一种具有共数据线结构的有源矩阵有机发光显示器.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201010281838.4

申请日:

2010.09.15

公开号:

CN101958102A

公开日:

2011.01.26

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法律详情:

授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G09G 3/32申请日:20100915|||公开

IPC分类号:

G09G3/32; H01L27/32

主分类号:

G09G3/32

申请人:

昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司

发明人:

张婷婷; 邱勇; 高孝裕; 刘周英; 朱晖

地址:

215300 江苏省苏州市昆山开发区光电产业园富春江路320号

优先权:

专利代理机构:

代理人:

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内容摘要

本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器,尤其涉及一种具有共数据线结构的有源矩阵有机发光显示器。本发明技术方案通过在有源矩阵有机发光显示器的阵列基板上设置具有共数据线像素单元的像素组,使整个阵列基板的数据线条数较传统结构减半,有效提高电路集成度,减少了数据芯片的使用成本。

权利要求书

1: 一种有源矩阵有机发光显示器, 包括 : 一基板 ; 多个像素组, 在基板上呈矩阵排列 ; 多条数据线, 平行配置于基板上 ; 多条扫描线, 平行配置于基板上 ; 其特征在于, 所述每个像素组包括两个像素单元, 所述两像素单元共用同一数据线。
2: 根据权利要求 1 所述的一种有源矩阵有机发光显示器, 其特征在于, 所述数据线位 于所述像素组中的两像素单元之间。
3: 根据权利要求 1 所述的一种有源矩阵有机发光显示器, 其特征在于, 所述两像素单 元分别与各自对应的一条扫描线电气连接。
4: 根据权利要求 3 所述的一种有源矩阵有机发光显示器, 其特征在于, 同一像素组对 应的两条扫描线分别位于该像素组的相对两侧且与数据线垂直。
5: 根据权利要求 1 所述的一种有源矩阵有机发光显示器, 其特征在于, 每个像素单元 包括一控制电路单元和一发光单元。
6: 根据权利要求 5 所述的一种有源矩阵有机发光显示器, 其特征在于, 同一像素组中 两像素单元的控制电路单元位于该像素组的两相对角端。
7: 根据权利要求 5 所述的一种有源矩阵有机发光显示器, 其特征在于, 所述控制电路 单元至少包括一开关薄膜晶体管、 一驱动薄膜晶体管和一存储电容。
8: 根据权利要求 5 所述的一种有源矩阵有机发光显示器, 其特征在于, 所述发光单元 为一有机电致发光单元。
9: 一种移动通信设备, 其特征在于, 所述移动通讯设备包括如权利要求 1 所述的有源 矩阵有机发光显示器。
10: 一种视频播放设备, 其特征在于, 所述视频播放设备包括如权利要求 1 所述的有源 矩阵有机发光显示器。

说明书


一种具有共数据线结构的有源矩阵有机发光显示器

    技术领域 本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器, 尤其涉及一种具有共数据线结构的有 源矩阵有机发光显示器。
     背景技术 近年来, 由于重量轻、 体积小等优点, 平板显示器尤其是液晶显示器 (LCD) 和有机 电致发光显示器 (OLED) 在移动手机、 数码相机、 笔记本电脑以及平板电视等显示终端中被 广泛地使用。由于具有优于 LCD 的亮度、 视角性能、 响应速度和显示效果, OLED 被公认为下 一代平板显示器, 特别是有源矩阵有机发光显示器 (AMOLED) 的优点更为突出。 AMOLED 通过 在薄膜晶体管 (TFT) 阵列基板上形成 OLED 像素器件实现发光显示功能。
     目前, 传统有源矩阵有机发光显示器的像素阵列如图 1A 所示, 图 1B 为图 1A 像素 阵列之等效电路图, 如图所示, 基板上排布有多条扫描线 (gate line)101 和多条数据线 (data line)102, 且二者相互垂直。像素单元 100 在基板上呈矩阵式排列, 每个像素单元 包括一开关 TFT103、 一驱动 TFT104、 一存储电容 105 和一 OLED 发光单元 106, 每个像素单 元又与一扫描线和一数据线电气连接, 通过扫描线获得扫描信号, 通过数据线获得显示数 据信号。数据线与数据芯片 (source IC) 电气连接, 扫描线与扫描芯片 (gate IC) 电气连 接。传统布线结构是一根数据线控制一列像素, 一根扫描线控制一行像素。而对显示器的 分辨率要求越高, 需要的像素也越多, 相应的数据芯片和扫描芯片的数量也越多。 而实际生 产中, 数据芯片的价格远远高于扫描芯片, 因此, 如何简化电路设计结构以降低生产成本是 AMOLED 制造过程中有待解决的问题之一。
     发明内容
     针对上述问题, 本发明的目的是提供一种具有共数据线结构的有源矩阵有机发光 显示器。
     本发明的目的是通过如下技术方案予以实现的 :
     本发明提供了一种有源矩阵有机发光显示器, 包括一基板, 在基板上呈矩阵排列 的多个像素组, 平行配置于基板上的多条数据线, 平行配置于基板上的多条扫描线, 上述每 个像素组包括两个像素单元, 这两个像素单元共用同一数据线, 该数据线位于上述像素组 中的两像素单元之间。上述两像素单元分别与各自对应的一条扫描线电气连接, 且同一像 素组对应的两条扫描线分别位于该像素组的相对两侧且与数据线垂直。
     上述每个像素单元包括一控制电路单元和一发光单元, 且同一像素组中两像素单 元的控制电路单元位于该像素组的两相对角端。 上述控制电路单元至少包括一开关薄膜晶 体管、 一驱动薄膜晶体管、 一存储电容。
     所述发光单元为一有机电致发光单元。
     本发明技术方案可使有源矩阵有机发光显示器阵列基板的数据线条数较传统结 构减半, 有效提高电路集成度, 减少数据芯片的使用成本, 尤其适用于移动通讯设备和大尺寸视频播放设备等产品上。 附图说明
     图 1A 为传统有源矩阵有机发光显示器的像素阵列结构示意图 ; 图 1B 为图 1A 有源矩阵有机发光显示器像素阵列的等效电路图 ; 图 2A 为本发明的有源矩阵有机发光显示器的像素阵列结构示意图 ; 图 2B 为图 2A 所示有源矩阵有机发光显示器像素阵列的等效电路图 ; 图 2C 为图 2A 所示像素阵列中一像素组的结构示意图 ; 图 3A 为制备像素组的多晶硅层和栅绝缘层的示意图 ; 图 3B 为图 3A 中 A-A’ 截面的剖面图 ; 图 3C 为形成栅极和层间绝缘层的示意图 ; 图 3D 为图 3C 中 A-A’ 截面的剖面图 ; 图 3E 为形成接触孔图案的示意图 ; 图 3F 为图 3E 中 A-A’ 截面的剖面图 ; 图 3G 为形成源极、 漏极、 数据线和钝化层的示意图 ; 图 3H 为图 3G 中 A-A’ 截面的剖面图 ; 图 3I 为形成像素电极图案的示意图 ; 图 3J 为图 3I 中 B-B’ 截面的剖面图。具体实施方式
     为让本发明的上述内容更明显易懂, 下文特举较佳实施例, 并结合附图作详细说 明如下。
     实施例
     图 2A 为本发明的有源矩阵有机发光显示器的像素阵列结构示意图, 如图所示, 本 发明的有源矩阵有机发光显示器的像素阵列由若干像素组 200 呈矩阵形式排列而成。 图 2B 为图 2A 所示有源矩阵有机发光显示器像素阵列的等效电路图, 图 2C 为图 2A 所示像素阵列 中一像素组的结构示意图, 如图所示, 每个像素组包括两个像素单元 201, 每个像素单元包 括一控制电路单元和一有机电致发光单元 205, 其中控制电路单元包括一开关 TFT202、 一 驱动 TFT203、 一存储电容 204, 每个像素单元又分别与一扫描线 206 电气连接, 通过扫描线 获得扫描信号 ; 同一像素组中的两个像素单元共同与一数据线 207 电气连接, 通过数据线 获得显示数据信号。
     图 3A ~ 3J 为图 2C 所示像素组的制作工艺步骤示意图。
     图 3A 为形成像素组的多晶硅层和栅绝缘层的示意图, 图 3B 为图 3A 中 A-A’ 截面 的剖面图。如图所示, 首先在阵列基板 301( 玻璃等 ) 上依次沉积一缓冲层 302, 通常为氮 化硅、 氧化硅等材料, 接着继续沉积一半导体层, 一般为非晶硅层 (a-Si)。对非晶硅层采用 准分子激光退火 (ELA)、 固相晶化 (SPC) 或金属诱导结晶 (MIC) 等方法, 将其转化成多晶硅 层 (P-Si)303。然后采用光刻的方法, 在多晶硅层上形成硅岛 304。接着, 采用化学气相沉 积 (CVD) 的方法, 在硅岛和未被覆盖的缓冲层上沉积栅绝缘层 305。
     图 3C 为形成栅极和层间绝缘层的示意图, 图 3D 为图 3C 中 A-A’ 截面的剖面图。如图所示, 在栅绝缘层上溅射第一金属层 ( 图中未示出 ), 采用光刻的方法分别形成开关 TFT 的栅极 306、 扫描线 307、 电容第一电极 308 和驱动 TFT 的栅极 309, 接着采用 CVD 的方法形 成层间绝缘层 310。
     如图 3E 所示, 在开关 TFT 栅极两侧、 电容第一电极的两侧和驱动 TFT 栅极两侧, 采 用光刻的方法在删绝缘层和层间绝缘层上形成接触孔 311, 图 3F 为图 3E 中 A-A’ 截面的剖 面图。
     图 3G 为形成源极、 漏极、 数据线和钝化层的示意图, 图 3H 为图 3G 中 A-A’ 截面的 剖面图。如图所示, 在层间绝缘层上沉积第二金属层 312, 并采用光刻的方法形成图形。其 中, 开关 TFT 的源极 313 通过接触孔 314 与多晶硅层电气连接, 开关 TFT 的源极 313 同时还 与数据线 315 电气连接 ; 开关 TFT 的漏极 316 通过接触孔 317 与多晶硅层电气连接, 并通过 接触孔 318 与驱动 TFT 的栅极及存储电容的第一电极电气连接。多晶硅层 319 通过接触孔 320 与电压驱动线 321 电气连接, 形成储存电容的第二电极。接着, 采用 CVD 的方法沉积钝 化绝缘层 322。
     图 3I 为形成像素电极图案的示意图, 图 3J 为图 3I 中 B-B’ 截面的剖面图, 如图所 示, 采用光刻的方法, 在驱动 TFT 的漏极处形成接触孔 323。 接着采用溅射的方法, 形成一氧 化铟锡 (ITO) 或氧化铟锌等透明电极层, 并采用光刻的方法, 形成 OLED 发光单元的透明阳 极层 324, 透明阳极层通过接触孔 323 与驱动 TFT 的漏极电气连接。
     通过以上的工艺步骤, 就可以完成所述像素组的制备。通过将若干像素组呈矩阵 排列, 即可完成有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造。
     本发明所述有源矩阵有机发光显示器的阵列基板由如图 2A 所示的若干像素组 呈矩阵排列而成, 每个像素组包括两个像素单元, 每个像素单元包括一控制电路单元和一 OLED 发光单元, 其中控制电路单元包括一开关 TFT、 一驱动 TFT、 一存储电容。 同一像素组中 两像素单元的控制电路单元位于像素组的两相对角端。 每个像素单元又分别与一扫描线电 气连接, 通过扫描线获得扫描信号 ; 同一像素组中的两个像素单元共同与一数据线电气连 接, 通过数据线获得显示数据信号。 显示器工作时, 通过扫描线的逐行扫描分别对同一像素 组中的两像素单元进行选通, 实现各自的对应数据的显示。 由于较传统结构相比, 本发明中 同一像素组中的两像素单元共用同一根数据线, 因此使整个阵列基板的数据线条数较传统 结构减半, 相应的减少了数据芯片的使用成本, 尤其适用于移动通讯设备和视频播放设备 等产品上。
     最后应说明的是, 以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制, 尽管参照 较佳实施例对本发明进行了详细说明, 任何所属技术领域中具有通常知识者, 在不脱离本 发明的精神和范围内, 当可作些许的更动与润饰, 因此本发明的保护范围当视权力要求范 围所界定者为准。

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1、10申请公布号CN101958102A43申请公布日20110126CN101958102ACN101958102A21申请号201010281838422申请日20100915G09G3/32200601H01L27/3220060171申请人昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司地址215300江苏省苏州市昆山开发区光电产业园富春江路320号72发明人张婷婷邱勇高孝裕刘周英朱晖54发明名称一种具有共数据线结构的有源矩阵有机发光显示器57摘要本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器,尤其涉及一种具有共数据线结构的有源矩阵有机发光显示器。本发明技术方案通过在有源矩阵有机发光显示器的阵列基板上设置具。

2、有共数据线像素单元的像素组,使整个阵列基板的数据线条数较传统结构减半,有效提高电路集成度,减少了数据芯片的使用成本。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书3页附图10页CN101958103A1/1页21一种有源矩阵有机发光显示器,包括一基板;多个像素组,在基板上呈矩阵排列;多条数据线,平行配置于基板上;多条扫描线,平行配置于基板上;其特征在于,所述每个像素组包括两个像素单元,所述两像素单元共用同一数据线。2根据权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器,其特征在于,所述数据线位于所述像素组中的两像素单元之间。3根据权利要求1所述的一种有源矩阵有机发。

3、光显示器,其特征在于,所述两像素单元分别与各自对应的一条扫描线电气连接。4根据权利要求3所述的一种有源矩阵有机发光显示器,其特征在于,同一像素组对应的两条扫描线分别位于该像素组的相对两侧且与数据线垂直。5根据权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器,其特征在于,每个像素单元包括一控制电路单元和一发光单元。6根据权利要求5所述的一种有源矩阵有机发光显示器,其特征在于,同一像素组中两像素单元的控制电路单元位于该像素组的两相对角端。7根据权利要求5所述的一种有源矩阵有机发光显示器,其特征在于,所述控制电路单元至少包括一开关薄膜晶体管、一驱动薄膜晶体管和一存储电容。8根据权利要求5所述的一种有源矩阵。

4、有机发光显示器,其特征在于,所述发光单元为一有机电致发光单元。9一种移动通信设备,其特征在于,所述移动通讯设备包括如权利要求1所述的有源矩阵有机发光显示器。10一种视频播放设备,其特征在于,所述视频播放设备包括如权利要求1所述的有源矩阵有机发光显示器。权利要求书CN101958102ACN101958103A1/3页3一种具有共数据线结构的有源矩阵有机发光显示器技术领域0001本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器,尤其涉及一种具有共数据线结构的有源矩阵有机发光显示器。背景技术0002近年来,由于重量轻、体积小等优点,平板显示器尤其是液晶显示器LCD和有机电致发光显示器OLED在移动手机、数码相。

5、机、笔记本电脑以及平板电视等显示终端中被广泛地使用。由于具有优于LCD的亮度、视角性能、响应速度和显示效果,OLED被公认为下一代平板显示器,特别是有源矩阵有机发光显示器AMOLED的优点更为突出。AMOLED通过在薄膜晶体管TFT阵列基板上形成OLED像素器件实现发光显示功能。0003目前,传统有源矩阵有机发光显示器的像素阵列如图1A所示,图1B为图1A像素阵列之等效电路图,如图所示,基板上排布有多条扫描线GATELINE101和多条数据线DATALINE102,且二者相互垂直。像素单元100在基板上呈矩阵式排列,每个像素单元包括一开关TFT103、一驱动TFT104、一存储电容105和一O。

6、LED发光单元106,每个像素单元又与一扫描线和一数据线电气连接,通过扫描线获得扫描信号,通过数据线获得显示数据信号。数据线与数据芯片SOURCEIC电气连接,扫描线与扫描芯片GATEIC电气连接。传统布线结构是一根数据线控制一列像素,一根扫描线控制一行像素。而对显示器的分辨率要求越高,需要的像素也越多,相应的数据芯片和扫描芯片的数量也越多。而实际生产中,数据芯片的价格远远高于扫描芯片,因此,如何简化电路设计结构以降低生产成本是AMOLED制造过程中有待解决的问题之一。发明内容0004针对上述问题,本发明的目的是提供一种具有共数据线结构的有源矩阵有机发光显示器。0005本发明的目的是通过如下技。

7、术方案予以实现的0006本发明提供了一种有源矩阵有机发光显示器,包括一基板,在基板上呈矩阵排列的多个像素组,平行配置于基板上的多条数据线,平行配置于基板上的多条扫描线,上述每个像素组包括两个像素单元,这两个像素单元共用同一数据线,该数据线位于上述像素组中的两像素单元之间。上述两像素单元分别与各自对应的一条扫描线电气连接,且同一像素组对应的两条扫描线分别位于该像素组的相对两侧且与数据线垂直。0007上述每个像素单元包括一控制电路单元和一发光单元,且同一像素组中两像素单元的控制电路单元位于该像素组的两相对角端。上述控制电路单元至少包括一开关薄膜晶体管、一驱动薄膜晶体管、一存储电容。0008所述发光。

8、单元为一有机电致发光单元。0009本发明技术方案可使有源矩阵有机发光显示器阵列基板的数据线条数较传统结构减半,有效提高电路集成度,减少数据芯片的使用成本,尤其适用于移动通讯设备和大尺说明书CN101958102ACN101958103A2/3页4寸视频播放设备等产品上。附图说明0010图1A为传统有源矩阵有机发光显示器的像素阵列结构示意图;0011图1B为图1A有源矩阵有机发光显示器像素阵列的等效电路图;0012图2A为本发明的有源矩阵有机发光显示器的像素阵列结构示意图;0013图2B为图2A所示有源矩阵有机发光显示器像素阵列的等效电路图;0014图2C为图2A所示像素阵列中一像素组的结构示意。

9、图;0015图3A为制备像素组的多晶硅层和栅绝缘层的示意图;0016图3B为图3A中AA截面的剖面图;0017图3C为形成栅极和层间绝缘层的示意图;0018图3D为图3C中AA截面的剖面图;0019图3E为形成接触孔图案的示意图;0020图3F为图3E中AA截面的剖面图;0021图3G为形成源极、漏极、数据线和钝化层的示意图;0022图3H为图3G中AA截面的剖面图;0023图3I为形成像素电极图案的示意图;0024图3J为图3I中BB截面的剖面图。具体实施方式0025为让本发明的上述内容更明显易懂,下文特举较佳实施例,并结合附图作详细说明如下。0026实施例0027图2A为本发明的有源矩阵有。

10、机发光显示器的像素阵列结构示意图,如图所示,本发明的有源矩阵有机发光显示器的像素阵列由若干像素组200呈矩阵形式排列而成。图2B为图2A所示有源矩阵有机发光显示器像素阵列的等效电路图,图2C为图2A所示像素阵列中一像素组的结构示意图,如图所示,每个像素组包括两个像素单元201,每个像素单元包括一控制电路单元和一有机电致发光单元205,其中控制电路单元包括一开关TFT202、一驱动TFT203、一存储电容204,每个像素单元又分别与一扫描线206电气连接,通过扫描线获得扫描信号;同一像素组中的两个像素单元共同与一数据线207电气连接,通过数据线获得显示数据信号。0028图3A3J为图2C所示像素。

11、组的制作工艺步骤示意图。0029图3A为形成像素组的多晶硅层和栅绝缘层的示意图,图3B为图3A中AA截面的剖面图。如图所示,首先在阵列基板301玻璃等上依次沉积一缓冲层302,通常为氮化硅、氧化硅等材料,接着继续沉积一半导体层,一般为非晶硅层ASI。对非晶硅层采用准分子激光退火ELA、固相晶化SPC或金属诱导结晶MIC等方法,将其转化成多晶硅层PSI303。然后采用光刻的方法,在多晶硅层上形成硅岛304。接着,采用化学气相沉积CVD的方法,在硅岛和未被覆盖的缓冲层上沉积栅绝缘层305。0030图3C为形成栅极和层间绝缘层的示意图,图3D为图3C中AA截面的剖面图。如说明书CN101958102。

12、ACN101958103A3/3页5图所示,在栅绝缘层上溅射第一金属层图中未示出,采用光刻的方法分别形成开关TFT的栅极306、扫描线307、电容第一电极308和驱动TFT的栅极309,接着采用CVD的方法形成层间绝缘层310。0031如图3E所示,在开关TFT栅极两侧、电容第一电极的两侧和驱动TFT栅极两侧,采用光刻的方法在删绝缘层和层间绝缘层上形成接触孔311,图3F为图3E中AA截面的剖面图。0032图3G为形成源极、漏极、数据线和钝化层的示意图,图3H为图3G中AA截面的剖面图。如图所示,在层间绝缘层上沉积第二金属层312,并采用光刻的方法形成图形。其中,开关TFT的源极313通过接触。

13、孔314与多晶硅层电气连接,开关TFT的源极313同时还与数据线315电气连接;开关TFT的漏极316通过接触孔317与多晶硅层电气连接,并通过接触孔318与驱动TFT的栅极及存储电容的第一电极电气连接。多晶硅层319通过接触孔320与电压驱动线321电气连接,形成储存电容的第二电极。接着,采用CVD的方法沉积钝化绝缘层322。0033图3I为形成像素电极图案的示意图,图3J为图3I中BB截面的剖面图,如图所示,采用光刻的方法,在驱动TFT的漏极处形成接触孔323。接着采用溅射的方法,形成一氧化铟锡ITO或氧化铟锌等透明电极层,并采用光刻的方法,形成OLED发光单元的透明阳极层324,透明阳极。

14、层通过接触孔323与驱动TFT的漏极电气连接。0034通过以上的工艺步骤,就可以完成所述像素组的制备。通过将若干像素组呈矩阵排列,即可完成有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造。0035本发明所述有源矩阵有机发光显示器的阵列基板由如图2A所示的若干像素组呈矩阵排列而成,每个像素组包括两个像素单元,每个像素单元包括一控制电路单元和一OLED发光单元,其中控制电路单元包括一开关TFT、一驱动TFT、一存储电容。同一像素组中两像素单元的控制电路单元位于像素组的两相对角端。每个像素单元又分别与一扫描线电气连接,通过扫描线获得扫描信号;同一像素组中的两个像素单元共同与一数据线电气连接,通过数据线获得显示数。

15、据信号。显示器工作时,通过扫描线的逐行扫描分别对同一像素组中的两像素单元进行选通,实现各自的对应数据的显示。由于较传统结构相比,本发明中同一像素组中的两像素单元共用同一根数据线,因此使整个阵列基板的数据线条数较传统结构减半,相应的减少了数据芯片的使用成本,尤其适用于移动通讯设备和视频播放设备等产品上。0036最后应说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,任何所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,因此本发明的保护范围当视权力要求范围所界定者为准。说明书CN101958102ACN1019581。

16、03A1/10页6图1A说明书附图CN101958102ACN101958103A2/10页7图1B说明书附图CN101958102ACN101958103A3/10页8图2A说明书附图CN101958102ACN101958103A4/10页9图2B说明书附图CN101958102ACN101958103A5/10页10图2C说明书附图CN101958102ACN101958103A6/10页11图3A图3B说明书附图CN101958102ACN101958103A7/10页12图3C图3D说明书附图CN101958102ACN101958103A8/10页13图3E图3F说明书附图CN101958102ACN101958103A9/10页14图3G图3H说明书附图CN101958102ACN101958103A10/10页15图3I图3J说明书附图CN101958102A。

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