金属遮罩在IC制备过程的应用 【技术领域】
本发明提供一种金属遮罩在IC制备过程的应用，将以往所使用的光罩改为金属遮罩，并应用在IC制备过程中以达到与光罩相同的功效，可减少光罩数及繁复制备过程并可降低成本。背景技术
在整个IC完成设计后的初始制备过程中，光罩为最重要一环，所谓的光罩是将设计完成IC内部电路图或图形的程式设计档，转换成可供光罩设备读取的MEBS语言档。光罩的制作设备再利用曝光机上的激光或电子束将IC内部电路图或图形打在光罩的石英玻璃的铬层，以在该层显示IC制造所需的IC内部电路图或图形，再利用蚀刻等技术将铬层的电路图部分蚀化掉。如此重复作业，直至完成IC上每层制备过程光罩均曝光、显影、蚀刻完毕；然后将已完成蚀刻的光罩送交晶圆制作处理，即将光罩上的IC内部电路图或图形转印到晶圆，如此产生一颗颗IC。这种光罩制作及其过程是极繁覆的，而且成本上所相对的增加。
而本发明的金属遮罩为在金属板制造所需图形，放置于晶圆上；如此可以减少光罩的使用及减少使用光罩的成本，更可以减少去光阻等相关配合制备过程。
另外，在晶片中有不同的区块及层次，且每一区块及层次都有不同的制备过程，而这些不同地制备过程整合将会非常重要。其中，这些不同的区块及层次的大部分需要高精密准确度的制备过程及遮罩，(如整合硅晶片(system on chip，SOC)的设计，须将嵌入式记忆体逻辑电路等置于不同区块、不同厚度的氧化硅的栅极氧化层中；又如电容器需植于动态随机存储器(DRAM)深沟槽处。但对此不同制备过程条件的各区块及层次，可以使用金属遮罩并配合光阻定出一样式图形，以对不同条件的制备过程的区块及层次来进行部分区块遮罩程序。发明内容
本发明的主要目的，在于减少光遮罩的数目以降低在IC制备过程当中的繁覆程序，且可达到与先前使用较多光罩的同样效果，尤其是在不需要太高精密准确度的制备过程当中时，金属遮罩板是非常适用的。
本发明的次要目的，在于降低遮罩制备过程中的成本，做部分遮罩的程序也简易化。
本发明的金属遮罩在IC制备过程的应用，能减少光罩数并会主导未来市场及成本的降低。附图说明
现举一较佳实施例，并结合附图说明如下：
图1为经光阻、曝光及蚀刻等处理的金属遮罩板。
图2为晶圆置于金属遮罩板底下的示意图。
图3为金属遮罩板及晶圆在制备过程中的示意图。
图4为晶圆制备过程后所呈现的状态。
图5为另一金属遮罩板示意图。
图6为晶圆的区块示意图。
图7为晶圆的区块位于金属遮罩板下方的示意图。
图8为金属遮罩板及晶圆在制备过程中的示意图。其中：
10金属遮罩板 11图形
20晶圆 21区块
30金属遮罩板 31图形具体实施方式
将选定好的金属遮罩板10经光阻及曝光形成一个样式图形后，利用干蚀刻或湿蚀刻将图形11吃出(如图1所示)，并且将晶圆20放置于已蚀刻完的金属遮罩板10底下(如图2所示)。接着，再将这两者进行蚀刻、长膜及离子植入等制备过程(如图3所示)，透过遮罩作用将图形11转印于晶圆20上。当整个制备过程结束之后，将晶圆20取出，该晶圆20的面上即形成金属遮罩板10的图形11(如图4所示)。
金属遮罩板也可使用在部分遮罩制备过程中，部分遮罩对于晶圆20上的区块21，做一遮罩程序。
如图5至图8所示，将晶圆20放至金属遮罩板30下方。其中，该遮罩板也是先经过光阻、曝光及蚀刻处理，所以在该遮罩板的面上也呈现出另一图形31；而后将晶圆20与金属遮罩板30进行部分遮罩制备过程，则蚀刻、长膜及离子植入等制备过程将透过金属遮罩板30作用于晶圆20的某一区块21上，直到制备过程结束后，将晶圆20移出。同理，若有其余的金属遮罩板要对晶圆20上的其余区块做部分遮罩时，只要再重覆一次同样的制备过程即可，由此可见金属遮罩板可满足在不同区块下完成不同的部分遮罩制备过程的需求。