用于半导体器件的超净室 【技术领域】
本发明涉及一种超净室，并且典型地涉及一种在其内制造半导体器件等的超净室。
背景技术
作为一种用于制造半导体器件的传统的超净室，图1所示的超净室是已知的(日本专利待公开H10-96332)。超净室101的全部面积由一个隔板101c分成具有相互独立的空气调节系统的一个第一区域101a和一个第二区域101b。制造设备114a、运输设备127、储存设备128等安装在一个受到第一区域101a中的空气调节的工作区域126a。另一方面，产生化学雾的制造设备114b安装在一个受到第二区域101b中的空气调节的工作区域126b。在第一区域101a中，来自一个外部空气调节器111的空气以及来自免化学空气输入设备123的免化学空气与以下将描述的循环空气一起经过一个天花板室124a、具有化学过滤器112和非化学过滤器130a的风扇过滤器单元125被送入工作区域126a，在该外部空气调节器中空气受到除尘和湿度控制，在该免化学空气输入设备中空气被除去化学反应成份。非化学过滤器130a是HEPA(HighEfficiency Particulate Air，高效微粒空气)过滤器和ULPA(Ultra LowPenetration Air，超低渗透空气)过滤器等。送入工作区域126a的空气被向前输送通过栅状地板107a(一种如同排水板状地地板)下到一个运作区域129a。然后，空气再经运作区域129a 通过一个温度控制设备132a、一个循环风扇131a和一个循环输送管109a返回到天花板室124a。在第二区域101b中，来自外部空气调节器111的空气与以下将描述的循环空气一起经过一个天花板室124b和非化学过滤器130b被送入工作区域126b，在该外部空气调节器中空气受到湿度控制。送入工作区域126b的空气被向前输送通过栅状地板107b下到一个运作区域129b。然后，空气再经运作区域129b通过一个化学过滤器110、一个温度控制设备132b、一个循环风扇131b和一个循环排送管109b返回到天花板室124b。结果，大部分送入第一区域101a和第二区域101b的空气分别仅在第一区域101a和仅在第二区域101b中循环。部分送入工作区域126a、126b的空气由安装在制造设备114a、114b等中的本机通风机通过排送管(未示出)从超净室101排出。这种设置是为了防止区域101a和区域101b之间的交叉污染。
然而，在传统的超净室101中，制造设备114a、运输设备127、储存设备128等一起处于一个其中有空气循环的工作区域126a中。因此，例如在工作区域126a中的任何地方产生的微粒这样的灰尘会污染已从运输设备127输送到制造设备114a的暴露的半导体晶片。
在第一区域101a中，已通过化学过滤器112的空气和已通过非化学过滤器130a的空气在工作区域126a的循环处理中和以后的处理中相互混合，使得化学过滤器112的负载增加。这是因为导致化学污染的化学雾(钠、钾、铝、铁、钴、镍、铜、氨等的原子或离子)不仅从制造设备中产生，也由于物件的运输和工人在工作区域126a中的移动而产生。在第二区域101b中的化学过滤器110的负载也增加，因为来自整个工作区域126b的空气通过化学过滤器110，即，不仅有来自制造设备114b的区域的空气，也有来自工人在设备周围移动的区域的空气。结果，化学过滤器112和110不得不被频繁地更换，例如，以若干个月至若干年为间隔。于是就增加了化学过滤器的运作成本。
例如HEPA和ULPA的非化学过滤器130a和130b在运作成本上的问题较小，因为这种非化学过滤器的单位成本不高于化学过滤器的运作成本的三分之一，并且因为非化学过滤器的更换的频繁程度会低于化学过滤器的更换的频繁程度。
【发明内容】
本发明的一个目的是提供一种超净室，它防止例如半导体晶片的要被处理的物件的污染，并且使化学过滤器的运作成本降低。
为了达到上述目的，本发明提供一种超净室，包括：
一个设备安装区域，在其中安装有用于处理要被处理的物件的设备；
一个处理区域，在其中要被处理的物件被装载到所述设备中或从所述设备卸下；和
一个操作区域，在其中操作设备，
其中，所述设备安装区域、所述处理区域和所述操作区域按上述次序如此水平地布置，使得由隔板而被相互分隔，并且，
其中，所述设备安装区域、所述处理区域和所述操作区域是相互独立地进行空气调节的。
根据本发明，设备安装区域、处理区域和操作区域是相互独立地进行空气调节的。因此，例如在设备安装区域或者在操作区域中产生的微粒这样的灰尘不会污染在处理区域中暴露的要被处理的物件。于是可防止物件的污染。
在本发明的一个实施例中，采用通过一个化学过滤器的空气对处理区域进行空气调节，并且，
采用通过非化学过滤器的空气对设备安装区域和操作区域进行空气调节。
根据此实施例，可以容易地达到在这些区域中通常所要求的超净程度，因为在处理区域中的空气调节是采用通过化学过滤器的空气来执行的，在设备安装区域和在操作区域中的空气调节是采用通过各非化学过滤器的空气来执行的。此外，通过化学过滤器的空气仅在处理区域中循环而不与设备安装区域和操作区域中的空气相混合。所以，与现有技术相比较，化学过滤器不容易被污染。因此，化学过滤器的运作成本可低于传统的超净室中的化学过滤器的运作成本。
本文中，一个“化学过滤器”是指一个用于采用化学反应来除去导致要被处理的物件的化学污染的化学雾(钠、钾、铝、铁、钴、镍、铜、氨等的原子或离子)的过滤器，一个“非化学过滤器”是指一个用于不采用任何化学反应而物理地俘获和除去微粒的过滤器。所述非化学过滤器例如是一个HEPA(HighEfficiency Particulate Air，高效微粒空气)过滤器和一个ULPA(Ultra LowPenetration Air，超低渗透空气)过滤器。
在本发明的一个实施例中，超净室还包括
一个天花板室，设置在各设备安装区域，处理区域和操作区域中的天花板下；
一个目标区，设置在所述天花板室之下并且通过一个指定的过滤器进行空气调节；
一个地板底区，经栅状地板设置在所述目标区之下；和
一个循环排送管，设置来用于通过它将来自地板底区的空气回送到所述天花板室。
根据此实施例，从天花板室通过指定的过滤器将空气送入各设备安装区域，处理区域和操作区域中的目标区。送入目标区的空气通过栅状地板流入地板底区，并且从地板底区通过循环排送管返回到天花板室。在天花板室中，从地板底区返回的空气被混合以从超净室之外取得的相对少量的空气(受到适当的空气调节的限制，例如根据所要求的超净程度的除尘和除化学物质)。混合后的空气通过过滤器被再次送入目标区。于是，在超净室中，各区域中的空气调节在一个循环系统中执行，这就减小了设置在各区域中的过滤器上的负载。结果，可降低过滤器的运作成本。
在本发明的一个实施例中，经操作区域水平地设置多个加工区间，各由设备安装区域和处理区域的组合构成，并且，
所述多个加工区间是相互独立地进行空气调节的。
根据此实施例，在各加工区间可单独地设置一个超净度，并且因此可以根据安装在各加工区间中的用于处理要被处理的物件的目的的设备的类型来设置该超净度。
在本发明的一个实施例中，经一个隔板由周围通道区域环绕一个由多个加工区间和操作区域构的内部超净区域，并且，
所述周围通道区域是独立于所述内部超净区域进行空气调节的。
根据此实施例，周围通道区域发挥在一个超净室的外部空间和该内部超净区域之间的一个缓冲器的功能。因此，可稳定地执行在内部超净区域中的空气调节，而不受超净室的外部环境的影响。
在本发明的一个实施例中，经平面地板在内部超净区域的下面设置一个辅助机器区域，其中安装有一个用于辅助于设备的操作的辅助机器，并且，
所述辅助机器区域是独立于所述内部超净区域进行空气调节的。
根据此实施例，经平面地板在内部超净室的下面安装辅助机器。可采用通过管道系统垂直连接至设备的辅助机器来协助设备的操作。这种设置使设备安装区域的面积和体积小于其中辅助机器是与设备安装在一起的设备安装区域的面积和体积。上述设置也使管道系统的长度可实际地小于辅助机器安装在超净室外的传统情形中的管道系统的长度。
此外，在此实施例的超净室中，辅助机器区域是独立于所述内部超净区域进行空气调节的，使得在内部超净区域中需要的超净程度不受到削弱并且可容易地达到。
本文中，一个“辅助机器”是指与要被处理的物件并非直接相关但协助设备的操作的设备。“辅助机器”的例子是，一个泵单元，用于通过管道系统从需要真空的设备抽出空气；一个热交换器，用于通过设备中的两路管道系统的循环冷水使设备降温；和一个有害物质消除装置，用于当设备释放出对人体有害的物质时通过管道系统将有害物质从设备取走，将该物质改变成无害物质，并且从超净室释放出该无害物质。
在本发明的一个实施例中，多个辅助机器安装在一个其中有空气循环的共用的辅助机器区域中。
根据此实施例，辅助机器中的空气调节比为各辅助机器设置一个独立的辅助机器区域的情形较易进行。
在本发明的一个实施例中，共用的辅助机器区域与周围通道区域相连通，以共同对辅助机器区域和周围通道区域进行空气调节。
根据此实施例，这些区域中的空气调节比相互独立地进行空气调节的区域的情形较易进行。
在本发明的一个实施例中，在内部超净区域中，要求高超净度的一个区域中的气压被设置得高于的要求低超净度的一个区域中的气压。
根据此实施例，防止灰尘从一个要求低净度的区域流入一个要求高超净度的区域。结果，一个要求高超净度的区域中的超净程度保持得令人满意。
在本发明的一个实施例中，要被处理的物件只通过操作区域从其中一个加工区间运输到另外一个加工区间。
根据此实施例，由于要被处理的物件只通过操作区域从其中一个加工区间运输到另外一个加工区间，物件并不经过设备安装区域。因此，可防止物件被设备安装区域中的设备产生的化学雾所污染。
在本发明的一个实施例中，允许栅状地板上的操作者只在周围通道区域与操作区域之间和周围通道区域与设备安装区域之间行走。
根据此实施例，不允许工人进入处理区域，并且不允许工人直接在操作区域和设备安装区域之间行走。这样，由于工人的行走所导致的空气调节中的紊乱减到最小。
【附图说明】
从以下给出详细说明和仅用于图解而非限制本发明的附图，可以更充分地理解本发明，附图中：
图1是根据本发明的一个实施例的超净室的一部分的一个垂直剖面图；
图2是图解超净室的一个平面布置的视图；
图3是传统的超净室的一个垂直剖面图。
实施例说明
以下，参照附图对根据本发明的超净室的一个实施例进行详细的说明。
图1示出用于制造半导体器件的一个超净室1的一个垂直剖面图，它是沿图2的线X-X’所取得的。图2示出超净室1的一个平面布置。
在图2中，参考标号3a指示一个其中安装有一个离子注入设备的设备安装区域。标号3b指示一个其中安装有一个光平面印刷设备的设备安装区域。标号3c指示一个其中安装有一个干蚀刻设备的设备安装区域。标号3d指示一个其中安装有一个CMP设备的设备安装区域。标号3e指示一个其中安装有一个氧化和扩散设备的设备安装区域。标号3f指示一个其中安装有一个湿清洗设备的设备安装区域。标号3g指示一个其中安装有一个CVD设备的设备安装区域标。号3h指示一个其中安装有一个金属膜形成设备的设备安装区域。以下，如需要，设备安装区域由参考标号3表示。安装上述设备，作为分别对如半导体晶片(以下称为“晶片”)这样的要被处理的物件施加指定的处理的设备。
如图2所示，一个或两个处理区域4与各设备安装区域3相邻接。一个设备安装区域3和一个或两个处理区域4的组合形成一个加工区间。在本例中，多个加工区间经一个操作区域2垂直地和水平地设置成四行和两列。处理区域4用于将晶片装载到安装在与处理区域4相邻接的设备安装区域3中的设备上或从该设备上卸下。设备安装区域3和相邻接的处理区域4被一个通常为平板形状的隔板42相分隔。加工区间和操作区域2被通常为平板形状的隔板43，44相分隔。一个周围通道区域5包围一个矩形区域1i，在其中加工区间被布置成四行和两列(以下将该矩形区域称为“内部超净区域”)。周围通道区域5和内部超净区域1i被一个隔板41相分隔。设置周围墙壁40作为周围通道区域5的一个外侧边界。周围墙壁40限定超净室1的外侧。
布置在内部超净区域1i中的加工区间是相互独立地进行空气调节的，并且操作区域2的空气调节是独立于加工区间的空气调节的。因此，在各加工区间可单独地根据安装在加工区间中的用于处理要被处理的物件的目的的设备的类型来设置一个超净程度。另一方面，周围通道区域5是独立于内部超净区域1i进行空气调节的。因此，周围通道区域5发挥在一个超净室1的外部空间和内部超净区域1i之间的一个缓冲器的功能。因此，可稳定地执行在内部超净区域1i中的空气调节，而不受超净室1的外部环境的影响。
在周围墙壁40设置一个门22，工人(设备操作员和维修人员)可通过该门在周围通道区域5和操作区域2之间行走。在隔板41设置一个门20，工人(主要是设备操作员)可通过该门在周围通道区域5和操作区域2之间行走，以及门21，工人(主要是维修人员)可通过该门在周围通道区域5和设备安装区域3之间行走。除了上述门之外，不设置其它的门。结果，允许工人只在内部超净区域1i中的周围通道区域5与操作区域2之间和周围通道区域5与设备安装区域3之间行走。即，不允许工人进入处理区域4，并且不允许工人直接在操作区域2和设备安装区域3之间行走。这样，由于工人的行走所导致的空气调节中的紊乱减到最小。
如图1所示，超净室1具有栅状地板7(包括若干部分7a、7b、7c和7p)、设置在地板1下面的平面地板8、和设置在地板8下面的平面地板6。工人在栅状地板7上行走。
前述的隔板41、42和43从天花板50伸延至地板8。在天花板50和地板8之间，由隔板41和42限定的空间用于设备安装区域3，由隔板42和43限定的空间用于处理区域4，并且由隔板43和43(以及图2中的隔板44和44)限定的空间用于操作区域2。在处理区域4中，如以下所描述的，晶片直接暴露于空气流。因此，处理区域4中的超净程度必须高于其它区域3和2中的超净程度。于是，考虑到空气调节的效率，处理区域4的容量被设置得尽可能小。
在设备安装区域3和操作区域2的天花板50附近，设置天花面板45a和45c，其中分别安装由HEPA过滤器18a和18c。据此，天花板室24a和24c分别形成在天花板50与天花面板45a和45c之间。在各处理区域4的天花板50的附近，在隔板42和43之间以薄板状态安装有一个化学过滤器10和一个ULPA过滤器19，使得在天花板50和化学过滤器10之间形成一个天花板室24b。由于它仅位于内部超净区域1i中设置有化学过滤器10的处理区域4中，提供化学过滤器的初始成本与在传统的超净室中使用的化学过滤器的成本相比可降低，
要进行空气调节的目标区25a、25b和25c分别是一个在各设备安装区域3中从天花面板45a伸延至栅状地板7a的区间、一个在各处理区域4中从ULPA过滤器19伸延至栅状地板7b的区间、和一个在操作区域2中从天花面板45c伸延至栅状地板7c的区间。前述的设备14安装在设备安装区域3中的目标区25a中。一个晶片运输机械手13安装在处理区域4中的目标区25b中。一个公知的SMIF(Standard Mechanical Interface，标准机械接口)盒12设置在操作区域2中的目标区25c中。
在操作区域2中，带有置于其中的一个晶片承载件的SMIF盒由工人携至设备14的一个端口。然后由一个运输机械手13将晶片置入处理区域4，并且在一种直接暴露于空气流的状态中从晶片承载件装载到设备14中。在设备14中处理之后，从设备14卸下晶片，以便由操作区域4中的机械手13再置入SMIF盒12中，并且送回操作区域2。如果安装设备安装区域3中的设备14是具有一个真空室的类型，则晶片的移动并不导致操作区域2中的空气调节和操作区域4的空气调节之间的干扰。如果安装在设备安装区域3中的设备14是不具有真空室的类型(例如，大气压力型)，则晶片的移动暂时导致操作区域2中的空气调节和操作区域4的空气调节之间的干扰。然而，干扰的量很小。处理之间的晶片的运输是由SMIF系统来执行的，即，由设备操作员移动放置晶片承载件的SMIF盒12来执行的。换言之，晶片仅通过操作区域2从一个加工区间运输至另一个加工区间，并不需要操作员通过设备安装区域3运送晶片。因此，可防止晶片受到安装在设备安装区域3中的设备所产生的化学雾的污染。此外，防止晶片暴露于操作区域2中的空气流，因为晶片放置在那里的SMIF盒中。于是，可防止晶片的污染。
在各设备安装区域3中，在栅状地板7a和地板8之间并且接近如图1所示左侧的端墙壁的一个地板底区29a中安装一个循环风扇31。循环风扇31在循环风扇31的前侧配备有一个温度控制器32。在循环风扇31的后侧，设置有一个循环排送管9，它垂直地伸延，以便将地板底区29a连接至天花板室24a。在各处理区域4中，在栅状地板7b和地板8之间并且接近图1中未示出的端墙壁但在其侧附近的一个地板底区29b中安装一个循环风扇。循环风扇在其前侧配备有一个温度控制器。在循环风扇的后侧也设置有一个循环排送管(未示出)，它垂直地伸延，以便将地板底区29b连接至天花板室24b。以与上述相同的方式，在操作区域2中，在栅状地板7c和地板8之间并且接近图1中未示出的端墙壁但在其侧附近的一个地板底区29c中安装一个其前侧配备有一个温度控制器的循环风扇。在循环风扇的后侧也设置有一个循环排送管(未示出)，它垂直地伸延，以便将地板底区29c连接至天花板室24c。
在超净室1外侧设置一个外部空气调节机11，用于送入已受除尘和湿度控制的空气。由外部空气调节机11输送的空气被送入设备安装区域3中的天花板室24a、处理区域4中的天花板室24b、和操作区域2中的天花板室24c，基本上不经过化学过滤器。然而，由外部空气调节机11输送的空气通过能够去除有机物质的化学过滤器20a和20b被分别送入其中安装有氧化和扩散设备的设备安装区域3e中的天花板室24a和邻近的处理区域4中的天花板室24b。这是因为氧化和扩散处理易受到作为化学雾的有机物质的负面影响。另一方面，光平面印刷处理易受到作为化学雾的氨的负面影响。因此，由外部空气调节机11输送的空气通过能够除去氨的化学过滤器(未示出)被送入其中安装有光平面印刷设备的设备安装区域3a中的天花板室和邻近的处理区域4中的天花板室。
从外部空气调节机11向各设备安装区域3中的天花板室24a输送的空气与以下描述的循环空气一起通过HEPA过滤器18a被净化。净化后的空气接着被输送到目标区25a，以便通过栅状地板7a流入地板底区29a。流入地板底区29a的空气因循环风扇31的旋转而在水平方向移动(如图1的箭头16所示)。之后，空气受到温度控制器32的温度控制，并且通过循环风扇31送至循环排送管9，以返回天花板室24a。在天花板室24a中，从地板底区29a返回的空气通过排送管9，即，循环空气波混合以相对少量的从外部空气调节机11输入的空气。混合后的空气通过HEPA过滤器18a被输送至目标区25a。输送至目标区25a的大部分空气成为循环空气。然而，一部分输入的空气由安装在设备14中的本机通风装置等(以气箱排气、热排气等形式)通过排送管(未示出)释出超净室1。
从外部空气调节机11向各处理区域4中的天花板室24b输送的空气与以下描述的循环空气一起通过化学过滤器10和ULPA过滤器19被净化。接着，空气接着被输送到目标区25b，以便通过栅状地板7b流入地板底区29b。流入地板底区29b的空气因循环风扇的旋转而在水平方向移动(朝向接近图1中的参考标号17b所示的方向)。之后，空气受到温度控制器的温度控制，并且通过循环风扇送至循环排送管，该排送管将地板底区29b连接至天花板室24b，以返回天花板室24b。在天花板室24b中，从地板底区29b返回的空气通过非送管，即，循环空气被混合以相对少量的从外部空气调节机11输入的空气。混合后的空气通过化学过滤器10和ULPA过滤器19被输送至目标区25b。
以同样的方式，从外部空气调节机11向各操作区域2中的天花板室24c输送的空气与以下描述的循环空气一起通过HEPA过滤器18c被净化。接着，空气接着被输送到目标区25c，以通过栅状地板7c流入地板底区29c。流入地板底区29c的空气因循环风扇的旋转而在水平方向移动(朝向接近图1中的参考标号17c所示的方向)。之后，空气受到温度控制器的温度控制，并且通过循环风扇送至循环排送管，该排送管将地板底区29c连接至天花板室24c，以返回天花板室24c。在天花板室24c中，从地板底区29c返回的空气通过排送管，即，循环空气被混合以相对少量的从外部空气调节机11输入的空气。混合后的空气通过HEPA过滤器18c被输送至目标区25c。
于是，超净室1中的区域3、4和2中的空气调节在一个循环系统中得到执行，该系统减小了设置在区域3、4和2中的过滤器18a、10、19和18c的负载。此外，区域3、4和2中的空气调节是相互独立地进行的。因此，在处理区域4中暴露的晶片不会受到例如在设备安装区域3或在操作区域2中产生的灰尘的污染。根据正常要求的超净程度，通过处理区域4中的循环空气的空气调节是采用化学过滤器10来执行的，并且通过设备安装区域3和操作区域2中的循环空气的空气调节是采用分别只经过非化学过滤器18a和18c的空气来执行的。即，经过化学过滤器10的循环空气仅在处理区域4中循环，并且不与设备安装区域3和操作区域2中的循环空气相混合。因此，使化学过滤器10的负载小于现有技术的负载。于是，化学过滤器10的运作成本可低于用于传统的超净室中的化学过滤器的运作成本。
一个共用于多个加工区间的辅助机器区域30设置在内部超净区域1i的平面地板8之下。辅助机器区域30设置有辅助机器15，用于协助加工区间中的设备14的操作。在此方式中，辅助机器区域30共用于多个加工区间的理由是由此得到的辅助机器区域30中的空气调节较为各辅助机器15提供一个独立的辅助机器区域的情形更为容易。辅助机器的例子是，一个泵单元，一个热交换单元，一个有害物质消除装置等。泵单元用于通过管道系统从设备14中抽出空气以形成设备14中的真空。热交换单元通过设备14中的两路管道系统的循环冷水使设备14降温。有害物质消除装置通过管道系统从释放对人体有害的物质的设备14将有害物质取走，然后将该有害物质改变成无害物质，并且从超净室释放出该无害物质。在本实施例中，设备14的操作由通过管道系统39连接至设备14的一个辅助设备15进行协助。这种布置使得设备安装区域3的面积和体积小于其中辅助机器15与设备14安装在一起的设备安装区域的面积和体积。连接在设备14和辅助机器15之间的管道系统39是在垂直方向上设置的。管道系统39的长度与在水平方向上设置管道系统的情形相比实际上可较短，使得辅助机器15可安装在超净室1之外。
在本实施例中，辅助机器区域30通过栅状地板7p和一个排送管30p部分与周围通道区域5相连通。因此，辅助区域30和周围通道区域5共同受到从外部空气调节机11送入的空气的空气调节。由此，使得这些区域中的空气调节较相互独立地进行空气调节的区域的情形更容易。辅助机器区域30和周围通道区域5分别由隔板41和平面地板6与内部超净区域1i相分隔。因此，辅助机器区域30和周围通道区域5是独立于内部超净区域1i而进行空气调节的。继而，内部超净区域1i中所要求的超净程度可以容易地达到，因为内部超净区域1i中的超净程度不会由于辅助机器区域30和/或周围通道区域5而被削弱。送入辅助机器区域30的空气由安装在辅助机器15中的本机通风装置通过排送管(未示出)释出超净室1。
就上述区域中的空气压力而言，其中晶片暴露于空气流的处理区域4中的压力被设置得最高。按处理区域4、操作区域2、设备安装区域3、周围通道区域5和辅助机器区域30的顺序，前者的压力设置得高于后者。换言之，要求高的超净度的区域中的压力被设置得高于要求低的超净度的区域中的压力。区域中的压力的差别是0.2mm H2O。采用这种设置，灰尘不会从要求低的超净度的一个区域流入要求高的超净度的一个区域。因此，要求高的超净度的区域可满意地保持高程度的清洁。例如，当晶片从操作区域2移至处理区域4或者相反从处理区域4移至操作区域2时，可防止灰尘从操作区域2流入处理区域4中。当周围通道区域5和操作区域2之间的门20被打开时，可防止灰尘从周围通道区域5流入操作区域2。当周围通道区域5和设备安装区域3之间的门21被打开时，可防止灰尘从周围通道区域5流入设备安装区域3。
就实际中应用于半导体器件制造工厂的超净室1而言，化学过滤器的初始成本或安装成本与用于传统的超净室的化学过滤器的成本相比可以减半。化学过滤器的运作成本与用于传统的超净室的化学过滤器的运作成本的情形相比可以减至十分之一。
采用其中化学雾是氨的一个例子，这种效果将描述如下。在没有化学过滤器的一个传统的超净室中的氨的浓度是5ng/L(每公升毫微克)的数量级。为了将氨的浓度降低至0.05ng/L的目标值或更低。要求化学过滤器具有99％或更高的清除效率。目前尚未有具有这种清除效率的单一的过滤器，因此需要各具有90％的清除效率的双过滤器以用于达到99％的清除效率。另一方面，在本实施例的超净室1中，其中产生氨的设备安装区域3与其中几乎不产生氨的处理区域4相分隔。在处理区域4中，在没有安装化学过滤器的状态下，氨的浓度是0.5ng/L。接着，在处理区域4中，仅安装一个具有清除效率为90％的化学过滤器，氨的浓度降低至0.05ng/L的目标值或更低。因此，根据本发明的化学过滤器的初始成本与用于传统的超净室的化学过滤器的成本相比可以减半。传统的没有化学过滤器的超净室中的氨的浓度是5ng/L，而本发明中没有化学过滤器的超净室中的氨的浓度是0.5ng/L。此10∶1的氨浓度比等于现有技术和本发明之间的运作成本的比。
在本实施例中，晶片由SMIF系统运输。然而，晶片的运输不限于SMIF系统。例如，自动运输机械手可用于运输晶片。
从上述说明明显可见，根据本发明的超净室可防止要被处理的物件的污染并且降低化学过滤器的运作成本。
已对本发明进行了说明，显然可以许多方式改变本发明。并不认为这样的变化是脱离本发明的精神和范围的，并且对于本领域的普通技术人员来说，所有这些修改是包括在以下的权利要求的范围之中。