有低热扩散率的材料例如玻璃制成的、形成为矩形的、并且通过一个硅构件(4)被接合在一起的一对第一衬底(2)和第二衬底(3)。在这些衬底(2)和(3)的接合面上形成沟(5)和(6)。这些沟(5)和(6)被形成以便当这些衬底(2)和(3)被接合时起到环状热管的作用。

1.  一种冷却装置，其特征在于包括：由具有比硅的导热性低的材料制成的、彼此相对布置的、并且在各相对面中形成有用于组成一热管的沟的一对第一和第二衬底；及
一接合构件，其被插入在所述第一衬底和所述第二衬底之间用于接合所述第一衬底和所述第二衬底。

2.  如权利要求1所述冷却装置，其特征在于所述第一和所述第二衬底由玻璃或塑料构成。

3.  如权利要求1所述冷却装置，其特征在于所述接合构件由硅或铜构成。

4.  一种电子设备，具有：一槽，通过该槽装载和卸载一具有闪速存储器的卡片式储存媒体；和一驱动器，该驱动器布置在所述储存媒体的一侧、或位于所述电子设备的一侧、或位于与所述电子设备分开的部位上，其特征在于包括如权利要求1所述的冷却装置，用于冷却由所述驱动器产生的热量。

5.  一种制造冷却装置的方法，其特征在于包括：
在由具有比硅的导热性低的材料制造的第一和第二衬底的各表面上形成用于构成热管的沟的步骤；
在所述第一衬底或所述第二衬底的一表面上形成用于接合所述第一衬底和所述第二衬底的接合构件的步骤；及
通过所述接合构件将所述第一衬底的表面和所述第二衬底的表面接合的步骤。

6.  如权利要求5所述的制造所述冷却装置的方法，其特征在于通过阳极接合、超声波接合或热熔合接合完成所述接合步骤。

7.  如权利要求5所述的制造所述冷却装置的方法，其特征在于在形成所述接合构件的所述步骤中，通过溅射形成所述接合构件。

8.  如权利要求5所述的制造所述冷却装置的方法，其特征在于在形成所述沟的所述步骤中，通过化学刻蚀或粉末束刻蚀形成所述沟。

冷却装置，电子设备和 制造该冷却装置的方法
技术领域
本发明涉及一种冷却装置及其制造方法，该装置用于冷却由卡式储存媒体用驱动器所产生的热量，所述卡式储存媒体被用在例如个人电脑、数字相机和类似装置上。本发明也涉及包括该冷却装置的电子设备，例如个人电脑、数字相机等。
背景技术
与常规的储存媒体如软盘等相比，由于储存媒体例如记忆棒(MemoryStick，注册商标)、灵巧媒体(Smart Media，注册商标)、紧密闪存(CompactFlash，注册商标)在尺寸上更小型和更薄，而且，由于其储存容量可被制造得很大，因此它已经被更广泛地应用到例如个人电脑、数字相机及类似的电子装置中。
该储存媒体包括这样的类型，如具有一个闪速存储器及同时具有一个与之为一体的驱动器，及包括另一种类型，其中驱动器被独立安装在该设备中或在另一个卡或类似物中。不论在那种情况下，其储存容量变得相当大。
而且，伴随着所述储存媒体的储存容量朝大容量化的趋势发展，由上述的驱动器产生大量的热量，因此导致运转不正常或类似现象的发生。
因此，考虑例如在所述电子设备的一侧提供一种冷却装置，及提供一种冷却方法，参照使用热管的技术。
在此所涉及的热管由管的内壁具有毛细管结构的金属管制成，其中在管的内部为真空并且其中密封了少量的水、碳氟氯氢化合物(hydrochlorofluorocarbon)或类似物。当热管的一端通过与热源接触而被加热时，所述被密封在其中的液体被蒸发和汽化为气体，然后作为一潜热(汽化热)，将所述热量吸收。然后，它(汽化的气体)高速(几乎为声速)移动到一个低温部，在该处它通过释放所述热量(由于冷凝而放出潜热)被冷却而恢复为液体。当液体通过毛细管结构(或由于重力)回到其原来的位置，其能够连续且有效地传递热量。
但是，由于常规的热管是管状并且空间上成为较大的装置，它不适合用作要求一个小型薄型化尺寸的电子设备例如个人电脑、数字相机及类似装置的冷却装置。
因此，为了使热管小型化，已经提出一种冷却装置，其中在一个硅衬底和一个玻璃衬底的各接合面上形成沟，并且通过将所述衬底接合，在这些衬底之间形成构成一个热管的流路(flow channel)。此外，在上述的接合过程中，在其中密封少量的水或碳氟氯氢化合物或类似物，通过在所述热管内的相变，其起到热管的作用。
但是，如果使用如上所述的硅衬底来构成热管，由于硅自身的良好导热性，热量从要被冷却的物体很好地扩散到所述硅的表面上，因此产生其内部液体的蒸发不够充分或根本就不蒸发的问题，因此作为热管的功能没有被充分发挥。
本发明试图解决上述有关现有技术中的问题，并且其目的在于提供一种更小型和薄型同时改进冷却性能的冷却装置，并提供使用这种装置的电子设备和制造该装置的方法。
发明内容
为了完成本发明的上述目的，根据本发明的一个优选实施例的第一方面的冷却装置的特征在于包括：一对第一和第二衬底，其由具有比硅的导热性低的材料制成，每个都被相对地布置，并且均具有形成在各相对面上的沟用于构成一个热管；及插入所述第一和第二衬底之间的一个接合构件，用于可靠地接合所述第一和第二衬底。
根据本发明，由于接合了两个衬底，并且所述形成在衬底相对面上的沟构成热管的流路，能够成为一个小型和薄型的类型。而且，由于组成所述热管的材料具有比硅低的导热性，可以防止热扩散。因此改进了其冷却性能，使其作为一个热管的功能被充分地发挥。而且，由于通过所述接合构件来接合所述两个衬底，因此在其之间能够获得可靠的附着性。也就是，作为所述衬底的材料，如果使用玻璃、塑料或类似物，其具有比硅更低的导热性并且就可加工性而言更合适，但是它们之间的附着性会被削弱。因此，根据本发明，为了克服该缺点，在所述衬底之间插入所述接合构件。通过示例的方法，作为在该情况下所述材料的组合，可以布置成使两个衬底都为玻璃、塑料，或两者中的一个是玻璃而另一个是塑料。而且，从可加工性、经济性或其它方面上讲，优选地使用硅、铜或类似材料作为所述接合构件。
根据本发明优选实施例的第二方面的电子设备的特征在于包括：一个槽口，通过该槽口能够装载和卸载具有闪速存储器的卡片式储存媒体；及一个驱动器，其被设置在所述储存媒体的一侧、在所述电子设备地一侧，或在一个与所述设备分开的部位上，其中为了冷却由所述驱动器上产生的热量，设置了具有上述结构的上述冷却装置。
根据本发明，由于安装了具有上述结构即更小型和薄的尺寸及改进冷却特性的冷却性能，所述电子设备自身也趋于更小型和更薄，同样减少所述故障或类似情况的发生。
根据本发明第三方面的制造所述冷却装置的方法的特征在于包括：在由比硅的导热性低的材料制成的第一和第二衬底的各表面中形成组成热管的沟的步骤；在所述第一或第二衬底的表面上形成用于可靠地接合所述第一和第二衬底的接合构件的步骤；及通过插入在所述第一和第二衬底间的接合构件将它们的表面接合的步骤。
根据本发明的方法，能够有效地和可靠地制造具有上述结构的冷却装置。
根据本发明的一个实施例的方案，在制造上述冷却装置的方法中的上述接合步骤的特征在于包括：阳极接合，超声波接合或热熔合接合。通过上述的布置能够有效地和可靠地进行接合。
根据本发明所述实施例的一个方面，在制造上述冷却装置的方法中，所述形成接合构件的步骤的特征在于包括通过溅射形成所述接合构件。根据上述的布置，能够不受到材料的限制而均匀地形成薄膜。因此，在通过接合所述衬底组装所述热管时，由于在所述接合构件上不存在凸凹，能够确保衬底之间的附着性的可靠性。
根据本发明的优选实施例的一个方面，在上述制造所述冷却装置的方法中，形成所述沟的步骤的特征在于包括通过化学刻蚀或粉末束刻蚀(powderbeam etching)形成所述沟。根据上述的布置，例如通过化学刻蚀，或特别地通过所述粉末刻蚀，由于使用了微细粒子，能够确保在形成所述沟的时候使它们到达甚至很细的部位。因此，由于准确地形成所述沟，能够可靠地完成热管的功能。
附图说明
图1为根据本发明的冷却装置的分解观察的透视图；
图2为根据本发明的冷却装置在组装状态下的横截面图；
图3为在根据本发明的冷却装置的第一玻璃衬底中形成的沟的结构平面图；
图4为在根据本发明的冷却装置的第二玻璃衬底中形成的沟的结构平面图；
图5为根据本发明的冷却装置中所述第一和第二玻璃衬底的组装状态下的平面图；
图6A到6B为用于比较在现有技术和本发明中使用的相应衬底中的热扩散区域的示意图；
图7为根据本发明制造所述冷却装置的方法的工艺流程图；
图8为表示根据本发明在冷却装置中形成沟的步骤的示意性视图；
图9为表示根据本发明形成冷却装置的沟所用的粉末束刻蚀设备(powder beam etching apparatus)的示意性视图；
图10为表示根据本发明形成冷却装置的沟所用的DRIE设备的示意性视图；
图11为表示根据本发明形成冷却装置的沟所用的RIE设备的示意性视图；
图12为表示根据本发明形成冷却装置的薄膜所用的溅射设备的示意性视图；
图13为表示根据本发明在冷却装置的接合步骤中使用的阳极接合装置的示意性视图；
图14为表示根据本发明在形成冷却装置的沟的步骤中采用的化学刻蚀工艺的示意性视图；
图15为表示根据本发明优选实施例的另一方面的冷却装置的制造方法的示意性视图；
图16为表示根据本发明再一方面的冷却装置的超声波接合工艺的示意性视图；及
图17为搭载根据本发明的冷却装置的个人电脑的示意性透视图。
具体实施方式
下面将参考附图对本发明的优选实施例进行说明。
冷却装置
图1为根据本发明的冷却装置分解状态的透视图，并且图2为所述冷却装置在组装状态下的横截面视图。
如图1和2所示，在冷却装置1中，由例如派热克斯玻璃(注册商标)或麻粒(Corning)7740玻璃制造的、一对矩形的第一玻璃衬底2和第二玻璃衬底3通过一个硅构件4被接合。在这些衬底2、3的接合面上形成沟5和沟6。形成这些沟5和沟6以当所述这些衬底2和3被接合时作为回路形状的一个热管。
由于各衬底2和3都是由玻璃制造的，其具有低的热扩散性，而这作为热管非常有用。但是，由于这些玻璃衬底2和3之间接合的附着性低，通过插入它们之间的硅构件4保证可靠的接合。
参考图3和4，将详细地描述在各衬底2、3中形成的沟的结构。
关于所述沟的横截面结构，虽然在以后描述的图8中会进一步以具有矩形横截面的沟的例子来解释，但根据本发明的沟的横截面结构不限制于此，并且其也可以具有三角形、半圆形、圆形或其它形状的横截面。
如图3所示，在所述第一玻璃衬底2的表面2a上形成所述沟5。所述沟5的主要部分由一个液体和气体在其中流动的流路和一个用于供应所述液体的储液槽构成。更具体地，对于所述沟5，设置有一个液体如水从中流过的流路7，并且此后液体从所述流路7被引导到一个以后作说明的毛细芯8。所述被引导进入毛细芯8的液体在该处被蒸发为气体，并且被引导进入一个气体接收部9。该气体通过一个流路10被引入一个散热器11中以便被冷凝并且变为液体，该液体然后被移动到一个低温部12。而且，其再次返回到所述流路7内。如上所述，产生了液体和气体之间的循环。
在一个储液槽13和一个贮藏部14中贮藏所述液体。当所述气体接收部9内的气体变得比预定量少的时候，导致所述储液槽13内的液体流出。还有，当所述低温部12中液体的量小于预定值时，导致所述贮藏部14内的液体流出。也就是，在所述储液槽13和贮藏部14中储存所述液体以防止热管的内部被烧干，并且当必要时，可以向所述这些储液槽13和贮藏部14供应液体。
而且，在所述玻璃衬底2、3的中央位置和在所述流路7和10的附近设置有绝热孔15，因此其确保能够防止热的扩散。
如图4所示，在所述第二衬底3的表面3b上形成所述沟6。所述沟6包括所述毛细芯8、散热器11和热绝缘孔16。
作为冷却部的所述毛细芯8蒸发从所述流路7和/或所述储液槽13导入的液体，并且将在该处蒸发的气体流出进入到所述气体接收部9。
所述散热器11将来自所述流路10的气体冷凝为液体并且将液体循环到所述低温部12。
在本发明的优选实施例中，以示例的方式，所述毛细芯8和散热器11均由多个微小沟构成。
而且，在与上述热绝缘孔15的位置相对的位置处，设置有所述热绝缘孔16。这些热绝缘孔15、16被设置成在所述衬底2、3上的沟，作为防止热扩散的装置。
图5表示所述第一玻璃衬底2和第二玻璃衬底3通过所述硅构件4接合的状态。
在通过接合所述第一玻璃衬底2和所述第二玻璃衬底3构成的热管的内部密封有液体。然后，密封在其内部的液体通过将其状态从液态改变为气态或从气态改变为液态于是在热管内部循环来传导热量，因此完成冷却装置1的功能。
下面，将从流路7开始对液体和气体之间的循环模式进行方便的描述。
首先，液体从所述流路7流入所述毛细芯8，此时，如果在所述毛细芯8内流动的液体量低于一个预定的量，为了防止烧干，从所述储液槽13供应不足分的液体量。
所述流入所述毛细芯8内的液体被加热并沸腾。由于沸腾而蒸发的气体可流动进入所述气体接收部9。该气体经过所述流路10流入所述散热器11，在该处它被冷凝为液体。接着被冷凝的液体流入布置在所述散热器11下面的所述低温部12内。该液体再次从所述低温部12循环流动到所述流路7内。而且，当从所述低温部12流动到所述流路7的液体量低于一个预定量的情况下，储存在所述液体贮藏部14内的液体可以流动进入所述低温部12。
在本发明的实施例中，以示例的方式，使用玻璃作为衬底的材料。但是，并不限制于此，可以使用其它材料例如塑料，或也可以使用玻璃衬底和塑料衬底的组合。而且，任何其它的材料，只要具有比硅低的导热性，都可以用作所述衬底的材料。
图6A和6B是表示在相应的衬底上一个预定时间周期内热扩散区域的示意图，图6A表示使用硅作为衬底材料的情况，和图6B表示当使用玻璃作为衬底材料时的情况。
如图6A所示，热从在所述硅衬底上的热源A-1(毛细芯)沿箭头所示的方向在一个区域A-2中宽阔地扩散。与此相对比，热从在所述玻璃衬底2、3上的热源B-1(毛细芯)不那样宽阔地扩散并且如箭头所示在区域B-2内扩散。
为了完成热管的功能，大于一个预定量的热量必须集中在所述毛细芯中。但是在当如图6A所示所述衬底的材料由硅构成的情况下，热扩散太大而使其功能不能充分地被保持。与此相对比，在本发明的情况下，如图6B所示所述衬底的材料由玻璃或塑料构成，其热扩散被限制，就是说，所述热量被集中在所述毛细芯处，使其作为热管的功能被充分地完成。
制造所述冷却装置的方法
图7表示制造所述冷却装置的工艺。
首先，在所述衬底2、3上形成用于构成一个热管的沟(步骤701)。在要被布置在下侧的第一玻璃衬底2的表面2a上，形成了用于一个流路、一个储液槽和热绝缘孔15的沟。而且，在要被布置在上侧的所述第二玻璃衬底3的表面3b上，形成了用作具有实现从液态到气态的状态变化的功能的毛细芯8、具有实现从气态到液态的状态变化的功能的散热器11、以及一个热绝缘孔的沟。
下面，例如通过溅射，在所述第二玻璃衬底3的表面3b上形成作为接合构件的硅薄膜(步骤702)。所述玻璃衬底2、3，由于它们具有低的热扩散性，能够充分地发挥作为热管的功能，但是，因为在这些玻璃衬底2和3之间接合的粘着性较差，在此它们具有不适合的缺点。因此，通过在所述第二玻璃衬底3的表面3b上形成硅薄膜，提高了粘着性。以示例的方式，所述硅薄膜的膜厚优选地为大约200到500nm。而且，当然，也可以在所述第一玻璃衬底2的表面上进行所述溅射。
然后，通过所述硅薄膜，在其上相应地形成有沟的所述第一玻璃衬底2和所述第二玻璃衬底3被接合(步骤703)。当相互接合所述玻璃衬底2和3时，在所述沟内密封一在所述热管内经历状态变化的物质，例如水。
图8为更详细描述在步骤701中形成沟的步骤的视图。
首先，在一个清洗液或类似物中清洁所述玻璃衬底2和3(图8(a))。
在被清洁的所述玻璃衬底2、3的表面上，涂覆包括有机溶剂例如“ORDYL”(由东京应化工业株式会社制造)或类似物的抗蚀剂17(图8(b))。
然后，进行构图成型(图8(c))。在该构图成型中，首先，执行使用一个光掩模的曝光来在所述抗蚀剂17上形成掩模图形的潜像。所述抗蚀剂膜通过显影而被构图。
下面，通过向图案化的玻璃衬底2、3上吹50至60μm的铝粉末，执行作为第一阶段刻蚀处理的粉末束刻蚀(图8(d))。通过该刻蚀处理，形成具有弯曲表面的沟17a。
接着，通过进行一个DRIE(Deep Reactive Ion Etching，深度反应离子刻蚀)，RIE(Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀)或柠檬烯刻蚀(limoneneetching)，形成直角的沟17b(图8(e))。
以上描述的是在所述玻璃衬底2、3上形成沟的一系列工艺。在下面，对各刻蚀方法进行更加详细地描述。
图9为表示用于完成上述的粉末刻蚀处理的粉末束刻蚀设备18的结构视图。
其上形成有图案的所述玻璃衬底2、3被安装在一个移动台架18a上。当所述台架18a进行左右方向的移动时，布置在所述台架18a上的所述玻璃衬底2、3也朝左右方向上移动。在所述玻璃衬底2、3的上部，在与所述衬底因所述台架18a而移动的方向垂直的方向上布置了多个粉末束喷嘴18b。
随着所述玻璃衬底2、3朝左右方向的运动，大约50至60μm的铝粉末被吹向所述玻璃衬底2、3。因此，确保所述铝粉末被均匀地吹向所述玻璃衬底2、3。通过将所述铝粉末吹向没有图案结构的暴露部分，形成具有弯曲表面的沟17a。
图10为从上述具有弯曲表面的沟17a形成直角沟17b的DRIE设备的结构示意图。
所述DRIE设备19具有一个真空室20，用于在其中接纳所述玻璃衬底2、3。在所述真空室20的上方，布置一个螺旋波天线21。而且，对于所述真空室20，连接一个用于对该真空室20的空气减压的真空泵22，并且还提供一个用于导入气体的气体入口23。
形成有具有弯曲表面的沟17a的所述玻璃衬底2、3被安装在所述真空室20内的一个装载台24上。在将所述玻璃衬底2、3装载后，所述真空室20的内部通过所述真空泵22被减压。此后，从所述气体入口23将例如SF6气体导入真空室20。而且接通电源25，在所述真空室20内施加磁场，并且向所述螺旋波天线21上施加一个高频。通过在所述真空室20内产生螺旋波，并且通过经过所述朗道阻尼过程将能量从螺旋波传递到电子上，电子被加速，然后通过所述电子与气体分子的碰撞，获得高电离化率。利用上述的螺旋波与电子之间的相互作用产生的等离子体来进行所述刻蚀处理。
图11为表示从上述具有弯曲表面的沟17a形成直角沟17b的RIE设备的组成示意图。
所述RIE设备26具有一个真空室20，用于在其中接纳所述玻璃衬底2、3。在所述真空室20的内部，平行布置一对平板型电极27a和27b。而且，对于所述真空室20，连接一个用于对真空室20的空气减压的真空泵22，并且还提供一个用于导入气体的气体入口23。
形成有具有弯曲表面的沟17a的所述玻璃衬底2、3被装载在所述真空室20内部的一个下部电极27b上。在将所述玻璃衬底2、3装载后，所述真空室20的内部通过所述真空泵22减压。此后，通过所述气体入口23将例如氯化气体等导入真空室20。同时地，当接通电源25时，向上部电极27a施加一个电压，并使所述下部电极27b变成接地电位。而且，所引入的氯化气体成为等离子体状态，并且通过加速在其中产生的等离子体离子，它们与所述玻璃衬底2、3碰撞。利用这些等离子体离子来进行所述刻蚀处理。
这里，通过示例的方式，引入的气体参考为氯化气体，但是并不限于此，任何包含卤素成分的气体例如氟等也同样可以被使用。
图12为在上述处理中使用的溅射设备28的组成示意图。
所述溅射设备28设置有一个真空室29、一个真空泵30用于为所述真空室29的内部减压、及用于引入气体的气体入口31。
在所述真空室29内的上部，布置一个用于紧紧地固定所述玻璃衬底2、3的衬底支架32，并且在相对的下部，设置一个由硅制造的靶衬底33。而且，连接一个电压施加部(未显示)，用于在所述玻璃衬底2、3和所述靶衬底33之间施加电压。
通过所述真空泵30将所述真空室29的内部减压，并且例如一个氩气经由所述气体入口31被引入所述真空室29内作为惰性气体。
由于氩气被引入所述真空室29内，当通过所述电压施加部在所述玻璃衬底2、3和所述靶衬底33之间加上直流高电压时，所述氩气被离子化。通过使所述离子化的氩气碰撞所述靶衬底33，喷发出的靶物质在所述玻璃衬底2、3上形成一个膜。因此，在所述玻璃衬底2、3上所述靶材料的硅构件4形成成膜。
利用使用上述的溅射方法，可在衬底上均匀地形成硅构件4的薄膜而不用限制所述衬底的材料。
图13为用于上述接合处理的阳极接合设备34的组成的示意图。
所述阳极接合设备34为用于通过一个所述硅构件4作为接合构件将两片玻璃衬底2和3接合的设备。
所述阳极接合设备34中设置一个用于加热整个所述阳极接合设备34的加热器35、一个下电极36a和一个上电极36b布置成在它们之间能插入所述要接合的玻璃衬底2和3、及一个用于向这些电极供应电力的电源37。
使用所述加热器35，将所述阳极接合设备34加热到大约400℃到500℃。而且，通过接通所述电源37，在所述下电极36a和上电极36b之间施加电压。因此，产生巨大的静电吸引力作用在所述硅构件4与所述玻璃衬底2、3之间的交界面上，因此可靠地将它们接合。
而且，根据本发明，代替上述的粉末束刻蚀，也可以进行图14所示的化学刻蚀。下面将对该化学刻蚀处理的过程进行描述。
在该化学刻蚀处理中，在其上形成有图案结构的所述玻璃衬底2、3(图14(a))被放入一个充满例如硝酸的刻蚀槽内(图14(b))。因此，硝酸腐蚀所述未形成有抗蚀剂图案的部分，从而执行所述刻蚀处理(图14(c))。
由于该刻蚀处理，类似于通过微细粒子来形成具有弯曲表面的沟的上述粉末束刻蚀，在后来，上述第二刻蚀处理是必要的。
图15表示一个在所述衬底2、3的材料由塑料制造的情况下的简单制造工艺流程。
在所述衬底2的表面上，形成一个铜薄膜4a作为接合构件(图15(a))。
然后，所述衬底2和所述衬底3在铜薄膜4a被插入它们之间的状态下被接合(图15(b))。其中的接合方法包括下面的超声波接合或热熔合接合。
图16为解释一个超声波接合过程的示意图。
如图16(a)所示，在其中形成有沟17b的塑料衬底2的两片的表面上，通过溅射形成一个铜薄膜4a(图16(b))。
然后，如图所示，所述两片塑料衬底2、3被层叠、按压、并且受到超声波振动。从而，超声波能量破坏接合面上的氧化膜，结果，使得活化的铜原子与塑料衬底结合。
而且，可以通过热熔合接合代替所述超声波接合来进行该接合过程。
例如，其间插入有作为接合构件的铜构件的、在层叠状态下的两片塑料衬底被加热。通过使用该加热，所述插入这些塑料衬底之间的铜构件被熔化而与所述塑料衬底熔合在一起。
同样通过这些方法，这些塑料衬底可以通过铜构件可靠地接合在一起。
电子设备
图17为搭载了根据本发明的冷却装置的个人电脑的概略斜视图。
个人电脑39具有一个槽41，其允许一个包含闪速存储器和一个驱动器42的卡式存储媒体40穿过槽41装载和卸载。
根据本发明的冷却装置1被布置在所述个人电脑39内，使其毛细芯被定位为例如直接位于经过所述槽41装载其中的所述储存媒体40的驱动器42的下面。
虽然在此描述的根据本发明的电子设备是以示例的方式为个人电脑，但是并不限于此，且根据本发明的冷却装置可以被安装在任何其它电子设备中例如数字相机、数字摄像机和类似设备上。
如上所述，根据本发明，所述冷却装置可获得一个小型和薄型的尺寸并且具有改进的冷却性能，能够提供结合冷却装置的电子设备、以及冷却装置的制造方法。